KR100446203B1

KR100446203B1 - 도전성 초미립자 제조방법

Info

Publication number: KR100446203B1
Application number: KR10-2002-0012817A
Authority: KR
Inventors: 김기형
Original assignee: 김기형
Priority date: 2002-03-11
Filing date: 2002-03-11
Publication date: 2004-08-30
Also published as: KR20030073315A

Abstract

본 발명은 도전성 초미립자의 제조방법에 관한 것으로서, 이물질 제거 단계를 거친 0.1 내지 100㎛ 크기를 갖는 구형의 초미립 플라스틱 수지를 에틸알콜, 메틸알콜, 메틸에틸케톤, 아세톤을 포함하는 그룹으로부터 선택된 120 내지 450㎖/ℓ의 수용성 용재, 250내지 350㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄) 및 75 내지 200㎖/ℓ질산(HNO₃)을 함유하는 용액에 도입시켜 상기 초미립 플라스틱 수지의 표면을 식각하는 단계(S10)와; 상기 식각단계(S10)를 거친 초미립 플라스틱 수지를 25~1000㎖/ℓ농도의 Pd-Sn 중합체 액과 염산(HCl)액을 함유하는 용액에 도입하여 상기 Pd-Sn 중합체를 상기 초미립 플라스틱 수지표면에 흡착시키는 촉매흡착 단계(S20)와; 상기 촉매흡착 단계(S20)를 거친 초미립 플라스틱 수지 표면으로부터 Sn²⁺를 침전시킴으로써 Pd의 촉매작용을 돕는 촉매 활성화단계(S30)와; 상기 활성화 단계(S30)를 거친 금속수지 표면 위해 밀착향상성 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 1 도금 단계(S40)와; 상기 밀착 향상성 도금층 위에 도전 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 2 도금 단계(S50)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

도전성 초미립자 제조방법{method for preparation of conductive ultra fine particles}

본 발명은 도전성 초미립자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초미립 플라스틱 수지표면에 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 또는 금(Au)을 적층식으로 도금하는 방법에 관한 것이다.

이방성 도전 재료는 액상 결정 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터 또는 휴대통신기기 등의 전자제품의 제조공정에서 반도체 소자 등의 소형부품을 기판에 전기 접속시키거나 기판들을 서로 전기 접속시키는 데 주로 사용되고 있다.

이러한 이방성 도전 재료로는 현재 약 2.5 내지 약 5.0㎛ 크기의 니켈 미립자 분말 또는 텅스텐 미립자 분말 위에 전기 전도성이 큰 금속을 도금한 도전성 미립자가 널리 이용되고 있다.

하지만, 이러한 도전성 미립자는 유연성이 떨어지고 무거운 문제점이 있기 때문에, 유연성이 우수하면서도 초경량인 도전성 초미립자에 대한 필요성이 시급하다.

따라서, 유연성이 우수하고 초경량인 초미립 플라스틱 수지를 도전성 초미립자의 베이스로 이용하는 방법이 기존 방법에 대한 대안으로 떠올랐다.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 보다 유연하고 미세한 플라스틱 수지를 베이스로 하여 상기 초미립 플라스틱 수지 표면에 전기 전도성이 큰 금속을 견고하면서도 매끄럽게 도금하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 도전성 초미립자의 제조공정을 나타내는 블록도.

도 2a는 은도금층이 최종적으로 형성된 도전성 초미립자의 현미경 사진.

도 2b는 도 2a 도전성 초미립자의 분말이 믹싱된 상태를 나타내는 현미경 사진.

도 3a는 금도금층이 최종적으로 형성된 도전성 초미립자의 현미경 사진.

도 3b는 도 3a 도전성 초미립자의 분말이 믹싱된 상태를 나타내는 현미경 사진.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 도전성 초미립자 제조방법은 이물질 제거 단계를 거친 0.1 내지 100㎛ 크기의 초미립 플라스틱 수지를 에틸알콜, 메틸알콜, 메틸에틸케톤, 아세톤을 포함하는 그룹으로부터 선택된 120 내지 450㎖/ℓ의 수용성 용재, 250내지 350㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄) 및 75 내지200㎖/ℓ질산(HNO₃)을 함유하는 용액에 도입시켜 상기 초미립 플라스틱 수지의 표면을 식각하는 단계(S10)와; 상기 식각단계(S10)를 거친 초미립 플라스틱 수지를 25~1000㎖/ℓ농도의 Pd-Sn 중합체 액과 염산(HCl)액을 함유하는 용액에 도입하여 상기 Pd-Sn 중합체를 상기 초미립 플라스틱 수지표면에 흡착시키는 촉매흡착단계(S20)와; 상기 촉매흡착단계(S20)를 거친 초미립 플라스틱 수지표면으로부터 Sn²⁺를 침전시켜 Pd 촉매를 활성화하는 활성화단계(S30)와; 상기 활성화단계(S30)를 거친 금속수지 표면 위에 밀착향상성 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 1 도금 단계(S40)와; 상기 밀착향상성 도금층 위에 도전 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 2 도금 단계(S50)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 식각단계(S10) 전에는 20~150 ㎖/ℓ의 불화물계 계면활성제, 50~300㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄), 25~55㎖/ℓ의 질산을 함유하는 약 40~70℃의 수세액에 상기 초미립 플라스틱 수지를 약 1 내지 10분가 도입하는 이물질 제거단계가 수행된다.

상기 이물질 제거단계는 구형의 초미립 플라스틱 수지 표면에 묻어 있는 이형 슬러지 또는 가열시 생기는 슬러지를 제거하기 위한 전처리 단계로서, 종래의 수세 작업에 흔히 이용되던 계면활성제가 아닌 불화물계 계면활성제를 사용하는데, 상기 불화물계 계면활성제는 여타의 계면활성제보다 많은 활성력을 가질 뿐 아니라 플라스틱 수지의 표면을 정리하는 처리, 즉 정면처리가 가능하므로 초미립 플라스틱 수지의 이물질 제거에 효과적이다.

이하, 본 발명에 따른 도전성 초미립자 제조방법을 도 1에 도시된 각각의 단계별로 상세히 설명하고자 한다.

1)식각단계(S10);

식각단계(S10)는 0.1 내지 100㎛ 크기를 갖는 초미립 플라스틱 수지를 에틸알콜, 메틸알콜, 메틸에틸케톤, 아세톤을 포함하는 그룹으로부터 선택된 120 내지 450㎖/ℓ의 수용성 용재, 250내지 350㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄) 및 75 내지 200㎖/ℓ질산(HNO₃)을 함유하는 약 40~70℃의 용액에 1 내지 10 분 동안 도입시킴으로써 달성되며, 상기 식각단계에 의해, 초미립 플라스틱 수지 표면에는 미세한 갈고리 효과가 일어난다.

여기서, 상기 식각단계(S10)에는 일반적으로 플라스틱 수지의 식각에 이용되는 크롬산이 배제되고 상술한 바와 같은 수용성 용재가 이용되며, 그 결과, 식각 후의 수세공정 및 중화공정이 생략되어질 수 있다. 이 때, 수용성 용재 대신에 벤젠, 톨루엔 또는 키실렌과 같은 비수용성 용제가 상기 식각단계에 이용된다면, 플라스틱 표면이 과도하게 용해되어 상술한 갈고리 효과가 일어나지 않거나 조금만 일어나게 될 것이다.

2)촉매 흡착 단계(S20);

촉매흡착단계는 상기 식각단계(S10)를 거쳐 형성된 식각부의 크기에 상응하는 촉매를 상기 초미립 플라스틱 수지의 식각부 표면에 흡착시키는 단계로서, 상기단계(S20)는 25~1000㎖/ℓ농도의 Pd-Sn 중합체 액, 바람직하게는 캐탈리스트 액과 약 250㎖/ℓ미만의 염산(HCl)액을 함유하는 약 20~40℃의 용액에 약 0.2 내지 24시간 도입함으로써 달성된다. 여기서, 상기 캐탈리스트는 Pd₇Sn 형식의 착염물이며, 상기 촉매는 Sn 이온 및 Pd 이온와 그 외곽의 염소로 이루어지는 하나의 핵을 의미한다.

일반적으로, 촉매의 크기는 약 50~50000Å의 범위 내에서 크게 하거나 줄일 수 있는데, 본 발명에 따른 도전성 초미립자 제조방법에서는 식각단계에서 형성된 식각부 내에서 충분히 지지될 수 있도록 그 크기가 조절되며, 대체로 작게 조절되는 것이 바람직하다.

3)촉매 활성화단계(S30);

촉매 활성화단계(S30)는 상기 촉매흡착단계(S20)를 거친 초미립 플라스틱 수지를 황산(H₂SO₄), 염산(HCl) 또는 수산화나트륨(NaOH), 황산(H₂SO₄)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 촉매활성제를 7~20체적% 함유하는 액에 도입함으로써 달성된다. 이 때, 황산액, 염산액 또는 수산화나트륨액이 20 체적%의 농도 이상 사용된다면, 초미립 플라스틱 수지 상의 Pd₇Sn의 형태가 모두 박리되기 때문에 다음공정에서 미도금이 발생될 확률이 높고, 상기 액이 7 체적% 이상으로 사용된다면, Pd₇Sn을 바람직하게 분리시키지 못할 수 있다.

4)제 1 도금단계(S40);

제 1 도금단계(S40)는 이하에서 기술된 은(Ag) 또는 금(Au) 도금층의 밀착성을 향상시키기 위한 도금단계로서, 플라스틱 수지에 대한 도금성이 좋은 구리(Cu) 및/또는 니켈(Ni) 도금이 수행되는 단계이며, 각각의 도금층은 무전해 도금방식에 의해 수행된다.

아래에는 구리 및/또는 니켈의 무전해 도금의 종류 및 각각의 도금에 따른 조성이 설명될 것이다.

-무전해 구리 도금-

먼저, 무전해 구리 도금 과정에는 5~45g/ℓ의 황산구리(CuSO₄.5H₂O), 100~550g/ℓ의 롯셀염{KOOCH(OH)CH(OH)COONa.4H₂0}, 30~72 g/ℓ의 수산화나트륨(NaOH) 및 2~40g/ℓ의 환원제 및 미량의 안정제가 이용되며, 상기 과정은 산성인 황산구리(CuSO₄.5H₂O)를 초미립 플라스틱 수지가 도입될 용액에 산성의 황산구리(CuSO₄.5H₂O)를 잘 교반해서 녹이고, 여기에 롯셀염{KOOCH(OH)CH(OH)COONa.4H₂0}을 넣어 착염상태를 만든 후, 구리를 알칼리로 분해함으로써 알칼리에서 안정한 구리 상태를 만든 다음, 약 환원제인 포름알데히드(HCOH)를 써서 상기 초미립 플라스틱 수지 표면 상에 구리 도금층을 석출시킴으로써 달성된다.

이 때, 상기 구리 도금 과정은 욕 수명이 짧고 욕의 관리가 어려우므로 안정제(예를 들면, 적혈염, CN 화합물, 에탄올아민)를 넣고 여과기를 돌려 욕을 안정한 상태로 유지시키는 것이 바람직하다.

또한, 포름알데히드를 마지막으로 넣는데, 한번에 너무 많은 양을 넣게되면, 과반응으로 표면에 동이 과석출되는 경향이 있기 때문에 소량씩 자주 넣어주는 방식을 택하는 것이 바람직하고, 롯셀염은 동의 착화제이기 때문에 기준치 이상으로 관리하여도 크게 문제가 되지 않지만, 롯셀염의 양이 너무 작은 상태로 오래 유지된다면, 용액의 조도가 떨어지고 동이 거칠게 석출될 우려가 있으므로, 롯셀염의 양 또한 적절히 관리해 주는 것이 바람직하다. 여기서, 도금액의 온도는 85~95℃로 하고 도금시간은 1~15분 내에서 하는 것이 바람직하다.

또한, 수산화나트륨은 착화된 동을 다시 알칼리에서 안정한 동으로 바꾸어주는 전환제 역할을 할 뿐 아니라 촉진제 역할도 하기 때문에 도금액의 석출속도나 석출조직을 개량할 수 있는 성질을 갖는다.

여기서, 상기 무전해 구리 도금층은 그 자체만으로 초미립 플라스틱 수지표면 위에 밀착성 향상 도금층을 형성할 수 있지만, 상기 구리 도금층 위에는 전도성 부여를 목적으로 무전해 니켈 도금층이 더 제공될 수 있다.

-구리 도금층 위에 형성되는 무전해 니켈 도금층-

앞서 설명된 구리 도금층 위에 니켈 도금층을 형성시키기 위한 도금액의 조성은 15~45g/ℓ의 황산니켈(NiSO₄.6H₂O), 15~45g/ℓ의 차아인산나트륨(NaH₂PO₂)_,20~105g/ℓ의구연산소다(C₆H₅O₇Na), 7~35g/ℓ의 황산암모늄{NH₄(SO4)₃}및 5~24g/ℓ의 암모니아수(NH₄OH)이며, 여기서, 차아인산소다는 니켈을 석출시키는 환원제이고, 암모니아수는 PH를 조정해주는 기능을 하며, 특히 구연산소다와 황산암모늄은황산니켈을 알칼리에서도 안정되게 해주는 착화제로 이용된다.

-단층 무전해 니켈 도금-

단층 무전해 니켈 도금층은 앞서 기술된 니켈 도금과는 달리 초미립 플라스틱 수지의 표면에 직접 도금되는 층으로서, 그 조성액은 10~65g/ℓ의 황산니켈(NiSO₄.6H₂O), 차아인산나트륨(12~72g/ℓ의 NaH₂.PO₂), 2~25g/ℓ의 CH₃CH(OH)COOH, 1~15g/ℓ의 NH₄OH, 0.25~45g/ℓ의 HOOCCH₂CH(OH)COOH 및 미량의 안정제가 이용되며, 사과산이 첨가되므로 좀 더 치밀한 니켈 도금층을 얻을 수 있다. 이렇게 얻어진 도금층은 단일 층으로서 상기 초미립 플라스틱 수지 표면에 형성된다.

상기와 같은 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 구리-니켈(Cu-Ni) 도금층이 초미립 플라스틱 수지 표면에 형성됨으로써, 이하에 기술될 은(Ag) 및/또는 금(Au) 도금에 있어서 강한 밀착력을 제공한다.

5)제 2 도금 단계(S50)

제 2 도금 단계는 본 발명에 따른 마지막 단계로서 구형의 도전성 초미립자에 원하는 정도의 도전성을 제공하기 위해 도전성이 큰 금속을 무전해 도금법에 의해 도금하는 단계이다.

이 단계에서 형성되는 도금층은 크게 은 도금층과 금 도금층으로 나누어지는데, 상기 은 도금층 및 금 도금층 각각은 제 1 도금단계에서 형성된 층 위에 개별적으로 형성될 수 있으며, 상기 은 도금층 위에 금 도금층이 형성되어 Ag-Au 복합도금층을 형성할 수도 있다.

-무전해 은(Ag) 도금-

본 발명의 도금에 이용되는 은(Ag)은 다음과 같은 물성을 갖는다. 즉, 은(A g)은 전성 및 연성에 있어서 금 다음으로 크고, 열 및 전기의 전도성의 금속 중 최대이며, 융해시 다량의 산소를 흡장하고, 응고시 산소를 격렬하게 방출하는 특성을 갖는다.

이러한 물성으로 인해, 은(Ag)은 도전성 초미립자의 최종 도금층으로 이용되기에 손색이 없다.

은 도금층을 형성하기 위한 도금액의 주성분은 0.25~15g/ℓ의 시안화은이고, 상기 시안화은을 녹이기 위해(착염시키기 위해) 2~28g/ℓ의 시안화소다가 첨가되며, 상기 도금액의 PH를 올리기 위해 5~15g/ℓ의수산화나트륨을 사용하고 은(Ag) 결정을 석출하기 위한 환원제로는 0.25~5g/ℓ의 디메틸아민(DMAB)이 이용되며, 그 외에 안정제가 0.25~2g/ℓ의 농도로서 첨가된다.

-무전해 금(Au)도금-

금은 전성, 연성이 매우 크며, 전기 및 열의 양도체이며, 전기 전도도 또한 크므로 상술한 은과 함께 또는 독립적으로 도전성 초미립자의 최종 도금층을 형성할 수 있다.

금 도금층을 형성하기 위한 도금액의 주성분은 0.2~5g/ℓ의 PGC{KAu(CN)₂}이고, 상기 을 녹이기 위해(착염시키기 위해) 2~28g/ℓ의 시안화소다가 첨가되고,25~85g/ℓ의 염화암모늄(NH₄Cl)에 ㎛의해 도금액이 산성기에서도 안정한 상태로 유지되고, 25~85g/ℓ의 옥살산소다(NaH₂OH)는 산성화에 이용된다. 여기서, 환원제로는 차아인산소다(NaH₂PO₂) 가 5~25g/ℓ의 양으로 첨가되며, 안정제는 약 0.18~3g/ℓ로 첨가되는 것이 바람직하다.

상술한 각각의 단계에 있어서, 상기 초미립 플라스틱 수지는 가벼우므로 부력에 의해 물에 떠있게 되므로, 더욱 치밀한 도금 조직을 얻기 위해서는, 상기 물에 용제를 혼합하거나, 분산제 또는 기계적인 방식(예를 들면, 펌프식, 프로펠러식, 스크류식)으로 상기 초미립 플라스틱 수지를 물 속에 침강시켜 각각의 단계를 행하는 것이 바람직하다.

<실시예 1>

4.5㎛의 초미립 플라스틱 수지를 130㎖/ℓ의 에틸알콜, 260㎖/ℓ의 황산 및 85㎖/ℓ의 질산액을 함유하는 50℃의 부식액에 침지하여 상기 플라스틱 수지를 식각한 후, 상기 식각된 초미립 플라스틱 수지를 약 130㎖/ℓ의 캐탈리스트액과 농도 270㎖/ℓ인 염산액 80㎖/ℓ를 함유하는 용액에 침지하여 상기 초미립 플라스틱 수지 상에 촉매를 흡착시키고, 그 다음 상기 초미립 플라스틱 수지를 18체적% 농도의 황산용액을 함유하는 용액에 침지하여, 상기 초미립 플라스틱 수지 상의 촉매를 활성화하였다.

촉매가 활성화된 상기 초미립 플라스틱 수지 표면에 Ni 도금층과 Cu 도금층을 각각 0.5㎛ 및 0.8㎛ 으로 형성시킨 후, 그 위에 약 1.2㎛의 은 도금층을 형성시켜 구형의 도전성 초미립자를 제조한 후, 상기 도전성 초미립자를 전자현미경으로 관찰하여 도 2a에 도시하였고, 상기 도전성 초미립자로 이루어진 분말이 믹싱된 상태를 전자현미경으로 관찰하여 도 2b에 도시하였다.

도 2a의 전자현미경 사진으로 알 수 있는 바와 같이, 상기 은 도금층이 최종적으로 형성된 도전성 초미립자는 찌그러짐이 거의 없는 구형의 형태를 가지며, 그 표면이 매끄럽게 형성되어 있음을 알 수 있다. 이는 상기 도전성 초미립자가 조밀하게 도금되었음을 의미하다.

또한, 도 2b의 전자현미경 사진으로 알 수 있는 바와 같이, 상기 도전성 초미립자의 분말이 믹싱된 표면이 매우 매끄럽다는 것을 알 수 있는데, 이는 상기 도전성 초미립자의 전기적 물성이 매우 우수하다는 것을 간접적으로 보여주는 것이다.

<실시예 2>

4.5㎛의 초미립 플라스틱 수지를 130㎖/ℓ의 에틸알콜, 260㎖/ℓ의 황산 및 85㎖/ℓ의 질산액을 함유하는 50℃의 부식액에 침지하여 상기 플라스틱 수지를 식각한 후, 상기 식각된 초미립 플라스틱 수지를 약 300㎖/ℓ의 캐탈리스트액과 농도 270㎖/ℓ인 염산액 90㎖/ℓ를 함유하는 용액에 침지하여 상기 초미립 플라스틱 수지 상에 촉매를 흡착시키고, 그 다음 상기 초미립 플라스틱 수지를 10체적% 농도의 황산용액을 함유하는 용액에 침지하여, 상기 초미립 플라스틱 수지 상의 촉매를 활성화하였다.

촉매가 활성화된 상기 초미립 플라스틱 수지 표면에 Ni 도금층과 Cu 도금층을 각각 0.5㎛ 및 0.8㎛ 으로 형성시킨 후, 그 위에 약 1.2㎛의 은 도금층을 형성시켰다. 마지막으로 상기 은 도금층 위에 약 0.5㎛의 금 도금층을 형성시켜 도전성 초미립자를 제조한 후, 상기 도전성 초미립자를 전자현미경으로 관찰하여 도 3a에 도시하였고, 상기 도전성 초미립자로 이루어진 분말이 믹싱된 상태를 전자현미경으로 관찰하여 도 3b에 도시하였다.

도 3a의 전자현미경 사진으로 알 수 있는 바와 같이, 상기 금 도금층이 최종적으로 형성된 도전성 초미립자는 찌그러짐이 거의 없는 구형의 형태를 가지며, 그 표면이 매끄럽게 형성되어 있음을 알 수 있다. 이는 상기 도전성 초미립자가 조밀하게 도금되었음을 의미하다.

또한, 도 3b의 전자현미경 사진으로 알 수 있는 바와 같이, 상기 도전성 초미립자의 분말이 믹싱된 표면이 매우 매끄럽다는 것을 알 수 있는데, 이는 상기 도전성 초미립자의 전기적 물성이 매우 우수하다는 것을 간접적으로 보여주는 것이다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 도전성 초미립자는 전기적인 특성이 우수할 뿐 아니라 내부에 경량의 플라스틱 수지를 이용하므로 상기 도전성 초미립자로 만들어진 이방성 필름이 가벼우면서도 매우 얇게 만들어질 수 있는 효과가 있다.

Claims

도전성 초미립자의 제조방법에 있어서,

이물질 제거 단계를 거친 0.1 내지 100㎛ 크기를 갖는 구형의 초미립 플라스틱 수지를 에틸알콜, 메틸알콜, 메틸에틸케톤, 아세톤을 포함하는 그룹으로부터 선택된 120 내지 450㎖/ℓ의 수용성 용재, 250내지 350㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄) 및 75 내지 200㎖/ℓ질산(HNO₃)을 함유하는 용액에 도입시켜 상기 초미립 플라스틱 수지의 표면을 식각하는 단계(S10)와;

상기 식각단계(S10)를 거친 초미립 플라스틱 수지를 25~1000㎖/ℓ농도의 Pd-Sn 중합체 액과 염산(HCl)액을 함유하는 용액에 도입하여 상기 Pd-Sn 중합체를 상기 초미립 플라스틱 수지표면에 흡착시키는 촉매흡착 단계(S20)와;

상기 촉매흡착 단계(S20)를 거친 초미립 플라스틱 수지 표면으로부터 Sn²⁺를 침전시킴으로써 Pd의 촉매작용을 돕는 촉매 활성화단계(S30)와;

상기 활성화 단계(S30)를 거친 금속수지 표면 위해 밀착향상성 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 1 도금 단계(S40)와;

상기 밀착 향상성 도금층 위에 도전 도금층을 무전해 도금법에 의해 형성시키는 제 2 도금 단계(S50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 초미립자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 밀착 향상성 도금층은 Cu 도금층, Ni 도금층 및 Cu-Ni 복도금층을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 초미립자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 도전 도금층은 Ag 도금층, Au 도금층 및 Ag-Au 복도금층을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 초미립자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 이물질 제거 단계는 20~150 ㎖/ℓ의 불화물계 계면활성제, 50~300㎖/ℓ의 황산(H₂SO₄), 25~55㎖/ℓ의 질산을 함유하는 용액에 상기 초미립 플라스틱 수지를 도입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 초미립자의 제조방법.
제 3항에 있어서, 상기 Ag 도금층은 0.25~15g/ℓ의 시안화은, 2~28g/ℓ의 시안화나트륨, 5~15g/ℓ수산화나트륨, 0.2~5 g/ℓ의 디메틸아민보란(DMAB) 및 0.25~2g/ℓ의 안정제를 함유하는 도금액에서 무전해 도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 초미립자의 제조방법.