JPS58164B2 - ジキヘツドザイリヨウ - Google Patents
ジキヘツドザイリヨウInfo
- Publication number
- JPS58164B2 JPS58164B2 JP50005641A JP564175A JPS58164B2 JP S58164 B2 JPS58164 B2 JP S58164B2 JP 50005641 A JP50005641 A JP 50005641A JP 564175 A JP564175 A JP 564175A JP S58164 B2 JPS58164 B2 JP S58164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- single crystal
- magnetic head
- ferrox
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Magnetic Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘッド材料、特に１０ＭＨｚ以上の高周波
において用いられる磁気ヘッド材料に関するものである
。
において用いられる磁気ヘッド材料に関するものである
。
従来、磁気ヘッド材料としては、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｎｉ−
Ｚｎ系の立方晶系強磁性フェライトが用いられて来たが
、近年、磁気記録の高密度化の要請にともない、１０Ｍ
Ｈｚ以上の高周波においても使用可能な磁気ヘッド材料
が望まれるようになった。
Ｚｎ系の立方晶系強磁性フェライトが用いられて来たが
、近年、磁気記録の高密度化の要請にともない、１０Ｍ
Ｈｚ以上の高周波においても使用可能な磁気ヘッド材料
が望まれるようになった。
このような材料として、フエロツクスプレーナーと呼ば
れる、六方晶系の結晶構造を持つ一連のＢａ系フェライ
トがある。
れる、六方晶系の結晶構造を持つ一連のＢａ系フェライ
トがある。
これらの材料では結晶磁気異方性エネルギーが大きく、
結晶の６面が磁化容易面であり、このことが１０ＭＨｚ
以上の高周波においても高い透磁率をもつ原因となって
いる。
結晶の６面が磁化容易面であり、このことが１０ＭＨｚ
以上の高周波においても高い透磁率をもつ原因となって
いる。
また、従来の立方晶系強磁性フェライトと異なり、フエ
ロツクスプレーナーでは磁化困難軸、すなわちＣ軸方向
の透磁率は、磁化容易面すなわちＣ面方向の透磁率に比
べて著しく小さい。
ロツクスプレーナーでは磁化困難軸、すなわちＣ軸方向
の透磁率は、磁化容易面すなわちＣ面方向の透磁率に比
べて著しく小さい。
したがって、フエロツクスプレーナーを磁気ヘッドの構
成材料として用いるためには、材料内部で容易磁化面が
そろった状態で用いなければならない。
成材料として用いるためには、材料内部で容易磁化面が
そろった状態で用いなければならない。
この状態は単結晶において可能である。
しかし、フエロツクスプレーナー単結晶の作製には多大
の時間を要し、しかも磁気ヘッド量産化に適するような
大型の品質のよい単結晶の作製法はまだ確立されていな
い。
の時間を要し、しかも磁気ヘッド量産化に適するような
大型の品質のよい単結晶の作製法はまだ確立されていな
い。
また、フエロツクスプレーナー単結晶は脆く、割れやす
いため、磁気ヘッドに加工し難いという欠点を有してい
る。
いため、磁気ヘッドに加工し難いという欠点を有してい
る。
容易磁化面のそろった状態は、フエロツクスプレーナー
の粉末を磁場中において配向させ、その後焼結すること
によっても得られるが、こうして作った材料の透磁率は
単結晶に比べて著しく小さいという問題がある。
の粉末を磁場中において配向させ、その後焼結すること
によっても得られるが、こうして作った材料の透磁率は
単結晶に比べて著しく小さいという問題がある。
本発明の目的は、フエロツクスプレーナーを磁気ヘッド
に用いる場合に起る上記の欠点を解決し、フエロツクス
プレーナーの大型単結晶を用いることなく、高周波にお
いて良好な特性を有する磁気ヘッド材料を提供すること
にある。
に用いる場合に起る上記の欠点を解決し、フエロツクス
プレーナーの大型単結晶を用いることなく、高周波にお
いて良好な特性を有する磁気ヘッド材料を提供すること
にある。
上記の目的を達成するために、本発明の磁気ヘッド材料
では、酸素原子稠密面を有する酸化物単結晶を基板とし
、この基板表面が酸化物単結晶の酸素原子稠密面および
その近傍の面に一致するように作製した基板上に、容易
磁化面と膜面がほぼ一致するように、フエロツクスプレ
ーナー薄膜を形成する。
では、酸素原子稠密面を有する酸化物単結晶を基板とし
、この基板表面が酸化物単結晶の酸素原子稠密面および
その近傍の面に一致するように作製した基板上に、容易
磁化面と膜面がほぼ一致するように、フエロツクスプレ
ーナー薄膜を形成する。
これにより、フエロツクスプレーナーの大型単結晶を用
いずに、フエロツクスプレーナーの良好な磁気特性を利
用した磁気ヘッド材料を作製することが出来る。
いずに、フエロツクスプレーナーの良好な磁気特性を利
用した磁気ヘッド材料を作製することが出来る。
上記磁気ヘッド材料に用いられるフエロツクスプレーナ
ーは、具体的には （ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋２Ｍｎ２＋、Ｃｏ２＋。
ーは、具体的には （ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋２Ｍｎ２＋、Ｃｏ２＋。
Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋のうち少なく
とも１種または（Ｌ１＋＋Ｆｅ１＋）／２なる２価の錯
体を示す。
とも１種または（Ｌ１＋＋Ｆｅ１＋）／２なる２価の錯
体を示す。
またＢａの全部あるいは一部をＳｒ。Ｐｂ 、Ｃａで置
換し得る。
換し得る。
また、Ｆｅ３＋の一部をＡ１３＋、Ｃｒ３＋あるいは（
Ｃｏ２＋＋Ｉｒ４＋）／２゜（Ｃｏ２＋＋Ｇｅ４＋）／
２、（Ｃｏ２＋＋Ｔｉ４＋）／２などの３価の錯体によ
り置換し得る。
Ｃｏ２＋＋Ｉｒ４＋）／２゜（Ｃｏ２＋＋Ｇｅ４＋）／
２、（Ｃｏ２＋＋Ｔｉ４＋）／２などの３価の錯体によ
り置換し得る。
）などの一般式で示されるもののうち、磁化容易面を有
するものである。
するものである。
さらに具体的に上記磁気ヘッドに用いられるフエロツク
スプレーナーを述べると次の通りである。
スプレーナーを述べると次の通りである。
（ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｏ２＋Ｎ
ｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋２Ｍｇ２＋のうち少なくと
も１種または（Ｌｉ１＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の錯
体を示し、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦１，０≦Ｃ≦０．
４，０≦Ｄ≦３．２，０≦Ｅ≦３．２である。
ｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋２Ｍｇ２＋のうち少なくと
も１種または（Ｌｉ１＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の錯
体を示し、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦１，０≦Ｃ≦０．
４，０≦Ｄ≦３．２，０≦Ｅ≦３．２である。
）；（ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋、Ｍｎ２＋ 、Ｎｉ
２＋。
２＋。
Ｃｕ２＋、 Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋のうち少なくとも１種
または（Ｌｉ＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の錯体を示し
、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦０．６，０≦Ｃ≦０．３，
０≦Ｄ≦２，０≦Ｅ≦０．５，０≦Ｆ≦０．５である。
または（Ｌｉ＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の錯体を示し
、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦０．６，０≦Ｃ≦０．３，
０≦Ｄ≦２，０≦Ｅ≦０．５，０≦Ｆ≦０．５である。
）；（ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋、 Ｍｎ２＋ 、
Ｃｏ２＋。
Ｃｏ２＋。
Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋のうち少なく
とも１種または（Ｌｉ２＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の
錯体を示し、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦０．５゜０≦Ｃ
≦０．５，０≦Ｄ≦１．２，０≦Ｅ≦１．２である。
とも１種または（Ｌｉ２＋＋Ｆｅ３＋）／２なる２価の
錯体を示し、かつ０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦０．５゜０≦Ｃ
≦０．５，０≦Ｄ≦１．２，０≦Ｅ≦１．２である。
）；（ただし、Ｍｅ２＋はＦｅ２＋、Ｎｉ２＋、ｚｎ２
＋。
＋。
Ｍｇ２＋のうちの少なくとも１種または（Ｌｉ１＋＋Ｆ
ｅ３＋）／２なる２価の錯体を示し、かつ０≦Ａ≦１，
０≦Ｂ≦０．７，０≦Ｃ≦０．６，０≦Ｄ≦２．０≦Ｅ
≦０．６，０≦Ｆ≦０．６，０≦Ｇ≦０．５である。
ｅ３＋）／２なる２価の錯体を示し、かつ０≦Ａ≦１，
０≦Ｂ≦０．７，０≦Ｃ≦０．６，０≦Ｄ≦２．０≦Ｅ
≦０．６，０≦Ｆ≦０．６，０≦Ｇ≦０．５である。
）（ただし、０≦Ａ≦１，０≦Ｂ≦１，０≦Ｃ≦０．４
，１≦Ｄ≦１．６である。
，１≦Ｄ≦１．６である。
）などの一般式で示されるもののうち、磁化容易面を有
するものである。
するものである。
これらのフェライトは、いずれも六方晶系の結晶構造を
持ち、格子定数Ｃは各々の化合物によって異なるが、格
子定数ａはこれらのフェライトに共通な値、約５．８８
Åである。
持ち、格子定数Ｃは各々の化合物によって異なるが、格
子定数ａはこれらのフェライトに共通な値、約５．８８
Åである。
また、これらは０面と平行に酸素原子あるいは酸素原子
とバリウム原子から成る稠密面を含んでおり、面内での
原子間距離は約２．９４Åである。
とバリウム原子から成る稠密面を含んでおり、面内での
原子間距離は約２．９４Åである。
ＮａＣｌ型酸化物など立方晶系酸化物の（１１１）面、
コランダム型酸化物など六方晶系酸化物のＣ面において
も、これらの面と平行に酸素原子の稠密面が含まれてい
る。
コランダム型酸化物など六方晶系酸化物のＣ面において
も、これらの面と平行に酸素原子の稠密面が含まれてい
る。
これらの酸化物のうち、酸素原子面内での原子間距離が
２．９４Åに近い結晶では、これらの面に、フエロツク
スプレーナーのＣ面が一致するように、フエロツクスプ
レーナー薄膜を形成させることが出来る。
２．９４Åに近い結晶では、これらの面に、フエロツク
スプレーナーのＣ面が一致するように、フエロツクスプ
レーナー薄膜を形成させることが出来る。
酸素原子の稠密面を有し、フエロツクスプレーナー薄膜
を形成させる基板となり得る酸化物を、酸素原子間距離
とともに第１表に示す。
を形成させる基板となり得る酸化物を、酸素原子間距離
とともに第１表に示す。
第１表以外の酸化物でも、酸素原子稠密面を有し、この
面内の酸素原子間距離が２．９４Åに近いものであれば
、本発明の基板として用いることが出来る。
面内の酸素原子間距離が２．９４Åに近いものであれば
、本発明の基板として用いることが出来る。
本発明の磁気ヘッド材料を用いた磁気ヘッドでは、フエ
ロツクスプレーナー膜の磁化容易面が磁気ヘッドギャッ
プ対向面および記録媒体対向面とほぼ垂直になるような
構造にすることにより、磁束が磁化容易面に沿った方向
以外にはもれなくなるので、記録磁界の広がりが小さく
なり、このため記録信号の広がりを小さくおさえるとい
うすぐれた性質を併せ持っている。
ロツクスプレーナー膜の磁化容易面が磁気ヘッドギャッ
プ対向面および記録媒体対向面とほぼ垂直になるような
構造にすることにより、磁束が磁化容易面に沿った方向
以外にはもれなくなるので、記録磁界の広がりが小さく
なり、このため記録信号の広がりを小さくおさえるとい
うすぐれた性質を併せ持っている。
これは、信号トラック間距離を短縮させた高密度磁気記
録においては特に有用な性質である。
録においては特に有用な性質である。
以下、本発明を実施例をもって説明する。
実施例 ｌ
ＭｇＯ単結晶を（１１１）面が表面となるように厚さ０
．５ｍｍの薄片に切出し、この薄片をアルミナおよびダ
イヤモンド砥粒によって鏡面に研摩した。
．５ｍｍの薄片に切出し、この薄片をアルミナおよびダ
イヤモンド砥粒によって鏡面に研摩した。
さらに、この結晶薄片を熱リン酸溶液中で化学研摩し、
加工歪を受けた層を取除き、基板とした。
加工歪を受けた層を取除き、基板とした。
次に、ＢａＣＯ３６３，５重量％、ＺｎＯ３，９重量％
、Ｆｅ２Ｏ３２３，１重量％、Ｂ２Ｏ３９，５重量％を
秤量混合し、Ｐｔルツボに充填して、炉中で１２００℃
にて溶解し、その後１１００℃に保持した。
、Ｆｅ２Ｏ３２３，１重量％、Ｂ２Ｏ３９，５重量％を
秤量混合し、Ｐｔルツボに充填して、炉中で１２００℃
にて溶解し、その後１１００℃に保持した。
この溶融塩中に、上記基板を回転しながら一定時間浸し
、その後引上げることにより、基板表面にフエロツクス
プレーナーの一種Ｂａ２Ｚｎ２Ｆｅ１２Ｏ２２の結晶を
薄膜状に成長させることが出来た。
、その後引上げることにより、基板表面にフエロツクス
プレーナーの一種Ｂａ２Ｚｎ２Ｆｅ１２Ｏ２２の結晶を
薄膜状に成長させることが出来た。
基板を浸す時間を変化させることにより、フエロツクス
プレーナーの膜厚を制御することが出来た。
プレーナーの膜厚を制御することが出来た。
このようにして作製したフエロツクスプレーナー薄膜に
おいては、Ｘ線回折により、Ｃ面すなわち容易磁化面が
膜面にほぼ一致していることが確められた。
おいては、Ｘ線回折により、Ｃ面すなわち容易磁化面が
膜面にほぼ一致していることが確められた。
さらに、フエロツクスプレーナー薄膜を基板も含めてト
ロイド状に打ち抜き、同軸線反射法により膜の透磁率を
測定した。
ロイド状に打ち抜き、同軸線反射法により膜の透磁率を
測定した。
比較のために、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶により同じ
形のトロイド形試料を作成し、透磁率を測定した。
形のトロイド形試料を作成し、透磁率を測定した。
測定結果を第１図に示す。
この図において、Ａ、Ｂはそれぞれ基板上に形成したＢ
ａ２ Ｚｎ２ Ｆｅ１２ Ｏ２２膜。
ａ２ Ｚｎ２ Ｆｅ１２ Ｏ２２膜。
Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の透磁率を示す。
第１図かられかるように、１ＭＨｚ以下の低周波におい
ては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶が透磁率が太きいが
、５ＭＨｚ以上では、ＭｇＯ基板上に形成したＢａ２
Ｚｎ２ Ｆｅ１２ Ｏ２２膜の透磁率が大きい。
ては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶が透磁率が太きいが
、５ＭＨｚ以上では、ＭｇＯ基板上に形成したＢａ２
Ｚｎ２ Ｆｅ１２ Ｏ２２膜の透磁率が大きい。
こうして、フエロツクスプレーナーＢａ２ Ｚｎ２ Ｆ
ｅ１２Ｏ２２の大型単結晶を用いることなく、高周波に
おいて優れた性質を有する磁気ヘッド材料を作製するこ
とか出来た。
ｅ１２Ｏ２２の大型単結晶を用いることなく、高周波に
おいて優れた性質を有する磁気ヘッド材料を作製するこ
とか出来た。
実施例 ２
第２表に示す酸化物を基板として、実施例１と同じ方法
でフエロツクスプレーナーＢａ２Ｚｎ２Ｆｅ１２Ｏ２２
の膜を形成し、膜の透磁率を測定した。
でフエロツクスプレーナーＢａ２Ｚｎ２Ｆｅ１２Ｏ２２
の膜を形成し、膜の透磁率を測定した。
１０ＭＨｚにおける測定結果を第２表にまとめて示す。
比較のために、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の１０ＭＨ
ｚにおける透磁率も示す。
ｚにおける透磁率も示す。
第２表かられかるように、基板上に形成したフエロツク
スプレーナー膜の透磁率は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結
晶の透磁率より大きい。
スプレーナー膜の透磁率は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結
晶の透磁率より大きい。
こうして、高周波において優れた性質を有する磁気ヘッ
ド材料を作製することが出来た。
ド材料を作製することが出来た。
実施例 ３
第３表に示す結晶を基板として、実施例１と同様の方法
でフエロツクスプレーナーの１種Ｂａ３Ｚｎ１．４ Ｃ
ｏ０．６ Ｆｅ２４ Ｏ４１の膜を形成し、膜の透磁率
を測定した。
でフエロツクスプレーナーの１種Ｂａ３Ｚｎ１．４ Ｃ
ｏ０．６ Ｆｅ２４ Ｏ４１の膜を形成し、膜の透磁率
を測定した。
１０ＭＨｚにおける測定結果を第３表にまとめて示す。
比較のために、Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の１０ＭＨ
ｚにおける透磁率も示す。
ｚにおける透磁率も示す。
第３表かられかるように、基板上に形成したＢａ３Ｚｎ
１．４ Ｃｏ０．６ Ｆｅ２４ Ｏ４１膜の透磁率は、
Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の透磁率より大きい。
１．４ Ｃｏ０．６ Ｆｅ２４ Ｏ４１膜の透磁率は、
Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の透磁率より大きい。
こうして、高周波において優れた性質を有する磁気ヘッ
ド材料を作製することが出来た。
ド材料を作製することが出来た。
第３表 基板上に形成したＢａ３ Ｚｎ１．４ Ｃｏ０
．６Ｆｅ２４Ｏ４１膜、およびＭｎ−Ｚｎフェライト単
結晶の透磁率
．６Ｆｅ２４Ｏ４１膜、およびＭｎ−Ｚｎフェライト単
結晶の透磁率
第１図は、本発明で実施した磁気ヘッド材料の透磁率の
周波数による変化を示した図である。
周波数による変化を示した図である。
Claims (1)
- １ 六方晶系の結晶構造を持ち、磁化容易面を有するＢ
ａ系フェライトの薄膜を基板上に形成した磁気ヘッド材
料において、該基板材料として酸素原子稠密面を有する
酸化物単結晶を用い、該基板表面が酸化物単結晶１の酸
素原子稠密面およびその近傍の面に一致するように作製
した基板を用い且つ該磁化容易面と該薄膜の膜面がはゝ
一致するように該薄膜を形成してなることを特徴とした
磁気ヘッド材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50005641A JPS58164B2 (ja) | 1975-01-13 | 1975-01-13 | ジキヘツドザイリヨウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50005641A JPS58164B2 (ja) | 1975-01-13 | 1975-01-13 | ジキヘツドザイリヨウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5180995A JPS5180995A (ja) | 1976-07-15 |
| JPS58164B2 true JPS58164B2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=11616750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50005641A Expired JPS58164B2 (ja) | 1975-01-13 | 1975-01-13 | ジキヘツドザイリヨウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002042214A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Japan Science And Technology Corporation | Ferrite thin film for high frequency and method for preparation thereof |
-
1975
- 1975-01-13 JP JP50005641A patent/JPS58164B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002042214A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Japan Science And Technology Corporation | Ferrite thin film for high frequency and method for preparation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5180995A (ja) | 1976-07-15 |
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