KR100545880B1

KR100545880B1 - 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법

Info

Publication number: KR100545880B1
Application number: KR1019990023100A
Authority: KR
Inventors: 하세야마마꼬또; 마루야마시게유끼
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 1998-12-22
Filing date: 1999-06-19
Publication date: 2006-01-25
Also published as: US20020140444A1; US6643922B2; KR20000047418A; TW444311B; US6512386B2; US20030090281A1; JP3730428B2; US7196530B2; US20040070412A1; JP2000188163A

Abstract

본 발명은 반도체 장치에 대하여 전기적으로 콘택트 할 수 있는 반도체 장치 시험용 콘택터, 그 제조 방법 및 반도체 장치 시험용 캐리어에 관한 것이며, 부품수의 절감, 제조 공정의 간단화 및 신뢰성의 향상을 도모하는 것을 과제로 한다.

반도체 장치의 시험 공정에 사용하고, 피시험 대상으로 되는 반도체 장치의 전극(2)과 전기적인 접속을 행하는 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서, 가용성을 갖는 베이스 필름(13A) 상에 상기 전극(2)과 전기적으로 접속하는 장치 접속용 패드(15)가 형성되어 이루어지는 배선 기판(11A)과, 이 배선 기판(11A)의 반도체 장치(1)가 접속하는 면과 반대측의 면에 배설되어 배선 기판(11A)을 보강하는 제1 보강 부재(12A)를 구비하고, 이 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)를 일체적으로 고착 성형한 구성으로 한다.

반도체 장치 시험용 콘택터, 보강 부재, 배선 기판

Description

반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법{method of producing a semiconductor device testing contactor}

도1은 본 발명의 제1 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도2는 본 발명의 제2 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도3은 본 발명의 제3 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도4는 본 발명의 제4 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도5은 본 발명의 제5 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도6은 본 발명의 제6 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도7은 본 발명의 제7 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도8은 본 발명의 제8 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도9는 본 발명의 제9 실시예인 콘택터를 설명하기 위한 도면.

도10은 본 발명의 하나의 실시예인 캐리어를 설명하기 위한 도면.

도11은 본 발명의 제1 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

도12는 콘택터를 제조할 때에 사용하는 금형의 제1 변형례를 나타낸 도면.

도13은 콘택터를 제조할 때에 사용하는 금형의 제2 변형례를 나타낸 도면.

도14는 본 발명의 제2 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

도15는 본 발명의 제3 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

도16은 본 발명의 제4 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

부호의 설명

1 반도체 장치

2 전극

10A~10J 콘택터

11A~11D 배선 기판

12A~12D 제1 보강 부재

13A~13D 베이스 필름

14 도전 패턴

17A~17C 코어재

18 앵커부

19A,19B 고착 면적 증대부

20 제2 보강 부재

21 관통 구멍

22 개구부

23 백업재

24 필름상 부재

25 캐리어

27 쿠션재

28 가압 기구

40A~40D 금형

41A~41C 상형

42A 하형

43 하형 캐비티

45 보강 부재용 재료

46 가열·냉각 장치

47 인장 부재

50 상부 캐비티

본 발명은 반도체 장치 시험용 콘택터, 그 제조 방법 및 반도체 장치 시험용 캐리어에 관한 것이고, 특히 베어칩, BGA(Ball Grid Array),SOP(Small Outline Package),QFP(Quad Flat Package) 등의 반도체 장치(이하 이들 각종 반도체 소자 및 반도체 장치를 총칭하여 "반도체 장치"로 함)에 대하여 전기적으로 콘택트 할 수 있는 반도체 장치 시험용 콘택터, 그 제조 방법 및 반도체 장치 시험용 캐리어에 관한 것이다.

근년에 반도체 장치는 소형화, 고속화, 고밀도화가 요구되고 있다. 이 때문에 이들 반도체 장치에 배치된 전극에 대해서도 소형화, 고속화, 고밀도화에 대응 하여 미세화가 도모되고 있다. 따라서 이와 같이 미세화된 전극을 갖은 반도체 장치에 대해서도 확실한 전기적인 접속을 얻기 위한 반도체 장치용 콘택터가 요구되고 있다.

일반적으로 반도체 장치의 시험 공정에 사용하고, 피시험 대상으로 되는 반도체 장치의 전극부와 전기적인 접속을 행하는 반도체 장치 시험용 콘택터는 그 내부에 반도체 장치의 전극부와 전기적으로 접속하는 전극 패드가 형성된 배선 기판을 갖고 있다. 상기한 바와 같이, 반도체 장치는 소형화, 고속화, 고밀도화가 요망되므로, 이에 대응할 수 있는 배선 기판으로서 폴리이미드 필름 상에 도전 패턴을 형성한 형태의 박막식 배선 기판을 사용하는 것이 늘어나는 경향으로 있다. 박막식 배선 기판은 전극 패턴을 미세하게 형성할 수 있으므로, 반도체 장치의 전극 패드가 미세화 되어도 이에 대응할 수 있다.

이 박막식 배선 기판은 그 자체가 가요성이기 때문에, 이것을 반도체 장치용 콘택터로서 사용하는 경우에는 어떤 보강 수단이 필요하게 된다. 이 때문에 종래의 반도체 장치 시험용 콘택터는 박막식 배선 기판을 보강하기 위한 보강 부재를 설치하고, 이 보강 부재에 박막식 배선 기판을 배설함으로써 소정 강도를 갖도록 구성되어 있다.

또 박막식 배선 기판을 보강 부재에 배설하는 수단으로는 양면 접착 테이프나 접착제를 사용하여 접착하는 수단(이하 "접착 수단"이라 함), 또는 기계적으로 박막식 배선 기판과 보강 부재를 나사로 죄는 수단(이하 "기계적 고정 수단"이라 함) 등이 채용되고 있다.

그런데 상기의 접착 수단 및 기계적 고정 수단으로는 반도체 장치용 콘택터의 기본 구성 요소(박막식 배선 기판, 보강 부재)와는 별개로, 접착 수단으로 양면 점착 테이프나 접착제를 필요로 하고, 또 기계적 고정 수단으로 나사 등을 필요로 한다. 이 때문에 부품수가 증가하여 반도체 장치용 콘택터의 비용이 상승하는 문제점이 있다.

또 접착 수단 및 기계적 고정 수단을 사용하는 경우에는 양면 점착 테이프의 배설 처리, 접착제 도포 처리가 필요하게 되고, 또 기계적 고정 수단에서는 나사의 체결 처리가 필요하게 된다. 이 때문에 반도체 장치용 콘택터의 제조 공정이 복잡해져서, 효율 좋게 반도체 장치용 콘택터를 제조 할 수 없는 문제점도 생긴다.

또 접착 수단을 사용한 경우에는 박막식 배선 기판과 보강 부재와의 열팽창 차이에 기인하여 예를 들어 연소 시험 등의 교대로 열인가 시험을 실시한 경우에는 접착제 및 양면 테이프의 열노화가 생긴다. 이와 같이 접착제 및 양면 점착 테이프에 열노화가 생기면, 예를 들어 주름이 발생하는 등에 의해 보강 부재에 대해서 박막식 배선 기판이 위치 전이를 일으켜서, 반도체 장치의 전극 패드와 박막식 배선 기판의 도전 패턴을 전기적으로 접속할 수 없게 될 염려가 생긴다.

본 발명은 상기 점을 비추어 행한 것이고, 부품수의 삭감, 제조 공정의 간단화 및 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치 시험용 콘택터, 그 제조 방법 및 반도체 장치 시험용 캐리어를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 다음에 서술하는 각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.

청구항 1 기재의 발명은,

반도체 장치의 시험 공정에 사용하고, 피시험 대상으로 되는 반도체 장치의 전극부와 전기적인 접속을 행하는 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

가요성을 갖는 기판 본체 상에 상기 반도체 장치의 전극부와 전기적으로 접속하는 전극 패드가 형성되어 이루어지는 배선 기판과,

형(型)을 사용하여 형성되는, 상기 배선 기판을 보강하는 제1 보강 부재를 구비하고,

상기 배선 기판과 상기 제1 보강 부재를 일체적으로 고착 성형하여 되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 2 기재의 발명은,

청구항 1 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 제1 보강 부재의 열변형을 규제하는 코어재를 더 설치하고,

또한 상기 배선 기판, 상기 제1 보강 부재 및 상기 코어재를 일체적으로 고착 성형하여 되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 3 기재의 발명은,

청구항 2 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 코어재에 상기 제1 보강 부재로 파고드는 앵커부를 형성한 것을 특징으로 한 것이다.

또 청구항 4 기재의 발명은

청구항 1 내지 3 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 배선 기판의 재료로서,

상기 주형을 사용한 성형시의 상기 배선 기판의 열팽창량이 상기 제1 보강 부재의 형성시의 성형 수축량보다 큰 재료를 사용한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 5 기재의 발명은,

청구항 1 내지 4 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 제1 보강 부재가 고착되는 상기 배선 기판의 고착면에, 상기 배선 기판과 상기 제1 보강 부재의 고착 면적을 증대시킨 고착 면적 증대부를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 6 기재의 발명은,

청구항 1 내지 5 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 배선 기판의 상기 제1 보강 부재가 고착된 면과 반대측 면에, 상기 배선 기판을 보강하는 제2 보강 부재를 더 설치하고,

또한 상기 배선 기판, 상기 제1 보강 부재 및 제2 보강 부재를 일체적으로 고착 성형하여 되는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 7 기재의 발명은

청구항 6 기재의 콘택터에 관하여.

상기 제1 보강 부재와 상기 제2 보강 부재가 상기 배선 기판에 형성한 관통 구멍을 통해서 일체적으로 접속된 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 8 기재의 발명은,

청구항 1 내지 7 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 배선 기판으로서 박막식 배선 기판을 사용한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 9 기재의 발명은,

청구항 1 내지 8 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 제1 보강 부재에 개구부를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 10 기재의 발명은,

청구항 9 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 개구부 내에 탄성 재료로 되는 백업(back-up)재를 배설한 것을 특징으로하는 것이다.

또 청구항 11 기재의 발명은,

청구항 10 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터에 있어서,

상기 배선 기판과 상기 백업재 사이에, 상기 배선 기판과 상기 백업재의 상대적 변위를 가능하게 하는 필름상 부재를 끼운 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 12 기재의 발명에 관한 반도체 장치 시험용 캐리어는,

청구항 1 내지 11 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터와,

상기 반도체 장치를 상기 반도체 장치 시험용 콘택터에 설치된 배선 기판을 압착하는 가압 기구와,

상기 가압 기구의 가압력을 흡수하는 쿠션 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 13 기재의 발명은,

청구항 1 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법으로서,

상형(上型)과 상기 보강 부재의 형상에 대응한 하형(下型) 캐비티가 형성된 하형으로 구성되는 금형에 상기 배선 기판을 장착하는 장착 공정과,

상기 금형 내에 보강 부재용 재료를 장전하고, 상기 배선 기판과 일체적으로 고착한 상태로 되도록 제1 보강 부재를 형성하는 보강 부재 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 14 기재의 발명은,

청구항 13 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법에 있어서,

상기 장착 공정에서 상기 하형 캐비티의 저면에 코어재를 장착하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 15 기재의 발명은,

청구항 13 또는 청구항 14 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법에 있어서,

상기 장착 공정에서, 상기 하형 캐비티 내에 백업재를 장착하는 동시에, 상기 백업재의 장착 위치를 상기 배선 기판의 상기 반도체 장치가 탑재하는 영역과 대향하는 위치로 설정한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 16 기재의 발명은,

청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터 의 제조 방법에 있어서,

상기 금형을 구성하는 상형에 제2 보강 부재의 형상에 대응한 상형 캐비티를 형성하고,

상기 보강 부재 형성 공정에서, 상기 금형 내에 보강 부재용 재료를 장전하고, 상기 배선 기판과 일체적으로 고착한 상태로 되도록 제1 및 제2 보강 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 17 기재의 발명은,

청구항 16 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법에 있어서,

상기 장착 공정에서 상기 금형에 장착되는 상기 배선 기판의 소정 위치에 관통 구멍이 형성된 것을 사용하고,

상기 보강 부재 형성 공정에서, 상기 제1 및 제2 보강 부재가 상기 관통 구멍을 통하여 일체적으로 접속되도록 형성한 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 18 기재의 발명은,

청구항 13 내지 17 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법에 있어서,

상기 보강 부재 형성 공정에서, 보강 부재 형성시의 상기 배선 기판의 열팽창량이 상기 보강 부재의 성형 수축량보다 크게 되도록 상기 배선 기판의 온도 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또 청구항 19 기재의 발명은,

청구항 13 내지 18 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법에 있어서,

상기 보강 부재 형성 공정에서, 상기 배선 기판에 인장 하중을 가한 상태에서 상기 보강 부재의 형성 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 것이다.

상기한 각 수단은 다음과 같이 작용한다.

청구항 1 및 청구항 13 기재의 발명에 의하면,

반도체 장치의 전극부와 전기적으로 접속하는 전극 패드가 형성된 배선 기판과, 이 배선 기판을 보강하는 제1 보강 부재를 일체적으로 고착 성형한 구성으로 함으로써, 배선 기판과 제1 보강 부재의 고정시에 양면 점착 테이프, 접착제, 나사 등의 고정 수단이 필요 없게 되어, 부품수의 절감 및 경비 저감을 도모할 수 있다. 또 양면 점착 테이프 및 접착제를 사용한 경우에 필요로 하는 접착처리 및 나사를 사용한 경우에 필요한 체결 처리가 필요 없게 되어 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 또 접착제의 열화에 수반하는 주름 등의 발생이 억제되기 때문에, 반도체 장치에 대한 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

또한 청구항 2 및 청구항 14 기재의 발명에 의하면,

제1 보강 부재의 열변형을 규제하는 코어재를 설치하는 동시에, 배선 기판, 제1 보강 부재 및 코어재를 일체적으로 고착 성형함으로써, 청구항 1의 작용 효과를 유지하면서, 또한 코어재에 의해 제1 보강 부재의 열변형을 규제할 수 있다. 따라서 배선 기판과 제1 보강 부재와의 사이에 열팽창차가 있어도, 배선 기판의 변형은 억제되어 평탄성이 유지되기 때문에, 반도체 장치에 대한 접속 신뢰성의 향상 을 도모할 수 있다.

또 청구항 3 기재의 발명에 의하면,

코어재에 제1 보강 부재로 파고드는 앵커부를 형성함으로써, 제1 보강 부재와 배선 기판과의 고착시의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 제1 보강 부재와 배선 기판의 고착력은 증대하며, 배선 기판에 대한 제1 보강 부재의 보강력은 향상하고, 또 양자가 박리되는 것을 방지할 수 있으므로, 반도체 장치 시험용 콘택터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 4 기재의 발명에 의하면,

배선 기판의 재료로서, 성형시의 배선 기판의 열팽창량이 제1 보강 부재의 성형 수축량보다 큰 재료를 사용함으로써, 성형후 배선 기판은 제1 보강 부재에 대해 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하기 때문에, 배선 기판은 평탄성을 유지할 수 있으므로, 반도체 장치의 접속성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 5 기재의 발명에 의하면,

제1 보강 부재가 고착되는 배선 기판의 고착면에, 배선 기판과 제1 보강 부재와의 고착 면적을 증대시키는 고착 면적 증대부를 형성함으로써, 제1 보강 부재와 배선 기판의 고착시의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 제1 보강 부재와 배선 기판의 고착력은 증대하며, 배선 기판에 대한 제1 보강 부재의 보강력은 향상하고, 또 양자가 박리되는 것을 방지할 수 있으므로, 반도체 장치 시험용 콘택터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 6 및 청구항 16 기재의 발명에 의하면,

배선 기판의 제1 보강 부재가 고착된 면과 반대측의 면에, 배선 기판을 보강하는 제2 보강 부재를 설치함으로써, 배선 기판은 제1 및 제2 보강 부재에 개재된 상태로 보강되기 때문에, 배선 기판의 보강을 보다 확실히 할 수 있다. 또 배선 기판, 상기 제1 보강 부재 및 제2 보강 부재를 일체적으로 고착 성형함으로써, 청구항 1 기재의 작용 효과를 유지할 수 있다.

또 청구항 7 및 청구항 17 기재의 발명에 의하면,

제1 보강 부재와 제2 보강 부재가 배선 기판에 형성된 관통 구멍을 통해서 일체적으로 접속된 구성으로 함으로써, 제1 보강 부재와 제2 보강 부재의 접합력이 향상되어 반도체 장치 시험용 콘택터의 강도 향상을 도모할 수 있는 동시에, 배선 기판과 각 보강 부재와의 박리를 확실히 방지할 수 있다.

또 청구항 8 기재의 발명에 의하면,

배선 기판으로서 박막식 배선 기판을 사용함으로써, 전극 패드의 미세 형성이 가능하게 되기 때문에, 미세화된 전극부를 갖는 반도체 장치에 용이하게 대응할 수 있다.

또 청구항 9 기재의 발명에 의하면,

제1 보강 부재에 개구부를 형성함으로써, 배선 기판은 가요(可撓) 변형이 가능한 구성으로 된다. 따라서 반도체 장치가 배선 기판에 가압된 경우에 이에 따라 배선 기판에 발생하는 탄성 복원력에 의해, 배선 기판에 형성된 전극 패드는 반도체 장치의 전극으로 적의 가압력을 갖고 압착 접속된다. 따라서 반도체 장치와 배선 기판과의 전기적 접속 상태를 양호한 상태로 할 수 있다.

또 청구항 10 및 청구항 15 기재의 발명에 의하면,

제1 보강 부재에 형성된 개구부 내에 탄성 재료로 되는 백업재를 배설함으로써, 또 백업재의 탄성을 적의 선정함으로써, 반도체 장치가 배선 기판에 장착된 때에 발생하는 상기 탄성 복원력을 조정할 수 있다. 이 때문에 배선 기판에 형성된 전극 패드와 반도체 장치의 전극과의 접속 상태를 최적인 상태로 할 수 있으므로, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 배선 기판의 전극 패드 및 반도체 장치의 전극에 높이 편차가 존재하여도, 이 높이 편차는 백업재가 탄성 변형하여 흡수되기 때문에, 높이 편차의 존재에 불구하고 양호한 접속 상태를 실현할 수 있다.

또 청구항 11 기재의 발명에 의하면,

배선 기판과 백업재 사이에 배선 기판과 백업재의 상대적 변위를 가능하게 하는 필름상 부재를 끼움으로써, 예를 들어 시험시 열인가 등으로 백업재에 열팽창 및 열수축이 발생하여도 필름상 부재에 의해 이 백업재의 열변형이 배선 기판에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.

또 청구항 12 기재의 발명에 의하면,

청구항 1 내지 11 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 작용 효과를 가진 반도체 장치 시험용 캐리어를 실현할 수 있다.

또 청구항 18 기재의 발명에 의하면,

보강 부재 형성 공정에서, 보강 부재의 형성시의 배선 기판의 열팽창량이 보강 부재의 형성 수축량 보다 크게 되도록 배선 기판의 온도 제어를 행함으로써, 성형후 배선 기판은 제1 보강 부재에 대하여 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하기 때문에, 배선 기판이 평탄성을 가질 수 있으므로 반도체 장치와의 접속성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 19 기재의 발명에 의하면,

보강 부재 형성 공정에서, 배선 기판에 인장 하중을 가한 상태에서 보강 부재의 형성 처리를 행함으로써, 성형 후에도 배선 기판은 뻗어 팽팽한 상태를 유지하기 때문에 배선 기판이 평탄성을 향상시킬 수 있다.

실시예

다음에 본 발명의 실시예에 대해서 도면과 함께 설명한다.

도1은 본 발명의 제1 실시예인 반도체 장치 시험용 콘택터(10A)(이하 "콘택터"라고 함)를 나타내며, 도1a는 측면을, 도1b는 평면을 각각 나타낸다. 또 동일 도면에서는 반도체 장치(1)가 장착된 상태를 나타내고 있다.

이 콘택터(10A)는 반도체 장치(1)의 시험 공정에 사용되는 것이며, 피시험 대상으로 되는 반도체 장치(1)가 탑재되고, 그 탑재 상태에서 각종 시험(예를 들어 연소 시험 등)이 실시된다. 또한 본 명세서의 반도체 장치(1)는 반도체 소자(베어 칩), 웨이퍼 및 BGA(Ball Grid Array), SOP(Small Outline Package), QFP(Quad Flat Package) 등의 각 종 패키지 구조를 가진 반도체 장치를 포함하는 것으로 한다.

콘택터(10A)는 대략적으로 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)로 구성되어 있다. 본 실시예에서는 배선 기판(11A)으로서 박막식 배선 기판을 사용하고 있다.

이 박막식 배선 기판으로 구성되는 배선 기판(11A)은 예를 들어 폴리이미드(PI)로 되는 베이스 필름(13A)(기판 본체)에 예를 들어 구리 호일로 되는 도전 패턴(14)을 형성한 구성으로 되어 있다. 따라서 배선 기판(11A)은 그 자체가 가요성을 갖는 구성으로 되어 있다. 또 도전 패턴(14)의 내측 단부에는 반도체 장치(1)에 배설된 전극(2)과 전기적으로 접속하는 장치 접속용 패드(15)가 형성되어 있다. 또 도전 패턴(14)의 외측 단부에는 도시하지 않은 반도체 시험 장치와 접속되는 외부 접속용 패드(16)가 형성되어 있다.

그런데 상기한 바와 같이 반도체 장치(1)는 소형화, 고속화, 고밀도화가 급속히 진행되고 있고, 이에 따라 전극(2)도 미세화하고 있다. 그러나 본 실시예에서 배선 기판(11A)으로 사용하고 있는 박막식 배선 기판은 도전 패턴(14) 및 각 패드(15,16)의 미세 형성이 가능하기 때문에, 미세화 된 전극(2)을 갖는 반도체 장치(1)에 용이하게 대응할 수 있다.

제1 보강 부재(12A)는 배선 기판(11A)의 반도체 장치(1)가 접속하는 면(이하 "상면"이라 함)과 반대측의 면(이하 "배면"이라 함)에 배설되어 있고, 배선 기판(11A)을 보강하는 기능을 발휘한다. 즉 박막식 배선 기판인 배선 기판(11A)은 상기한 바와 같이 베이스 필름(13A)에 도전 패턴(14)을 형성한 구성이기 때문에 그 자체가 가요성이 있다. 따라서 이 배선 기판(11A)을 반도체 장치용의 콘택터로서 사용하는 경우에는 어떤 보강수단이 필요하게 된다. 이 때문에 배선 기판(11A)의 배면에 제1 보강 부재(12A)를 배설하여, 배선 기판(11A)을 보강하는 구성을 취하고 있다.

이 제1 보강 부재(12A)는 배선 기판(11A)의 배면에 고착되어 있지만, 본 실시예에서는 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)를 일체적으로 고착 성형한 것을 특징으로 하고 있다. 이와 같이 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)를 일체적으로 고착 성형하는 방법으로는 후술하는 바와 같이 금형(40A)에 미리 배선 기판(11A)을 장착해 두고, 이 금형(40A)에 제1 보강 부재(12A)로 되는 보강 부재용 재료(45)를 주입함으로써 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)를 일체적으로 고착한다(도11 참조).

이와 같이 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)를 일체적으로 고착 성형한 구성으로 함으로써, 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)의 고정시 종래 필요로 했던 양면 점착 테이트, 접착제, 나사 등의 고정 수단이 필요 없게 되어 부품수의 삭감 및 경비의 저감을 도모할 수 있다. 또 접착제의 열화에 동반하는 주름 등의 발생이 억제되기 때문에, 반도체 장치(1)에 대한 접속 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

여기서 배선 기판(11A)의 재료와, 제1 보강 부재(12A)의 재료에 주목하여 설명한다. 상기한 바와 같이, 배선 기판(11A)의 기본 재료는 PI 등의 수지 재료이다. 본 실시예에서는 제1 보강 부재(12A)로 되는 보강 부재용 재료(45)도 수지를 사용한 구성으로 하고 있다. 구체적으로는 보강 부재용 재료(45)로는 예를 들어 PES,PEI,PPE 등의 수지 재료를 들 수 있다.

본 실시예에서는 제1 보강 부재(12A)를 형성할 때, 배선 기판(11A)으로 되는 수지 재료의 열팽창량이 제1 보강 부재(12A)로 되는 수지 재료의 성형 수축량보다 크게 되도록 각 수지의 재료 선정을 하고 있다. 이에 따라 제1 보강 부재(12A)를 형성한 후에, 배선 기판(11A)은 제1 보강 부재(12A)에 대하여 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하는 것으로 된다. 따라서 배선 기판(11A)은 평탄성을 유지할 수 있으므로 반도체 장치(1)의 전기적인 접속성을 향상시킬 수 있다.

또 제1 보강 부재(12A)로 되는 보강 부재용 재료(45)의 재질은 수지에 한정되는 것은 아니고, 상기한 열팽창량과 성형 수축량의 관계를 유지할 수 있으면 다른 재료를 사용해도 좋다. 여기서 배선 기판(11A)의 재료로서 PI를 사용한 경우, 제1 보강 부재(12A)로서 사용할 수 있는 재료로서는 세라믹, 유리재, 실리콘재 등을 들 수 있다.

이어서, 본 발명의 제2 실시예인 콘택터(10B)에 대하여 설명한다.

도2는 제2 실시예에 관한 콘택터(10B)를 나타내고 있다. 또한 도2에서는 도1에서 설명한 제1 실시예에 관한 콘택터(10A)와 동일 구성에 대해서는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다. 또 이 제2 실시예를 포함하여 이하 설명하는 각 실시예에 대해서도 마찬가지이다.

본 실시예에 관한 콘택터(10B)는 제1 실시예에 관한 콘택터(10A)와 마찬가지로 배선 기판(11A), 제1 보강 부재(12A)를 갖는 구성으로 되어 있지만, 제1 보강 부재(12A)의 배선 기판(11A)이 고착하는 면과 반대측의 면(이하 "하면"이라 함)에 코어재(17A)를 설치한 것을 특징으로 하고 있다.

이 코어재(17A)는 예를 들어 SCCP재, 또는 SUS재 등의 금속 재료에 의해 형성되고, 제1 보강 부재(12A)와 일체적으로 고착 성형된 구성으로 되어 있다. 즉 본 실시예이 구성에서는 배선 기판(11A), 제1 보강 부재(12A) 및 코어재(17A)는 일체적으로 고착 성형된 구성으로 되어 있다. 따라서 본 실시예에 관한 콘택터(10B)에서도 먼저 설명한 제1 실시예에 관한 콘택터(10A)와 마찬가지의 작용 효과를 실현할 수 있으므로 부품수의 삭감, 경비 저감 및 반도체 장치(1)에 대한 접속 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

상기한 바와 같이 제1 보강 부재(12A)의 하면에 코어재(17A)를 설치함으로써, 제1 보강 부재(12A)에 발생하는 열변형을 규제할 수 있다. 이하 그 이유에 대해 설명한다.

상기한 바와 같이, 배선 기판(11A) 및 제1 보강 부재(12A)의 재료를 선정할 때에, 제1 보강 부재(12A)의 성형시의 배선 기판(11A)의 열팽창량이 제1 보강 부재(12A)의 성형 수축량보다 크도록 선정하고 있다. 이에 따라 배선 기판(11A)은 제1 보강 부재(12A)에 대해 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하여 배선 기판(11A)이 평탄성을 가지게 할 수 있다.

그런데 배선 기판(11A)의 열팽창량과 제1 보강 부재(12A)의 성형 수축량과의 차이가 필요 이상으로 크게 되면, 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)의 고착 성형시에 왜곡이 발생할 염려가 있다.

그러나 제1 보강 부재(12A)의 하면에 코어재(17A)를 설치함으로서, 통상 2% 정도 발생하는 제1 보강 부재(12A)(수지 재료)의 성형 수축을 억제할 수 있으므로, 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)의 고착 성형시에 제1 보강 부재(12A)에 발생하는 왜곡 및 배선 기판(11A)에 발생하는 변형을 완화할 수 있다. 이 때 코어재(17A)는 그 열팽창률이 배선 기판(11A)의 열팽창률과 제1 보강 부재(12A)의 열팽창률과의 사이에 있는 값으로 되는 재료를 선정할 필요가 있다.

이렇게 함으로써 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12A)와의 사이에 열팽창 차이가 있다 하여도, 배선 기판(11A)의 변형은 억제되어 평탄성이 유지되기 때문에 반도체 장치(1)에 대한 접속 신뢰성을 보다 높일 수 있다.

이어서 본 발명의 제3 실시예인 콘택트(10C)에 대하여 설명한다.

도3은 제3실시예에 관한 콘택트(10C)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 콘택트(10C)는 상기한 제2 실시예에 관한 콘택트(10B)와 마찬가지의 기본 구성을 하고 있다. 본 실시예에 관한 콘택트(10C)는 제2 실시예에 관한 콘택트(10B)에 대하여, 코어재(17B)에 제1 보강 부재(12A)로 파고드는 앵커부(18)를 형성한 것을 특징으로 한다.

이 앵커부(18)는 코어재(17B)의 외주 가장자리부의 소정 범위를 상방(제1 보강 부재(12A)와 고착하는 면)으로 향해 절곡된 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 앵커부(18)는 코어재(17B)의 일부를 절곡한 구성이기 때문에, 용이하고 비용 상승을 수반함이 없이 형성할 수 있다.

상기의 코어재(17B)에 앵커부(18)를 형성함으로써, 제1 보강 부재(12A)에 대한 코어재(17B)의 고착력을 증대할 수 있다. 따라서 제1 보강 부재(12A)에 발생하는 왜곡을 보다 확실히 억제할 수 있고, 이것에 따라 배선 기판(11A)에 변형이 발생하는 것도 억제할 수 있다. 따라서 배선 기판(11A)의 평탄성의 향상을 도모할 수 있고, 반도체 장치(1)의 장착시에서의 접속 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

이어서 본 발명의 제4 실시예인 콘택터(10D)에 대하여 설명한다.

도4a는 제4 실시예에 관한 콘택터(10D)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 콘택터(10D)는 제1 보강 부재(12A)가 고착된 배선 기판(11B)의 고착 영역의 전부 또는 그 일부에 배선 기판(11B)과 제1 보강 부재(12A)와의 고착 면적을 증대시키는 고착 면적 증대부(19A)를 형성한 것을 특징으로 한다. 또한 본 실시에에서는 고착 면적 증대부(19A)를 배선 기판(11B)과 제1 보강 부재(12A)가 고착하는 전 영역에 형성되어 있다.

도4b는 도4a에서 화살표 A로 표시한 원내 부분을 확대하여 나타낸 도면이다. 상기 도면에 나타난 바와 같이, 배선 기판(11B)를 구성하는 베이스 필름(13B)의 배면은 조면화 됨으로써 고착 면적 증대부(19A)가 형성되어 있다. 베이스 필름(13B)의 배면을 조면화 하는 방법으로는 여러 가지가 있지만, 예를 들어 에어 블래스트를 사용하는 방법, 또는 부식제에 의해 베이스 필름(13B)을 부식시키는 방법 등을 사용할 수 있다.

이와 같이, 베이스 필름(13B)의 배면(제1 보강 부재(12A)가 고착되는 면)을 조면화하여 그 표면적을 증대시킴으로써, 제1 보강 부재(12A)와 배선 기판(11B)의 고착시의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 제1 보강 부재(12A)와 배선 기판(11B)의 고착력이 증대하여, 배선 기판(11B)에 대한 제1 보강 부재(12A)의 보강력은 향상된다. 또 배선 기판(11B)과 제1 보강 부재(12A)와의 사이의 박리를 방지할 수 있으므로 콘택터(10D)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 고착 면적 증대부의 구성은 도4b에 나타낸 베이스 필름(13B)의 배면을 조 면화시킴으로써 형성한 고착 면적 증대부(19A)에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 도4c에 나타낸 베이스 필름(13B)의 배면에 요철을 형성함으로써 고착 면적 증대부(19A)를 구성하여도 좋고, 또 베이스 필름(13B)의 배면에 미세공을 다수 형성함으로써 고착 면적 증대부를 구성하여도 좋다. 또 조면화의 정도, 요철의 높이, 미세공의 구멍 치수 등을 적의 조정함으로써 제1 보강 부재(12A)와 배선 기판(11B)과의 고착력을 조정할 수도 있다.

이어서 본 발명의 제5 실시예인 콘택터(5E)에 대하여 설명한다.

도5는 제5 실시예에 관한 콘택터(10E)를 나타내고 있다. 상기한 제1 내지 제4 실시예에 관한 콘택터(10A~10D)는 배선 기판(11A,11B)의 배면 만에 제1 보강 부재(12A)를 배설한 구성으로 되어 있다. 이것에 반하여 본 실시예인 콘택터(10E)는 배선 기판(11C)의 상면(제1 보강 부재(12B)가 고착된 면과 반대측의 면)에 배선 기판(11C)을 보강하는 제2 보강 부재(20)를 설치한 구성으로 한 것이다.

본 실시예에서는 제1 및 제2 보강 부재(12B,20)는 동일의 보강 부재용 재료(45)에 의해 형성되어 있다. 또 배선 기판(11C)의 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)가 대향하는 위치에 관통 구멍(21)이 형성되어 있고, 이 관통 구멍(21)을 통해서 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)는 일체적으로 접속한 구성으로 되어 있다. 또 제2 보강 부재(20)는 제1 보강 부재(12B)와 마찬가지로 배선 기판(11C)에 대해서 일체적으로 고착 형성된 구성으로 되어 있다.

상기 구성으로 된 콘택터(10E)에서는 배선 기판(11C)은 제1 및 제2 보강 부재(12B,20)에 개재(사이에 끼워져 있음)된 상태로 보강되어 있으므로, 배선 기판(11C)의 보강을 보다 확실히 행할 수 있다. 또 배선 기판(11C), 제1 보강 부재(12B) 및 제2 보강 부재(20)는 일체적으로 고착 성형된 구성이기 때문에, 새롭게 제2 보강 부재(20)를 설치하여도, 상기 각 실시예와 마찬가지로 부품수의 삭감, 경비 절감 및 반도체 장치(1)에 대한 접속 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

또한 본 실시예에서는, 상기한 바와 같이 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)가 배선 기판(11C)에 형성된 관통 구멍(21)을 통해서 일체적으로 접속된 구성으로 되어 있기 때문에 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)와의 접합력은 강하게 되어 있다. 이 때문에 콘택터(10E)의 강도 향상을 도모할 수 있고, 또 배선 기판(11C)과 각 보강 부재(12b,20)와의 박리를 확실히 방지할 수 있다.

또한 본 실시예에서는 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)를 동일 재료에 의해 형성한 구성으로 했지만, 제1 보강 부재(12B)의 보강 부재용 재료와 제2 보강 부재(20)의 보강 부재용 재료를 별도의 재료로 할 수도 있다.

이 경우, 배선 기판(11C)을 사이에 개재하여, 상면의 열수축량과 배면의 열수축량이 다르기 때문에, 각 재료의 열팽창계수를 적의 선정함으로써 각 보강 부재(12B,20)의 왜곡이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또 관통 구멍(21)은 반드시 필요한 것은 아니고, 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)를 배선 기판(11C) 상에 별개로 형성(예를 들어 제1 보강 부재(12B)를 형성한 후에 제2 보강 부재(20)를 형성함)할 수도 있다.

이어서 본 발명의 제6 실시예인 콘택터(10F)에 대하여 설명한다.

도6은 제6 실시예에 관한 콘택터(10F)를 나타내고 있다. 상기한 제1 내지 제5 실시예에 관한 콘택터(10A~10E)는 제1 보강 부재(12A,12B)의 형상이 평판상으로 되어 있다. 이에 반하여 본 실시예에 관한 콘택터(10F)는 제1 보강 부재(12C)에 개구부(22)를 형성하는 동시에, 이 개구부(22)가 배선 기판(11A)의 반도체 장치(1)가 탑재하는 영역과 대향하도록 구성한 것을 특징으로 한다. 이 개구부(22)의 형상은 반도체 장치(1)의 형상에 대응한 직사각형으로 되어 있고, 제1 보강 부재(12C)를 상하로 관통하도록 형성되어 있다.

이와 같이 제1 보강 부재(12C)에 개구부(22)를 형성함으로써, 배선 기판(11A)의 개구부(22)와 대향한 부분은 배면에 지지하는 것이 존재하지 않게 되기 때문에 가요(可撓) 변형할 수 있게 된다. 따라서 반도체 장치(1)가 콘택터(10F)에 장착된 때, 반도체 장치(1)가 개구부에 대향한 배선 기판(11A)을 가압하면 이에 따라 배선 기판(11A)에는 탄성 복원력이 발생한다.

이 탄성 복원력은 배선 기판(11A)에 형성되어 있는 장치 접속용 패드(15)를 반도체 장치(1)의 전극(2)으로 가압하는 힘으로서 작용한다. 이에 따라 장치 접속용 패드(15)는 반도체 장치(1)의 전극(2)으로 적당한 가압력에서 압착 접속되므로, 따라서 반도체 장치(1)와 배선 기판(11A)을 확실히 접속할 수 있다.

이어서 본 발명의 제7 실시예인 콘택터(10G)에 대하여 설명한다.

도7은 제7 실시예에 관한 콘택터(10G)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 콘택터(10G)는 먼저 설명한 제6 실시예에 관한 콘택터(10F)와 기본 구성이 동일하다. 그러나 본 실시예에서는 제6 실시예에 관한 콘택터(10F)에, 제1 보강 부재(12C)에 형성된 개구부(22)내에 탄성 재료로 되는 백업재(23)를 더 배설한 것 을 특징으로 한 것이다. 이 백업재(23)의 재료로는 엘라스토머, 실리콘 고무 등의 탄성 재료의 이용이 고려된다.

상기한 바와 같이, 배선 기판(11A)은 베이스 필름(13A)에 도전 패턴(14)을 형성한 구성이고, 용이하게 가요하는 구성이다. 따라서 도6에 나타낸 제6 실시예에 관한 콘택터(10F)의 구성에서는 반도체 장치(1)가 배선 기판(11A)에 강하게 가압된 경우에는 배선 기판(11A)이 이 가압력에 견딜 수 없는 염려가 있다. 그러나, 본 실시예와 같이 개구부(22)내에 탄성 재료로 되는 백업재(23)를 배설함으로써, 백업재(23)는 배선 기판(11A)을 지지하고, 따라서 배선 기판(11A)에 대하여 반도체 장치(1)가 강하게 가압된 경우에도 배선 기판(11A)을 보호할 수 있다.

또 백업재(23)의 탄성을 적의 선정함으로써, 반도체 장치(1)가 배선 기판(11A)에 장착된 때 발생하는 탄성 복원력을 조정할 수 있게 된다. 이 때문에 배선 기판(11A)에 형성된 장치 접속용 패드(15)와 반도체 장치(1)의 전극(2)과의 접속 상태를 최적인 상태로 할 수 있으므로, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 장치 접속용 패드(15) 혹은 반도체 장치(1)의 전극(2)에 높이 편차가 존재하고 있어도, 이 높이 편차는 백업재(23)가 탄성 변형함으로써 흡수되기 때문에, 높이 편차의 존재에 불구하고 양호한 접속 상태를 실현할 수 있다.

이어서 본 발명의 제8 실시예인 콘택터(10H)에 대하여 설명한다.

도8은 제8 실시예에 관한 콘택터(10H)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 콘택터(10H)는 먼저 설명한 제7 실시예에 관한 콘택터(10G)에서, 배선 기판(11A)과 백업재(23)와의 사이에, 배선 기판(11A)과 백업재(23)와의 상대적 변위를 가능하게 하는 필름상 부재(24)를 끼운 것을 특징으로 하는 것이다. 이 필름상 부재(24)는 내열성 및 평활성을 갖는 것이 선정되고, 예를 들어 불소 수지 필름 등의 이용이 고려된다.

이와 같이 배선 기판(11A)과 백업재(23)와의 사이에 양자(11A,23)간의 상대적 변위를 가능하게 하는 필름상 부재(24)를 끼움으로써, 가열을 수반하는 시험을 실시한 때에도 안정한 시험을 행할 수 있다.

즉 예를 들어 반도체 장치(1)에 대해서 연소 시험 등의 가열을 수반하는 시험을 실시할 때, 백업재(23)에도 이 열이 인가되기 때문에, 백업재(23)에 열팽창 혹은 열수축이 발생한다. 특히 탄성 부재는 열변형량이 큰 재료가 많기 때문에 열 인가 시에 발생하는 백업재(23)의 열변형량은 크다. 따라서 백업재(23)가 직접 배선 기판(11A)에 접속한 경우에는 백업재(23)의 열변형에 수반하여 배선 기판(11A)에도 변형이 발생할 염려가 있다.

그러나 배선 기판(11A)과 백업재(23)와의 사이에 상기 특성을 지닌 필름상 부재(24)를 끼움으로써, 백업재(23)에 열팽창 및 열수축이 발생하여도, 백업재(23)는 필름상 부재(24)상에서 미끄러지므로, 이 백업재(23)의 열변형이 배선 기판(11A)에 영향을 끼치는 일은 없다. 따라서 콘택터(10H)를 가열을 수반하는 시험에 사용하여도, 배선 기판(11A)과 반도체 장치(1)와의 접속 상태를 양호하게 유지할 수 있으므로, 안정한 시험을 행할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제9 실시예인 콘택터(10I)에 대해서 설명한다.

도9는 제9 실시예에 관한 콘택터(10I)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 콘택터(10I)는 앞서 설명한 제7 실시예에 관한 콘택터(10G)에서, 제1 보강 부재(12C)의 하면에 코어재(17A)를 고착한 것을 특징으로 하는 것이다.

본 실시예와 같이, 개구부(22)를 설치한 제1 보강 부재(12C)도 그 하면에 코어재(17A)를 배설할 수 있다. 따라서 제1 보강 부재(12C)의 하면에 코어재(17A)를 배설함으로써 상술한 마찬가지 이유에 의해 제1 보강 부재(12C)에 왜곡이 발생하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 배선 기판(11A)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

도10은 본 발명의 하나의 실시예인 반도체 장치용 캐리어(25)(이하 간단히 "캐리어"라고 함)를 나타내고 있다.

이 캐리어(25)는 대략 콘택터(10J)와 가압 기구(28)로 구성되어 있다. 콘택터(10J)는 상기한 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12D)로 구성되어 있다.

이 배선 기판(11A)과 제1 보강 부재(12D)는 일체적으로 고착 성형된 구성으로 되어 있고, 따라서 부품수의 삭감, 경비 저감 및 반도체 장치(1)에 대한 접속 신뢰성의 향상이 도모된다. 또 제1 보강 부재(12D)에는 쿠션재(27)가 매설되어 있고, 이 쿠션재(27)의 매설 위치는 장착 상태로 있는 반도체 장치(1)와 대향하는 위치에 설정되어 있다.

또 가압 기구(28)는 대략 걸림(stopper)부재(29), 캡(30), 가압판(32) 및 가압 스프링(33) 등으로 구성되어 있다. 걸림 부재(29)는 제1 보강 부재(12D)로부터 세워 배치된 구성으로 되어 있고, 그 선단부에는 걸림 클로(stopper claw)(29A)가 형성되어 있다.

캡(30)은 배선 기판(11A)에 장착된 상태에 있는 반도체 장치(1)를 덮도록 배설되어 있으므로 반도체 장치(1)를 보호하는 기능을 발휘한다. 이 캡(30)의 아래 가장자리부에는 측방으로 연출(延出)하는 플랜지부(31)가 형성되어 있고, 이 플랜지부(31)는 걸림 부재(29)에 형성된 걸림 클로(29A)와 서로 맞대는 구성으로 되어 있다. 또 캡(30)의 천정판에는 가압 스프링(33)의 상단이 고정되어 있고, 또한 가압 스프링(33)의 하단에는 가압판(32)이 배설되어 있다.

반도체 장치(1)를 캐리어(25)에 장착할 때는 캡(30)이 벗겨진 상태에서 우선 반도체 장치(1)를 콘택터(10J)에 장착하고, 이어서 캡(30)을 걸림 부재(29)에 장착한다. 이 장착 상태에서, 상기와 같이 플랜지부(31)는 걸림 클로(29A)와 서로 결합하여 캡(30)이 고정된다. 또 이 캡(30)의 고정 상태에서, 가압판(32)은 가압 스프링(33)의 스프링 힘에 의해 반도체 장치(1)를 콘택터(10J)로 향해서 가압한다.

이에 따라 반도체 장치(1)와 콘택터(10J)를 양호한 상태로 접속할 수 있다. 또 반도체 장치(1)의 장착 위치와 대향하는 제1 보강 부재(12D)에는 쿠션재(27)가 설치되어 있기 때문에, 가압 스프링(33)의 스프링 힘이 너무 강한 경우에도 쿠션재(27)가 탄성 변형함으로써 반도체 장치(1)와 콘택터(10J)의 접속 상태를 양호한 상태로 할 수 있다. 또 반도체 장치(1)의 전극(2) 또는 콘택터(10J)의 장치 접속용 패드(15)에 높이 편차가 존재하여도, 쿠션재(27)에 의해 이것을 흡수할 수 있다.

또한 상기한 실시예에서는 캐리어(25)에 사용하는 콘택터로서 쿠션재(27)가 배설된 콘택터(10J)를 사용했지만, 캐리어(25)에 사용하는 콘택터는 이것에 한정되 는 것은 아니고, 앞서 설명한 제1 내지 제9 실시예에 관한 콘택터(10A~10I)를 사용할 수도 있다. 따라서 본 실시예에 관한 캐리어(25)에 의하면, 앞서 설명한 제1 내지 제9 실시예에 관한 콘택터(10A~10I)의 작용 효과를 가진 캐리어를 실현할 수 있다.

이어서 본 발명의 제1 실시예인 콘택터의 제조 방법에 대해 설명한다.

도11은 제1 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시에에 관한 제조 방법은 먼저 도1에서 설명한 제1 실시예에 관한 콘택터(10A)의 제조 방법이다. 콘택터(10A)는 장착 공정 및 보강 부재 형성 공정을 실시함으로써 제조된다. 이하 각 공정에 대해 설명한다.

도11a는 장착 공정을 나타내고 있다. 이 장착 공정에서는 금형(40A)에 배선 기판(11A)을 장착하는 처리를 행한다. 금형(40A)은 상형(41A)과 하형(42A)으로 구성되어 있다. 본 실시예에서 사용하는 금형(40A)은 상형(41A)의 하면이 평탄면으로 되어 있고, 또 하형(42A)에는 제1 보강 부재(12A)의 형상에 대응한 하형 캐비티(43)가 형성되어 있다. 또한 하형(42A)의 측부에는 하형 캐비티(43)와 연통하여, 제1 보강 부재(12A)로 되는 보강 부재용 재료(45)가 주입되는 게이트(44)가 형성되어 있다.

배선 기판(11A)은 미리 다른 기판 형성 공정(설명은 생략함)을 실시함으로써 형성되어 있다. 이 배선 기판(11A)을 상형(41A)과 하형(42A)과의 사이에 끼운 후, 상형(41A)과 하형(42A)을 도시하지 않은 프레스 장치로 클램핑 함으로써, 배선 기판(11A)은 상형(41A)과 하형(42A)과의 사이에 고정된다.

이 때 배선 기판(11A)과 하형 캐비티(43)와의 위치 결정을 행하기 위하여, 위치 결정 구멍 등을 배선 기판(11A)에 형성해 두어도 좋다. 또 배선 기판(11A)을 금형(40A)에 장착할 때, 도전 패턴(14)이 상형(41A)과 대향하고, 베이스 필름(13A)이 하형(42A)과 대향하도록 배설한다.

상기한 장착 공정을 종료하면, 이어서 보강 부재 형성 공정이 실시된다. 도11b는 보강 부재 형성 공정을 나타내고 있다. 보강 부재 형성 공정에서는 도시하지 않은 사출 성형 장치로부터, 보강 부재용 재료(45)가 게이트(44)를 통하여 하형 캐비티(43)로 주입된다. 따라서 하형 캐비티(43)내로 주입된 보강 부재용 재료(45)는 배선 기판(11A)과 일체적으로 고착된 상태로 된다.

그리고 하형 캐비티(43)에 보강 부재용 재료(45)가 완전히 충전되면, 냉각 처리를 행한 후, 금형(40A)을 상형(41A)과 하형(42A)으로 이형시키고, 이에 따라 도11c에 나타낸 콘택터(10A)가 완성된다.

상기한 바와 같이, 본 실시예에 관한 제조 방법에 의하면, 종래에 양면 점착 테이프 및 접착제를 사용한 경우에 필요로 되는 접착 처리 및 나사를 사용한 경우에 필요로 되는 체결 처리 등이 필요 없게 되어, 콘택터(10A)의 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다.

도12는 상기한 금형(40A)의 제1 변형례인 금형(40B)을 나타내고 있다.

본 변형례에 관한 금형(40B)은 상형(40B) 내에 가열·냉각 장치(46)를 배설한 것을 특징으로 하는 것이다. 이 가열·냉각 장치(46)는 상형(41B)을 가열 혹은 냉각하는 것이고, 가열/냉각의 반복 및 온도 설정은 도시하지 않은 제어 장치에 의 해 행해지는 구성으로 되어 있다.

이와 같이 금형(40B)에 가열·냉각 장치(46)를 설치함으로써, 보강 부재 형성 공정에서, 배선 기판(11A)으로 인가하는 열을 가변할 수 있다. 이에 따라 제1 보강 부재(12A) 형성시에, 배선 기판(11A)의 열팽창량이 제1 보강 부재(12A)의 형성 수축량 보다 크게 되도록, 가열·냉각 장치(46)에 의해 배선 기판(11A)의 온도 제어를 행할 수 있다.

따라서 제1 보강 부재(12A)의 성형후에, 배선 기판(11A)이 제1 보강 부재(12A)에 대해 항상 뻗어 평평한 상태가 되도록 할 수 있다. 이에 따라, 배선 기판(11A)이 평탄성을 가질 수 있으므로, 반도체 장치(1)와 콘택터(10A)와의 접속성을 향상시킬 수 있다.

도13은 상기한 금형(40A)이 제2 변형례인 금형(40C)을 나타내고 있다.

본 변형례에 관한 금형(40C)은 그 양측부에 인장 부재(47)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이 인장 부재(47)는 도시하지 않은 기구에 의해 도면 중 화살표로 표시한 방향으로 이동하는 구성으로 되어 있다. 또 인장 부재(47)는 고정 나사(49)를 갖고 있으며, 이 고정 나사(49)는 배선 기판(11D)에 형성된 구멍(48)으로 통과되는 구성으로 되어 있다.

따라서 고정 나사(49)를 배선 기판(11D)에 형성된 구멍(48)으로 통과시킨 상태에서, 인장 부재(47)를 도면 중의 화살표로 표시한 방향으로 이동시킴으로써, 배선 기판(11D)은 당겨진 상태로 된다.

보강 부재 형성 공정에서, 상기와 같이 인장 부재(47)를 사용하여 배선 기판(11D)에 인장 하중을 가한 상태에서 제1 보강 부재(12A)의 형성 처리를 행함으로써 제1 보강 부재(12A)의 성형 후에도 배선 기판(11D)은 당겨진 상태를 유지하기 때문에, 배선 기판(11D)의 평탄성을 향상시킬 수 있다.

이어서 본 발명의 제2 실시예인 콘택터 제조 방법에 대해 설명한다. 도14는 제2 실시예인 콘택터 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시예에 관한 제조 방법은 먼저 도2에서 설명한 제2 실시예에 관한 콘택터(10B)의 제조 방법이다. 또한 상기 도면에서, 도11에 나타낸 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다. 또 후술하는 도15 및 도16에 대해서도 마찬가지이다.

본 실시예에 관한 제조 방법은 장착 공정에서 하형 캐비티(43)의 저면에 코어재(17A)를 장착해 두는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 도11에서 설명한 제1 실시예에 관한 제조 방법에서, 장착 공정에서 하형 캐비티(43)에 코어재(17A)를 간단히 장착하는 처리만으로, 콘택터(10B)를 제조할 수 있다. 따라서 금형(40A)을 변경하는 일없이, 제1 실시예에 관한 콘택터(10A)와 제2 실시예에 관한 콘택터(10B)를 제조할 수 있게 되므로, 금형 코스트의 저감, 제조 공정의 간단화를 도모할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제3 실시예인 콘택터의 제조 방법에 대해 설명한다. 도15는 제3 실시예인 콘택터의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시예에 관한 제조 방법은 앞서 도5에서 설명한 제5 실시예에 관한 콘택터(10E)의 제조 방법이다.

본 실시예에 사용하는 금형(D)은 상형(41C)에 제2 보강 부재(20)의 형상에 대응한 상형 캐비티(50)가 형성되어 있다. 또 배선 기판(11C)의 제2 보강 부재(20)가 형성되는 위치에는 관통 구멍(21)이 미리 형성되어 있다.

콘택터(10E)를 제조할 때는 장착 공정에서 관통 구멍(21)과 상형 캐비티(50)가 대향하도록 위치 결정을 행한 다음에 상형(41C)과 하형(42A) 사이에 배선 기판(11C)을 클램핑 한다. 이 때 미리 코어재(17A)를 하형 캐비티(43)에 배치해 둔다.

그리고 보강 부재 형성 공정에서, 금형(D)내에 보강 부재용 재료(45)를 장전하고, 배선 기판(11C)과 일체적으로 고착한 상태가 되도록 제1 및 제2 보강 부재(12B,20)를 형성한다. 하형(42A)의 게이트(44)로부터 하형 캐비티(43)로 주입된 보강 부재용 재료(45)는 하형 캐비티(43)로 충전되는 동시에 관통 구멍(21)을 거쳐서 상형 캐비티(50)에도 충전되어 간다.

이에 따라 제1 보강 부재(12B)와 제2 보강 부재(20)가 관통 구멍(21)을 통해서 일체적인 구성으로 된 콘택터(10E)를 제조할 수 있다. 또 제1 보강 부재(12B)와 마찬가지로, 제2 보강 부재(20)도 배선 기판(11C)와 일체적으로 고착되기 때문에, 제2 보강 부재(20)를 갖는 콘택터(10E)에서도, 그 제조 공정이 복잡화하는 일은 없다.

이어서 본 발명의 제4 실시예인 콘택터의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도16은 제4 실시예인 콘택터 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시예에 관한 제조 방법은 먼저 도7에서 설명한 제7 실시예에 관한 콘택터(10G)의 제조 방법이다.

콘택터(10G)를 제조할 경우는 우선 상술한 제1 및 제2 실시예에 관한 제조 방법과 마찬가지로 금형(40A)을 사용하는 동시에, 장착 공정에서 하형 캐비티(43)의 저면에 백업재(23)를 장착한다.

이와 같이, 본 실시예에 관한 제조 방법도 도11을 사용하여 설명한 제1 실시예에 관한 제조 방법에서, 장착 공정에서 하형 캐비티(43)에 백업재(23)를 간단히 장착하는 처리만으로 콘택터(10G)를 제조할 수 있다. 따라서 금형(40A)을 변경하는 일 없이, 제1 실시예에 관한 콘택터(10A), 제2 실시예에 관한 콘택터(10B) 및 제7 실시예에 관한 콘택터(10G)를 제조할 수 있게 되어 금형 코스트의 저감, 제조 공정의 간단화를 도모할 수 있다.

또한 상기한 바와 같이 백업재(23)는 고무 등의 탄성 재료이기 때문에, 보강 부재 형성 공정에서 인가되는 열에 의해 백업재(23)로부터 가스가 발생할 염려가 있다. 이 가스가 제1 보강 부재(12C)에 잔류하는 경우, 기포로 되어 제1 보강 부재(12C)의 강도가 열화할 염려가 있다. 따라서 이 가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출 구멍을 배선 기판(11A) 및 상형(41A)에 형성하여 다공성으로 하여도 좋다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다음에 서술할 각종의 효과를 실현할 수 있다.

청구항 1 및 청구항 13 기재의 발명에 의하면, 배선 기판과 제1 보강 부재를 고정하는 데에 양면 점착 테이프, 접착제, 나사 등의 고정 수단이 필요 없게 되어, 부품수의 절감 및 경비 저감을 도모할 수 있다.

또 양면 점착 테이프 및 접착제를 사용한 경우에 필요로 하는 접착처리 및 나사를 사용한 경우에 필요로 하는 체결 처리가 필요 없게 되어 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다.

또 접착제의 열화에 수반하는 주름 등의 발생이 억제되기 때문에, 반도체 장치에 대한 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

또 청구항 2 및 청구항 14 기재의 발명에 의하면, 청구항 1의 작용 효과를 유지하면서, 또한 코어재에 의해 제1 보강 부재의 열변형을 규제할 수 있다. 따라서 배선 기판과 제1 보강 부재와의 사이에 열팽창 차이가 있어도, 배선 기판의 변형이 억제되어 평탄성이 유지되기 때문에, 반도체 장치에 대한 접속 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.

또 청구항 3 및 청구항 5 기재의 발명에 의하면, 배선 기판과 제1 보강 부재 간의 박리를 방지할 수 있으므로, 반도체 장치 시험용 콘택터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 4 기재의 발명에 의하면, 성형후에 배선 기판은 제1 보강 부재에 대해 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하기 때문에, 배선 기판은 평탄성을 가질 수 있으므로, 반도체 장치의 접속성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 6 및 청구항 16 기재의 발명에 의하면, 배선 기판은 제1 및 제2 보강 부재에 개재된 상태로 보강되기 때문에, 배선 기판의 보강을 보다 확실히 할 수 있다.

또 청구항 7 및 청구항 17 기재의 발명에 의하면, 제1 보강 부재와 제2 보강 부재의 접합력이 향상되어 반도체 장치 시험용 콘택터의 강도 향상을 도모할 수 있는 동시에, 배선 기판과 각 보강 부재와의 박리를 확실히 방지할 수 있다.

또 청구항 8 기재의 발명에 의하면, 전극 패드의 미세 형성이 가능하게 되기 때문에, 미세화된 전극부를 갖는 반도체 장치에 용이하게 대응할 수 있다.

또 청구항 9 기재의 발명에 의하면, 반도체 장치가 배선 기판에 가압된 때, 이에 따라 배선 기판에 발생하는 탄성 복원력에 의해, 배선 기판에 형성된 전극 패드는 반도체 장치의 전극으로 적의 가압력을 가져 압착 접속되기 때문에, 반도체 장치와 배선 기판과의 전기적 접속 상태를 양호한 상태로 할 수 있다.

또 청구항 10 및 청구항 15 기재의 발명에 의하면, 반도체 장치가 배선 기판에 장착된 때에 발생하는 상기 탄성 복원력을 조정할 수 있기 때문에, 배선 기판에 형성된 전극 패드와 반도체 장치의 전극과의 접속 상태를 최적인 상태로 할 수 있으므로, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또 청구항 11 기재의 발명에 의하면, 백업재에 열팽창 및 열수축이 발생하여도, 필름상 부재에 의해 이 백업재의 열변형이 배선 기판에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.

또 청구항 12 기재의 발명에 의하면, 청구항 1 내지 11 중 어느 하나 기재의 반도체 장치 시험용 콘택터의 작용 효과를 가진 반도체 장치 시험용 캐리어를 실현할 수 있다.

또 청구항 18 및 청구항 19 기재의 발명에 의하면, 성형 후에 배선 기판은 제1 보강 부재에 대하여 항상 뻗어 팽팽한 상태를 유지하기 때문에, 배선 기판이 평탄성을 가질 수 있으므로 반도체 장치와의 접속성을 향상시킬 수 있다.

Claims

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가요성을 갖는 기판 본체상에 반도체 장치의 전극부와 전기적으로 접속하는 전극 패드가 형성되어 이루어지는 배선 기판과, 형(型)을 이용하여 형성되며 상기 배선 기판을 보강하는 제1 보강 부재를 구비하고, 상기 배선 기판과 상기 제1 보강 부재를 일체적으로 성형하여 이루어지는 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법으로서,

상형(上型)과 상기 보강 부재의 형상에 대응한 하형(下型) 캐비티가 형성된 하형으로 구성되는 금형에 상기 배선 기판을 장착하는 장착 공정과,

상기 금형 내에 보강 부재용 재료를 장전하고, 상기 배선 기판과 일체적으로 고착한 상태로 되도록 제1 보강 부재를 형성하는 보강 부재 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법.
제13항에 있어서,

상기 장착 공정에서, 상기 하형 캐비티에 코어재를 장착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법.
제13항 또는 제14항에 있어서,

상기 장착 공정에서, 상기 하형 캐비티 내에 백업재(backup member)를 장착하는 동시에, 상기 백업재의 장착 위치를 상기 배선 기판의 상기 반도체 장치가 탑재하는 영역과 대향하는 위치에 설정한 것을 특징으로 하는 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법.
제13항 또는 제14항에 있어서,

상기 금형을 구성하는 상형에 제2 보강 부재의 형상에 대응한 상형 캐비티를 형성하고,

상기 보강 부재 형성 공정에서, 상기 금형 내에 보강 부재용 재료를 장전하고, 상기 배선 기판과 일체적으로 고착한 상태로 되도록 제1 및 제2 보강 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 시험용 콘택터의 제조 방법.
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