KR100528934B1 - 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그제조방법 - Google Patents

게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100528934B1
KR100528934B1 KR10-2003-7003370A KR20037003370A KR100528934B1 KR 100528934 B1 KR100528934 B1 KR 100528934B1 KR 20037003370 A KR20037003370 A KR 20037003370A KR 100528934 B1 KR100528934 B1 KR 100528934B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ppm
less
oxide film
hafnium silicide
gate oxide
Prior art date
Application number
KR10-2003-7003370A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030033049A (ko
Inventor
이루마타순이치
스즈키료
Original Assignee
가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 filed Critical 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈
Publication of KR20030033049A publication Critical patent/KR20030033049A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100528934B1 publication Critical patent/KR100528934B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/04—Metal borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/58085—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides
    • C04B35/58092—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides based on refractory metal silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0676—Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
    • H01L21/3145—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers formed by deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3891—Silicides, e.g. molybdenum disilicide, iron silicide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5427—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof millimeter or submillimeter sized, i.e. larger than 0,1 mm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/721—Carbon content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/723—Oxygen content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은, HfSi0.05-0.37로 이루어지는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트에 관한 것이다. SiO2막을 대신하는 특성을 구비한 고유전체 게이트 절연막으로서 사용하는 것이 가능한 HfSiO막 및 HfSiON막의 형성에 적합하고 내취화성이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그 제조방법을 얻는 것이다.

Description

게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그 제조방법 {HAFNIUM SILICIDE TARGET FOR FORMING GATE OXIDE FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
이 발명은, 고유전체(高誘電體) 게이트 절연막(絶綠膜)으로서 사용하는 것이 가능한 HfSiO막 및 HfSiON막의 형성에 가장 적합한 가공성, 내취화성(耐脆化性) 등이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한 본 명세서에서 사용하는 단위「ppm」은 모두 wt ppm을 의미한다.
유전체(誘電體) 게이트 절연막의 막두께(膜厚)는, M0S 트랜지스터의 성능에 크게 영향을 주는 것으로, 실리콘 기판과의 계면(界面)이 전기적으로 스무스 (smooth)하고 캐리어의 이동도가 열화(劣化)하지 않은 것이 필요하다.
종래, 이 게이트 절연막으로서 SiO2막이 사용되고 있지만, 계면 특성으로부터 보아 가장 뛰어난 것이었다. 그리고, 이 게이트 절연막으로서 사용되고 있는 SiO2막이 엷을수록 캐리어(즉 전자 또는 정공(正孔))의 수가 증가하여 드레인 전류를 증가시킬 수 있다고 하는 특성을 가지고 있다.
이러한 것으로부터, 게이트 SiO2막은 배선의 미세화에 의하여 전원 전압이 내려 갈 때마다, 절연 파괴의 신뢰성을 손상시키지 않은 범위로 항상 박막화가 되어왔다. 그러나, 게이트 SiO2막이 3nm 이하가 되면 직접 터널 리크(tunnel leak) 전류가 흘러, 절연막으로서 작동하지 않는다는 문제를 발생했다.
한편으로, 트랜지스터를 보다 미세화 하려고 하고 있지만, 상기와 같이 게이트 절연막인 SiO2막의 막두께에 제한이 있는 이상, 트랜지스터의 미세화가 의미가 없으며, 성능이 개선되지 않는다고 하는 문제를 발생시켰다.
또한, LSI의 전원 전압을 내려 소비 전력을 내리기 위해서는, 게이트 절연막을 보다 한층 엷게 할 필요가 있지만, SiO2막을 3nm 이하로 하면 상기와 같이 게이트 절연 파괴의 문제가 있기 때문에, 박막화하는 그 자체에 한계가 있었다.
이상으로부터, 최근에는 SiO2막을 대신하여 고유전체 게이트 절연막의 검토가 이루어지고 있다. 이 고유전체 게이트 절연막으로서 주목되고 있는 것이 HfSiO막 및 HfSiON막이다.
이 고유전체 게이트 절연막은 비교적 두꺼운 막으로 SiO2막과 동등한 용량을 얻을 수 있어, 터널 리크 전류를 억제할 수 있다고 하는 특징을 갖고 있다. 또한, SiO2 나 SiON에 Hf를 첨가한 것으로 간주할 수 있기 때문에, 계면 특성도 SiO2에 근접할 수 있는 것이라고 예상된다.
이를 위해서, 양질의 HfSiO 및 HfSiON 고유전체 게이트 절연막을 용이하고 안정되게 형성할 수 있는 스퍼터링 타겟트가 요구되고 있다.
(발명의 개시)
본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위해서, SiO2막을 대신하는 특성을 구비한 고유전체 게이트 절연막으로서 사용하는 것이 가능한 HfSiO막 및 HfSiON막의 형성에 가장 적합한 가공성, 내취화성 등이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은,
1. HfSi0.05-0.37로 이루어지는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
2. HfSi0.05-0.37로 이루어지며, Hf2Si상(相) 및 Hf상을 주(主)로하는 혼합상(混合相)
을 구비하고 있는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
3. 상대 밀도가 95% 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1 또는 2기재의 게이트 산화
막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
4. 산소 함유량이 500∼10,000ppm 인 것을 특징으로 하는 상기 1∼3의 각각에 기재
된 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
5. 지르코늄의 함유량이 2.5wt% 이하인 것을 특징으로 하는 상기 1∼4의 각각에
기재된 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
6. 불순물인 C : 300ppm 이하, Ti : 100ppm 이하, Mo : l00ppm 이하, W : 10ppm 이
하, Nb : l0ppm 이하, Fe : 10ppm 이하, Ni : 10ppm 이하, Cr : 10ppm 이하,
Na : 0.1ppm 이하, K : 0.1ppm 이하, U : 0.01ppm 이하, Th : 0.01ppm 이하인
것을 특징으로 하는 상기 1∼5의 각각에 기재된 게이트 산화막 형성용 하프늄
시리사이드 타겟트
7. 평균 결정 입경이 5∼200㎛ 인 것을 특징으로 하는 상기 1∼6의 각각에 기재된
게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
8. HfSi0.05-0.37로 이루어지는 조성의 분말을 합성하여, 이것을 1700℃∼l830℃에서
핫프레스(hot press)하는 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시
리사이드 타겟트의 제조방법
을 제공한다.
(발명의 실시의 형태)
SiO2막을 대신하는 특성을 구비한 고유전체 게이트 절연막은, HfSi 타겟트를 사용하여 산소 반응성 스퍼터링에 의해 형성한다. 이 산화물막은 HfO2·SiO2로서 나타내는 산화물막의 혼성체(混成體)나 이것에 산소의 일부를 질소로 치환한 막으로 보여지고 있으며, 타겟트에는 통상 Si/Hf = l.0의 조성이 요구되고 있었다. 그러나, HfO2·SiO2의 개발이 진행됨에 따라서, 보다 Hf가 많은 조성이 요구되어 왔다.
이 때문에, 하프늄에 대한 실리콘의 양을 감소시켜 소결하는 방법을 시도하였다. 이와 같이 실리콘의 양을 감소시켜 소결한 경우, Hf5Si4(HfSi0.8)나 Hf3 Si2(HfSi0.67), Hf2Si(HfSi0.5) 등의 혼정(混晶)으로 되지만, 이것들 간의 화합물 하프늄 시리사이드는, 그 융점이 높은 것에 기인하여 소결 시에 충분한 밀도 상승이 얻어지지 않고, 포러스(porous)한 조직의 소결체로 되어, 파티클 발생이 많은 타겟트로 되는 문제가 있었다.
본 발명은, 밀도 향상을 목표로 하여 더욱 개량을 거듭하여, 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트로서 가장 적합한 타겟트를 얻는 것에 성공하였다.
본 발명은, HfSi0.05-0.37로 이루어지는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트로 하는 것이다. 이 하프늄 시리사이드 타겟트는, Hf2Si상 및 Hf상을 주로하는 혼합상을 구비하고 있고, 포러스한 조직이 소실하여, 상대 밀도가 95% 이상인 하프늄 시리사이드 타겟트가 얻어졌다.
상대 밀도가 95% 미만이 되면, 밀도 부족으로 취성(脆性)이 낮게 되어 가공성도 나쁘게 된다. 더구나 취성 결정의 파괴 비산(飛散)에 의한 파티클 증가를 일으킨다. 따라서, 상기의 범위의 것이 바람직하다.
게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 중의 산소 함유량은, 500∼10,000ppm으로 하는 것이 바람직하다. 산소가 500ppm 미만으로서는, 타겟트 제조 중에 발화의 위험성이 있고, 반대로 1O,OOOppm을 넘으면 타겟트 중의 산소가 산화물로서 석출하여 스퍼터 중의 이상 방전의 원인으로 되어, 파티클이 증가하여 제품 생산율이 저하되기 때문이다.
또한, 타겟트 중의 지르코늄의 함유량은 2.5wt% 이하로 억제하는 것이 바람직하다. 지르코늄량이 2.5wt%를 초과하는 경우, 산화막 형성을 위한 반응성 스퍼터 시의 전압, 전류, 기판 온도 등의 프로세스 조건이 크게 변동하여, 바람직하지 못하기 때문이다.
더욱이, 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 중의 불순물인 C : 300ppm 이하, Ti : 100ppm 이하, Mo : 100ppm 이하, W : 10ppm 이하, Nb : 10ppm 이하, Fe : 10ppm 이하, Ni : 10ppm 이하, Cr : 10ppm 이하, Na : 0.1ppm 이하, K : 0.1ppm 이하, U : 0.01ppm 이하, Th : 0.01ppm 이하인 것이 바람직하다. 이들은, 게이트 전극 및 하부 Si 기판부의 오염원으로 되기 때문이다.
HfSi0.05-0.37로 이루어지는 내취화성이 우수한 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트를 제조하기 위해서는, HfSi0.05-0.37로 이루어지는 조성의 분말을 합성하여, 이것을 1700℃∼1830℃에서 핫프레스 함으로써 제조한다.
HfSi0.05-0.37로 이루어지는 조성의 분말의 합성을 할 때는, 수소화 금속 하프늄 분말(粉末)과 Si 분말을 1:0.05∼1:0.37의 몰비로 조제·혼합한 후, 600℃∼800℃
에서 소성(燒成)한다.
Hf 분말을 사용하는 것도 생각할 수 있지만, Hf 분말은 산화력이 강하고, 미분말화하면 발화한다고 하는 문제를 발생하기 때문에 바람직하지 않다.
따라서, 이러한 발화방지를 위해서 수소화 하프늄을 사용한다. 수소화 하프늄 분말은 평균 입경 20㎛ 이하로 미분쇄하여 사용한다. 이 미분말을 사용하는 것에 의해 소결 시의 고밀도화가 가능해진다.
상기 소성 시의 가열에 의해 탈 수소와 시리사이드화를 행한다. 탈 수소는 약600℃에서 일어난다. 소결은 진공중 (1×10-4∼1×l0-2 Torr)으로 행하지만, 탈 수소를 위하여 약간 수소 분위기로 되어 있다.
또한, 800℃까지 가열하는 것으로, 탈 수소는 완료되고, 또한 Hf 메탈의 발화의 우려가 있는 부분은, 시리사이드화 또는 발화의 우려가 없는 정도(약 3㎛ 이상)까지 소결을 진행한다.
상기한 바와 같이, 가열 합성할 시, 저온에서 탈 수소와 시리사이드화를 행하는 것에 의해, 입자성장(粒子成長)을 억제하며, 소성 분말은 1차 입자가 미세한 채로 있어, 소성하였을 시에 고밀도화 할 수 있다. 소성 분말이 조대화(粗大化)하면, 소결 전의 미분쇄가 곤란하기 때문에, 조대 입자의 잔존 및 밀도 저하를 야기한다.
이와 같이, 저온에서 소성하기 위해서 결정립의 성장을 억제할 수 있는 큰 특징을 갖고 있고, 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트의 평균 결정 입경을 5∼200㎛로 할 수 있다. 그리하여, 소결할 시에 고밀도화를 달성할 수 있다.
평균 결정 입경이 5㎛에 달하지 않는 타겟트는, 산소량을 10,000ppm 이하로 하는 것이 어렵고, 또한 제조 공정 중에서 발화의 염려가 있고, 또한 200㎛를 초과할 경우에는, 파티클이 증가하여, 제품 생산율이 저하하기 때문에, 상기와 같이 평균 결정 입경을 5∼200㎛로 하는 것이 바람직하다.
상기의 HfSi0.05-0.37로 이루어지는 조성의 분말의 합성과, 이것을 1700℃∼1830℃에서 핫프레스 함으로써, 소결 시의 고밀도화가 가능해졌다.
상기의 핫프레스의 온도는, 합성 분말의 액상생성직하(液相生成直下)의 온도이고, 이 온도 영역에서의 소결은 중요하다. 이것에 의해서 상대 밀도를 95% 이상으로 고밀도화 한 하프늄 시리사이드 타겟트가 얻어진다.
고밀도화된 본 발명의 하프늄 시리사이드 타겟트는, 스퍼터링 중에 포어
(pore)에 기인하는 파티클의 발생 등을 방지할 수 있는 효과가 있다.
다음에, 실시예에 관해서 설명한다. 또, 본 실시예는 발명의 일례를 나타내기 위한 것이고, 본 발명은 이것들의 실시예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상에 포함되는, 다른 태양 및 변형을 포함하는 것이다.
(실시예1)
HfH2 분말과 Si 분말을 혼합하여, 진공 중, 800℃에서 가열하는 것에 의해, 탈 수소 반응과 시리사이드 합성 반응을 일거에 행하고, HfSi0.32의 합성 분말을 얻었다. 이 하프늄 시리사이드 분말을 분쇄하여, -200메쉬(mesh)의 하프늄 시리사이드 분말을 얻었다. 이 하프늄 시리사이드 분말은, XRD에 의해 Hf2Si상(相) 및 Hf상을 주로하는 혼합상으로 이루어지고 있는 것을 확인하였다.
이 시리사이드 분말을 사용하여, 1800℃에서 300kg/cm2 ×2시간의 조건으로 핫프레스법에 의해 밀도 99.7%의 소결체를 얻었다. 이것을 다시 기계 가공에 의해 φ300mm ×6.35mm t의 타겟트를 제작하였다. 포어가 거의 없는 조직이 얻어졌다.
이렇게 하여 제작한 타겟트를 사용해서 스퍼터링을 행하여, 6인치형 웨이퍼 상(上)의 파티클을 측정한 바, 0.2㎛ 이상의 치수의 파티클이 합계 24개이고, 파티클 발생이 현저하게 감소하였다.
이상에 의해 가공성, 내취화성 등이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트가 얻어졌다. 또한 습식 가공을 적용할 수 있기 때문에 가공 중에 발화하는 위험은 전혀 없었다.
(실시예2)
HfH2 분말과 Si 분말을 혼합하여, 진공 중, 800℃에서 가열하는 것에 의해, 탈 수소 반응과 시리사이드 합성 반응을 일거에 행하고, HfSi0.25의 합성 분말을 얻었다. 이 시리사이드 분말을 분쇄하여, -200메쉬의 하프늄 시리사이드 분말을 얻었다. 이 하프늄 시리사이드 분말은, XRD에 의해 Hf2Si상 및 Hf상을 주로하는 혼합상으로 이루어져 있는 것을 확인하였다.
이 하프늄 시리사이드 분말을 사용하여, 1800℃에서 300kg/cm2 ×2시간의 조건으로 핫프레스법에 의해 밀도 99.8%의 소결체를 얻었다. 기계 가공에 의해 φ 300mm ×6.35mm t의 타겟트를 제작하였다.
이렇게 하여 제작한 하프늄 시리사이드 타겟트를 사용해서 스퍼터링을 행하여, 6인치형 웨이퍼 상의 파티클을 측정한 바, 0.2㎛ 이상의 치수의 파티클이 합계 30개이고, 파티클 발생이 현저하게 감소하였다.
이상에 의해 가공성, 내취화성 등이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트가 얻어졌다. 또한 가공 중에 발화하는 위험은 전혀 없었다.
(비교예1)
HfH2 분말과 Si 분말을 혼합하여, 진공 중, 800℃에서 가열하는 것에 의해, 탈 수소 반응과 시리사이드 합성 반응을 일거에 행하고, HfSi0.42의 합성 분말을 얻었다. 이 시리사이드 분말을 분쇄하여, -200메쉬의 하프늄 시리사이드 분말을 얻었다. 이 하프늄 시리사이드 분말은, XRD에 의해 Hf2Si상 및 Hf상을 주로하는 혼합상으로 이루어져 있는 것을 확인하였다.
이 시리사이드 분말을 사용해서, 1800℃에서 300kg/cm2 ×2시간의 조건으로 핫프레스법에 의해 소결체를 얻었다. 이 핫프레스의 조건은, 실시예1과 동일함에도 불구하고, 87.0%의 저밀도의 소결체였다. 이것을 기계 가공에 의해 φ300mm × 6.35mm t의 타겟트를 제작하였다.
이렇게 하여 제작한 타겟트를 사용해서 스퍼터링을 행하여, 6인치형 웨이퍼 상의 파티클을 측정한 바, 0.2㎛ 이상의 치수의 파티클이 합계 310개였다. 또한 파티클면 외주부에 노줄이라고 부르는 돌기가 다수 발생하고 있었다.
또한, 습식 가공을 적용하면 가공액에 의한 오염이 일어나, 후 공정에서 이 오염을 제거할 수 없기 때문에, 실용에 적합한 순도의 타겟트를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.
(비교예2)
HfH2 분말과 Si 분말을 혼합하여, 진공 중, 800℃에서 가열하는 것에 의해, 탈 수소 반응과 시리사이드 합성 반응을 일거에 행하고, HfSi0.7의 합성 분말을 얻었다. 이 시리사이드 분말을 분쇄하여, -200메쉬의 하프늄 시리사이드 분말을 얻었다. 이 하프늄 시리사이드 분말은, XRD에 의해 Hf2Si3상 및 약간의 Hf5Si 3상을 주로하는 혼합상으로 이루어져 있는 것을 확인하였다.
이 하프늄 시리사이드 분말을 사용해서, 1800℃에서 300kg/cm2 ×2시간의 조건으로 핫프레스법에 의해 소결체를 얻었다. 이 핫프레스의 조건은, 실시예1과 동일함에도 불구하고, 80.0%의 저밀도의 소결체였다. 이것을 기계 가공에 의해 φ300mm ×6.35mm t의 타겟트를 제작하였다.
이렇게 하여 제작한 타겟트를 사용해서 스퍼터링을 행하여, 6인치형 웨이퍼 상의 파티클을 측정한 바, 0.2㎛ 이상의 치수의 파티클이 합계 510개였다. 또한 노줄이 다수 발생하고 있었다.
또한, 비교예1과 동일하게, 습식 가공을 적용하면 가공액에 의한 오염이 일어나, 후 공정에서 이 오염을 제거할 수 없기 때문에, 실용에 적합한 순도의 타겟트를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.
실시예 1∼2의 타겟트의 상대 밀도는 95% 이상이다. 또한, 파티클 수는 35개 이하의 것이 되었다. 그리고, 1700℃∼l830℃ 에서의 핫프레스 조건하에서, 동일하게 상대 밀도의 향상을 달성할 수가 있었다. 상기한 바와 같이 Hf:Si의 비를 1:0.37이하로 감소시키는 것에 의해, 그 이유는 반드시 해명되어진 것은 아니지만, 실시예에 나타낸 바와 같이, 안정되어 소결체의 밀도를 향상시킬 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.
이것에 대하여, 비교예1은 상대 밀도가 87.0%로 낮았다. 이 결과, 파티클 수는 310개이고, 노줄이 발생하여 나쁜 결과로 되었다.
또한, 비교예2에서는 상대 밀도가 80.0%로 낮았다. 이 결과, 파티클 수는 510개이고, 동일하게 노줄이 발생하여 나쁜 결과가 되었다.
이상에서, 본 발명의 실시예의 우위성이 명백하며, 우수한 특성을 갖는 것을 알 수 있다.
본 발명은, SiO2막을 대신하는 특성을 구비한 고유전체 게이트 절연막으로서 사용하는 것이 가능한 HfSiO막 및 HfSiON막의 형성에 가장 적합한 가공성, 내취화성 등이 풍부한 하프늄 시리사이드 타겟트를 얻을 수 있는 특징을 갖고 있다. 본 하프늄 시리사이드 타겟트는 상대 밀도 95% 이상이며, 우수한 강도를 갖는다.
또한, 고밀도화된 본 발명의 시리사이드 타겟트는, 스퍼터링 중에 포어에 기인하는 파티클의 발생이나 취성 조직의 파괴 비산에 기인하는 파티클의 발생을 방지할 수 있고, 타겟트의 가공이나 제조 공정 중에 발화하는 일이 없다고 하는 현저한 효과가 있다.

Claims (8)

  1. HfSi0.05-0.37로 이루어지는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  2. HfSi0.05-0.37로 이루어지며, Hf2Si상 및 Hf상을 주(主)로하는 혼합상(混合相)을 구비하고 있는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상대 밀도가 95% 이상인 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산소 함유량이 500∼10,000ppm 인 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지르코늄의 함유량이 2.5wt% 이하인 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 불순물인 C : 300ppm 이하, Ti : 100ppm 이하, Mo : l00ppm 이하, W : 10ppm 이하, Nb : l0ppm 이하, Fe : 10ppm 이하, Ni : 10ppm 이하, Cr : 10ppm 이하, Na : 0.1ppm 이하, K : 0.1ppm 이하, U : 0.01ppm 이하, Th : 0.01ppm 이하인 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 평균 결정 입경이 5∼200㎛ 인 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트
  8. HfSi0.05-0.37로 이루어지는 조성의 분말을 합성하여, 이것을 1700℃∼l830℃에서 핫프레스하는 것을 특징으로 하는 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 제조방법
KR10-2003-7003370A 2001-07-09 2002-06-05 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그제조방법 KR100528934B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001207771 2001-07-09
JPJP-P-2001-00207771 2001-07-09
JP2002105897A JP4596379B2 (ja) 2001-07-09 2002-04-09 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット
JPJP-P-2002-00105897 2002-04-09
PCT/JP2002/005546 WO2003006702A1 (fr) 2001-07-09 2002-06-05 Cible de siliciure d'hafnium servant a former un film d'oxyde de grille et son procede de production

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030033049A KR20030033049A (ko) 2003-04-26
KR100528934B1 true KR100528934B1 (ko) 2005-11-15

Family

ID=26618361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-7003370A KR100528934B1 (ko) 2001-07-09 2002-06-05 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7241368B2 (ko)
EP (1) EP1405932B1 (ko)
JP (1) JP4596379B2 (ko)
KR (1) KR100528934B1 (ko)
CN (1) CN1260389C (ko)
DE (1) DE60227523D1 (ko)
TW (1) TW574403B (ko)
WO (1) WO2003006702A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3995082B2 (ja) * 2001-07-18 2007-10-24 日鉱金属株式会社 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法
KR100611904B1 (ko) * 2002-08-06 2006-08-11 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그 제조방법
JP4526758B2 (ja) * 2002-09-11 2010-08-18 日鉱金属株式会社 珪化鉄粉末及びその製造方法
JP4388263B2 (ja) * 2002-09-11 2009-12-24 日鉱金属株式会社 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法
US7459036B2 (en) * 2003-03-07 2008-12-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd Hafnium alloy target and process for producing the same
US7476916B2 (en) * 2003-05-29 2009-01-13 Nec Corporation Semiconductor device having a mis-type fet, and methods for manufacturing the same and forming a metal oxide film
US7964070B2 (en) * 2003-07-25 2011-06-21 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Highly pure hafnium material, target thin film comprising the same and method for producing highly pure hafnium
JP3956225B2 (ja) * 2003-08-26 2007-08-08 株式会社トリケミカル研究所 膜形成方法
DE10344039B4 (de) * 2003-09-23 2011-06-01 Qimonda Ag Elektrisch programmierbarer nichtflüchtiger Speicher auf Basis eines Schwellwert veränderbaren MOSFET und ein Verfahren zu dessen Herstellung
EP1686196B1 (en) * 2003-11-19 2009-04-29 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of manufacturing high purity hafnium
JP2005251801A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Nec Electronics Corp 半導体装置
FR2881757B1 (fr) * 2005-02-08 2007-03-30 Saint Gobain Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible a base de silicium et de zirconium
CN101218360B (zh) * 2005-07-07 2010-06-16 日矿金属株式会社 高纯度铪及其制造方法、由高纯度铪构成的靶及薄膜
JP2009167530A (ja) * 2009-02-10 2009-07-30 Nippon Mining & Metals Co Ltd ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケルシリサイド膜
WO2011141266A1 (de) 2010-04-15 2011-11-17 Basf Se Verfahren zur herstellung von flammgeschützten polyurethan-schaumstoffen
CN102453866A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 中国科学院微电子研究所 一种高介电常数栅介质材料及其制备方法
CN103231185B (zh) * 2013-04-03 2014-12-10 株洲宏大高分子材料有限公司 一种HFSi焊销及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4619697A (en) * 1984-08-30 1986-10-28 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Sputtering target material and process for producing the same
JP2921799B2 (ja) 1990-02-15 1999-07-19 株式会社 東芝 半導体素子形成用高純度スパッタターゲットの製造方法
KR940008936B1 (ko) * 1990-02-15 1994-09-28 가부시끼가이샤 도시바 고순도 금속재와 그 성질을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
US5409517A (en) * 1990-05-15 1995-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target and method of manufacturing the same
JPH05214523A (ja) * 1992-02-05 1993-08-24 Toshiba Corp スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US5464520A (en) * 1993-03-19 1995-11-07 Japan Energy Corporation Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same
JPH0820863A (ja) * 1995-06-12 1996-01-23 Toshiba Corp シリサイド膜およびその膜を使用した半導体装置
JP3792007B2 (ja) * 1997-06-12 2006-06-28 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲットの製造方法
EP1028824B1 (en) * 1997-07-15 2002-10-09 Tosoh Smd, Inc. Refractory metal silicide alloy sputter targets, use and manufacture thereof
JPH11135774A (ja) * 1997-07-24 1999-05-21 Texas Instr Inc <Ti> 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
JP4501250B2 (ja) 2000-06-19 2010-07-14 日鉱金属株式会社 耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
DE60227523D1 (de) 2008-08-21
US20030155229A1 (en) 2003-08-21
EP1405932B1 (en) 2008-07-09
KR20030033049A (ko) 2003-04-26
US7241368B2 (en) 2007-07-10
JP4596379B2 (ja) 2010-12-08
CN1260389C (zh) 2006-06-21
JP2003092404A (ja) 2003-03-28
TW574403B (en) 2004-02-01
EP1405932A1 (en) 2004-04-07
WO2003006702A1 (fr) 2003-01-23
CN1461356A (zh) 2003-12-10
EP1405932A4 (en) 2007-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100528934B1 (ko) 게이트 산화막 형성용 하프늄 시리사이드 타겟트 및 그제조방법
US7674446B2 (en) Hafnium silicide target for forming gate oxide film, and method for preparation thereof
JP4777390B2 (ja) ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法
US6723183B2 (en) Silicide target for depositing less embrittling gate oxide and method of manufacturing silicide target
JP5036936B2 (ja) ゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット及びその製造方法
JP4739310B2 (ja) ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法
JP4813425B2 (ja) 耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法
JP4642813B2 (ja) 耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット及び同シリサイドターゲット製造方法
JPH0649614B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121023

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181018

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 15