KR100531513B1 - 고주파용 페라이트박막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

Y형 6방정계 페라이트박막의 제작수단의 개발. Fe+3이온을 주성분으로 하고, Fe2+, Co2+, Ni2+, Zn2+, Cu2+, Mn2+ 로 이루어지는 군(群)에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속이온 및 Ba2+이온 혹은, 또 Sr2+, Ca2+ 또는 Pb2+ 로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속이온을 부성분으로 하여 형성한 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 사용하여, 코팅법에 의해 귀금속 표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하고, 이것을 750℃이상으로 소성(燒成)함므로서, 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 고주파 디바이스용으로서 적합한 Y형 6방정계 페라이트박막을 제작한다.

Description

고주파용 페라이트박막 및 그 제조방법{Ferrite thin film for high frequency and method for preparation thereof}
본 발명은 고주파 통신디바이스용 등의 고주파 대역(帶域)에서 높은 투자율(透磁率)이 얻어지는 페록스플레이너(ferroxplana)형 6방정계(方晶系) 페라이트박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
고주파용 페라이트로서는 종래, Mn - Zn 페라이트로 대표되는 고투자율 입방정(立方晶) 스피넬형 페라이트가 사용되어왔다. 그러나 입방정 스피넬형 페라이트는 수백 MHz 이상의 고주파로 되면, 이른바 스뇌크(snoek)의 한계에 의해 투자율이 급속히 저하하여 고주파 디바이스용 재료로서 사용할 수 없다. 한편, 6방정 페라이트 중에서도 c면이 자화용이면(磁化容易面)인 페록스프레이너형 페라이트는 스뇌크(snoek)의 한계를 넘은 수 GHz까지 높은 투자율을 가지며, 보다 높은 주파수대에서의 고주파 디바이스용 재료로서 기대되고 있다.
이 페록스프레이너형 페라이트의 조성은 Ba2Zn2Fe12O22, Ba 3Co2Fe24O41이 대표적인 것이며, 이 조성에 SiO2와 CaO를 함유한 조성(일본국 특개평 9(1997) -129433호 공보)이나 Ba3Co2(Mx Nx)Fe24-2xO41(M은 Zn,Cu,Co 등의 2가 금속이온, N은 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn, Ir 등의 4가의 금속이온, x는 3이하, 일본국 특개 2000-235916호 공보) 등의 보다 복잡한 조성도 알려져 있다. 이들 6방전 페라이트는 종래, 분말의 소결체(일본국 특개평 9(1997)-129433호 공보)나, 분말 페이스트의 도포층(일본국 특개평 9(1997)-205031호 공보)으로서 사용되고 있다.
(발명의 개시)
근년, 휴대전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 정보통신기기의 발달에 따라 전자기기의 소형화나 신호주파수의 고주파화가 급속히 진전되고 있다. 그 결과 보다 더 고주파로 동작이 가능한 필터나 인덕터(inductor) 등의 고주파 전자디바이스의 개발과 소형화가 요구되고 있다. 소형화의 면에서는 벌크 디바이스를 3차원적으로 작게 해 가는 방법으로는 한계가 있으므로, 최근에는 소형화, 집적화에 유효한 박막을 적층하는 평면디바이스의 개발이 진척되고 있다. 그러나. 페록스플레이너형 페라이트에서는 소형디바이스에 필요한 박막화는 이제까지 성공하고 있지 않다.
6방정 페라이트는 도 1에 나타낸 바와 같이, M형, U형, W형, X형, Y형, Z형의 많은 상(相)을 가지며, 그것들이 여러 가지 고용역(固溶域)을 가지고 있다. 또 각 상(相)의 결정구조도 도 2에 나타낸 바와 같이 매우 복잡하다. 그래서, 2원계의 수직자기이방성(垂直磁氣異方性)인 M형(BaFe12O19) 박막의 제작 예는 다수 보고되어 있지만, 그 이외의 6방정 페라이트박막의 제작은 전혀 보고되어 있지 않다. 더욱이 M형은 1축 이방성(異方性)을 가진 마그네토 플럼바이트(magneto plumbite)형 페라이트이므로 사용 용도는 전혀 다르다. 그러므로 고주파 디바이스용 Y형 6방정계 페라이트박막의 제작수단의 개발이 요구되고 있다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구개발을 진행하여, 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성(粘性) 용액을 귀금속 표면에 막을 형성하는 방법에 의해, 페록스플레이너형 페라이트인 Y형 6방정계 페라이트박막을 제작할 수 있다는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은 귀금속제 기판 또는 귀금속표면층을 형성한 절연체 또는 반도체로 된 기판을 성막기판으로 하고, 이 귀금속표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하여 이루어진 결정(結晶)의 c축이 막면(膜面)에 수직으로 배향(配向)한 Y형 6방정계 페라이트박막이다.
또, 본 발명은 Fe+3이온을 주성분으로 하고, Fe2+, Co2+, Ni2+ , Zn2+, Cu2+, Mn2+로 이루어지는 군(群)에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속이온 및 Ba2+이온을 부성분으로 하여 형성한 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 사용하여, 귀금속 표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하고, 이것을 소성(燒成)하는 것을 특징으로 하는 상기 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법이다. 부성분으로서는 또한 Sr2+, Ca2+ 또는 Pb2+로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속이온을 추가할 수 있다.
또, 본 발명은 이 점성 용액이 수용성의 Ba화합물, Zn화합물, Fe화합물을 출발원료로 하여 조제한 원료용액에 유기산 및 폴리올을 첨가함으로써 금속착체화를 행한 용액이며, 귀금속 표면에 Y형 Ba2Zn2Fe12O22 조성의 막을 형성하고, 이것을 소성하는 것을 특징으로 하는 상기 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법이다.
상기 방법에 있어서, 소성온도를 750℃ 이상으로 함으로써 Y형 6방정계 페라이트박막을 얻을 수 있다.
본 발명의 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 Y형 6방정계 페라이트박막의 조성은 대표적으로는 알칼리토류금속으로서 Ba를 사용한 일반식 Ba2Me2Fe 12O22(Me : Ni, Co, Zn, Cu, Mn으로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속)로 표시되는 것이다. 단, 이 기본조성의 Ba를 Sr, Ca 또는 Pb로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속으로 치환한 조성이나, 조성중의 임의의 위치에 B, Si, Mg 등의 여러 가지 원소를 미량 첨가한 보다 복잡한 Y형 6방정계 Ba페라이트조성이라도 된다.
종래, 고상(固相) Y형 벌크페라이트의 소성은 1000℃ 정도에서 행하고 있었으나, 본 발명의 방법에 있어서는 귀금속 표면상에 Y형 페라이트조성의 막을 형성함으로써 저온의 소성온도에서 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 Y형 6방정계 페라이트막이 얻어진다. 이에 대하여, Al2O3을 표면층으로서 사용하면 페라이트가 Al2O3과 반응하여 박막 제작은 불가능하다. 또 석영(SiO2)을 표면층으로 사용하면 제작한 막은 SiO2에 고용(固溶)하므로 Y형 6방정계 페라이트박막은 얻을 수 없다.
(도면의 간단한 설명)
도 1은 6방정(方晶) 페라이트(ferrite)군(群)의 상도(相圖).
도 2는 Y형 6방정계 Ba페라이트의 원자배열을 나타낸 모식도.
도 3a 및 도3b는 본 발명에 의한 결정(結晶)의 c축이 막면(膜面)에 수직으로 배향(配向)한 Y형 6방정계 페라이트 박막을 사용하여, 매우 소형의 평면 디바이스를 제작하는 프로세스를 예시하는 평면도 및 측면도.
도 4는 실시예 1에 의해 제작한 박막의 XRD패턴을 나타낸 그래프.
도 5는 실시예 1에 의해 제작한 박막의 자화곡선(磁化曲線)을 나타낸 그래프.
도 6은 실시예 1에 의해 제작한 박막의 SEM상(像)을 나타낸 도면대용 사진.
도 7은 실시예 2에 의해 제작한 박막의 XRD패턴을 나타낸 그래프.
도 8는 실시예 2에 의해 제작한 박막의 자화곡선을 나타낸 그래프.
도 9는 비교예 1에 의해 제작한 박막의 M형 - Y형 선상(線上)의 XRD패턴을 나타낸 그래프.
도 10은 비교예 1에 의해 제작한 박막의 조성을 나타낸 상도.
도 11은 비교예 2에 의해 제작한 박막의 BaFe2O4 - Y형 선상(線上)의 XRD패턴을 나타낸 그래프.
도 12는 비교예 2에 의해 제작한 박막의 BaFe2O4 - Y형 선상(線上)의 뫼스바우어 스펙트럼(Mossbauer spectrum)을 나타낸 그래프.
다음에 본 발명의 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, Fe+3이온을 주성분으로 하고, 다른 2가의 천이금속이온 및 Ba2+이온 혹은 또 Sr2+, Ca2+ 또는 Pb2+를 공급하는 출발원료를 사용하여 형성한 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 조제한다. 점성 액체라는 것은 고분자상태의 금속·유기복합체가 물 또는 아세트산, 에탄올 등의 용액 내에 투명하고도 균질(均質)하게 분산한 상태에 있는 액체이며, 끈기가 있는 액체이다.
이 점성액체의 조제법으로서는 ① 출발원료를 첨가한 최초의 수용액을 서서히 농축하고 수분을 서서히 증발시키면서 적당한 점도에 달하는 것을 기다리는 방법과, ② 출발원료를 첨가한 최초의 수용액에서 완전히 수분을 증발시킴으로써 금속 ·유기복합체의 겔(gel)을 얻어, 이것을 다시 물 또는 아세트산, 에탄올 등의 용매에 용해하여 적당한 점도를 가진 용액을 조제하는 방법 등을 이용할 수 있다.
구체예로서는 금속착체중합법이라고 일컫는 방법을 이용하여, 금속의 탄산염, 수산화물, 황산염, 카르복실산염, 할로겐화물 등을 출발원료로 하여 소정의 페라이트막 조성으로 되는 비율로 용해한 수용액에 구연산(citric acid) 등의 유기산 및 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올 등의 디올이나 기타의 폴리올을 첨가하여 탈수 축합(縮合)시켜서 금속이온 끼리를 유기물로 가교하고, 금속 ·유기복합체를 형성하는 방법을 적합하게 사용할 수 있다.
금속착체중합법 자체는 예를 들면 구연산에 의한 금속이온의 착체화(錯體化)와 에틸렌글리콜에 의한 3차원 네트워크를 거쳐 금속이온을 균일하게 분산시키는 방법으로서 공지의 방법이다. 즉 복수 종의 금속이온과 구연산과의 사이에서 안정된 킬레이트착체를 만들게 하여, 이것을 에틸렌글리콜에 용해 분산시키고, 이 용액을 가열중합 에스테르화(esterification)하여, 올리고머를 거쳐 최종적으로 3차원의 네트워크구조를 가진 고분자 겔, 즉 착체중합(錯體重合)을 형성하는 방법으로서 초전도체 등의 복합산화물의 제조방법으로서 이용된다.
이와 같이 하여 얻어지는 전구체(前驅體)의 네트워크구조는 주로 에스테르 결합 또는 공중합에 의해 형성되고, 매우 안정된 구조를 가지므로 금속이온의 이동도(移動度)는 극단적으로 작아지며, 따라서 그 후의 원하는 조성을 가진 세라믹스의 입자를 직접 형성시키는 것이 가능해진다.
이 금속착체중합법은 원료에 알콕시화물(alkoxide)을 사용하는 졸겔(sol - gel)법과 비교하여 금속이온이 균일하게 분산한다는 것, 원료비가 저(低) 비용이라는 등의 이점이 있다. 또한 금속착체중합법을 사용하는 것은 원료에 알콕시화물을 사용하는 졸겔법에 비해 금속이온은 균일하며, 그 균일성은 중합체의 3차원 네트워크에 의해 소성단계까지 유지되므로 다원계(多元系)의 박막제작에 매우 유리하다. 성막법으로서는 딥코팅법이나 스핀코팅법 등의 공지의 코팅법이나 인쇄법을 사용할 수 있다. 박막의 두께는 1회의 도포로 약 80∼100㎚로 하는 것이 바람직하다. 막 두께를 두껍게 하는 경우에는 성막, 건조, 중합, 열분해의 과정을 반복하면 된다.
딥코팅법은 기판을 코팅액에 침지(浸漬)하여 위쪽으로 끌어올려 표면에 부착한 액막(液膜)을 겔화(gelation)시키는 방법이며, 저온 프로세싱, 기상법(氣相法)과 같은 고가의 대형 설비가 불필요하다는 것, 성막기판의 대소를 불문한다는 것, 단순한 조작이라는 것, 다원계의 박막제작이 가능하다는 것 등, 여러 가지 이점이 있다.
Y형 페라이트조성의 막을 형성하는 Ag, Au, Pt 및 기타의 백금족 금속의 표면의 전처리로서는 이들 귀금속 표면에 자연 또는 열산화 등에 의해 형성되어 있는 산화물층의 표면을 KOH 등의 염기성 수용액을 사용하여 세정하고, OH기로 완전히 수식하는 것이 바람직하지만, 증류수나 에탄올 등의 친수성 액체를 사용하여 단지 세정하는 것만으로도 거의 같은 효과를 얻을 수 있다. Ag의 경우에는, Ag산화물층이 표면에 대기중에서 자연히 형성되므로 표면을 간단히 세정하는 것만으로 그 위에 페라이트막을 양호하게 부착시킬 수 있다. Au나 Pt의 경우에는, 표면에 자연산화층은 거의 형성되지 않으므로 산소 중에서 가열 또는 표면을 산소플라즈마로 조사(照射)함으로써 표면산화층을 적극적으로 형성하면 점성용(粘性用) 액을 코팅할 때에 액의 유윤성(濡潤性 : wettability)이 좋고 막의 부착성이 좋아지므로 바람직하다. Ag, Au, Pt 및 기타의 백금족 금속은 그 표면의 작용이 손상되지 않는 한 합금원소를 함유하는 것으로도 된다.
이들 귀금속은 그 결정구조는 입방최밀구조(立方最密構造)이지만, 표면에 세장(細長)한 압연조직이나 스크래치에 의한 방향성이 있는 가공조직이 있는 경우, 그 조직의 방향과 평행방향으로 코팅하는 것보다 직각방향으로 코팅하는 편이 Y형 6방정계 페라이트박막의 배향성이 향상한다.
종래의 벌크디바이스는 개개의 부품이 독립하고 있으므로, 예를 들면 두께 3㎜, 반경 2.5㎜ 정도이며, 3차원적으로 작게 하는 하는데는 한계가 있다.
그래서, 본 발명의 Y형 6방정계 페라이트박막을 사용하면, 필요한 형상의 구멍을 뚫은 마스크를 귀금속 표면상에 놓고, 그 위에 이 박막을 코팅하거나 또는 이 박막을 형성한 후에 에칭으로 필요한 형상으로 박막을 가공하는 것이 가능해진다.
예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같이, 절연체 또는 반도체인 Al2O3나 Si기판(1)상에 Ag, Au, Pt 또는 기타의 Pt족 금속의 1종에서 선정한 귀금속 표면층으로 이루어지는 하부코일(a)을 형성하고, 이 위에 본 발명의 Y형 6방정계 페라이트박막(b)을 형성하고, 이것을 링 형상으로 에칭하고, 다시 상부코일(c)을 형성함으로써, 두께 20㎛, 반경 1㎜ 정도의 매우 소형의 평면디바이스를 제작하는 것이 가능해진다.
본 발명의 방법에 의해 귀금속 표면상에 성막한 Y형 페라이트조성의 박막의 소성온도는 저온으로 될수록 배향성이 열화(劣化)하지만, 어떤 귀금속 표면이라도 소성온도가 750℃ 이상이면, 고면내(高面內) 배향의 박막이 얻어진다. 소성온도가 750℃ 미만에서는 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 Y형 6방정계 페라이트박막의 제작은 곤란해지며, 고온인 쪽이 배향성 및 결정성이 향상한다.
소성온도의 상한은 Ag(융점 960.8℃) 표면의 경우에는 900℃가 바람직하다. Pt(융점 1769℃) 표면의 경우에는 1300℃가 바람직하다. Au(융점 1063℃) 표면의 경우에는 1000℃가 바람직하다. 상한온도를 초과하면 Ag 또는 Au의 경우에는 이 금속의 융점에 근접하므로 박막의 평활성이 급속히 열화된다. Pt의 경우에는 페라이트 자체가 부분 용융하여 분해한다.
소성온도가 도선(導線)에 사용되는 은선(銀線)의 융점(962℃) 이하이면 적층막으로 하여 한번에 소성할 수 있으므로, Ag는 표면층으로서 특히 바람직하다. 고주파 디바이스의 회로에 은선을 사용하는 것을 고려하면, Ag 표면상에 제작한 Y형 6방정계 Ba페라이트박막은 매우 유효한 재료라고 할 수 있다.
(실시예 1)
출발원료로서 BaCO3, ZnCO3, FeCl3 ·6H2O를 각각 1 : 1 : 6의 비율이 되도록 칭량(秤量)하여 비커에 넣었다. 거기에 출발원료의 합계 몰(mol)수의 70배 mol의 증류수, 3.75배 mol의 구연산, 11.25배 mol의 에틸렌글리콜을 첨가하여 금속착체화를 행하였다.
얻어진 점성 용액을 홋스타러 상에서 90℃로 가열하여 농축을 행하였다. 완전히 스타러가 정지한 후, 얻어진 겔의 중량의 2배량의 아세트산을 첨가하여 희석하였다. 이와 같이 하여 제작한 점성 용액에 순Ag제 기판(니코라(주)제 0.20 ×10 ×10㎜)을 침지(dip)하고 일정 속도로 끌어올려 Ag 표면에 도포막을 형성하고, 도포막의 건조를 90℃에서 1시간, 중합을 190℃에서 1시간, 열분해를 410℃에서 1시간 행하였다. 그리고 상기의 방법으로 제작한 점성 용액에 있어서 일정속도 43.7㎜/min로 끌어올려 형성한 도포막은 대략 1000Å의 막 두께였다. 그 후, 소성온도를 여러 가지로 변경하여 대기 중에서 소성하였다.
얻어진 박막의 평가로서, XRD에 의한 생성상(生成相)의 동정(同定), VSM에 의한 자화측정, SEM관찰에 의한 박막 표면의 조직관찰, 뫼스바우어 (Mossbauer)분광측정에 의한 자성상(磁性相)의 결정, 막 두께 측정을 행하였다. 도 4에 제작한 박막의 XRD패턴을 나타낸다. 900℃에서 1시간 소성했을 때, Y형의 피크가 나타났다. 더욱이 Ag는 입방정(立方晶)인데도 불구하고, 얻어진 Y형의 피크는 모두 (001)로 배향하고 있었다.
도 5에 이 박막의 자화곡선을 나타낸다. 면내 방향으로 자장을 건 히스테리시스곡선 쪽이 수직방향으로 자장을 건 히스테리시스곡선보다 상승함이 급준(急峻)하고, 그 결과로서 보지력도 작아져 있으므로 제작한 박막은 면내자화용이막(面內磁化容易膜)임을 알았다. 또, 이때의 박막의 SEM상을 제6도에 나타낸다. 이로써 6각판형 입자가 보이므로 6방정계 결정이 생성하고 있음을 알 수 있다.
(실시예 2)
순Pt제 기판(니코라(주)제 0.20×10×10mm)을 사용하여 Pt표면에 성막하는 외는 실시예 1과 같은 조건으로 박막을 제작하였다. 도 7에 제작한 박막의 XRD패턴을 나타낸다. Pt를 표면으로 한 경우에는, 1100℃에서 1시간 소성했을 때, Y형의 피크가 출현하였다. 더욱이 Pt는 입방정인데도 불구하고, 얻어진 Y형의 피크는 모두 (001)로 배향하고 있었다.
도 8에 이 박막의 자화곡선을 나타낸다. 이로써, 면내방향으로 자장을 건 히스테리시스곡선 쪽이 수직방향으로 자장을 건 히스테리시스곡선보다 상승함이 급준하고, 그 결과로서 보지력도 작아져 있으므로, 제작한 박막은 면내자화용이막이라는 것을 알았다.
(비교예 1)
α- Al2O3 c면 기판을 사용하여 Al2O3 표면에 성막하는 외는 실시예 1과 같은 조건으로 박막을 제작하였다. 소성조건은 1100℃에서 30분으로 하였다. 도 9에 M형 - Y형 선상의 박막의 XRD패턴, 도 10에 제작한 박막의 상도(相圖) 상에 있어서의 점을 나타낸다. α- Al2O3 c면을 표면으로 한 경우에는 기판과 반응한 박막의 피크밖에 나타나지 않았다. 제작한 모든 조성에 있어서, 도 9에 나타낸 바와 같이 M형 Ba페라이트상(相)은 확인할 수 있었으나, Y형 상(相)은 생성되지 않았다.
(비교예 2)
상기 비교예 1에서는 융점이 낮은 Zn이 상(相) 밖으로 방출되었을 가능성이 있으므로, 보다 낮은 1000℃에서 소성하였다. 박막의 제작조건은 비교예 1과 같게 하였다. 이 경우, 이제까지 볼 수 없었던 미지상(未知相)이 나타났다. 이 미지상의 피크는 6방정의 α- Al2O3 기판과 가까운 위치에 나온다는 것과 소성온도 등에서 역시 6방정의 α′- BaFe2O4이라고 추측할 수 있다.
도 11에 BaFe2O4 - Y형선 상의 박막의 XRD패턴을 나타낸다. 이것으로부터 Zn이 존재하는 조성에서는 미지상이 출현하였다. 도 12는 BaFe2O4 - Y형 선상의 박막의 뫼스바우어 스펙트럼이다. 조성이 BaFe2O4일 때의 피크는 반강자성상(反强磁性相)만을 나타내고 있으며, 이것은 α′- BaFe2O4에 의한 것이다.
그러나, 조성이 보다 더 Y형에 가까워짐에 따라 반강자성상의 피크는 약해지고, 상자성상(常磁性相)의 피크는 강해졌다. 이 상자성상은 박막 성분의 Fe와 기판 성분의 Al가 반응하여 생긴 일메나이트(ilmenite)구조에 가까운 화합물(AlFeO3)이라고 생각된다. 이로서 소성 시에 박막과 α- Al2O3 기판은 반응하고 있으며, 목적물질이 얻어지지 않는다는 것을 알았다.
본 발명의 Y형 6방정계 박막은 종래, 고주파로 동작이 가능한 필터나 인덕터 등의 고주파 전자디바이스용 등 고주파디바이스용 재료로서 유용하다.

Claims (6)

  1. 귀금속제 기판 또는 귀금속표면층을 형성한 절연체 또는 반도체로 된 기판을 성막기판으로 하고, 이 귀금속표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하여 이루어진 결정(結晶)의 c축이 막면(膜面)에 수직으로 배향(配向)한 Y형 6방정계 페라이트박막.
  2. 제 1항에 있어서, 고주파 디바이스로 사용되는 것을 특징으로 하는 Y형 6방정계 페라이트박막.
  3. Fe+3이온을 주성분으로 하고, Fe2+, Co2+, Ni2+, Zn2+, Cu2+, Mn2+로 이루어지는 군(群)에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속이온 및 Ba2+이온을 부성분으로 하여 형성한 금속ㆍ유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 사용하여, 귀금속제 기판 또는 그 귀금속표면층을 형성한 절연체 또는 반도체로 된 기판을 성막기판으로 하고, 이 귀금속 표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하고, 이것을 소성하여 결정 c축이 막면에 수직으로 배향한 Y형 6방정계 페라이트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 부성분으로서 다시 Sr2+, Ca2+ 또는 Pb3+로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속이온을 첨가한 것을 특징으로 하는 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 점성 용액이 수용성의 Ba화합물, Zn화합물, Fe화합물을 출발원료로 하여 조제한 원료용액에 유기산 및 폴리올을 첨가함으로써 금속착체화(金屬錯體化)를 행한 용액이며, 귀금속 표면에 Y형 Ba2Zn2Fe12O22 조성의 막을 형성하고, 이것을 소성(燒成)하는 것을 특징으로 하는 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법.
  6. 제 3항에 있어서, 소성온도가 750℃ 이상인 것을 특징으로 하는 Y형 6방정계 페라이트박막의 제조방법.
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