KR100460813B1 - 멀티수정제어발진기 - Google Patents
멀티수정제어발진기Info
- Publication number
- KR100460813B1 KR100460813B1 KR1019970007922A KR19970007922A KR100460813B1 KR 100460813 B1 KR100460813 B1 KR 100460813B1 KR 1019970007922 A KR1019970007922 A KR 1019970007922A KR 19970007922 A KR19970007922 A KR 19970007922A KR 100460813 B1 KR100460813 B1 KR 100460813B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oscillator
- crystal
- crystal oscillator
- coupled
- switch
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
멀티 수정 진동자를 포함하는 수정 제어 발진기(10)와 이 발진기를 스위칭 방법은 제 1 수정 진동자(11)와, 제 2 수정 진동자(14)와, 발진기 회로(23)와, 스위치를 포함한다. 스위치(29)는 제 1 수정 진동자와 발진기 회로사이 및 제 2 수정 진동자와 발진기 회로사이에 결합하며, 수정 진동자 선택 신호(XTAL SELECT)에 응답하여 제 1 수정 진동자(11) 또는 제 2 수정 진동자(14)를 발진기 회로에 결합시킨다. 발진기(10)는 제 1 수정 진동자(11)와 전기적 그라운드(18)사이에 결합된 제 1 풀다운 FET(72)와 제 2 수정 진동자(14)와 전기 그라운드(18)사이에 결합된 제 2 풀다운 FET(74)를 구비하며, 스위치(29)가 제 1 수정 진동자(11)를 발진기 회로(23)에 결합시켰을 때, 제 2 풀다운 FET(74)는 제 2 수정 진동자(14)를 전기적으로 접지시키고, 스위치(29)가 제 2 수정 진동자(14)를 발진기 회로(23)에 결합시켰을 때, 제 1 풀다운 FET(72)는 제 1 수정 진동자(11)를 전기 그라운드(18)에 결합시킨다.
Description
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 발진기들에 관한 것으로, 더 상세하게는 수정 제어 발진기들에 관한 것이다.
발명의 배경
모놀리식 집적 회로형으로 제조하기에 적합하고, 전압 제어 발진기(VCO)로서 동작하는 수정 제어 발진기들은 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진자들에게는 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 제4,571,588호에는 이러한 발진기가 기술되어 있다. 이 특허 출원('588)에 개시된 발진기 회로는 외부 수정 진동자 네트워크(external crystal resonator network)에 결합하는 집적 회로부터의 단지 하나의 외부 핀아웃을 요구하고 있으며, 이 발진기('588)는 차동 증폭기의 입력과 출력간에 결합되는 한 쌍의 적분기들을 포함하는 발진 지속 피드백 루프(oscillation sustaining feedback loop)를 포함하고, 그리고 이들 사이에 발진을 지속적으로 하기 위한 위상 천이 시프트(correct phase shift)를 도입하고 있다.
양품률을 향상시키고 제조비용을 절감하기 위한 단순 구조를 갖는 개선된 집적 수정 제어 발진기는 미국 특허 제4,646,033호에 기술되어 있다. 이 발진기('033발진기)는 주파수 안정성을 향상시키고 이미터 결합 논리회로(ECL; emitter-coupled-logic)의 부하를 구동할 수 있다. 이 특허('033특허)는 본 특허 출원과 발명자가 같고 출원인도 같다. '033발진기의 특징은 주파수 조절회로가 제2 증폭기의 출력에 결합되어 있다는 것이다. 주파수 조절 회로는 가변 위상 시프트를 피드백 루프내에 도입하여 수정 진동자의 주파수를 변화시킴으로써 발진기가 VCO로서 동작할 수 있도록 한다.
비디오 캡쳐(video capture) 또는 PIP(picture-in-picture) 비디오 시스템과 같은 멀티 수정 진동자 응용분야에서 각 수정 진동자마다 하나의 외부 핀을 유지하면서 버스를 통해 수정 진동자들의 스위칭을 가능하게 할 필요성이 있다.
따라서, 본 발명의 이점은 외부 수정 진동자 네트워크와 결합하는 집적 회로로부터의 단지 하나의 외부 핀만을 추가로 필요로 하는 발진회로에 관한 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 이점은 양품률을 증가시키고 생산비용을 절감하는 단순구조를 갖는 집적된 수정 제어 발진기를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 이점은 향상된 주파수 안정성을 제공하여 이미터 결합 논리회로(ECL)의 부하를 구동할 수 있도록 하는 것이다. 본 발명의 또 다른 장점은 주파수 조절회로에 결합된 경우에는 VCO로서 동작가능하다는 것이다. 본 발명의 또 다른 이점은 비디오 캡쳐 또는 PIP 비디오 시스템과 같은 복수의 수정 진동자 응용 분야에서 버스를 통해 수정 진동자를 스위칭할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 상기 특징과 그 외 다른 특징은 첨부도면과 관계되는 상세한 설명으로부터 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 양호한 실시예에 따른 듀얼 수정 발진기(dual crystal oscillator)를 개략적으로 설명하는 개략도이다. 비록 본 실시예가 2개의 수정 진동자를 이용하고 있지만 본 발명에 따른 방법 및 장치는 2개이상의 수정 진동자를 이용하는 것이 일반적이다. 더욱이, 도 1에 개략적으로 도시된 본 방법과 장치는 PIP 시스템(즉, 유럽표준 대 미국표준 등과 관련된 서브-캐리어에 관한 수정 진동자를 선택한다)에서 응용될 수 있다. 또한, 도 1에 개략적으로 설명된 장치는 모놀리식 집적회로형으로 제조될 수 있다.
도 1의 발진기(10)는 복수의 수정 진동자를 통해 제어되는 발진기이며, 수정(11) 또는 수정(14)에 대한 단지 하나의 추가 외부 단자(12) 또는 외부 단자(31)만을 필요로 한다. 수정(11) 및 수정(14)은 발진기(10)용의 제 1 및 제 2 수정진동자를 각각 구성한다. 수정 진동자(14)는 커패시터(16)와 직렬로 결합되어 노드(20)에서 전지적으로 접지된다. 유사하게, 수정 진동자(11)는 커패시터(13)와 직렬로 결합되어 노드(20)에서 전기적으로 접지된다. 단자(12)(XTAL1과 수정 진동자(11)의 제 2 측과 결합을 제공함)와 단자(31)(XTAL2와 수정 진동자(14)의 제 2 측의 결합을 제공함)가 스위치(29)에 결합된다. 스위치(29)에는 발진기가 수정 진동자(11)와 수정 진동자(14)간을 스위칭하기 위한 수단이 제공되고, 증폭기(15)뿐만 아니라 전송 게이트들(17,19)을 포함하고 있다.
도 1에서 스위치(29)에 입력되는 수정 진동자 선택 입력(XTAL SELECT) 신호는 증폭기(15)에 입력된다. 증폭기(15)의 출력(입력된 XTAL SELECT이 반전되고 증폭됨)은 전송 게이트(17)의 반전 입력과 전송 게이트(19)의 비반전 입력간에 결합된다. 전송 게이트(19)의 반전 입력은 전송 게이트(17)의 비반전 입력뿐만 아니라 XTAL SELECT 입력과도 결합한다. 단자(12)는 전송 게이트(19)의 입력과 결합하고, 단자(31)는 전송 게이트(17)의 입력과 결합한다. 전송 게이트(19,17)의 출력들은 결합되어 스위치 출력(27)을 이룬다.
또한, 도 1의 단자(31)는 트랜지스터(21)의 베이스와 결합된다. 트랜지스터(21)의 컬렉터는 전원 도체(32)와 결합되고(동작 전위 Vcc), 트랜지스터(21)의 이미터는 저항(30)의 제 1 측에 결합된다. 차동 결합된 트랜지스터(24,26)를 포함하는 제 1 증폭기(22)는 트랜지스터(24)의 베이스를 입력으로 이용하고, 노드(28)를 출력으로 이용한다. 트랜지스터(24)의 베이스는 스위치 출력(25)(XTAL1 입력)에서 단자(12)와 결합된다. 트랜지스터들(24,26)의 이미터들은 트랜지스터(21)의 이미터뿐만 아니라 저항(30)을 통하여 전기적 그라운드(18)에 결합한다. 전류원(34)으로부터 노드(28)와 트랜지스터(26)의 컬렉터에 전류 I가 공급되는 반면, 트랜지스터(24)의 컬렉터는 Vcc의 전원 도체(32)와 직접 결합된다. 트랜지스터(26)의 베이스는 스위치의 출력(27)과 노드(37)에 결합된다.
커패시터(38)를 포함하는 제 1 적분기는 증폭기(22)의 출력단인 노드(28)와 노드(20)의 전지적 그라운드사이에 결합된다. 트랜지스터(26)의 높은 임피던스 출력과 관련하여, 이는 증폭기(22)의 출력에서 나타나는 전압의 위상을 90도 지연시키게 한다. 증폭기(22)의 출력전압 신호는 트랜지스터(40)로 구성된 이미터 팔로워의 베이스에 공급되어 트랜지스터(42)의 베이스와 전류원(44)의 단자에서 어떠한 위상 천이도 없이 나타난다.
트랜지스터(42)는 트랜지스터(46)와 차동 결합되고 제 2 차동 증폭기(48)를 형성한다. 트랜지스터들(42,46)의 이미터들은 전류원(50)(전류 21 생성)을 통해 노드(20)에서 전기적 그라운드(18)와 결합한다. 트랜지스터(42)의 컬렉터는 직접 전원 도체(32)와 결합하고 트랜지스터(46)의 컬렉터는 전류원(52)(전류 1 생성)을 통해 전원 도체(32)와 결합한다. 제 2 차동 증폭기(48)는 제 2 증폭기로서 작용하고, 그 입력은 트랜지스터(42)의 베이스에 대응한다. 증폭기(48)의 출력은 트랜지스터(46)의 컬렉터에서 노드(54)에 공급된다. 직류(DC) 바이어스 전압(Vref)은 트랜지스터(46)의 베이스에 공급된다.
커패시터(56)를 포함하는 제 2 적분기는 출력 노드(54)와 노드(20)의 전기적 그라운드(18)사이에 결합되고, 트랜지스터(46)의 높은 컬렉터 임피던스와 관련해 그 양단에 전개되는 전압의 위상을 90도 늦추게 한다. 이 전압은 노드(37)에서 트랜지스터(58)로 구성된 이미터 팔로워의 베이스에 인가된다. 노드(37)는 전류원(60)을 통해 노드(20)에서 전기적 그라운드(18)에 결합된다. 또한, 노드(37)는 트랜지스터(26)의 베이스와 결합하고, 스위치(29)를 통해 트랜지스터(24)의 베이스에 결합한다.
증폭기(22)의 출력으로부터 증폭기(48)를 거쳐 증폭기(22)의 입력으로 다시 돌아오는 도 1의 결합구성(커패시터(38,56)를 포함)은 이하 기술되는 발진을 지속하기 위한 피드백 루프를 제공한다. 설명의 목적상, 발진기(10)를 정지 발진 상태라고 가정하며, 노드(37)에서 나타나는 발진 신호의 위상을 0 이라 한다. 발진을 지속하기 위해서는 앞서 기술한 피드백 루프가 노드(37)에서 증폭기(22,48)를 거쳐 이미터 팔로워 트랜지스터들(40,58)을 통해 다시 노드(37)로 되돌아가는 포지티브 피드백를 제공해야만 하므로, 트랜지스터(58)의 이미터에서 나타난 신호는 0 위상을 갖는다.
도 1의 회로 내에 결합된 수정 진동자(14)를 이용하는 정지발진상태에서, 발진기(10)는 수정 진동자(14)의 공진 주파수에서 발진할 것이다. 이하에서 설명되는 바와 같이, 발진기(10)의 제 2 동작모드는 수정 진동자(11)를 수정 진동자(14)대신에 회로내 결합시킨다. 회로의 기능은 여전히 같지만, 이하에서 기술되는 바와 같이 수정 진동자(14) 대신 수정 진동자(11)를 회로와 결합시켰기 때문에, 발진기(10)는 수정 진동자(11)의 공진 주파수에서 발진한다. XTAL SELECT 신호의 입력에서 전송 게이트(19)가 온 상태일 때, 전송 게이트(17)가 오프라면, 도 1에서 수정 진동자(11)가 발진기(10)와 결합되어 동작되고, 반대로, XTAL SELECT 신호의 입력에서 전송 게이트(19)가 오프 상태일 때, 전송 게이트(17)가 온 이라면, 도 1에서 수정 진동자(14)가 공진기 네트워크의 전송에 결합되어 동작된다. 그러므로, 스위치(29)는 스위치(29)에 입력되는 XTAL SELECT 신호에 응답하여 수정 진동자(11) 또는 수정 진동자(14)를 선택적으로 발진기 회로(23)와 스위칭하거나 결합시킨다.
도 2에서는 전계 효과 트랜지스터(FET)(72)가 전송 게이트(19)가 온 상태일 때, 전송 게이트(17)의 양단에 걸리는 전위차를 0 으로 풀다운시키는 수단을 제공하고, FET(74)는 전송 게이트(17)가 온 상태일 때, 전송 게이트(19)의 양단에 걸리는 전위차를 0 으로 풀다운시키는 수단을 제공한다. 이러한 풀다운기구는 본발명의 방법과 장치가 구현될 수 있는 디바이스내 근접한 반도체 칩 구조에 대한 용량성 간섭을 최소화하거나 억제할 수 있다.
설명을 위해, 도 1의 발진기 회로의 기능은 스위치(29)에 의해 발진기(10)로부터 분리된 수정 진동자(11)와 상기 회로내 결합된 수정 진동자(14)의 예를 들어 설명한다. 이러한 조건하에서, 수정 진동자(14)와 커패시터(16)는 트랜지스터(24)의 베이스에서 나타나는 어느 발진신호의 접지까지의 단락회로 경로를 제공한다. 그러므로, 발진 주파수에서 전류원(60)의 양단에서 전개되는 전압은 트랜지스터(26)를 통해 반전되어 노드(37)에 생성된 발진신호에 대하여 180도의 위상차를 보이는 신호가 노드(28)에서 나타난다.
커패시터(38)의 양단에는 트랜지스터(26)의 컬렉터에서 생성된 전압과 90도 만큼 위상지연를 보이는 전압이 생성됨으로써 노드(37)에서 전개된 전압신호와 +9O만큼 위상이 지연된다. 이미터 팔로워 트랜지스터(40)의 레벨은 상기 트랜지스터(40)의 베이스에 인가된 전압을 천이한다. 이미터 팔로워 트랜지스터(40)는 자신의 베이스에 인가된 전압의 레벨을 천이하여 커패시터(38)의 양단에 전개되는 전압과 같은 위상을 갖는 전류원(44)의 양단에 전압을 제공한다. 따라서, 트랜지스터(42)의 베이스에 공급된 전압은 노드(37)의 전압에 대해 +90도의 위상차를 보인다.
트랜지스터(46)의 컬렉터에서 생성된 전압은 트랜지스터(42)에 공급된 전압과 동일위상을 갖는다. 트랜지스터(46)의 컬렉터에서 전압의 위상을 90도 만큼 지연시키는 커패시터(56)의 양단에 전압이 전개되고, 따라서, 노드(37)에서 전개된 전압신호와 동일위상 내에 있다. 이미터 팔로워 트랜지스터(58)에서는 베이스에 공급된 전압의 전압 레벨을 천이하여 노드(37)에 전압을 제공하며, 가정한 발진신호와 동일 위상 내에 있다. 그러므로, 발진은 피드백 루프가 이 루프에 관해 360도 위상천이를 제공할 때 수정 진동자(14)의 공진 주파수에서 발진기(10)에 의해 유지된다.
네가티브 DC 피드백은 트랜지스터(58)의 이미터에서 중지 전압레벨을 트랜지스터(24,26,42,46)의 모든 베이스 전압을 동일한 전압으로 설정함으로써 Vref로 설정하는데 이용된다. 트랜지스터(46)의 베이스에서 전압이 증가된다고 한다면, 네가티브 피드백 루프에서는 트랜지스터(58)의 베이스 전위를 감소시키게 되며, 노드(37)와 트랜지스터(24,26)의 베이스에서 전위도 상기 전위감소와 대응하게 감소된다. 따라서, 트랜지스터(40)의 베이스 전압은 증가될 것이며, 이로 인해 트랜지스터(42)의 베이스에 인가된 전압도 트랜지스터(46)의 베이스에서 바이어스 전위 증가와 균형을 이룰 때까지 증가된다. 따라서, 네가티브 DC 피드백 루프는 발진기(10)의 DC동작조건을 설정한다. 저항(30)을 통해 흐르는 전류를 21의 값으로 설정함으로써, 트랜지스터(24,26,42, 46)의 모든 베이스는 바이어스 전위를 포함하는 전압 Vref으로 설정된다.
상술한 바와 같이, 발진기(10)는 수정 진동자(14)의 고정 공진 주파수 또는 수정 진동자(11)의 고정 공진 주파수에서 수정이 발진기(10)의 노드(37)에 결합했는가에 따라 동작할 수 있다. 증폭기(15)의 입력(XTAL SELECT)에 따라 전송게이트(19)가 온 상태일 때, 전송 게이트(17)는 오프 상태라면, 수정 진동자(11)는 전송 게이트(19)를 통해 노드(37)에서 발진기(10)와 결합되어 동작하게 된다. 반대로, 증폭기(15)의 입력(XTAL SELECT)에 따라 전송 게이트(19)가 오프 상태일 때, 전송 게이트(17)는 온 상태라면, 수정 진동자(14)가 노드(37)에서 공진기 네트워크의 전송 게이트(17)와 내부 결합되어 동작하게 된다.
발진기(10)는 전압 제어 발진기(VCO)로서도 이용될 수 있는데, 주 신호경로와 발진신호의 가변부를 직각으로 하여 수정의 주파수를 천이시킨다. 이러한 방법과 장치는 본 출원의 발명자와 본 출원인에 의해 출원된 발명의 명칭이"Crystal Controlled Oscillator"인 미국 특허 제 4,643,033호에 기술되어 있으며, 본 명세서의 참조용으로 활용된다.
도 2는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 도 1의 듀얼 수정 발진기에서 이용하기에 적합한 듀얼 수정 스위치(29)를 설명하는 개략도이다. 스위치(29)는 3개의 입력, 즉 XTAL1, XTAL2, 및 XTAL SELECT를 갖는다. 이 세 입력 중 처음 두 입력은 각기 수정 진동자(11)와 수정 진동자(14)가 결합하고, 후자의 입력은 수정진동자(11,14)를 선택하기 위한 선택입력이다.
도 2에서 FET(72)의 드레인은 스위치(29)의 XTAL2 입력에 결합되고 FEF(72)의 소스는 노드(90)에서 접지와 결합된다. FET(74)의 드레인은 스위치(29)의 XTAL1입력에 결합되고, FET(74)의 소스는 노드(90)에서 접지와 결합된다. FET(72)의 베이스는 FET(76)의 베이스와 결합된다. 또한, FET(76)의 베이스는 FET(78)의 반전 베이스와 결합된다. FET(78)의 드레인은 FET(76)의 드레인과 결합되며, FET(76)의 소스는 노드(90)에서 그라운드에 결합된다. FET(74)의 베이스는 FET(76)의 드레인과 노드(92)에 결합된다.
도 2에서 전송 게이트(17)는 FET(80,82)를 구비하고, 도 2에서 전송 게이트(19)는 FET(84,86)을 구비한다. FET(80)의 드레인은 FET(82)의 소스와 결합되고, XTAL2입력과 공통결합이 이루어진다. FET(80)의 소스는 FET(82)의 드레인과 결합된다. FET(80)의 베이스는 노드(92)와 결합된다.
유사하게, 전송 게이트(19)는 FE7(84,86)를 구비한다. FET(84)의 드레인은 FET(86)의 소스와 결합되고, XTAL1 입력뿐만 아니라 출력(25)과의 공통결합이 이루어진다. FET(84)의 소스는 FET(86)의 드레인과 결합되고, FET(80,82)의 소스, 드레인간의 공통결합과 출력(27)이 공통 결합된다. FET(82)의 반전 베이스는 노드(94)와 결합된다. 본 발명의 양호한 실시에에서, 스위치(29) 소자의 임피던스는 상기 '033 특허에서 피드백 저항(저항(36))의 저항값과 근사하다.
상술한 바와 같이, 도 1에서 발진기(10)는 수정 진동자(14)의 고정 공진 주파수 또는 수정 진동자(11)의 고정 공진 주파수에서 어느 수정이 발진기(10)의 노드(37)에 구동결합되는가에 따라 동작할 수 있다. 도 2에서 스위치(29)에 인가되는 입력 XTAL SELECT이 전송 게이트(19)를 온 한다면, 이때, 전송 게이트(17)는 오프 상태로 되고, 수정 진동자(11)는 도 1의 발진기(10)와 내부결합되어 동작하게 된다. 반대로, 입력 XTAL SELECT이 전송 게이트(19)를 오프 한다면, 이때, 전송 게이트(17)는 온 상태로 되고, 도 1의 수정 진동자(14)는 공지회로 전송 게이트와 내부 결합되어 동작하게 된다. 도 2에서는 FET(72)가, 전송 게이트(19)가 온 상태일 때, 전송 게이트(17)의 양단에 걸리는 전위차를 0 으로 풀 다운시키고, FET(74)는 전송 게이트(19)가 온 상태일 때, 전송 게이트(17)의 양단에 걸리는 전위차를 0으로 풀 다운시킨다. 이러한 풀 다운 장치는 본 발명의 방법과 장치가 구현될 수 있는 디바이스내 근접한 반도체 칩 구조에 대한 용량성 간섭을 최소화하거나 억제한다.
그러므로, 본 발명에 따른 실시예에서는 상기 목적과 앞서 드러난 이점을 충분히 만족하는 수정발진기의 수정을 스위칭하기 위한 방법 및 장치가 제공되며, 본 방법과 장치는 외부 수정 공진기 네트워크와 결합을 위해 수정 진동자마다 하나의 외부 핀아웃를 설계한다. 또한, 본 방법과 장치는 양품률을 증가시키고 생산비용을 절감하기 위한 것 뿐만아니라 향상된 주파수 안정성과 이미터 결합 논리회로(ECL)를 로드할 수 있는 기능을 제공하는 간단한 구조를 제공한다. 또한, 본 방법과 장치는 주파수 조절회로로서도 이용되어 발진기가 VCO로서 동작하도록 할 수 있다. 또한, 본 방법과 장치는 영상포착 또는 PIP(picture-in-picture)영상시스템에서 버스 제어를 통하여 수정 진동자의 스위칭이 가능하다.
비록, 본 발명이 특정 실시예를 통해 기술되었다하더라도, 많은 대안과 수정과 변형 실시예는 앞서 기술한 범위내에서 종래 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람들에게는 명백하다. 따라서, 본 발명은 부가된 청구범위의 정신과 넓은 범위를 벗어나지 않고 모든 그러한 대안과 수정과 변형이 가능하다.
도1은 본 발명의 양호한 실시예에 따른 듀얼 수정 발진기를 설명하는 개략도.
도2는 도 1의 듀얼 수정 발진기에서 적합하게 이용되는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 듀얼 수정 스위치를 설명하는 개략도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
11,14 : 수정 진동자 29 : 스위치
34,52 : 전류원 32 : 전압원
12: 외부 단자 13 : 커패시터
Claims (2)
- 멀티 수정 제어 발전기에 있어서:제 1 수정 진동자와;제 2 수정 진동자와;발진기 회로와;상기 제 1 수정 진동자와 상기 발진기 회로사이 및 상기 제 2 수정 진동자와 상기 발진기 회로사이에 결합되는 스위치를 포함하며;상기 스위치는 상기 스위치로의 수정 진동자 선택 입력에 응답하여, 상기 제 1 수정 진동자를 상기 발진기 회로에 전기적으로 결합시키거나 상기 제 2 수정 진동자를 상기 발진기 회로에 전기적으로 결합시키기 위해 피드백 저항과 근사적으로 등가의 임피던스를 포함하는, 멀티 수정 제어 발진기.
- 멀티 수정 제어 발진기를 스위칭하는 방법에 있어서:제 1 수정 진동자, 제 2 수정 진동자, 발진기 회로 및 스위치를 제공하는 단계와;상기 스위치로의 수정 진동자 선택 입력에 응답하여, 상기 제 1 수정 진동자와 상기 발진기 회로사이 및 상기 제 2 수정 진동자와 상기 발진기 회로사이에서 피드백 저항과 근사적으로 등가의 임피던스를 택일적으로 스위칭하는 단계를 포함하는, 멀티 수정 제어 발진기의 스위칭 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US610,006 | 1990-11-07 | ||
US08/610,006 US5646580A (en) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | Method and apparatus for switching crystals in a crystal controlled oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970068125A KR970068125A (ko) | 1997-10-13 |
KR100460813B1 true KR100460813B1 (ko) | 2005-06-02 |
Family
ID=24443224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970007922A KR100460813B1 (ko) | 1996-03-04 | 1997-03-04 | 멀티수정제어발진기 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5646580A (ko) |
EP (1) | EP0794611A1 (ko) |
JP (1) | JPH1022733A (ko) |
KR (1) | KR100460813B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000236218A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | 発振器および電圧制御型発振器 |
KR100447743B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-09-08 | (주)쎄트렉아이 | 복수의 공진기를 포함하는 전압제어 발진 장치 |
US7075381B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-07-11 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oscillator circuit and oscillator |
US7060864B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-06-13 | Saudi Basic Industries Corporation | Toluene methylation process |
DE102004028068A1 (de) * | 2004-06-09 | 2005-12-29 | Epcos Ag | Oszillator |
JP4623595B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2011-02-02 | 日本電波工業株式会社 | 周波数選択型発振器回路 |
JP2009267887A (ja) * | 2008-04-26 | 2009-11-12 | Kyocera Kinseki Corp | 温度補償型水晶発振器 |
JP5912598B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-04-27 | 日本電波工業株式会社 | 電圧制御発振回路及び水晶発振器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495187A (en) * | 1967-04-21 | 1970-02-10 | Int Standard Electric Corp | Crystal controlled semiconductor oscillator |
US5229735A (en) * | 1992-03-30 | 1993-07-20 | Macrovision Corporation | Wide frequency deviation voltage controlled crystal oscillator having plural parallel crystals |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3233191A (en) * | 1961-03-13 | 1966-02-01 | Litton Systems Inc | Amplitude stabilized variable frequency oscillator |
US3614667A (en) * | 1964-03-19 | 1971-10-19 | Itek Corp | Switchable and modulatory crystal oscillator |
US3581239A (en) * | 1969-03-05 | 1971-05-25 | Motorola Inc | Frequency modulated crystal controlled oscillator operable at a plurality of temperature compensated center frequencies |
US3626330A (en) * | 1970-01-15 | 1971-12-07 | Itt | Capacitive diode controlled oscillator frequency shift keying circuit |
US3763440A (en) * | 1972-04-24 | 1973-10-02 | Integrated Systems Technology | Temperature compensated signal generation circuit employing a single temperature sensing element |
US3854093A (en) * | 1973-04-20 | 1974-12-10 | Regency Electronic Inc | Transceiver channel selector |
JPS622813Y2 (ko) * | 1979-07-20 | 1987-01-22 | ||
DE3382208D1 (de) * | 1982-12-15 | 1991-04-18 | Nec Corp | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
US4571588A (en) | 1983-05-23 | 1986-02-18 | Varian Associates, Inc. | Scaling circuit for remote measurement system |
GB2152312B (en) * | 1983-11-01 | 1987-04-23 | Motorola Inc | Oscillator circuit |
US4646033A (en) * | 1986-04-03 | 1987-02-24 | Motorola, Inc. | Crystal controlled oscillator |
DE3718292A1 (de) * | 1987-05-30 | 1987-10-22 | Harald Helpert | Colpitts-quarzoszillator mit grossem ziehbereich |
US5150079A (en) * | 1990-03-27 | 1992-09-22 | Dallas Semiconductor Corporation | Two-mode oscillator |
-
1996
- 1996-03-04 US US08/610,006 patent/US5646580A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9059797A patent/JPH1022733A/ja active Pending
- 1997-02-27 EP EP97103194A patent/EP0794611A1/en not_active Withdrawn
- 1997-03-04 KR KR1019970007922A patent/KR100460813B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495187A (en) * | 1967-04-21 | 1970-02-10 | Int Standard Electric Corp | Crystal controlled semiconductor oscillator |
US5229735A (en) * | 1992-03-30 | 1993-07-20 | Macrovision Corporation | Wide frequency deviation voltage controlled crystal oscillator having plural parallel crystals |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0794611A1 (en) | 1997-09-10 |
US5646580A (en) | 1997-07-08 |
KR970068125A (ko) | 1997-10-13 |
JPH1022733A (ja) | 1998-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8076986B2 (en) | Switching capacitor generation circuit | |
US20030231072A1 (en) | Voltage controlled oscillator circuit and method | |
US5469116A (en) | Clock generator circuit with low current frequency divider | |
JPH03162118A (ja) | プログラム可能電圧制御リング発振器 | |
JPH11355105A (ja) | 信号制御発振器用に配列された遅延要素 | |
KR100460813B1 (ko) | 멀티수정제어발진기 | |
KR100835130B1 (ko) | 발진기 회로 | |
US4947140A (en) | Voltage controlled oscillator using differential CMOS circuit | |
US20050225405A1 (en) | Quartz oscillation circuit | |
US20070296511A1 (en) | Digital adjustment of an oscillator | |
US8890632B2 (en) | Oscillator circuit | |
US7075381B2 (en) | Oscillator circuit and oscillator | |
US5442325A (en) | Voltage-controlled oscillator and system with reduced sensitivity to power supply variation | |
JP4391976B2 (ja) | クロック分配回路 | |
JPH0823266A (ja) | 電圧制御発振装置 | |
CN108933594B (zh) | 压控振荡器及锁相环 | |
US6816024B2 (en) | Oscillator circuit with switchable compensated amplifiers | |
KR20010021705A (ko) | 오실레이터를 포함한 집적 회로 | |
KR100636472B1 (ko) | 1단 전압 제어 링 발진기 | |
US5990718A (en) | Multivibrator circuit | |
US20060267659A1 (en) | High-speed, low-noise voltage-controlled delay cell | |
JP2577295Y2 (ja) | 電圧制御発振回路 | |
JPH07254847A (ja) | 発振回路およびpll回路 | |
JP3185773B2 (ja) | クロック信号生成システム | |
JP2002359521A (ja) | 周波数切替水晶発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071011 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |