JP5036936B2 - ゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2膜の形成に好適な、加工性、耐脆化性等に富むシリサイドターゲット及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
誘電体ゲート絶縁膜の膜厚は、MOSトランジスタの性能に大きく影響するものであり、シリコン基板との界面が電気的にスムーズでキャリヤの移動度が劣化しないことが必要である。
従来、このゲート絶縁膜としてSiO2膜が使用されているが、界面特性からみて最も優れたものであった。そして、このゲート絶縁膜として使用されているSiO2膜が薄いほどキャリヤ(すなわち電子又は正孔)の数が増えてドレイン電流を増やすことができるという特性を有している。
【0003】
このようなことから、ゲートSiO2膜は配線の微細化によって電源電圧が下がるたびに、絶縁破壊の信頼性を損ねない範囲で常に薄膜化がなされてきた。しかし、ゲートSiO2膜が3nm以下になると直接トンネルリーク電流が流れ、絶縁膜として作動しなくなるという問題を生じた。
一方で、トランジスタをより微細化しようとしているが、前記のようにゲート絶縁膜であるSiO2膜の膜厚に制限がある以上、トランジスタの微細化が意味をなさず、性能が改善されないという問題を生じた。
また、LSIの電源電圧を下げ消費電力を下げるためには、ゲート絶縁膜をより一層薄くする必要があるが、SiO2膜を3nm以下にすると上記のようにゲート絶縁破壊の問題があるので、薄膜化それ自体に限界があった。
【0004】
以上から、最近ではSiO2膜に替えて高誘電体ゲート絶縁膜の検討がなされている。この高誘電体ゲート絶縁膜として注目されているのがZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2膜である。
この高誘電体ゲート絶縁膜は比較的厚い膜でSiO2膜と同等の容量を得ることができ、トンネル漏れ電流を抑制できるという特徴を有している。また、SiO2にZr又はHfを添加したものとみなすことができるため、界面特性もSiO2に近いものとなると予想される。
このため、良質のZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2高誘電体ゲート絶縁膜を、容易かつ安定して形成できるスパッタリングターゲットが求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題を解決するために、SiO2膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2膜の形成に好適な、加工性、耐脆化性等に富むシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1 MSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
2 MSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなり、MSi2相及びSi相との混相を備えているゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
3 遊離Si相が30μm以下であることを特徴とする上記2記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
4 遊離Si相が10μm以下であることを特徴とする上記2記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
5 相対密度が99%以上であることを特徴とする上記1〜4のそれぞれに記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
6 水素化金属(M)粉とSi粉を1:2.05〜1:3.0のモル比に調製・混合した後、焼成、焼結することを特徴とするMSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
7 焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を行うことを特徴とする上記6記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
8 600°C〜800°Cで焼成することを特徴とする上記7記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
を提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】
SiO2膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜は、ZrSi又はHfSiターゲットを使用して酸素反応性スパッタリングにより形成する。この酸化物膜はZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2として表される酸化物膜の混成体と見なされており、ターゲットには通常Si/M=1.0の組成が求められていた。
しかし、SiO2に比較して添加するZrO2又はHfO2は結晶化温度が低く、後工程の熱処理で結晶化し、結晶粒界を通ってリーク電流が流れてしまうことが問題となった。一方、SiO2は非晶質状態のまま1000°C以上の熱処理に絶える。これらのことから、ターゲット組成をSi過剰にすることによって、結晶化温度を引き上げ、リーク電流を抑え、かつ誘電率の低下も少なく抑えることができるとの知見を得た。
【0008】
また、Si/M=1.0のシリサイドターゲットは密度が低く、脆性が大きく、加工性が悪いという欠点を持ち、脆性結晶の破壊飛散によるパーティクル増を引き起こすという問題がある。
さらに、合成が不完全であった場合、残存金属粉が合成粉中に残ってしまい、ジルコニウム及びハフニウム金属の活性が高いために、合成粉の微粉粉砕や加工時に発生する切粉が発火するという危険が伴う。
すなわち、Si/M=1.0を狙って原料の混合及び合成を行った場合、部分的にMSi2相が生成してしまうと、Si不足部分でM5Si4(MSi0.8)やM5Si3(MSi0.6)などが生成するため、Zr又はHf金属粉が過剰となり、残存してしまう。このように、金属粉やSiの不足した相(MSi0.6)は活性が高いために、粉砕中や加工中に発火トラブルを起こすことがあった。
しかも、これらの間化合物シリサイドは、その融点が高いことに起因して、焼結時に十分な密度上昇が得られず、パーティクル発生の多いターゲットとなる問題があった。
本発明のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットはこれらの問題を一挙に解決できるものである。
【0009】
本発明は、MSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットであり、MSi2相及びSi相との混相を備えている。
さらにターゲット中の遊離Si相が30μm以下、好ましく10μm以下であることを特徴とするゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットに関する。
一般に、ゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットは、脆性が高いという欠点をもつが、本発明において相対密度は99%以上に達することができる。これによって、抗折力が200MPa以上の耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットを得ることができる。
相対密度を99%未満及び遊離Si相が30μmを超えると、密度不足で脆性が低くなり加工性も悪くなる。さらに脆性結晶の破壊飛散によるパーティクル増を引き起こす。したがって、上記の範囲とするのが望ましい。
【0010】
MSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなる耐脆化性に優れたゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットを製造するには、水素化金属(M)粉とSi粉を1:2.05〜1:3.0のモル比に調製・混合した後、600°C〜800°Cで焼成する。
Zr及びHf粉を使用することも考えられるが、Zr及びHf粉は酸化力が強く、微粉化すると発火するという問題を生ずる。
したがって、このような発火防止のために、水素化ジルコニウム又は水素化ハフニウムを使用する。これらの水素化粉及びシリコン粉は平均粒径10μm以下に微粉砕して用いる。この微粉を用いることにより焼結時の高密度化が可能となる。
上記焼成の際の加熱により、脱水素とシリサイド化を行う。脱水素は600°Cから起こる。焼結は真空中(1×10−4〜1×10−2Torr)で行うが、脱水素のために若干水素雰囲気になっている。
【0011】
上記のように、加熱合成する際、粒成長が起こらない低温で脱水素とシリサイド化を一度に行うことにより粒成長を抑え、焼成粉は微細なままであり、成型した際に高密度化できる。焼成粉が粗大化すると、焼結前の微粉砕が困難であるため、粗大粒の残存及び密度低下を引き起こす。
このように、本発明では低温で焼成するため結晶粒の成長を抑制できる大きな特徴を有している。そして、焼結する際に高密度化が達成できる。
また、混合する際にSi粉をMSi2化学量論比よりも過剰に加えるため、金属粉周囲には十分なSiが供給され、ほぼMSi2相及びSi相との2相混合物となる。また一部組成がずれてしまった部分においても、余剰Siが供給されているため、せいぜいMSi相が形成されるの留まり、発火の危険性は格段に下がる。
相対密度を99%以上に高密度化したシリサイドターゲットは抗折力が200MPa以上の強度を示す。
高密度化された本発明のシリサイドターゲットは、スパッタリング中にポアに起因するパーティクルの発生や脆性組織の破壊飛散に起因するパーティクルの発生を防止できる効果を有する。
【0012】
【実施例】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【0013】
(実施例1)
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=2.3)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりMSi2相及びSi相との混相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.2%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの遊離Si相は10μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計24ケであり、パーティクル発生が著しく低減した。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSi2相及びSi相の破壊した痕は見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、223MPaであり、加工性、耐脆化性等に富むターゲットが得られた。さらに加工中に発火する危険は全くなかった。
【0014】
(実施例2)
ZrH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、ZrSix(x=2.5)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりMSi2相及びSi相との混相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.3%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの遊離Si相は9μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計33ケであり、パーティクル発生が著しく低減した。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSi2相及びSi相の破壊した痕は見られず、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、210MPaであり、加工性、耐脆化性等に富むターゲットが得られた。さらに加工中に発火する危険は全くなかった。った。
【0015】
(実施例3)
HfH2粉とSi粉とを混合し、真空中、800°Cで加熱することにより、脱水素反応とシリサイド合成反応を一挙に行い、HfSix(x=2.8及びx=2.2)の2種類の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとした後、モル比Si/Hf=2.5となるように混合したシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDによりHfSi2相及びSi相からなっていることを確認した。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度99.0%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの遊離Si相は12μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計30ケであり、パーティクル発生が著しく低減した。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、HfSi2相及びSi相の破壊した痕は見られなかった。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、205MPaであり、加工性、耐脆化性等に富むターゲットが得られた。さらに加工中に発火する危険は全くなかった。
【0016】
(比較例1)
Zr粉とSi粉とを混合し、真空中、1200°Cで加熱することによりシリサイド合成反応を行い、ZrSix(x=1.0)の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとしたシリサイド粉末を得た。
このシリサイド粉は、XRDにより主としてZrSi相であるが、ZrSi2相、Zr5Si4(ZrSi0.8)及びZr5Si3(ZrSi0.6)も存在することを確認した。また、未反応のZr粉があり、発火の危険を伴った。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度89.0%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は100μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計85ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、ZrSix相が破壊され、明らかに発塵源になったと思われる痕が観察された。ノジュールが多数発生していた。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、150MPaであった。また、加工性が悪く、脆性破壊し易いターゲットであった。
【0017】
(比較例2)
Hf粉とSi粉とを混合し、真空中、1200°Cで加熱することにより、シリサイド合成反応を行い、HfSix(x=0.67及び2.2)の2種類の合成粉を得た。このシリサイド粉を粉砕し、−200メッシュとした後、モル比Si/Hf=1.0となるように混合したシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉は、XRDにより主としてHfSi相であるが、HfSi2相、Hf5Si4(HfSi0.8)及びHf3Si2(HfSi0.67)も存在することを確認した。また、未反応のHf粉があり、発火の危険を伴った。
このシリサイド粉末を用いてホットプレス法により密度87%の焼結体を作製し、機械加工によりφ300mm×6.35mmtのターゲットを作製した。この焼結体ターゲットの結晶粒径は、100μmであった。
このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを行い、6インチ型ウエハー上のパーティクルを測定したところ、0.2μm以上の寸法のパーティクルが合計110ケであった。
さらに、ターゲットのエロージョン表面を観察すると、HfSix相が破壊され、明らかに発塵源になったと思われる痕が観察された。スパッタ速度差に起因する表面凹凸が見られ、ノジュールが多数発生していた。また、ターゲットの抗折力を測定した結果、165MPaであった。また、加工性が悪く、脆性破壊し易いターゲットであった。
【0018】
実施例1〜3のターゲットの遊離Si相はいずれも30μm以下であり、相対密度は99%以上である。パーティクル数は35ケ以下であり、ZrSix相又はHfSix相の破壊した痕は見られず、ターゲットの抗折力は、223MPa、210MPa、205MPaであり、高い抗折力を有していた。
これに対し、比較例1は平均結晶粒径が100μmと大きく、また相対密度が89%と低かった。この結果、パーティクル数は85ケであり、ZrSix相が破壊した痕が観察された。ノジュールが発生し、ターゲットの抗折力は150MPaと低く、悪い結果となった。
また、比較例2は平均結晶粒径が100μmと大きく、また相対密度は87%と低い。この結果、パーティクル数は120ケ以下であり、HfSix相が破壊した痕が観察された。また、スパッタ速度差に起因する表面凹凸も観察され、ノジュールが発生し、ターゲットの抗折力は165MPaと低く、悪い結果となった。比較例では、未反応のZr粉又はHf粉があり、加工中に発火の危険が常につきまとっていた。
以上から、本発明の実施例の優位性は明らかであり、優れた特性を有することが分かる。
【0019】
次に、実施例1〜3及び比較例1〜2のターゲットを用いて、酸素雰囲気中反応性スパッタにて、65Åの金属シリケート膜を成膜した。この薄膜の上下はAu電極とし、成膜後に1000°Cにて20秒間急速熱処理を行った。
その後、パターニングし、誘電率及びリーク電流特性を評価した。リーク電流は1.0Vにおける値である(A/cm2)。この結果を表1に示す。
表1に示すように、MSi2。xターゲットを用いて成膜されたシリケート膜は、1000°Cの熱処理に対しても結晶化することなく、結果としてMSi1。0から成膜されたシリケート膜より1.0Vにおけるリーク電流値(A/cm2)が2〜4桁良い結果が得られた。誘電率も現状のSiO2膜のε=3.9に比べて2〜3倍の値が得られた。
【0020】
【表1】
【0021】
【発明の効果】
本発明は、SiO2膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるZrO2・SiO2又はHfO2・SiO2膜の形成に好適な、加工性、耐脆化性等に富むシリサイドターゲットを得ることができる特徴を有している。
本シリサイドターゲットは結晶粒の成長を抑制でき、成型する際には高密度化が達成できる。さらに、相対密度を99%以上に高密度化したシリサイドターゲットは抗折力が200MPa以上の優れた強度をもつ。
また、高密度化された本発明のシリサイドターゲットは、スパッタリング中にポアに起因するパーティクルの発生や脆性組織の破壊飛散に起因するパーティクルの発生を防止でき、ターゲットの加工や製造工程中に発火することがないという著しい効果を有する。
さらに、本発明のMSi2。xターゲットを用いて成膜されたシリケート膜は、1000°Cの熱処理に対しても結晶化することなく、MSi1。0から成膜されたシリケート膜より1.0Vにおけるリーク電流値(A/cm2)が2〜4桁良い結果が得られ、誘電率も現状のSiO2膜のε=3.9に比べて2〜3倍の値が得られという優れた効果を有する。
Claims (3)
- MSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットであって、MSi2相及びSi相との混相を備え、遊離Si相が30μm以下であり、相対密度が99%以上であることを特徴とするゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- 遊離Si相が10μm以下であることを特徴とする請求項1記載のゲート酸化膜形成用シリサイドターゲット。
- 平均粒径10μm以下の水素化金属(M)粉とSi粉を1:2.05〜1:3.0のモル比に調製・混合した後、600°C〜800°Cで焼成、焼結することにより、脱水素とシリサイド化を一度に行い、次にこのシリサイド粉を粉砕し、粉砕したシリサイド粉をホットプレスして焼結体とし、これを機械加工してターゲットとすることを特徴とするMSi2.05−3.0(M:Zr、Hf)からなるゲート酸化膜形成用シリサイドターゲットの製造方法。
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