KR100507273B1 - 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100507273B1
KR100507273B1 KR10-2000-0086134A KR20000086134A KR100507273B1 KR 100507273 B1 KR100507273 B1 KR 100507273B1 KR 20000086134 A KR20000086134 A KR 20000086134A KR 100507273 B1 KR100507273 B1 KR 100507273B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate insulating
insulating film
liquid crystal
transparent conductive
crystal display
Prior art date
Application number
KR10-2000-0086134A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020056729A (ko
Inventor
조진희
임승무
류명관
김현진
Original Assignee
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR10-2000-0086134A priority Critical patent/KR100507273B1/ko
Publication of KR20020056729A publication Critical patent/KR20020056729A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100507273B1 publication Critical patent/KR100507273B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 투명성 절연기판 상에 산화인듐(In2O3) 재질의 투명전도막을 형성하는 단계; 상기 투명전도막을 포함한 기판 전면 상에 1차로 20~500Å 두께로 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 기판 결과물에 대해 상기 게이트절연막의 1차 증착시 유발된 투명전도막 물질에서의 인듐(In)의 백화현상이 중단되도록 플라즈마 처리, 휴지 공정 및 플라즈마 처리와 휴지 공정을 순차 진행하는 공정으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 공정을 수행하는 단계; 및 상기 기판 결과물 상에 1차 증착된 게이트절연막과 동일 물질의 게이트절연막을 2차로 증착하는 단계;를 포함한다.

Description

프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING FRINGE FIELD SWITCHING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 프린지필드구동 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공통전극으로 사용하는 산화인듐(In203)을 포함하는 투명전도막과 실리콘계열 물질로 이루어진 절연막 사이에 인듐의 환원현상으로 인해 발생하는 백화현상(Haze)을 제거할 수 있는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display: 이하, LCD라 칭한다)는 경량, 박형, 및 저소비 전력등의 특성을 갖기 때문에 CRT(Cathode Ray Tube)를 대신하여 각종 정보기기의 단말기 또는 비디오 기기등에 사용되고 있다. 특히, 박막트랜지스(Thin Film Transister: 이하, TFT라 칭한다)가 구비된 TFT-LCD는 응답특성이 우수하고 고화소수에 적합하기 때문에 고화질 및 대형표시장치를 실현할 수 있다.
특히, 프린지필드구동 액정표시장치는 카운터 전극과 화소 전극사이에 프린지 필드가 형성되도록 하며, 상부 및 하부 양 기판사이에 개재하는 음의 유전율 이방성 특성을 갖는 액정 분자들이 모두 동작되도록 편광판을 통과하여 온 빛이 진행하게끔 하여 고휘도 및 광시야각을 실현하도록 만든 구조이다.
상기 프린지필드구동 액정표시장치는 일반적으로 두 개의 화소전극을 사용하며, 다른 형태의 TFT와는 다르게 산화인듐(In203)계열의 투명전도막을 게이트 절연막인 SiNx 또는 SiON막 보다 우선하여 증착하는 특징을 가진다.
여기서, 산화인듐(In203)계열의 투명전도막은 수소가스와 접하게 되면 인듐(In)이 환원하는 경향이 생긴다. 이를 통상적으로 백화현상(Haze 또는 Whitening이라고도 함)라고 하는데, 이 경우 픽셀(pixel) 부위가 뿌옇게 되어 현저하게 투과도가 떨어지게 된다. 이런 문제를 해결하기 위하여 기존 방식에서는 SiON 또는 SiNx 를 2 단계(step)로 나누어서 투명전도막과 직접 닿는 부분에서는 백화현상의 직접원인이 되는 SiH4 가스의 양을 줄이고 그 윗부분에는 정상적인 양으로 최적의 절연막을 증착한다.
그러나, 이러한 2 스텝(step)막의 진행은 게이트 절연막에 최적의 막이 아닌 버퍼(buffer)개념의 막을 적용함으로써 TFT의 특성을 저하시키며, 에칭속도(Etch Rate)가 빠르기 때문에 에칭 프로파일(Etch Profile)에 어려움이 발생하게 된다. 아울러, 게이트 절연막 사이에 불필요한 계면을 발생시켜 전자의 빠른 이동에 장애로 작용할 소지가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 게이트 절연막으로 조성이 동일한 단일의 막을 증착시키고 백화현상을 방지하기 위하여 백화현상이 실질적으로 발생하는 수십 Å 이하의 일정두께까지만 증착한 후, 후속 증착 전에 플라즈마 처리 등의 공정을 추가하여 백화현상의 연속적인 성장을 중단시킬 수 있는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법은, 투명성 절연기판 상에 산화인듐(In2O3) 재질의 투명전도막을 형성하는 단계; 상기 투명전도막을 포함한 기판 전면 상에 1차로 20~500Å 두께로 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 기판 결과물에 대해 상기 게이트절연막의 1차 증착시 유발된 투명전도막 물질에서의 인듐(In)의 백화현상이 중단되도록 플라즈마 처리, 휴지 공정 및 플라즈마 처리와 휴지 공정을 순차 진행하는 공정으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 공정을 수행하는 단계; 및 상기 기판 결과물 상에 1차 증착된 게이트절연막과 동일 물질의 게이트절연막을 2차로 증착하는 단계;를 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법을 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치 하부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 투명성 절연기판(1)상에 공통전극으로 쓰이는 산화인듐(In2O3)을 포함하는 투명전도막(3)을 형성한다. 그 다음, 상기 투명전도막(3)을 포함한 투명성 절연기판(1) 전면상에 실리콘 계열물질, 예를 들어, SiNx을 이용하여 제1게이트 절연막(5)을 형성한다. 이때, 상기 제1게이트절연막(5) 형성 공정은 20 내지 500Å정도의 두께를 갖도록 백화현상의 초기시간, 약 0.5 내지 5초동안 수행한다.
이때, 상기 산화인듐(In2O3)을 포함하는 투명전도막(3)은 ITO(Indium Tin Oxide), IXO(In2O3 + ZnO)를 포함하며, 이때의 혼합비는 In2O3을 기준으로 0 내지 100퍼센트이다. 백화현상은 상기 투명전도막(3)상에 수소 플라즈마에 의한 인듐의 환원현상을 말하며, 수소 플라즈마를 발생하는 가스는 H2, SiH4, NH3, PH 3 등 수소를 포함하는 가스이다.
여기서, SiH4 가스의 유동속도에 따라 변화하는 SiNx의 증착속도는 도 2에 도시된 바와 같다. 구체적으로는 상기 SiH4 가스의 양이 감소됨에 따라 SiNx의 증착속도도 같이 감소하게 된다. 따라서, 상기 SiNx를 필요한 두께만큼 증착을 하기 위해선 시간이 필요하게 된다.
한편, 종래의 백화현상 방지공정은 투명전도막과의 반응에 의한 백화현상 때문에 SiH4 가스의 첨가량이 다른 2개층의 절연막을 형성한다. 즉, 제1절연막의 SiH4 가스의 양은 필요양보다 적게하여 하부의 투명전도막과의 반응에 의한 백화현상을 방지하고자 함이다. 그러나, 상기한 바와 같이 SiH4 가스의 양이 적기 때문에 증착시간이 길다.
그러나, 본 발명에 따르면, 종래처럼 게이트 절연막으로 조성이 다른 이중의 막을 증착하는 대신에, 조성이 동일한 단일의 막을 증착한다. 이러한 경우도 백하현상은 관찰되며 상기 백화현상이 발생한 상태에서 연속적으로 증착을 행하면 인듐의 환원반응은 계속되고 평탄하지 않는 면을 따라 플라즈마 현상이 왜곡된다. 따라서, 백화현상이 발생한 부분에는 증착속도가 증가하게 되고 결국은 부풀어 오르는 것처럼 나타나게 된다. 즉, 백화현상의 초기는, 도 3a에 도시된 바와 같이, 백화현상을 일으키는 환원물 자체의 크기는 매우 작기 때문에 광학적인 투과율의 저해현상이나 광학적인 디펙트(Defect)로는 작용하지 않는다. 그러나, 백화현상의 중기는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 약 1,200 Å정도의 높이만큼 SiNx막이 성장한 경우로서 육안으로도 뿌옇게 흐려진 모습을 볼 수 있다.
따라서, 상기와 같은 현상을 방지하기 위하여 본 발명이 제시하는 방법은, 제1게이트 절연막(5) 증착시 유발된 투명전도막 물질에서의 인듐(In)의 백화현상이 방지되도록 플라즈마 처리, 휴지 공정 및 플라즈마 처리와 휴지 공정을 순차적으로 진행하는 공정으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 공정을 수행한다.상기 플라즈마 처리공정에 있어서, 공정압력은 10-2 내지 700 파스칼에 해당하는 범위내이며, 공정온도는 섭씨 약 30 내지 400도 범위내 가급적이면 상기 제 1 및 제2게이트 절연막 형성공정에서의 공정온도와 동일 또는 유사한 온도가 바람직하다. 상기 플라즈마 가스는 아르곤, 질소 또는 질화산소를 비롯한 불활성가스 또는 활성가스로서 초기성장한 헤이즈(Haze)의 성장을 방지하거나 제거하는데 효과적으로 이용할 수 있는 모든 가스를 포함한다. 또한, 상기 휴지공정은, 0.1 내지 60초내의 휴지시간동안 상기 게이트 절연막 증착온도 이하, 일반적으로 섭씨 약 350도 이하에서 유지하여 휴지공정시 초기성장한 헤이즈(Haze)의 성장을 방지한다.
삭제
그 다음, 상기 기판 결과물 상에 제1게이트 절연막(5)과 동일 물질로 제2게이트 절연막(7)을 형성한다.
삭제
삭제
그 다음, 도시하지 않았으나, 공지의 공정을 진행하여 백화현상을 방지하는 프린지필드구동 액정표시장치를 완성한다.
한편, 본 발명에 따른 백화현상을 방지하는 기술을 종래의 기술과 비교하면, 제1게이트 절연막의 증착시간을 종래보다 단축시킬 수 있어 전체적으로는 공정시간을 단축시킬 수 있다.
본 발명에 따른 백화현상 방지공정은 공통전극으로 ITO를 주로 언급하였으나, 상기 백화현상은 산화인듐(In2O3)에서 수소가스에 의해 발생하기 때문에, 산화인듐(In2O3)의 경우는 본 발명의 실시예에 포함되며, SiH4 가스 또는 H 2 가스를 사용하여 증착하는 경우도 본 발명의 실시예에 포함된다.
기타, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 실시할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 있어서는 종래의 조성이 서로 다른 막을 증착하는 방식에 비하여, 증착속도가 증가하여 생산성을 향상시킬수 있으며, 초기 헤이즈(Haze)의 연속적인 성장을 중지시켜 백화현상을 방지하고 광학적 투과도를 저해하지 않아서, 결과적으로 액정 표시장치의 화면품위를 향상시킨다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 하부기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2는 SiH4 가스 양에 따른 SiNx의 증착속도를 나타내는 그래프.
도 3a 및 3b는 백화현상의 초기 및 중기를 나타내는 에이에프엠(AFM; Atomic Force Microscope)사진.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 유리기판 3: 공통전극
5: 제1게이트 절연막 7: 제2게이트 절연막
9: 제3게이트 절연막

Claims (10)

  1. 투명성 절연기판 상에 산화인듐(In2O3) 재질의 투명전도막을 형성하는 단계;
    상기 투명전도막을 포함한 기판 전면 상에 1차로 20~500Å 두께로 게이트 절연막을 증착하는 단계;
    상기 기판 결과물에 대해 상기 게이트절연막의 1차 증착시 유발된 투명전도막 물질에서의 인듐(In)의 백화현상이 중단되도록 플라즈마 처리, 휴지 공정 및 플라즈마 처리와 휴지 공정을 순차 진행하는 공정으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 기판 결과물 상에 1차 증착된 게이트절연막과 동일 물질의 게이트절연막을 2차로 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화인듐(In2O3)을 포함하는 투명전도막은 ITO(인듐주석산화물) 또는 IXO(인듐아연산화물)을 포함하며, 혼합비는 산화인듐(In2O3)을 기준으로 0 내지 100퍼센트인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리는 아르곤, 질소 또는 질화산소를 포함하는 불활성 또는 활성가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리는 10-2 내지 700 파스칼의 압력에서 수행하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리는 30 내지 400 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 휴지공정은 0.1 내지 60초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 휴지공정은 350℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
KR10-2000-0086134A 2000-12-29 2000-12-29 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법 KR100507273B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0086134A KR100507273B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0086134A KR100507273B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020056729A KR20020056729A (ko) 2002-07-10
KR100507273B1 true KR100507273B1 (ko) 2005-08-10

Family

ID=27689229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0086134A KR100507273B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100507273B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100968567B1 (ko) * 2003-07-22 2010-07-08 삼성전자주식회사 다층 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990011352A (ko) * 1997-07-23 1999-02-18 윤종용 이중 게이트 절연막을 갖는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20000065508A (ko) * 1999-04-06 2000-11-15 구본준 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20010060831A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
JP2001281671A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR20020056688A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 에프에프에스 모드 박막액정트랜지스터 액정표시소자제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990011352A (ko) * 1997-07-23 1999-02-18 윤종용 이중 게이트 절연막을 갖는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20000065508A (ko) * 1999-04-06 2000-11-15 구본준 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20010060831A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
JP2001281671A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR20020056688A (ko) * 2000-12-29 2002-07-10 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 에프에프에스 모드 박막액정트랜지스터 액정표시소자제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020056729A (ko) 2002-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2637079B2 (ja) 能動マトリクス液晶表示装置内の薄膜電界効果トランジスタを製造する方法
US6545295B2 (en) Transistor having ammonia free nitride between its gate electrode and gate insulation layers
KR100241828B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101002521B1 (ko) Ａｌ합금막을 이용한 저접촉 전기 저항형 전극 및 그 제조방법 및 표시 장치
KR101224377B1 (ko) 실리콘층의 형성방법 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법
US5079178A (en) Process for etching a metal oxide coating and simultaneous deposition of a polymer film, application of this process to the production of a thin film transistor
KR100338125B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7479415B2 (en) Fabrication method of polycrystalline silicon liquid crystal display device
KR20130047908A (ko) 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR100507273B1 (ko) 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법
KR100289649B1 (ko) 박막트랜지스터액정표시소자의제조방법
KR20010004016A (ko) 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법
KR100539583B1 (ko) 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터제조 방법
JPH06132257A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH06139844A (ja) Ｉｔｏ導電膜およびその製造方法
KR100494705B1 (ko) 액정표시소자의 박막트랜지스터 제조방법
CN113661574B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
KR100336880B1 (ko) 박막트랜지스터액정표시소자의게이트전극형성방법
KR930001901B1 (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR20020076932A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR100195253B1 (ko) 다결정실리콘-박막트랜지스터의 제조방법
JPH039569A (ja) 薄膜トランジスタ
KR20030021378A (ko) 액정표시소자의 패널 제조방법
KR101583602B1 (ko) 구리배선 형성방법과 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판
KR100304824B1 (ko) 다결정실리콘박막트랜지스터액정표시기

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120709

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130711

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160718

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180724

Year of fee payment: 14