KR100505285B1 - 디바이스의 제조 방법, 디바이스, 배선 패턴의 제조 방법, 배선 패턴 및 전자 기기 - Google Patents

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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 멀티 노즐 헤드를 이용해 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때, 소망의 위치에 액적을 토출할 수 있는 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
기판(101) 상에 액적을 토출할 때, 기판(101) 상에, 액적이 토출되는 복수의 픽셀로 이루어지는 비트맵을 설정한다. 픽셀을 설정할 때, 액적 토출 헤드(1)의 토출 노즐(10)의 간격을 a, 픽셀의 Y축 방향에서의 크기를 by 로 할 때, by=a/n (n은 양의 정수)의 조건을 만족하도록, 픽셀을 설정한다.

Description

디바이스의 제조 방법, 디바이스, 배선 패턴의 제조 방법, 배선 패턴 및 전자 기기{MANUFACTURING METHOD OF DEVICE, DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF WIRING PATTERN, WIRING PATTERN AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 액적 토출 헤드로부터 기판에 대해 액상 재료를 토출함으로써 디바이스를 제조하는 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 액정 표시 장치에서는 컬러 필터가 이용되고 있다. 컬러 필터는 액정 표시 장치와 일체적으로 구성되고, 화질을 향상시키거나 각 화소에 원색 각각의 색채를 주는 역할을 갖고 있다. 이와 같은 컬러 필터의 제조 방법으로는, 감광성 수지의 도막(塗膜)에 포토 마스크를 통해서 광을 조사함으로써 조사 부분을 경화시키고, 그 후 현상 처리를 행함으로써 도막중 광이 조사되어 있지 않은 부분을 제거하여 패턴을 형성하고, 염색하는 방법(염색법)이나, 감광성 수지에 적색, 녹색 또는 청색의 착색제를 분산한 조성물을 차례로 이용해 상기와 마찬가지로 도막 형성하고, 광 조사 및 현상 처리를 행함으로써 컬러 필터를 제조하는 포토리소그래피법이 알려져 있다. 이들 방법은 성막 공정이나 포토리소그래피 공정, 현상 공정 등과 같이 여러 가지 공정을 필요로 하기 때문에, 작업성의 저하나 제조 비용의 상승을 초래한다.
한편, 컬러 필터의 제조 방법으로서, 액적 토출 헤드를 이용해 컬러 필터의 컬러 필터층을 형성하는 방법이 있다. 이 방법에서는, 컬러 필터층 형성용 재료를 포함하는 액상 재료(잉크)의 액적을 토출하는 위치의 제어가 용이하고, 재료의 낭비도 적게 되기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다.
액적 토출 헤드에서는 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수개 구비한 멀티 노즐 헤드를 이용하는 것이 생산성의 관점에서 바람직하다. 그러나, 컬러 필터의 화소 피치(패턴 피치)와 액적 토출 헤드의 노즐 간격 a와는 반드시 일치하지 않는다. 이 때문에, 노즐 간격과 패턴 피치를 일치시키기 위해서, 액적 토출 헤드를 주사 방향과 직교하는 방향(이하, 편의상 "비주사 방향"으로 칭함)에 대해 소정 각도 θ만큼 기울이면서 주사하는 기술이 일본 특개평 9-300664호 공보에 개시되어 있다.
또, 액적 토출로 형성하는 패턴은 이것이 단독으로 이용되는 일은 적고, 그 전후로 포토리소그래피 등으로 형성하는 다른 박막 패턴과 함께 기능을 발휘하는 것이 많다. 이와 같은 경우, 포토리소그래피에 의한 패터닝 정밀도는 액적 토출에 의한 패터닝 정밀도보다도 현격하게 양호함에도 불구하고, 지금까지는 포토리소그래피로 형성하는 패턴의 설계시에, 액적 토출 장치의 노즐 피치가 고려되는 일은 전혀 없었다. 이 때문에, 전술한 바와 같은 문제가 발생하고, 헤드를 기울여 주사하는 일이 행하여지고 있고, 이 때문에 복수의 노즐을 구비한 헤드를 이용한 경우에서도 효율 좋게 패턴을 토출할 수 없었다.
그러나, 상기 배경 기술에서는 이하에 설명하는 문제가 발생한다.
상기 공보에 개시되고 있는 기술에서는, 비주사 방향에서의 패턴 피치 by와 비주사 방향에서의 노즐 피치를 일치시키는 것은 가능하지만, 주사 방향에서의 패턴 피치 bx와 주사 방향에서의 노즐 피치를 일치시키는 것은 곤란하다. 이것은 비주사 방향에서의 패턴 피치 by와, 비주사 방향에서의 노즐 피치인 a·cosθ는 정수비가 되지만, 주사 방향에서의 패턴 피치 bx와, 주사 방향에서의 노즐 피치인 a·sinθ는 현실적인 정수비는 되지 않기 때문이다.
한편, 액적 토출 헤드를 기울였을 때에도, 토출 노즐의 각각으로부터 액적을 토출하는 타이밍을 각각 조정함으로써 주사 방향에서 소망의 위치에 액적을 토출하는 것이 가능해지지만, 토출 노즐의 주사 방향에서의 토출 동작 제어 간격을 근소하게 할 필요가 있어, 주사 속도의 저하 및 제어의 복잡화를 초래하고, 생산성이 저하된다.
액적 토출 헤드를 이용해 컬러 필터를 제조할 때, 피토출면에 뱅크를 설치함으로써, 액적이 소망의 토출 위치에 대해 근소하게 비껴 토출되었다고 해도, 뱅크의 작용에 의해 액적은 소망의 위치로 정돈되지만, 이 배선 패턴을 액적 토출 헤드를 이용해 형성할 때에는 뱅크를 이용하는 경우가 적기 때문에, 예를 들면, 비주사 방향으로 직선 형상의 배선 패턴을 형성하려고 하면, 상술한 바와 같이 주사 방향에서의 토출 동작 제어 간격을 근소하게 할 필요가 있어, 생산성의 저하를 초래한다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 멀티 노즐 헤드를 이용해 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때, 소망의 위치에 액적을 토출할 수 있어 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있는 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 디바이스의 제조 방법은 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 토출 노즐로부터, 상기 기판에 대해 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막(製膜)하는 공정과, 상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과, 상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고, 상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by로 할 때, by=a/n (n은 양의 정수)의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정한다.
본 발명에 의하면, 액적을 토출해야 할 격자 형상의 복수의 단위 영역, 즉 비트맵을 기판 상에 미리 설정하고, 이 비트맵의 단위 영역에 대해서 액적을 토출한다. 비트맵을 설정할 때, 단위 영역(또는, 픽셀)의 소정 방향과 교차하는 방향(비주사 방향)에서의 크기 by와 액적 토출 헤드의 토출 노즐의 간격 a가 정수비가 되도록 설정함으로써, 종래와 같이 액적 토출 헤드를 기울이는 것 등을 하지 않아도, 토출 노즐과 단위 영역을 일치시킬 수 있다. 따라서, 토출 동작에 관련된 복잡한 제어를 행할 필요 없이 소망의 토출 위치에 액적을 토출할 수 있다. 환언하면, 토출 노즐의 간격 a에 따라서 비트맵, 즉 패턴 설계 룰을 설정함으로써, 토출 노즐과 단위 영역은 일치하고, 주사 속도를 저하시키는 일이 없이 토출 동작을 행할 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때, bx1=a/n (n은 양의 정수)의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정해도 좋다.
또, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때, bx1=by=a/n (n은 양의 정수)의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정해도 좋다. 이 경우, 단위 영역은 정사각형으로 설정되어, 패턴 설계를 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에서는, 상기 상대 이동하면서 상기 토출할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향에서 상기 액적을 토출해도 좋다. 이 경우, 주사 방향에서 기판 상에 액상 재료가 과잉 설치되는 것을 막고, 벌지(bulge)의 발생을 방지할 수 있다.
1회의 주사에서 액적을 중첩하지 않거나 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록 토출하고, 이것을 복수회 함으로써, 연속한 패턴을 형성해도 좋다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 상대 이동하면서 상기 토출하고, 상기 액적 토출 헤드와 상기 기판을 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 크기 by의 양의 정수배만큼 상대적으로 스텝 이동시킨 후, 상기와 같이 토출해도 좋다. 이 경우, 액적 토출 헤드는 1회의 주사를 종료한 후, 비주사 방향으로 by(=a/n)만큼 스텝 이동함으로써, 토출 노즐과 단위 영역을 일치시킬 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 스텝 이동한 후, 상기와 같이 토출할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서 상기 액적을 토출해도 좋다. 이 경우, 비주사 방향에서도 기판 상에 액상 재료가 과잉으로 설치되는 것을 막고, 벌지의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법은 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 나란하게 설치된 복수의 토출 노즐로부터 상기 기판에 대해서 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막하는 공정과, 상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과, 상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고, 미리 규정되어 있는 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 규정치를 bky, 상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by2, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx2로 하고, 상기 액적 토출 헤드를 상기 소정 방향과 직교하는 방향에 대해 각도 θ 기울여 상기 상대 이동할 때, by2=bky/n (n은 양의 정수), 또한 bx2=(a·sin)/m (m은 양의 정수)의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정한다.
본 발명에 의하면, 예를 들면 액적 토출 공정 전후를 포함하는 프로세스에서 어떠한 제약이 발생하고, 소정 방향과 교차하는 방향(비주사 방향)에서의 단위 영역의 크기를 토출 노즐의 간격에 의거해 설정할 수 없는 경우가 발생하여도, 액적 토출 헤드를 각도 θ만큼 기울이는 동시에, 단위 영역의 주사 방향 및 비주사 방향에서의 크기를 각각 상기 by2 및 bx2로 함으로써, 토출 노즐과 단위 영역을 일치시킬 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 토출 노즐의 간격 a 또는 그 1/n(n은 2 이상의 정수)을 기본 단위로 해서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 해도 좋다.
또, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행함에 있어, 설정된 상기 단위 영역을 베이스로 설계를 해도 좋다.
이 경우, 토출 노즐 간격(또는, 그 1/n)을 기본 단위로서, 액적 토출법 이외의 방법, 예를 들면 포토리소그래피법으로 형성되는 패턴의 설계가 행하여지게 된다. 이와 같이 하면, 액적 토출 이외의 방법으로 형성되어 있는, 혹은 나중의 프로세스로 형성될 예정의 패턴에 대해서, 위치를 맞추어 액적 토출을 행할 때에, 헤드를 기울이지 않아도 완전하게 그 패턴에 일치시켜 토출할 수 있다.
본 발명의 디바이스는 상기 기재한 디바이스의 제조 방법으로 제조된다. 이 경우, 높은 패턴 정밀도로 형성된 패턴을 갖는 디바이스가 제공된다.
본 발명의 전자 기기는 상기 기재한 디바이스를 구비한다. 이 경우, 고성능인 디바이스가 탑재된 전자 기기가 제공된다.
여기서, 본 발명에서의 액적 토출 헤드는 액적 토출 장치에 구비되는 액적 토출 헤드를 포함한다. 액적 토출 헤드는 액적 토출법에 의해 액상 재료를 정량적으로 토출 가능하고, 예를 들면 1∼300나노그램의 액상 재료(유동체)를 정량적으로 단속해 적하 가능한 장치이다.
디바이스의 제조 방법으로서 액적 토출 방식을 채용함으로써, 염가의 설비로 반사막을 소정의 패턴으로 형성할 수 있다.
액적 토출 방식으로는, 압전체 소자의 체적 변화에 의해 유동체(액상 재료)를 토출시키는 피에조 방식으로도, 열의 인가에 의해 급격하게 증기가 발생됨으로써 유동체를 토출시키는 방식으로 하여도 좋다.
여기서, 유동체란, 액적 토출 헤드의 토출 노즐로부터 토출 가능(적하 가능)한 점도를 구비한 매체를 말한다. 수성인지 유성인지를 따지지 않는다. 노즐 등으로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입되어 있어도 전체로서 유동체이면 된다. 또, 유동체에 포함되는 재료는 용매중에 미립자로서 분산된 것 이외에, 융점 이상으로 가열되어 용해된 것으로 하여도 좋고, 용매와 달리 염료나 안료, 그 이외의 기능성 재료를 첨가한 것으로 하여도 좋다. 또, 기판은 플랫 기판을 가리키는 것 외에, 곡면 형상의 기판으로 하여도 좋다. 또한 패턴 형성면의 경도가 딱딱할 필요는 없고, 유리나 플라스틱, 금속 이외에, 필름, 종이, 고무 등 가요성을 갖는 것의 표면으로 하여도 좋다.
본 발명에서의 디바이스는 소정의 배선 패턴을 갖는 소자 및 장치 혹은 컬러 필터 등을 포함한다.
이하, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 이용되는 액적 토출 헤드를 구비한 액적 토출 장치의 개략 외관 사시도이다.
도 1에서, 액적 토출 장치(IJ)는 액적 토출 헤드(1)와, Ⅹ축 방향 구동축(4)과, Y축 방향 가이드축(5)과, 제어 장치(6)와, 스테이지(7)와, 클리닝 기구(8)와, 베이스(9)와, 히터(15)를 구비하고 있다.
스테이지(7)는 상기 액적 토출 장치(IJ)에 의해 액상 재료가 설치되는 기판(101)을 지지함으로써, 기판(101)을 기준 위치에 고정하는 도시를 생략한 고정 기구를 구비하고 있다.
액적 토출 헤드(1)는 복수의 토출 노즐을 구비한 멀티 노즐 타입의 액적 토출 헤드이고, 길이 방향과 Y축 방향을 일치시키고 있다. 복수의 토출 노즐은 액적 토출 헤드(1)의 하면에 Y축 방향으로 나란하게 일정 간격으로 설치되어 있다. 액적 토출 헤드(1)의 토출 노즐로부터는 스테이지(7)에 지지되어 있는 기판(101)에 대해서, 예를 들면 도전성 미립자를 포함하는 액상 재료가 토출된다.
도 2는 액적 토출 헤드(1)를 노즐면측(기판(101)과의 대향면측)에서 본 도면이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 액적 토출 헤드(1)는 복수의 헤드부(21)와, 이들 헤드부(21)를 탑재한 캐리지부(22)를 구비하고 있다. 헤드부(21)의 노즐면(24)에는 액상 재료의 액적을 토출하는 복수의 토출 노즐(10)이 설치되어 있다. 헤드부(21)(노즐면(24))의 각각은 평면에서 볼 때 직사각형이고, 토출 노즐(10)은 헤드부(21)의 길이 방향인 대략 Y축 방향을 따라 일정한 간격으로 열 형상으로, 또한 헤드부(21)의 폭 방향인 대략 Ⅹ축 방향으로 간격을 두고 2열로 노즐면(24)의 각각에 복수개(예를 들면, 1열 180노즐, 합계 360노즐) 설치되어 있다. 또, 헤드부(21)는 토출 노즐(10)을 기판(101)측을 향하게 하는 동시에, Y축에 대해 소정 각도 기운 상태로 대략 Y축 방향을 따라 열 형상으로, 또한 Ⅹ축 방향으로 소정 간격을 두고 2열로 배치된 상태로 캐리지부(22)에 복수개(도 2에서는 1열 6개, 합계 12개) 위치 결정되어 지지되어 있다.
여기서, 액적 토출 헤드(1)는 이 액적 토출 헤드(1)의 Y축 방향에 대한 장착 각도를 조정 가능한 각도 조정 기구(도시 생략)를 구비하고 있다. 이 각도 조정 기구에 의해서, 액적 토출 헤드(1)는 Y축 방향에 대한 각도를 가변으로 한다. 각도 조정 기구를 구동함으로써, 토출 노즐(10)의 각각을 Y축 방향으로 나란하게 배치하거나, 토출 노즐(10)의 배열 방향의 Y축에 대한 각도를 조정할 수 있다.
도 1로 돌아와서, Ⅹ축 방향 구동축(4)에는 Ⅹ축 방향 구동 모터(2)가 접속되어 있다. Ⅹ축 방향 구동 모터(2)는 스텝 모터 등이고, 제어 장치(6)로부터 Ⅹ축 방향의 구동 신호가 공급되면, Ⅹ축 방향 구동축(4)을 회전시킨다. Ⅹ축 방향 구동축(4)이 회전되면, 액적 토출 헤드(1)는 Ⅹ축 방향으로 이동한다.
Y축 방향 가이드축(5)은 베이스(9)에 대해 움직이지 않도록 고정되어 있다. 스테이지(7)는 Y축 방향 구동 모터(3)를 구비하고 있다. Y축 방향 모터(3)는 스텝 모터 등이고, 제어 장치(6)로부터 Y축 방향의 구동 신호가 공급되면, 스테이지(7)를 Y축 방향으로 이동한다.
제어 장치(6)는 액적 토출 헤드(1)에 액적의 토출 제어용의 전압을 공급한다. 또, Ⅹ축 방향 구동 모터(2)에 액적 토출 헤드(1)의 Ⅹ축 방향의 이동을 제어하는 구동 펄스 신호를, Y축 방향 구동 모터(3)에 스테이지(7)의 Y축 방향의 이동을 제어하는 구동 펄스 신호를 공급한다.
클리닝 기구(8)는 액적 토출 헤드(1)를 클리닝하는 것이다. 클리닝 기구(8)에는 도시하지 않은 Y축 방향의 구동 모터가 구비되어 있다. 이 Y축 방향의 구동 모터의 구동에 의해서, 클리닝 기구는 Y축 방향 가이드축(5)을 따라 이동한다. 클리닝 기구(8)의 이동도 제어 장치(6)에 의해 제어된다.
히터(15)는 여기서는 램프 어닐링에 의해 기판(101)을 열처리하는 수단이고, 기판(101) 상에 도포된 액상 재료에 포함되는 용매의 증발 및 건조를 행한다. 이 히터(15)의 전원의 투입 및 차단도 제어 장치(6)에 의해 제어된다.
본 실시예에 있어서, 액적 토출 장치(IJ)는 기판(101) 상에 배선 패턴을 형성한다. 따라서, 액상 재료에는 배선 패턴 형성용 재료인 도전성 미립자(금속 미립자)가 포함되어 있다. 액상 재료는 금속 미립자를 소정의 용매 및 바인더 수지를 이용해 페이스트화 한 것이다. 금속 미립자로서는, 예를 들면, 금, 은, 동, 철 등이 예시된다. 금속 미립자의 입경은 5∼100nm인 것이 바람직하다. 액적 토출 헤드(1)로부터 기판(101)에 토출된 액상 재료는 히터(15)로 열처리됨으로써 도전성막으로 변환(제막)된다.
또한, 배선 패턴 형성용의 액상 재료로서는 유기 금속 화합물, 유기 금속 착체(錯體) 및 이와 유사한 것을 포함하는 액상 재료를 이용할 수 있다. 유기 금속 화합물로서 예를 들면 유기 은 화합물을 들 수 있고, 유기 은 화합물을 소정의 용매에 분산(용해)한 용액을 배선 패턴 형성용의 액상 재료로서 이용할 수 있다.
이 경우, 용매로서는 예를 들면 디에틸렌글리콜디에틸에테르를 이용할 수 있다. 액상 재료로서 유기 은 화합물(유기 금속 화합물)을 이용한 경우, 액상 재료를 열처리 또는 광처리함으로써 유기분이 제거되고, 은 입자(금속 입자)가 잔류되어 도전성이 발현된다.
액적 토출 장치(IJ)는 액적 토출 헤드(1)와 기판(101)을 지지하는 스테이지(7)를 상대적으로 주사하면서 기판(101)에 대해 액적을 토출한다. 여기서, 이하의 설명에 있어서, Ⅹ축 방향을 주사 방향(소정 방향), Ⅹ축 방향과 직교하는 Y축 방향을 비주사 방향으로 한다. 따라서, 액적 토출 헤드(1)의 토출 노즐은 비주사 방향인 Y축 방향으로 일정 간격으로 나란하게 설치되어 있다.
다음에, 도 3∼도 7을 참조하면서, 상기 액적 토출 헤드(1)를 이용해 기판(101)에 액적을 토출함으로써 디바이스를 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
본 실시예에서의 제조 방법은 기판(101) 상에, 액적이 토출되어야 할 영역인 복수의 픽셀(단위 영역)로 이루어지는 격자 형상의 비트맵을 설정하는 공정과, 비트맵 중 소정의 픽셀에 대해 액적을 토출하는 공정을 갖는다.
도 3은 액적 토출 헤드(1)에 설치되어 있는 복수의 토출 노즐(10)과, 기판(101) 상에 설정된 비트맵을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 1개의 픽셀(단위 영역)은 정사각형으로 설정된다. 즉, 1개의 픽셀 중 Ⅹ축 방향(주사 방향)에서의 크기 bx1과, Y축 방향(비주사 방향)에서의 크기 by는 동일하게 설정된다.
액적 토출 헤드(1)는 길이 방향을 Y축 방향에 일치시키고 있다. 또, 토출 노즐(10)은 액적 토출 헤드(1)에서 Y축 방향으로 일정 간격 a로 설치되어 있다. 복수의 토출 노즐(10)의 각각은 Y축 방향을 따라 나란하게 되어 있다.
본 실시예에 있어서, 픽셀의 Y축 방향에서의 크기 by는 토출 노즐(10)끼리의 간격 a보다 근소하게 설정된다. 그리고, 비트맵을 설정할 때,
by=a/n (n은 양의 정수)
이 되도록, 1개의 픽셀의 Y축 방향에서의 크기가 설정된다.
도 3에는 n=5로 설정한 예가 나타나 있다.
또, 본 실시예에서는, 1개의 픽셀은 정사각형으로 설정되기 때문에,
bx1=a/n (n은 양의 정수)
이 되도록, 1개 픽셀의 Ⅹ축 방향에서의 크기가 설정되어 있다.
도 4는 토출 노즐(10)을 이용하여, 1회의 주사에 의해 기판(101)에 액적을 토출한 때의 모식도이다. 또한, 도 4에 있어서, 1회째의 주사로 토출된 액적에는 "1"을 붙이고 있다.
그리고, 도 4∼도 7을 이용한 이하의 설명에서는 최종적으로, 도 3의 회색으로 나타내는 영역의 픽셀 각각에 액적을 토출함으로써 행한다.
액적 토출 헤드(1)를 Ⅹ축 방향으로 주사하면서 기판(101)에 대해 액적을 토출할 때, 액적 토출 헤드(1)는 제어 장치(6)의 제어 하에서, Ⅹ축 방향으로 소정 간격 두면서 액적을 토출한다. 본 실시예에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, Ⅹ축 방향에서 2개분의 픽셀 간격을 두고 소정 픽셀에 대해 액적이 토출된다.
한편, 기판(101)에 대해 토출된 액적은 기판(101)에 착탄함으로써 기판(101)상으로 스며 퍼진다. 즉, 도 4에 원으로 나타낸 바와 같이, 기판(101)에 착탄한 액적은 1개의 픽셀의 크기보다 큰 직경 c를 가지도록 스며 퍼진다.
여기서, 액적은 Ⅹ축 방향에서 소정 간격(2개분의 픽셀)을 두고 토출되므로, 기판(101) 상에 배치된 액적끼리는 중첩하지 않도록 설정되어 있다. 이렇게 함으로써, Ⅹ축 방향에서 기판(101) 상에 액상 재료가 과잉으로 설치되는 것을 막고, 벌지의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 도 4에서는, 기판(101)에 배치된 때의 액적끼리는 중첩하지 않도록 배치되어 있지만, 근소하게 중첩하도록 액적이 배치되도록 해도 좋다. 예를 들면, 도 4에서는 Ⅹ축 방향에서 2개분의 픽셀을 두면서 액적이 토출되어 있지만, 1개분의 픽셀을 두면서 액적이 토출되도록 해도 좋다.
이 경우, 1회째의 주사에 있어서, 기판(101)에 배치된 때의 액적의 직경 c의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록 액적을 토출함으로써, 벌지의 발생을 막을 수 있다.
여기서, 액적을 기판(101)에 배치한 때의 스며 퍼지는 상태, 즉 기판(101) 상에서의 액적의 직경 c는 액상 재료의 특성에 따라서 변화한다. 따라서, 기판(101) 상에 배치된 때의 액적끼리 중첩하지 않거나 액적의 직경 c의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록 하기 위해서, 1회의 주사에서의 기판(101)으로의 액적의 배치 간격(픽셀 간격)을, 미리 실험적으로 구해 두고, 이 구한 픽셀 간격에 의거하여, 1회의 주사에서의 토출 동작을 한다.
도 5는 2회째의 주사에 의해 토출 노즐(10)로부터 기판(101)에 액적을 토출한 때의 모식도이다. 또한, 도 5에 있어서, 2회째의 주사로 토출된 액적에는 "2"을 붙이고 있다. 2회째의 주사시에도, Ⅹ축 방향에서 2개분의 픽셀을 두면서 토출 동작이 행하여진다. 또, 2회째의 주사시에 기판(101)에 착탄한 액적도 직경 c를 가지도록 스며 퍼진다.
도 6은 3회째의 주사에 의해 토출 노즐(10)로부터 기판(101)에 액적을 토출한 때의 모식도이다. 또한, 도 6에 있어서, 3회째의 주사로 토출된 액적에는 "3"을 붙이고 있다. 3회째의 주사시에도, Ⅹ축 방향에서 2개분의 픽셀을 두면서 토출 동작이 행하여진다. 또, 3회째의 주사시에 기판(101)에 착탄한 액적도 직경 c를 가지도록 스며 퍼진다.
여기서, 3회의 주사 및 토출 동작에 의해서, 도면 중, 최상단(+Y측)에서의 액적은 연속한다.
도 7은 4회째의 주사에 의해 토출 노즐(10)로부터 기판(101)에 액적을 토출한 때의 모식도이다. 여기서, 4회째의 주사에서는 액적 토출 헤드(1)와 스테이지(7)에 지지되어 있는 기판(101)은 Y축 방향으로 상대적으로 스텝 이동한다.
본 실시예에서는, 스테이지(7)에 지지되어 있는 기판(101)이 Y축 방향으로 스텝 이동한다.
여기서, 기판(101)은 픽셀의 Y축 방향에서의 크기 by의 양의 정수배만큼 Y축 방향으로 스텝 이동한다. 도 7에는 기판(101)이 액적 토출 헤드(1)에 대해 by의 1배(즉, by)만큼 Y축 방향으로 스텝 이동한 예를 나타내고 있다.
거리 by만큼 스텝 이동하면, 액적 토출 헤드(1)는 기판(101)에 대해 Ⅹ축 방향으로 주사하면서 액적을 토출한다. 또한, 도 7에 있어서, 4회째의 주사로 토출된 액적에는 "4"을 붙이고 있다. 또, 4회째의 주사시에 기판(101)에 착탄한 액적도 직경 c를 가지도록 스며 퍼진다.
여기서, 스텝 이동한 후, 토출 동작을 행할 때, 기판(101) 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 기판(101) 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, Y축 방향에서 액적을 토출하도록 해도 좋다. 즉, 스텝 이동의 거리를, by의 예를 들면 3배로 설정하고, 스텝 이동하도록 해도 좋다. 이렇게 함으로써, 예를 들면 "1"의 액적이 스며들 때, Y축 방향에서도 벌지의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 도 7에 나타내는 예에서는, "1"의 액적은 건조하고 있는 것으로 하고, 이 경우, "1"과 "4"와는 직경 c의 10% 이상 중첩해도 좋다.
이하, 마찬가지로, 주사를 행하면서의 토출 동작과, 스텝 이동이 반복된다. 그리고, 본 실시예에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 합계 15회의 주사를 행함으로써, 도면 중, 회색으로 나타낸 영역에 대응하는 픽셀의 각각에 대해 액적이 토출된다. 또한, 도 8에 있어서, n회째의 주사시에 토출된 액적에는 "n"이 붙여져 있다.
또한, 토출된 액적은 기판(101)상으로 스며 퍼지기 때문에, 실제로 형성되는 배선 패턴은 도면 중, 회색으로 나타낸 영역보다 큰 폭이 된다. 따라서, 배선 패턴을 형성시에, 이 스며 퍼지는 만큼을 고려해 패턴 설계가 행하여진다. 여기서, 기판(101) 상에서의 액적의 스며 퍼지는 상태는 기판(101)과 액적과의 접촉각으로 결정되기 때문에, 기판(101)에 대해 액상 재료의 특성에 따른 친액(親液) 처리 및 발액(撥液) 처리를 포함하는 표면 처리를 하고, 소망하는 접촉각을 얻도록 한다. 이렇게 함으로써, 소망하는 폭을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예는 기판(101) 상에 비트맵을 설정하고, 이 비트맵의 픽셀에 대해 액적을 토출하도록 하는 구성이다. 그리고, 비트맵을 설정할 때, 비트맵의 Y축 방향에서의 크기 by와 토출 노즐(10)의 간격 a가 정수비가 되도록 설정함으로써, 액적 토출 헤드를 예를 들면 Y축에 대해 기울이는 등의 것을 하지 않아도, 토출 노즐(10)과 픽셀을 일치시킬 수 있다. 따라서, 토출 동작에 관한 복잡한 제어를 행할 필요 없이 소망하는 픽셀에 액적을 토출할 수 있다. 이와 같이, 토출 노즐(10)의 간격 a에 따라서 비트맵, 즉 패턴 설계 룰을 설정함으로써, 토출 노즐(10)과 픽셀은 일치하고, 주사 속도를 저하시키는 일이 없이 소망하는 위치에 대해 정밀도 좋게 토출 동작을 행할 수 있다.
본 실시예에서는 픽셀의 Ⅹ축 방향에서의 크기 bx1과 Y축 방향에서의 크기 by 는 동일하고, 픽셀은 정사각형으로 설정되어 있다. 이렇게 함으로써, 패턴 설계를 용이하게 할 수 있다. 또한, 본 실시예와 같이, 액적 토출 헤드(1)(토출 노즐(10)의 배열 방향)와 Y축 방향을 일치시키면서 주사하는 경우, 픽셀의 Ⅹ축 방향에서의 크기 bx1은 반드시 Y축 방향에서의 크기 by와 동일하게 할 필요는 없고, 임의의 크기로 해도 좋다.
기판(101) 상에 액적을 토출할 때, 기판(101) 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 기판(101) 상에 배치된 때의 액적의 직경 c의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, Ⅹ축 방향에서 액적을 토출하도록 했으므로, 1회의 주사에 있어서, 기판(101) 상에 액상 재료가 과잉으로 설치되는 것을 막고, 벌지의 발생을 방지할 수 있다.
액적 토출 헤드(1)와 기판(101)을 Y축 방향으로 스텝 이동할 때, 1개의 픽셀의 Y축 방향에서의 크기 by의 양의 정수배만큼 스텝 이동하도록 했으므로, 스텝 이동후에 있어서도 토출 노즐(10)과 픽셀을 일치시킬 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 토출 노즐(10)의 간격 a에 의거해 픽셀의 크기를 설정하고, 액적 토출 공정을 행하는 구성이지만, 액적 토출 공정의 전후의 공정, 예를 들면 도 10에 나타낸, 전기 광학 장치로서의 플라즈마형 표시 장치의 제조시의 포토리소그래피 공정에서 기판 상에 패터닝을 행할 때에도, 토출 노즐(10)의 간격 a 또는 그 1/n(n은 2 이상의 정수)에 의거해 설계 및 패터닝을 행하도록 하면, 이 전후 공정에 의해 형성된 패턴과 액적 토출 공정에서 패터닝한 패턴이 정확하게 일치하도록 토출을 위한 비트맵을 설계할 수 있다.
도 10에 나타낸 플라즈마형 표시 장치(500)는 서로 대향해 배치된 유리 기판(501)과 유리 기판(502)과, 이들 사이에 형성된 방전 표시부(510)로 개략 구성된다.
방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합되어 이루어지고, 복수의 방전실(516) 중, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍이 되어 1화소를 구성하도록 배치되어 있다.
상기 (유리) 기판(501)의 상면에는 소정의 간격으로 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되고, 이들 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되고, 또한 유전체층(519) 상에서 어드레스 전극(511, 511)간에 위치해 각 어드레스 전극(511)을 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에서는 그 길이 방향의 소정 위치에서 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향에도 소정의 간격으로 나누어지고 있고(도시 생략), 기본적으로는 어드레스 전극(511)의 폭 방향 좌우 양측에 인접하는 격벽과, 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 연장 설치된 격벽에 의해 나누어지는 직사각형의 영역이 형성되고, 이들 직사각형의 영역에 대응하도록 방전실(516)이 형성되고, 이들 직사각형의 영역이 3개쌍이 되어 1화소가 구성된다. 또, 격벽(515)으로 구획되는 직사각형 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적, 녹, 청의 어느 하나의 형광을 발광함으로써, 적색 방전실(516(R))의 바닥부에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 바닥부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 바닥부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.
다음에, 상기 유리 기판(502)측에는 이전의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 ITO로 이루어지는 투명 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정의 간격으로 형성됨과 동시에, 고저항의 ITO를 보충하기 위해서, 금속으로 이루어지는 버스 전극(512a)이 형성되어 있다. 또, 이들을 덮어 유전체층(513)이 형성되고, 또한 MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 기판(501)과 유리 기판(502)의 기판(2)이 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)을 서로 직교시키도록 대향시켜 서로 맞붙여져 있고, 기판(501)과 격벽(515)과 유리 기판(502)측에 형성되어 있는 보호막(514)으로 둘러싸이는 공간 부분을 배기해 희유 가스를 봉입함으로써 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 유리 기판(502)측에 형성되는 표시 전극(512)은 각 방전실(516)에 대해 2개씩 배치되도록 형성되어 있다.
상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 도시를 생략한 교류 전원에 접속되고, 각 전극에 통전함으로써 필요한 위치의 방전 표시부(510)에서 형광체(517)를 여기하여 발광시켜, 컬러 표시를 할 수 있게 되어 있다.
본 실시예에서는, 표시 전극(512)이 포토리소그래피법으로 형성되고, 버스 전극(512a)이 액적 토출법에 의해 형성된다. 그리고, 포토리소그래피법으로 형성되는 표시 전극(512)끼리의 간격을, 액적 토출 헤드(1)의 토출 노즐(10)의 간격 a에 의거해 설정(설계)하고, 이 설정한 값에 의거하여 표시 전극(512)을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정이 행하여진다.
구체적으로는 토출 노즐(10)의 간격 a가, 예를 들면 141㎛인 경우, n=10으로 설정하고, 141/10=14.1㎛을 기본 단위로서 ITO 투명 표시 전극(512)의 패턴(간격 및 폭)이 설계되고, 이 설계값에 의거해 포토리소그래피법에 의해 표시 전극(512)이 형성된다. 이 경우, 표시 전극(512)끼리의 간격은, 예를 들면 14.1×40=564㎛, 표시 전극(512)의 폭은, 예를 들면 14.1×35=493.5㎛ 등으로 설정된다.
또한, 여기서는, 표시 전극(512)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명했지만, 그 밖의 부분, 예를 들면 도시 생략의 양단의 인출 전극 등도, 14.1㎛를 기본 단위로서 설계된다.
이상 설명한 바와 같이, 토출 노즐(10)의 간격 a에 의거하는 값을 기본 단위로 하고, 액적 토출법 이외의 방법(포토리소그래피법)으로 패턴 형성할 때의 설계를 상기 기본 단위에 의거해 행하도록 하고, 도 10을 이용해 설명한 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 형성된 ITO 투명 표시 전극(512)에 대해 정확하게 위치를 맞추어, 액적 토출법에 의해 버스 전극(512a)을 형성하는 경우에서도, 토출 노즐(10)을 효율 좋게 사용할 수 있고, 베이스에 있는 구조물(이 경우, 즉 표시 전극(512))과 완전하게 피치가 일치된 패턴을 형성할 수 있다.
그래서, 예를 들면 액적 토출 공정 전후를 포함하는 프로세스에 어떠한 제약이 있고, Y축 방향에서의 픽셀의 크기를 토출 노즐(10)의 간격 a에 의거해 설정할 수 없는 경우가 고려된다.
예를 들면, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 기판 상에 액적의 배치 위치를 설정하기 위한 구조물(뱅크)(BK)을 복수개 설치했을 때, 이 구조물의 Y축 방향에서의 피치 bky 규정치로서 규정되고, 픽셀의 Y축 방향에서의 크기를 토출 노즐(10)의 간격 a에 의거해 설정할 수 없는 경우에 대해서 고려한다. 구조물(8K)을 형성하는 포토리소그래피 공정에 제약이 있어, bky의 값을 자유롭게 설계할 수 없기 때문에, bky=a/n을 만족하는 정수 n이 존재하지 않거나, n이 비현실적일 정도로 큰 정수로 되어 버리는 경우가 있다.
이와 같은 경우, 액적 토출 헤드(1)를 Y축에 대해 각도 θ만큼 기울이면서 토출 동작을 하는 것이 유효하다. 이 경우, 종래에서는 Ⅹ축 방향에서 토출 노즐과 픽셀을 일치시킬 수 없었지만, 액적을 토출하기 위한 픽셀(단위 영역) 중, Y축 방향에서의 크기by2 및 Ⅹ축 방향에서의 크기bx2를,
by2=bky/n (n은 양의 정수) 또한,
bx2= (a·sinθ)/m (m은 양의 정수),
의 조건을 만족하도록 설정함으로써, 토출 노즐(10)과 픽셀을 일치시킬 수 있다.
환언하면, 규정치 bky와 a·cosθ이 정수비가 되도록 각도를 설정하고, 이 설정한 각도 θ와 노즐 간격 a에 의거하여, 단위 영역(픽셀)의 Ⅹ축 방향에서의 크기 bx2를 설정한다.
이상과 같이 설정함으로써, 도 9b의 모식도에 나타낸 바와 같이, 토출 노즐(10)과 기판(101)을 주사하면서 비트맵 각각의 픽셀과 토출 노즐(10)을 일치시키면서 액적 토출 동작을 행할 수 있다.
본 발명의 디바이스의 제조 방법은 도 11에 나타내는 액정 장치를 제조할 때에도 적용할 수 있다. 도 11은 액정 장치의 제 1 기판상의 신호 전극 등의 평면 레이아웃을 나타내는 것이다. 이 액정 장치는 이 제 1 기판과, 주사 전극 등이 설치된 제 2 기판(도시하지 않음)과, 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에 봉입된 액정(도시하지 않음)으로 개략 구성되어 있다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(300)상의 화소 영역(303)에는 복수의 신호 전극(310)이 다중 매트릭스 형상으로 설치되어 있다. 특히, 각 신호 전극(310)은 각 화소에 대응해 설치된 복수의 화소 전극 부분(310a)과 이들을 다중 매트릭스 형상으로 접속하는 신호 배선 부분(310b)으로 구성되어 있고, Y방향으로 뻗어 있다.
또, 부호 350은 1칩 구조의 액정 구동 회로로서, 이 액정 구동 회로(350)와 신호 배선 부분(310b)의 일단측(도면 중 하측)이 제 1 리드 배선(331)을 통해서 접속되어 있다.
또, 부호 340은 상하 도통 단자로서, 이 상하 도통 단자(340)와, 도시하지 않은 제 2 기판 상에 설치된 단자가 상하 도통재(341)에 의해 접속되어 있다. 또, 상하 도통 단자(340)와 액정 구동 회로(350)가 제 2 리드 배선(332)을 통해서 접속되어 있다.
본 실시예에서는, 상기 제 1 기판(300) 상에 설치된 신호 배선 부분(310b), 제 1 리드 배선(331), 제 2 리드 배선(332)이 각각 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 의거해 형성되어 있다.
본 발명의 전자 기기의 구체예에 대해서 설명한다.
도 12a는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12a에 있어서, 1600은 휴대 전화 본체를 나타내고, 1601은 상기 플라즈마형 표시 장치(또는, 액정 표시 장치), 유기 전계 발광 장치를 구비한 표시부를 가리키고 있다.
도 12b는 워드프로세서, PC 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12b에 있어서, 1700은 정보 처리 장치, 1701은 키보드 등의 입력부, 1703은 정보 처리 본체, 1702는 상기 플라즈마형 표시 장치(또는, 액정 표시 장치)를 구비한 표시부를 가리키고 있다.
도 12c는 손목 시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12c에 있어서, 1800은 시계 본체를 나타내고, 1801은 상기 플라즈마형 표시 장치(또는, 액정 표시 장치)를 구비한 표시부를 가리키고 있다.
도 12a∼도 12c에 나타낸 전자 기기는 상기 실시예의 표시 장치(디바이스)를 구비한 것이므로, 뛰어난 표시 성능을 갖는다.
또한, 상기 전자 기기는 플라즈마형 표시 장치 또는 액정 장치를 구비하는 것으로 했지만, 유기 전계 발광 표시 장치 등, 다른 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기로 할 수도 있다.
도 13은 본 발명의 디바이스로서의 비접촉형 카드 매체의 일례를 나타내는 도면이다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 비접촉형 카드 매체(1400)는 카드 기체(1402)와 카드 커버(1418)로 이루어지는 케이스 내에, 반도체 집적 회로 칩(1408)과 안테나 회로(1412)를 내장하고, 도시되지 않은 외부의 송수신기와 전자파 또는 정전용량 결합의 적어도 한쪽에 의해 전력 공급 또는 데이터 수수의 적어도 한쪽을 행하도록 되어 있다.
본 실시예에서는, 상기 안테나 회로(1412)가 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 의거해 형성되어 있다.
또한, 상기 각 실시예에서는 배선 패턴을 형성하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명의 제조 방법은 컬러 필터를 위시하여 각종 디바이스 및 장치의 제조에 적용 가능하다. 이하, 본 발명의 다른 적용례에 대해서 설명한다.
본 발명은 도 14∼도 16에 나타낸 액정 표시 장치를 제조할 때에 적용할 수 있다. 본 실시예의 액정 표시 장치는 스위칭 소자로서 TFT(Thin Film Transistor)소자를 이용한 액티브 매트릭스 타입의 투과형 액정 장치이다. 도 14는 상기 투과형 액정 장치의 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소에서의 스위칭 소자, 신호선 등의 등가 회로도이다. 도 15는 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 구조를 나타내는 주요부 평면도이다. 도 16은 도 15의 A-A’선 단면도이다. 또한, 도 16에서는 도면 위쪽이 광입사측, 도면 하측이 시인(視認)측(관찰자측)인 경우에 대해서 도시하고 있다. 또, 각 도면에서는 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 때문에, 각 층이나 각 부재마다 축척이 다르게 되어 있다.
본 실시예의 액정 표시 장치에 있어서, 도 14에 나타낸 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 화소에는 화소 전극(109)과 상기 화소 전극(109)으로의 통전 제어를 행하기 위한 스위칭 소자인 TFT 소자(130)가 각각 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(106a)이 상기 TFT 소자(130)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(106a)에 기입 화상 신호(S1, S2, …, Sn)는 이 차례로 선순차(線順次)로 공급되거나 또는 서로 인접하는 복수의 데이터선(106a)에 대해 그룹마다 공급된다. 또, 주사선(103a)이 TFT 소자(130)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있고, 복수의 주사선(103a)에 대해 주사신호(G1, G2, …, Gm)가 소정의 타이밍에서 펄스적으로 선순차로 인가된다.
또, 화소 전극(109)은 TFT 소자(130)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT 소자(130)를 일정 기간만 온함으로써, 데이터선(106a)으로부터 공급되는 화상 신호(S1, S2, …, Sn)를 소정의 타이밍에서 기입한다. 화소 전극(109)을 통해서 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호(S1, S2, …, Sn)는 후술하는 공통 전극과의 사이에서 일정 기간 홀딩된다.
액정은 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화됨으로써, 광을 변조하고, 계조 표시를 가능하게 한다. 여기서, 홀딩된 화상 신호가 리크하는 것을 방지하기 위해서, 화소 전극(109)과 공통 전극 사이에 형성되는 액정용량과 병렬로 축적 용량(170)이 부가되어 있다.
다음에, 도 15를 참조하면서, 본 실시예의 액정 표시 장치의 주요부의 평면 구조에 대해서 설명한다. 도 15에 나타낸 바와 같이, TFT 어레이 기판 상에, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, 이하, ITO라고 약칭함) 등의 투명 도전성 재료로 이루어지는 직사각형의 화소 전극(109)(점선부(109A)에 의해 윤곽을 나타냄)이 복수개, 매트릭스 형상으로 설치되어 있고, 화소 전극(109)의 종횡의 경계를 각각 따라 데이터선(106a), 주사선(103a) 및 용량선(103b)이 설치되어 있다. 각 화소 전극(109)은 주사선(103a)과 데이터선(106a)의 각 교차부에 대응해 설치된 TFT 소자(130)에 전기적으로 접속되어 있고, 각 화소마다 표시를 행할 수 있는 구조로 되어 있다. 데이터선(106a)은 TFT 소자(130)를 구성하는, 예를 들면 폴리실리콘막으로 이루어지는 반도체층(101a) 중, 후술되는 소스 영역에 콘택트홀(105)을 통해서 전기적으로 접속되어 있고, 화소 전극(109)은 반도체층(101a) 중 후술되는 드레인 영역에 콘택트홀(108)을 통해서 전기적으로 접속되어 있다. 또, 반도체층(101a) 중 후술되는 채널 영역(도면 중 좌측 상향의 사선의 영역)에 대향하도록 주사선(103a)이 배치되어 있고, 주사선(103a)은 채널 영역에 대향하는 부분에서 게이트 전극으로서 기능한다. 용량선(103b)은 주사선(103a)을 따라 대략 직선 형상으로 신장하는 본선(本線)부(즉, 평면적으로 보아, 주사선(103a)을 따라 형성된 제 1 영역)와, 데이터선(106a)과 교차하는 개소로부터 데이터선(106a)을 따라 전단측(도면 중 상향)에 돌출한 돌출부(즉, 평면적으로 보아, 데이터선(106a)을 따라 연장 설치된 제 2 영역)를 갖는다.
다음에, 도 16을 참조하면서, 본 실시예의 액정 표시 장치의 단면 구조에 대해서 설명한다. 도 16은 상술한 바와 같이, 도 15의 A-A’선 단면도이고, TFT 소자(130)가 형성된 영역의 구성에 대해서 나타내는 단면도이다. 본 실시예의 액정 표시 장치에서는 TFT 어레이 기판(110)과, 이에 대향 배치되는 대향 기판(120) 사이에 액정층(150)이 협지되어 있다. TFT 어레이 기판(110)은 투광성의 기판 본체(110A), 그 액정층(150)측 표면에 형성된 TFT 소자(130), 화소 전극(109), 배향막(140)을 주체로 구성되어 있고, 대향 기판(120)은 투광성의 플라스틱 기판(기판 본체)(120A)과, 그 액정층(150)측 표면에 형성된 공통 전극(121)과 배향막(160)을 주체로 구성되어 있다.
그리고, 각 기판(110, 120)은 스페이서(115)를 통해서 소정의 기판 간격(갭)이 유지되어 있다. TFT 어레이 기판(110)에 있어서, 기판 본체(110A)의 액정층(150)측 표면에는 화소 전극(109)이 설치되고, 각 화소 전극(109)에 인접하는 위치에 각 화소 전극(109)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용 TFT 소자(130)가 설치되어 있다. 화소 스위칭용 TFT 소자(130)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(103a), 상기 주사선(103a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(101a)의 채널 영역(101a'), 주사선(103a)과 반도체층(101a)을 절연하는 게이트 절연막(102), 데이터선(106a), 반도체층(101a)의 저농도 소스 영역(101b) 및 저농도 드레인 영역(101c), 반도체층(101a)의 고농도 소스 영역(101d) 및 고농도 드레인 영역(101e)을 구비하고 있다. 상기 주사선(103a) 상, 게이트 절연막(102) 상을 포함하는 기판 본체(110A) 상에는 고농도 소스 영역(101d)으로 통하는 콘택트홀(105) 및 고농도 드레인 영역(101e)으로 통하는 콘택트홀(108)이 개공한 제 2 층간절연막(104)이 형성되어 있다. 즉, 데이터선(106a)은 제 2 층간절연막(104)을 관통하는 콘택트홀(105)을 통해서 고농도 소스 영역(101d)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 데이터선(106a) 상 및 제 2 층간절연막(104) 상에는 고농도 드레인 영역(101e)으로 통하는 콘택트홀(108)이 개공한 제 3 층간절연막(107)이 형성되어 있다. 즉, 고농도 드레인 영역(101e)은 제 2 층간절연막(104) 및 제 3 층간절연막(107)을 관통하는 콘택트홀(108)을 통해서 화소 전극(109)에 전기적으로 접속되어 있다.
본 실시예에서는, 게이트 절연막(102)을 주사선(103a)에 대향하는 위치에서 연장 설치해 유전체막으로서 이용하고, 반도체막(101a)을 연장 설치해 제 1 축적 용량 전극(101f)으로 하고, 또한 이들에 대향하는 용량선(103b)의 일부를 제 2 축적 용량 전극으로 함으로써, 축적 용량(170)이 구성되어 있다. 또, TFT 어레이 기판(110A)과 화소 스위칭용 TFT 소자(130) 사이에는 화소 스위칭용 TFT 소자(130)를 구성하는 반도체층(101a)을 TFT 어레이 기판(110A)으로부터 전기적으로 절연하기 위한 제 1 층간절연막(112)이 형성되어 있다. 또한, TFT 어레이 기판(110)의 액정층(150)측 가장 표면, 즉 화소 전극(109) 및 제 3 층간절연막(107) 상에는 전압 무인가시에서의 액정층(150) 내의 액정 분자의 배향을 제어하는 배향막(140)이 형성되어 있다. 따라서, 이와 같은 TFT 소자(130)를 구비하는 영역에서는 TFT 어레이 기판(110)의 액정층(150)측 가장 표면, 즉 액정층(150)의 협지면에는 복수의 요철 없는 단차가 형성된 구성으로 되어 있다. 한편, 대향 기판(120)에는 기판 본체(120A)의 액정층(150)측 표면에서, 데이터선(106a), 주사선(103a), 화소 스위칭용 TFT 소자(130)의 형성 영역(비화소 영역)에 대향하는 영역에, 입사광이 화소 스위칭용 TFT 소자(130)의 반도체층(101a)의 채널 영역(101a')이나 저농도 소스 영역(101b), 저농도 드레인 영역(101c)에 침입하는 것을 방지하기 위한 제 2 차광막(123)이 설치되어 있다. 또한, 제 2 차광막(123)이 형성된 기판 본체(120A)의 액정층(150)측에는 그 대략 전면에 걸쳐, ITO 등으로 이루어지는 공통 전극(121)이 형성되고, 그 액정층(150)측에는 전압 무인가시에서의 액정층(150) 내의 액정 분자의 배향을 제어하는 배향막(160)이 형성되어 있다.
본 실시예에서는, 데이터선(106a), 게이트 전극을 구성하는 주사선(103a), 용량선(103b) 및 화소 전극(109) 등이 본 발명의 제조 방법에 의거해 형성된다.
본 발명은 컬러 필터의 구성 요소가 되는 막의 형성에도 이용할 수 있다.
도 17은 기판 P 상에 형성되는 컬러 필터를 나타내는 도면이고, 도 18a∼도 18f는 컬러 필터의 제조 순서를 나타내는 도면이다. 도 17에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 직사각형 형상의 기판 P 상에 생산성을 향상시키는 관점에서 복수개의 컬러 필터 영역(251)을 매트릭스 형상으로 형성한다. 이들 컬러 필터 영역(251)은 이후에 기판 P를 절단함으로써, 액정 표시 장치에 적합한 컬러 필터로서 이용할 수 있다. 컬러 필터 영역(251)은 R(적)의 액상체 조성물, G(녹)의 액상체 조성물 및 B(청)의 액상체 조성물을 각각 소정의 패턴, 본 실시예에서는 종래 공지의 스트라이프형으로 형성된다. 또한, 이 형성 패턴으로서는 스트라이프형 외에, 모자이크형, 델타형 혹은 스퀘어형 등으로 하여도 좋다. 그리고, RGB 각각의 액상체 조성물에는 상술한 계면 활성제가 첨가되어 있다.
이와 같은 컬러 필터 영역(251)을 형성하려면, 먼저 도 18a에 나타낸 바와 같이 투명한 기판 P의 한쪽의 면에 대해서, 뱅크(252)가 형성된다. 이 뱅크(252)의 형성 방법은 스핀코트 후에 노광, 현상한다. 뱅크(252)는 평면에서 볼 때 격자 형상으로 형성되고, 격자로 둘러싸이는 뱅크 내부에 잉크가 배치된다. 이 때, 뱅크(252)는 발액성을 갖는 것이 바람직하다. 또, 뱅크(252)는 블랙 매트릭스로서 기능하는 것이 바람직하다. 다음에, 도 18b에 나타낸 바와 같이, 상기 액적 토출 헤드로부터 액상체 조성물의 액적(254)이 토출되고, 필터 요소(253)에 착탄한다. 토출하는 액적(254)의 양에 대해서는 가열 공정에서의 액상체 조성물의 체적 감소를 고려한 충분한 양으로 한다. 이와 같이 하여 기판 P 상의 모든 필터 요소(253)에 액적(254)을 충전하면, 히터를 이용해 기판 P가 소정의 온도(예를 들면, 70℃ 정도)가 되도록 가열 처리된다. 이 가열 처리에 의해서, 액상체 조성물의 용매가 증발되어 액상체 조성물의 체적이 감소된다. 이 체적 현상이 격렬한 경우에는 컬러 필터로서 충분한 막두께가 얻어질 때까지, 액적 토출 공정과 가열 공정을 반복한다. 이 처리에 의해서, 액상체 조성물에 포함되는 용매가 증발되어, 최종적으로 액상체 조성물에 포함되는 고형분만이 잔류해 막화하고, 도 18c에 나타낸 바와 같은 컬러 필터(255)가 된다. 이어서, 기판 P를 평탄화하고, 또한 컬러 필터(255)를 보호하기 위해서, 도 18d에 나타낸 바와 같이 컬러 필터(255)나 뱅크(252)를 덮어 기판 P 상에 보호막(256)을 형성한다. 이 보호막(256)의 형성에 있어서는, 스핀코트법, 롤코트법, 러빙법 등의 방법을 채용할 수 있지만, 컬러 필터(255)와 마찬가지로, 액적 토출법에 의해 행할 수도 있다. 이어서, 도 18e에 나타낸 바와 같이 이 보호막(256)의 전면에, 스퍼터법이나 진공 증착법 등에 의해 투명 도전막(257)을 형성한다. 그 후, 투명 도전막(257)을 패터닝하고, 도 18f에 나타낸 바와 같이 화소 전극(258)을 필터 요소(253)에 대응시켜 패터닝한다. 또한, 액상 표시 패널의 구동에 TFT(Thin Film Transistor)를 이용하는 경우에는 이 패터닝은 불필요하다.
본 실시예에서는, 컬러 필터(255)나 화소 전극(258)을 형성할 때에 본 발명의 제조 방법을 적용할 수 있다.
본 발명은 유기 EL 장치를 제조하는 경우에도 적용할 수 있다. 도 19a∼도 19e, 도 20a∼도 20c 및 도 21a∼도 21c를 참조하면서 유기 EL 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 또한, 도 19a∼도 19e, 도 20a∼도 20c 및 도 21a∼도 21c에는 설명을 간략화하기 위해서 단일의 화소에 대한 것만이 도시되어 있다.
먼저, 기판 P가 준비된다. 여기서, 유기 EL 소자에서는 후술하는 발광층에 의한 발광광을 기판측으로부터 취출하는 것도 가능하고, 또 기판과 반대측으로부터 취출하는 구성으로 하는 것도 가능하다. 발광광을 기판측으로부터 취출하는 구성으로 하는 경우, 기판 재료로서는 유리나 석영, 수지 등의 투명 내지 반투명한 것이 이용되지만, 특히 염가의 유리가 사용되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 기판으로서 도 19a에 나타낸 바와 같이 유리 등으로 이루어지는 투명 기판 P가 이용된다. 그리고, 기판 P 상에 비정질 실리콘막으로 이루어지는 반도체막(700)이 형성된다. 이어서, 이 반도체막(700)에 대해 레이저 어닐링 또는 고상 성장법 등의 결정화 공정이 행하여지고, 반도체막(700)이 폴리실리콘막에 결정화된다. 이어서, 도 19b에 나타낸 바와 같이, 반도체막(폴리실리콘막)(700)을 패터닝해 도트 형상의 반도체막(710)이 형성되고, 그 표면에 대해 게이트 절연막(720)이 형성된다. 이어서, 도 19c에 나타낸 바와 같이 게이트 전극(643A)이 형성된다. 이어서, 이 상태로 고농도의 인 이온이 투입되고, 반도체막(710)에 게이트 전극(643A)에 대해 자기 정합적으로 소스·드레인 영역(643a, 643b)이 형성된다. 또한, 불순물이 도입되지 않았던 부분이 채널 영역(643c)이 된다. 이어서, 도 19d에 나타낸 바와 같이, 콘택트홀(732, 734)을 갖는 층간절연막(730)이 형성된 후, 이들 콘택트홀(732, 734) 내에 중계 전극(736, 738)이 매립된다. 이어서, 도 19e에 나타낸 바와 같이, 층간절연막(730) 상에, 신호선(632), 공통 급전선(633) 및 주사선(도 19a∼도 19e에 나타내지 않음)이 형성된다. 여기서, 중계 전극(738)과 각 배선은 동일 공정으로 형성되어도 좋다. 이 때, 중계 전극(736)은 후술하는 ITO막으로 형성되게 된다. 그리고, 각 배선의 상면을 덮도록 층간절연막(740)이 형성되고, 중계 전극(736)에 대응하는 위치에 콘택트홀(도시하지 않음)이 형성되고, 그 콘택트홀 내에도 매립되도록 ITO막이 형성되고, 다시 그 ITO막이 패터닝되어, 신호선(632), 공통 급전선(633) 및 주사선(도시하지 않음)에 둘러싸인 소정 위치에, 소스 드레인 영역(643a)에 전기적으로 접속하는 화소 전극(641)이 형성된다. 여기서, 신호선(632) 및 공통 급전선(633), 또 주사선(도시하지 않음)에 끼워진 부분이 후술하는 바와 같이 정공 주입층이나 발광층의 형성 장소가 되고 있다.
이어서, 도 20a에 나타낸 바와 같이, 상기한 형성 장소를 둘러싸도록 뱅크(650)가 형성된다. 이 뱅크(650)는 칸막이 부재로서 기능하는 것이고, 예를 들면 폴리이미드 등의 절연성 유기 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 또, 뱅크(650)는 액적 토출 헤드로부터 토출되는 액상체 조성물에 대해 비친화성을 나타내는 것이 바람직하다. 뱅크(650)에 비친화성을 발현시키기 위해서는, 예를 들면 뱅크(650)의 표면을 불소계 화합물 등으로 표면 처리하는 방법이 채용된다. 불소 화합물로서는 예를 들면 CF4, SF5, CHF3 등이 있고, 표면 처리로서는 예를 들면 플라즈마 처리, UV 조사 처리 등이 예시된다. 그리고, 이와 같은 구성에 기초하여 정공 주입층이나 발광층의 형성 장소, 즉 이들 형성 재료의 도포 위치와 그 주위의 뱅크(650)와의 사이에, 충분한 높이의 단차(611)가 형성된다. 이어서, 도 20b에 나타낸 바와 같이, 기판 P의 상면을 위로 향한 상태에서, 정공 주입층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물(614A)이 액적 토출 헤드에 의해 뱅크(650)에 둘러싸인 도포 위치, 즉 뱅크(650) 내에 선택적으로 도포된다. 이어서, 도 20c에 나타낸 바와 같이 가열 혹은 광 조사에 의해 액상체 조성물(614A)의 용매를 증발시켜, 화소 전극(641) 상에, 고형의 정공 주입층(640A)이 형성된다.
이어서, 도 21a에 나타낸 바와 같이, 기판(P)의 상면을 위로 향한 상태에서, 액적 토출 헤드로부터 발광층 형성용 재료(발광 재료)를 포함하는 액상체 조성물(614B)이 뱅크(650) 내의 정공 주입층(640A) 상에 선택적으로 도포된다. 발광층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물(614B)을 액적 토출 헤드로부터 토출하면, 액상체 조성물(614B)은 뱅크(650) 내의 정공 주입층(640A) 상에 도포된다. 여기서, 액상체 조성물(614B)의 토출에 의한 발광층의 형성은 적색의 발색광을 발광하는 발광층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물, 녹색의 발색광을 발광하는 발광층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물, 청색의 발색광을 발광하는 발광층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물을, 각각 대응하는 화소에 토출 도포함으로써 행한다. 또한, 각 색에 대응하는 화소는 이들이 규칙적인 배치가 되도록 미리 결정되어 있다. 이와 같이 하여 각 색의 발광층 형성용 재료를 포함하는 액상체 조성물(614B)을 토출하여 도포하면, 액상체 조성물(614B) 중의 용매를 증발시킴으로써, 도 21b에 나타낸 바와 같이 정공층 주입층(640A) 상에 고형의 발광층(640B)이 형성되고, 이에 의해 정공층 주입층(640A)과 발광층(640B)으로 이루어지는 발광부(640)가 얻어진다. 그 후, 도 21c에 나타낸 바와 같이, 투명 기판 P의 표면 전체에 또는 스트라이프 형상으로 반사 전극(654)(대향 전극)이 형성된다. 이렇게 해서, 유기 EL 소자가 제조된다.
또한, 화소 전극을 반사 특성을 갖는 전극으로 하고, 대향 전극으로서 투명성을 갖는 전극(투명 전극)을 형성하는 구조로 하여도 상관없다. 그 경우, 도면에서 위쪽으로 발광하는 광이 사출된다. 또한, 화소 전극으로서 투명성을 갖는 전극을 형성하고, 화소 전극보다도 하층에 반사성을 갖는 재료를 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 예를 들면, 알루미늄(Al) 등의 재료를 주성분으로 하는 재료로 형성할 수 있고, 전술한 바와 마찬가지로, 도면상의 위쪽에 광이 사출되는 구조로 된다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 정공 주입층(640A) 및 발광층(640B)이 액적 토출법에 기초해서 형성되고, 본 발명의 제조 방법이 적용된다. 또, 신호선(632), 공통 급전선(633), 주사선 및 화소 전극(641) 등도, 본 발명의 제조 방법에 기초해서 형성된다.
본 발명에 의하면, 멀티 노즐 헤드를 이용해 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때, 소망의 위치에 액적을 토출할 수 있어 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 이용되는 액적 토출 장치를 나타내는 개략 사시도.
도 2는 액적 토출 헤드의 개략 외관도.
도 3은 본 발명의 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 토출 노즐의 간격과 단위 영역을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 설명도.
도 5는 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 설명도.
도 6은 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 설명도.
도 7은 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 설명도.
도 8은 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 설명도.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 실시예를 나타내는 설명도.
도 10은 본 발명의 디바이스의 일례를 나타내는 도면으로서, 플라즈마형 표시 장치를 나타내는 분해 사시도.
도 11은 본 발명의 디바이스의 일례를 나타내는 도면으로서, 액정 표시 장치를 나타내는 평면도.
도 12a∼도 12c는 본 발명의 전자 기기를 나타내는 도면으로서, 12a는 휴대 전화의 일례를 나타내는 도면, 12b는 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타내는 도면, 12c는 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 디바이스의 일례를 나타내는 도면으로서, 비접촉형 카드 매체의 분해 사시도.
도 14는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 액정 표시 장치의 스위칭 소자 및 신호선 등의 등가 회로도.
도 15는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 액정 표시 장치의 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 평면도.
도 16은 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 액정 표시 장치의 주요부 단면도.
도 17은 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 컬러 필터의 모식도.
도 18a∼도 18f는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 컬러 필터의 모식도.
도 19a∼도 19e는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 유기 EL 장치의 제조 공정을 나타내는 모식도.
도 20a∼도 20c는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 유기 EL 장치의 제조 공정을 나타내는 모식도.
도 21a∼도 21c는 본 발명의 디바이스의 제조 방법이 적용되는 유기 EL 장치의 제조 공정을 나타내는 모식도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 액적 토출 헤드
10 토출 노즐
101 기판
IJ 액적 토출 장치

Claims (30)

  1. 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 토출 노즐로부터 상기 기판에 대해 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막(製膜)하는 공정을 갖는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과,
    상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by로 할 때,
    by=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때,
    bx1=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때,
    bx1=by=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 상대 이동하면서 상기 토출을 할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향에서 상기 액적을 토출하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 상대 이동하면서 상기 토출을 하고, 상기 액적 토출 헤드와 상기 기판을 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 크기 by의 양의 정수배만큼 상대적으로 스텝 이동한 후, 상기 토출을 하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스텝 이동한 후, 상기 토출을 할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서 상기 액적을 토출하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출 노즐의 간격 a 또는 그 1/n (n은 2 이상의 정수)을 기본 단위로서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행할 때에, 설정된 상기 단위 영역을 기초로 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 기재된 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 디바이스.
  10. 제 9 항에 기재된 디바이스를 구비한 전자 기기.
  11. 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 나란하게 설치된 복수의 토출 노즐로부터 상기 기판에 대해서 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막(製膜)하는 공정을 갖는 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과,
    상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    미리 규정되어 있는 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 규정치를 bky,
    상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by2,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx2 하고,
    상기 액적 토출 헤드를 상기 소정 방향과 직교하는 방향에 대해서 각도 θ 기울여 상기 상대 이동할 때,
    by2=bky/n (n은 양의 정수), 또한
    bx2=(a·sinθ)/m (m은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 토출 노즐의 간격 a 또는 그 1/n (n은 2 이상의 정수)을 기본 단위로서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행할 때에, 설정된 상기 단위 영역을 기초로 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 기재된 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 디바이스.
  15. 제 14 항에 기재된 디바이스를 구비한 전자 기기.
  16. 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수의 토출 노즐로부터 상기 기판에 대해 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막(製膜)하는 공정을 갖는 배선 패턴의 제조 방법으로서,
    상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과,
    상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a, 상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by로 할 때,
    by=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때,
    bx1=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx1 할 때,
    bx1=by=a/n (n은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 상대 이동하면서 상기 토출을 할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향에서 상기 액적을 토출하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 상대 이동하면서 상기 토출을 하고, 상기 액적 토출 헤드와 상기 기판을 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 크기 by의 양의 정수배만큼 상대적으로 스텝 이동한 후, 상기 토출을 하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 스텝 이동한 후, 상기 토출을 할 때, 상기 기판 상에 배치된 액적끼리 중첩하지 않거나 또는 상기 기판 상에 배치된 때의 액적의 직경의 10% 이하의 중첩을 발생시키도록, 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서 상기 액적을 토출하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 토출 노즐의 간격 a 또는 그 1/n (n은 2 이상의 정수)을 기본 단위로서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행할 때에, 설정된 상기 단위 영역을 기초로 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  24. 제 16 항에 기재된 배선 패턴의 제조 방법에 의해 제조된 배선 패턴.
  25. 제 24 항에 기재된 배선 패턴을 구비한 전자 기기.
  26. 액적 토출 헤드와 기판을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키고, 상기 액적 토출 헤드에 형성되어 상기 소정 방향과 교차하는 방향으로 나란하게 설치된 복수의 토출 노즐로부터 상기 기판에 대해서 액상 재료를 토출하고, 상기 기판 상에 소정의 패턴을 제막(製膜)하는 공정을 갖는 배선 패턴의 제조 방법으로서,
    상기 기판에 대해서 상기 액상 재료의 액적이 토출되는 격자 형상의 복수의 단위 영역을 설정하는 공정과,
    상기 복수의 단위 영역 중 소정의 단위 영역에 대해서 상기 토출 노즐로부터 상기 액적을 토출하여 상기 패턴을 형성하는 공정을 갖고,
    미리 규정되어 있는 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 규정치를 bky,
    상기 액적 토출 헤드의 상기 토출 노즐의 간격을 a,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향과 교차하는 방향에서의 크기를 by2,
    상기 단위 영역의 상기 소정 방향에서의 크기를 bx2 하고,
    상기 액적 토출 헤드를 상기 소정 방향과 직교하는 방향에 대해서 각도 θ 기울여 상기 상대 이동할 때,
    by2=bky/n (n은 양의 정수), 또한
    bx2=(a·sinθ)/m (m은 양의 정수)
    의 조건을 만족하도록, 상기 단위 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 토출 노즐의 간격 a 또는 그 1/n (n은 2 이상의 정수)을 기본 단위로서, 상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 토출에 의해 형성되는 패턴 이외의 패턴 설계를 행할 때에, 설정된 상기 단위 영역을 기초로 설계를 행하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  29. 제 26 항에 기재된 배선 패턴의 제조 방법에 의해 제조된 배선 패턴.
  30. 제 29 항에 기재된 배선 패턴을 구비한 전자 기기.
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