KR100513365B1 - 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 - Google Patents
어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100513365B1 KR100513365B1 KR10-2002-0086703A KR20020086703A KR100513365B1 KR 100513365 B1 KR100513365 B1 KR 100513365B1 KR 20020086703 A KR20020086703 A KR 20020086703A KR 100513365 B1 KR100513365 B1 KR 100513365B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- address
- clock signal
- internal
- pulse width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000003079 width control Methods 0.000 claims description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 7
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 49
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/024—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/12015—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising clock generation or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C29/50012—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of timing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
tm_faster | tm_delay | 선택노드 | 선택논리수단 | 지연정도 |
L | L | N0 | NA0 | 인버터2개 |
H | L | N1 | NA1 | 지연없음 |
L | H | N2 | NA2 | 인버터4개 |
H | H | N3 | NA3 | 인버터6개 |
tm_wide | tm_narrow | 선택전송게이트 |
L | L | TG1 |
H | L | TG2, TG3 |
L | H | TG2, TG4 |
H | H | TG2, TG3, TG4 |
Claims (4)
- 외부 클럭신호를 수신하여 내부클럭신호를 발생시키는 기준펄스 발생부;복수개의 제어신호에 따라 상기 내부클럭신호의 펄스 폭 및 펄스 발생시간을 조절하여 어드레스 스트로브신호를 출력하는 어드레스 스트로브신호 발생부;상기 어드레스 스트로브신호에 따라, 외부 어드레스 신호를 수신하여 내부 어드레스 신호를 생성하는 내부 어드레스 카운터부;상기 내부 어드레스 신호를 디코딩하는 어드레스 디코딩부; 및상기 내부 어드레스 신호를 인가받아 외부에서 상기 내부 어드레스신호의 오류를 판별할 수 있도록 하기 위한 패드를 포함하는 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기어드레스 스트로브신호 발생부는상기 복수개의 제어신호 중 제 1 제어신호에 의해 제어되어 상기 내부클럭신호를 소정의 지연부에 따라 지연시켜 펄스 발생시간을 제어하는 펄스 발생시간 제어부; 및상기 복수개의 제어신호 중 제 2 제어신호에 의해 제어되어 상기 내부클럭신호의 펄스 폭을 제어하는 펄스 폭 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 펄스 발생시간 제어부는상기 제 1 제어신호를 수신하여 디코딩하는 디코더;상기 디코더의 출력과 상기 내부클럭신호를 논리조합하는 복수개의 논리조합수단; 및상기 논리조합수단의 각 출력을 상기 제 1 제어신호의 상태에 따라 지연시키는 복수개의 지연부를 구비하는 것을 특징으로 하는 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 펄스 폭 제어부는상기 제 2 제어신호에 의해 제어되어 상기 내부클럭신호를 전송하는 전송게이트;상기 내부클럭신호의 펄스폭을 좁히는 노아게이트;및상기 내부클럭신호의 펄스폭을 넓히는 낸드게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0086703A KR100513365B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 |
US10/629,753 US6906970B2 (en) | 2002-12-30 | 2003-07-30 | Address counter strobe test mode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0086703A KR100513365B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040060168A KR20040060168A (ko) | 2004-07-06 |
KR100513365B1 true KR100513365B1 (ko) | 2005-09-07 |
Family
ID=32653227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0086703A Expired - Fee Related KR100513365B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6906970B2 (ko) |
KR (1) | KR100513365B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8588013B2 (en) | 2011-11-08 | 2013-11-19 | SK Hynix Inc. | Address decoding method and semiconductor memory device using the same |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100599445B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2006-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자에서의 펄스 폭 조절 회로 및 방법 |
KR100567916B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-04-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 전원 공급 장치 및 방법 |
KR100650726B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 장치용 내부전압 공급장치 |
US7164613B2 (en) * | 2004-11-19 | 2007-01-16 | Infineon Technologies Ag | Flexible internal address counting method and apparatus |
US8813181B2 (en) * | 2005-03-07 | 2014-08-19 | Taun Eric Willis | Electronic verification systems |
KR100744042B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의 내부 어드레스 생성장치 |
KR100968418B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2010-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
KR101187640B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2012-10-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 동기식 반도체 메모리 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2885597B2 (ja) | 1993-03-10 | 1999-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP3706212B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2005-10-12 | 沖電気工業株式会社 | メモリ装置 |
US5825710A (en) * | 1997-02-26 | 1998-10-20 | Powerchip Semiconductor Corp. | Synchronous semiconductor memory device |
JPH11219599A (ja) | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH11339469A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US6078637A (en) | 1998-06-29 | 2000-06-20 | Cypress Semiconductor Corp. | Address counter test mode for memory device |
US6069829A (en) * | 1998-09-29 | 2000-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Internal clock multiplication for test time reduction |
US6445642B2 (en) * | 1999-12-16 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Synchronous double data rate DRAM |
JP3447638B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2003-09-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置のテスト方法及びシステム並びに記録媒体 |
JP2002270000A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2002358797A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
2002
- 2002-12-30 KR KR10-2002-0086703A patent/KR100513365B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-30 US US10/629,753 patent/US6906970B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8588013B2 (en) | 2011-11-08 | 2013-11-19 | SK Hynix Inc. | Address decoding method and semiconductor memory device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6906970B2 (en) | 2005-06-14 |
KR20040060168A (ko) | 2004-07-06 |
US20040125686A1 (en) | 2004-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7514955B2 (en) | Semiconductor memory device with ability to effectively adjust operation time for on-die termination | |
US5321661A (en) | Self-refreshing memory with on-chip timer test circuit | |
KR101286666B1 (ko) | 반도체 메모리 장치, 테스트 회로 및 테스트 방법 | |
US6661735B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR20030054053A (ko) | 동기식 메모리의 파이프 래치 제어회로 | |
KR100929846B1 (ko) | 온 다이 터미네이션 제어 회로 | |
KR100883140B1 (ko) | 데이터 출력 제어회로, 반도체 메모리 장치 및 그의 동작방법 | |
KR100513365B1 (ko) | 어드레스 카운터 스트로브 테스트 모드 장치 | |
JP2012252733A (ja) | 半導体装置 | |
KR20120078571A (ko) | 반도체 메모리 장치, 테스트 회로 및 테스트 방법 | |
KR100557636B1 (ko) | 클럭신호를 이용한 데이터 스트로브 회로 | |
US11545209B2 (en) | Power savings mode toggling to prevent bias temperature instability | |
US7619433B2 (en) | Test circuit for a semiconductor integrated circuit | |
KR100632615B1 (ko) | 동기식 메모리 장치의 테스트를 위한 데이터 스트로브신호 생성 회로 | |
KR100621353B1 (ko) | 데이터 반전 확인 기능을 가지는 데이터 입출력 회로 및이를 포함하는 반도체 메모리 장치 | |
US7454672B2 (en) | Semiconductor memory device testable with a single data rate and/or dual data rate pattern in a merged data input/output pin test mode | |
US8374042B2 (en) | Command decoder and a semiconductor memory device including the same | |
KR100441870B1 (ko) | 웨이퍼 번인 테스트용 디코딩 회로 | |
KR100557950B1 (ko) | 어드레스 스트로브 신호의 제어 회로 | |
JPH08235898A (ja) | 半導体装置 | |
KR20070002806A (ko) | 반도체메모리소자 | |
JP6500693B2 (ja) | 可変遅延制御回路の縮退故障診断方法および可変遅延制御回路を有するメモリコントローラ | |
KR20050036481A (ko) | 반도체 장치의 신호 송수신 방법 | |
KR20090045571A (ko) | 반도체 메모리 소자 | |
KR100732738B1 (ko) | 데이터 패쓰 압축 모드의 오류 판정 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20021230 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050416 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20050809 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20050831 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20050830 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080626 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090727 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100726 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110726 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110726 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120720 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |