KR20170030707A - 금속입자를 이용한 무전해 동도금 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 무전해 동도금 과정에서 기판 상에 금속 나노입자를 부착시킨 후 이와 무전해 동도금액을 반응시킴으로써 동도금 피막을 형성할 수 있는 무전해 동도금 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 무전해 동도금 방법은 Sn⁴⁺ 이온을 제거하기 위한 산처리 공정이 필요 없어 공정이 간단하여 공정 비용이 절약되며, 도금 피막의 물성 저하 현상이 발생되지 않는 효과가 있다.

Description

금속입자를 이용한 무전해 동도금 방법 {ELECTROLESS COPPER PLATING METHOD USING METAL PARTICLE}

본 발명은 금속입자를 이용한 무전해 동도금 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무전해 동도금 과정에서 기판 상에 금속 나노입자를 부착시킨 후 이와 무전해 동도금액을 반응시킴으로써 동도금 피막을 형성할 수 있는 무전해 동도금 방법에 관한 것이다.

인쇄회로 기판의 제작 공정 중 무전해 동도금은 후속 공정인 전기도금이 가능하도록 시드층(seed layer) 형성을 목적으로 진행되며, 거의 대부분의 인쇄회로기판에서 도선을 구성하는 구리 배선은 무전해 동도금으로 제조된다. 이는 생산단가가 저렴하고 원하는 배선 형태대로 쉽게 플라스틱 기판 위에서 구리 막을 형성할 수 있기 때문이다.

무전해 도금은 전기 도금과는 달리 직류 전원을 사용하지 않고 용액에 포함되어 있는 환원제의 산화반응으로 유리되는 전자에 의하여 금속 이온을 환원하여 금속피막을 석출하는 방법으로 도금액의 조성 및 처리 조건의 선정뿐 아니라 피처리 재료의 종류 및 성질에 따른 전처리 또는 매우 중요하다.

다단계의 무전해 도금 과정에서 부도체인 피처리 고분자 표면을 활성화시켜 고분자 기질 표면에 금속을 석출시킬 수 있게 하는 촉매화 단계는 금속/고분자 간의 물성 및 부착력을 좌우하는 가장 중요한 과정이라 할 수 있다. 과거에는 도금 금속의 석출을 용이하게 하기 위해서 SnCl₂로 부도체의 표면을 민감화시킨 후에 Pd 등의 염화물로 핵을 형성하는 2단계 공정을 거치는데, 점차 SnCl₂/PdCl₂ 혼합용액으로 처리하고 Sn을 제거하여 Pd 핵만 기판에 남도록 하는 방법이 주로 사용되고 있다.

이러한 무전해 도금에 관한 종래 기술은 하기와 같다.

한국공개특허 제2001-0015197호에서는 도금하고자 하는 활성화된 제품의 표면에 대해 구리 염, 킬레이트제 및 환원제를 포함하는 무전해 도금 용액을 이용하여 무전해 구리 도금을 시행할 경우, 금, 니켈, 팔라듐, 코발트 또는 백금과 같은 금속의 염이 상기 무전해 도금 용액의 조성 내의 상기 구리 염에 기초하여 1 몰% 이하의 양으로 상기 무전해 도금 용액에 도금 촉진제로서 첨가되는 것을 특징으로 하는 무전해 도금 방법을 개시하고 있다.

한국등록특허 제1049236호에서는 에칭을 탈지 전에 처리함으로써 양전하 탈락을 방지하여 팔라듐의 흡착량을 증가시킬 수 있는, 전에칭, 탈지, 촉매 전처리, 전도성 팔라듐 도금 및 후에칭 공정이 순서대로 진행되는 것을 특징으로 하는 팔라듐을 이용한 무전해 도금방법을 개시하고 있다.

상기 종래기술에서와 같이 무전해 도금 공정은 도금하고자 하는 기판 위에 Pd 전처리를 수행하여 표면활성화하여 Pd핵을 형성시키는 방법으로써, Pd²⁺/Sn²⁺가 있는 용액에 넣어 Pd²⁺+Sn²⁺→Pd+Sn⁴⁺ 반응을 통해 도금하고자 하는 표면에 Pd 핵을 생성한다. 이때 Sn⁴⁺ 이온은 무전해 동도금을 방해하기 때문에 Pd 핵생성 후 산용액에 넣어 제거해 주는데, 이때 제거되지 않은 Sn⁴⁺ 이온은 도금 용액과 기판 표면을 불순하게 함으로써 도금 피막의 물성을 현저히 감소시키는 문제점이 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명자들은 Sn⁴⁺ 이온을 제거하기 위한 산처리 공정이 필요 없는 무전해 동도금을 수행할 수 있는 방법에 대해 연구를 거듭하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

따라서, 본 발명의 목적은 Pd 핵생성 후 Sn⁴⁺ 이온을 제거하기 위한 산처리 공정이 필요 없어 공정이 간단하여 공정 비용이 절약되며, 기판에 잔류되는 Sn⁴⁺ 이온이 없기 때문에 도금 피막의 물성 저하 현상이 발생되지 않는 무전해 동도금 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명자들은 기판을 세척하는 단계 (S1); 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시키는 단계 (S2); 및 상기 금속 나노입자를 무전해 동도금액과 반응시켜 상기 기판 상에 동도금 피막을 형성하는 단계 (S3)를 포함하는 무전해 동도금 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자일 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시키는 단계는 금속 나노입자 용액에 상기 세척된 기판을 침지시킨 후 꺼내어 세척하여 수행될 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 금속 나노입자 용액으로는 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자가 용매에 0.01~5 g/L로 분산된 용액을 사용할 수 있다.

또한, 본 발명은 본 발명에 따른 무전해 동도금 방법을 수행하여 제조된 인쇄회로기판을 제공한다.

본 발명에 따른 금속입자를 이용한 무전해 동도금 방법은 Pd 핵생성 후 Sn⁴⁺ 이온을 제거하기 위한 산처리 공정이 필요 없어 공정 비용이 절약되며, 공정 자체에 잔류되는 Sn⁴⁺ 이온이 없기 때문에 도금 피막의 물성이 감소되는 문제점도 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 무전해 동도금 공정을 개략적으로 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1, 실시예 2, 실시예 7 및 실시예 8에 따라 무전해 동도금을 수행하여 형성된 동도금 표면에 대해 촬영한 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 7에 따라 무전해 동도금을 수행하여 형성된 기판 및 동도금 피막의 측면에 대해 촬영한 SEM 사진이다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.

본 발명에 따른 금속입자를 이용한 무전해 동도금 방법은 하기 단계를 포함하여 수행된다.

우선, 기판을 세척한다 (S1 단계).

무전해 동도금 피막을 형성하기 위한 기판, 예를 들어 에폭시 기판, ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene) 기판, 폴리카보네이트 기판, 폴리프로필렌 기판 등을 사용할 수 있으며, 무전해 도금에 사용되는 기판을 제한없이 사용할 수 있다.

상기 S1 단계에서는 기판 표면을 세정하여 오염이 없도록 하기 위해 기판을 세척하며 기판을 세척하는 방법은 당업자에게 자명한 것이다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 기판을 세척하는 단계는 5% H₂SO₄ 용액에 15분 동안 침지시켰다가 꺼낸 후 탈이온수에 5분 동안 침지시켰다가 꺼내어 건조 오븐에서 건조하여 수행할 수 있다.

다음으로, 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시킨다 (S2 단계).

도 1에 개략적으로 나타난 바와 같이 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시킨 후, 금속 나노입자와 무전해 동도금액을 반응시켜 기판 상에 무전해 동도금막을 형성할 수 있다.

일반적으로 무전해 동도금은 도금 용액 중 금속이온이 촉매 상에서 환원제와 화학반응을 일으켜 금속을 석출, 반응이 연속적으로 일어나 구리 피막을 형성한다. 프리프레그 등 폴리머 기판을 무전해 도금액 (Cu 이온과 Cu 이온을 환원시킬 수 있는 환원제가 있는 용액)에 담가 두면 아무 것도 없는 곳에서 Cu 이온이 Cu로 환원되려면 많은 에너지가 필요하게 되나 기판 표면에 금속 핵이 존재를 하면 그곳이 Cu이온이 Cu로 환원되면서 석출될 수 있는 사이트(site)가 되기 때문에 낮은 에너지에서도 석출이 일어날 수 있습니다. Ag 이온, Cu 이온, Ni 이온, Pd 이온, Au 이온 또는 Pt 이온으로부터 폴리머 기판에 Ag, Cu, Ni, Pd, Au 또는 Pt 핵을 기판에 생성시키기가 어렵다.

본 발명에서는 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자가 분산된 용액에 폴리머 기판을 넣어두면 상기 금속 나노입자의 표면에너지가 높기 때문에 기본적으로 폴리머 기판에 달라붙게 되는 점을 이용한다. 즉, 폴리머 기판 위에 무전해 도금시 폴리머 기판 위에 부착된 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자가 Cu가 도금될 수 있는 핵으로서 역할을 한다.

상기와 같이 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시키는 단계는 금속 나노입자 용액에 상기 세척된 기판을 침지시킨 후 꺼내어 세척하여 수행될 수 있다.

상기 세척된 기판에 금속 나노입자가 부착되기에 충분한 시간 동안 금속 나노입자 용액에 상기 세척된 기판을 침지시킨다.

본 발명에서 사용되는 금속 나노입자 용액으로는 금속 나노입자가 분산된 페이스트 또는 잉크를 용매로 희석하여 사용하거나 금속염, 환원제 및 용매를 사용하여 직접 제조하여 사용될 수 있다.

상기 금속 나노입자 용액에 분산된 금속 나노입자로는 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자일 수 있다.

바람직하게는 상기 금속 나노입자로서 Ag 나노입자 또는 Cu 나노입자는 다른 금속 나노입자보다 가격이 저렴하기 때문에 Ag 나노입자 또는 Cu 나노입자를 사용하는 것이 공정 비용 측면에 있어서 유리하다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 금속 나노입자 용액은 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자가 용매에 0.01~5 g/L로 분산된 용액을 사용할 수 있다.

본 발명에서 금속 나노입자 용액에 분산되는 금속 나노입자의 농도가 0.01 g/L 미만일 경우 기판 표면에 금속 나노입자를 부착시키는 경우 기판 표면에 부착되는 금속 나노입자의 양이 매우 적어 무전해 도금 과정에서 촉매로서의 역할이 미미하여 무전해 도금이 매우 느리게 진행되거나 진행되지 않는 문제점이 발생될 수 있고, 금속 나노입자 용액에 분산되는 금속 나노입자의 농도가 5 g/L를 초과하는 경우 공정 비용이 상승하는 문제점이 있다.

본 발명에서 상기 금속 나노입자 용액의 용매로는 이소프로필알코올 등의 알코올계, 수계, 아민계, 글리콜계 용매 등 금속 나노입자를 분산시킬 수 있으며, 금속 나노입자의 산화가 일어나지 않으면서 분산계에 영향을 주지 않는 어떠한 용매도 사용할 수 있음은 물론이다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 금속 나노입자 용액은 금속염, 환원제 및 용매를 사용하여 직접 제조하여 사용될 수 있다. 보다 상세하게는상기 금속 나노입자 용액은 금속염을 용매에 분산시킨 후 분산제 및 환원제를 첨가하여 제조할 수 있으며 이러한 금속 나노입자 용액의 제조는 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 자명한 것이다.

상기 금속 나노입자 용액의 제조시 사용하는 금속염으로는 기판에 부착되는 금속 나노입자의 종류에 따라 구리염, 예를 들어 CuSO₄ 등을 사용할 수 있고, 또는 은염으로는 AgCl 등을 사용할 수 있으며 당업자의 선택에 따라 다양한 금속염을 제한없이 사용할 수 있다.

본 발명에서 금속 나노입자 용액에 포함되는 환원제로는 NaBH₄, NaPO₂H₂ 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.

본 발명에서 금속 나노입자 용액의 제조시 분산제를 추가로 첨가함으로써 금속 나노입자가 환원되어 생성될 때 기판 표면에서 입자 간 응집되는 현상을 방지할 수 있고, 금속 나노입자가 산화되어 산화물이 되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명에서 금속 나노입자 희석액에 포함되는 분산제로는 세트리모늄 브로마이드(cetrimonium bromide, CTAB), 폴리비닐피롤리돈 (polyvinylpyrrolidone, PVP), 소듐 도데실 설페이트 (sodium dodecyl sulfate, SDS) 등을 사용할 수 있다.

금속 나노입자 용액으로서 시판되는 금속 나노입자가 분산된 페이스트 또는 잉크를 용매로 희석하여 사용하는 경우 상기 환원제 또는 분산제가 포함되지 않을 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 기판에 부착되는 금속 나노입자의 크기는 1~100 nm인 것이 바람직하다.

상기 기판에 부착되는 금속 나노입자의 크기가 작을수록 적은 양에도 표면적이 증가하기 때문에 무전해 동도금시 구리 이온이 구리로 석출할 수 있는 많은 사이트를 제공할 수 있어서 크기가 작은 입자일수록 효과가 더 크며, 상기 범위보다 금속 나노입자의 크기가 큰 경우 (예를 들어 마이크론 이상) 금속 나노입자가 폴리머 기판에 달라붙는 표면에너지가 작아지기 때문에 기판에 붙는 입자 수도 감소하고 많은 입자가 붙었다하더라도 표면적이 매우 많이 감소하기 때문에 무전해 도금시 구리 이온이 구리로 폴리머 기판에 석출될 수 있는 사이트를 충분히 제공하지 못할 수 있다.

마지막으로, 상기 금속 나노입자를 무전해 동도금액을 반응시켜 상기 기판 상에 동도금 피막을 형성한다 (S3 단계).

S3 단계에서 금속 나노입자는 구리 이온이 구리로 폴리머 기판에 석출될 수 있는 사이트를 제공하여 폴리머 기판 상에 동도금 피막을 형성할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 무전해 동도금액은 본 기술분야에서 일반적으로 사용되는 조성의 무전해 동도금액을 제한없이 사용할 수 있다.

실시예

실시예 1 : 은 나노입자를 이용한 무전해 동도금

무전해 동도금을 실시하기 전에 기판에 먼지 및 오염물질을 제거하기 위해서 상온에서 에폭시 기판을 5% H₂SO₄ 수용액에 15분 동안 담갔다가 뺀 후 탈이온수에 5분 동안 담갔다가 빼서 세정하였고, 60 ℃에서 30분 동안 건조하였다. 무전해 동도금을 실시하기 전에 에폭시 기판 표면을 활성하기 위해 Ag 나노입자 용액에 담갔다가 빼었다. Ag 나노입자 용액은 다음과 같이 준비하였다. 구입한 나노 Ag 페이스트 (Harima,NPS-JK, 7nm, 55% 금속 함량)를 IPA(Isopropyl alcohol) 300 ml에 0.75g/L 농도가 되도록 넣은 후 10분 동안 교반하였다. 이와 같이 준비된 상온의 Ag 나노입자 용액에 세정해놓은 에폭시 기판을 10분 동안 담갔다가 꺼냈다. 이때 상기 에폭시 기판을 탈이온수에 5분 동안 담갔다가 빼서 기판 표면에 제대로 달라붙지 않은 용액 내의 Ag 나노입자를 세정하였다. 이후 55 ℃에서 하기 표 1의 조성의 무전해 동도금액에 1 시간 동안 에폭시 기판을 침지시켜 무전해 동도금 반응이 에폭시 기판에 일어날 수 있도록 하였으며, 반응이 다 끝난 후 에폭시 기판을 꺼내고 이후 상온의 탈이온수에 10분 동안 담갔다가 뺀 후 60 ℃에서 30분 동안 건조하였다. 무전해 동도금을 수행하여 형성된 동도금 표면에 대해 SEM 사진을 촬영하여 도 2에 나타내었다.

본 발명에서 사용한 무전해 동도금액의 조성은 다음과 같다. 물에 다음과 같은 조성으로 각각의 시료를 넣고 교반한 후 최후 NaOH 10N 용액으로 pH를 12로 맞추었고 그 후 온도를 55 ℃로 올려주어 무전해 동도금액을 준비하였다.

무전해도금액 조성
시료	첨가량
CuSO₄ · 5H₂O	0.04 ㏖
EDTA	0.12 ㏖
HCHO	10 ㎖/L
2,2-Dipytidyl	10 ppm
NaOH	적당량 (pH12)

실시예 2 내지 4 : 은 나노입자를 이용한 무전해 동도금

하기 표 2에 나타난 농도의 Ag 나노입자의 용액을 사용하고 표 2에 나타난 도금 시간에 따라 무전해 동도금을 수행한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 무전해 동도금을 수행하였다. 실시예 2에서 무전해 동도금을 수행하여 형성된 동도금 표면에 대해 SEM 사진을 촬영하여 도 2에 나타내었다.

실시예 5 : 구리 나노입자를 이용한 무전해 동도금

하기의 방법에 따라 제조된 하기 표 2에 나타난 농도의 Cu 나노입자 용액을 사용하고 표 2에 나타난 도금 시간에 따라 무전해 동도금을 수행한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 무전해 동도금을 수행하였다.

Cu 나노입자 용액은 다음과 같이 제조하였다. 디에틸렌 글리콜 100 ml에 93 mM CTAB(Cetyl trimethylammonium bromide), 0.69 mM PVP(Polyvinylpyrrolidone, Mw55,000), 0.6M 소듐 하이포스파이트 모노하이드레이트(Sodium hyposphite monohydrate)를 넣고 교반하면서 140 ℃까지 온도를 올려 넣은 모든 시약을 완전히 용해하였다. 모든 시약이 다 녹은 후에 다시 용액을 60 ℃로 낮추어 주고, 0.1M CuSO₄ 디에틸렌 글리콜 100 ml 용액을 상기 용액에 1ml/min으로 떨어뜨려 반응시켜 주고, 0.1M CuSO₄ 디에틸렌 글리콜 100 ml 용액을 모두 넣고 1 시간 동안 더 반응시킨 후 메탄올과 탈이온수로 3회 세척한다. 이후 이소프로필알코올 300 ml에 0.75g/L 농도가 분산하여 Cu 나노입자 용액을 제조하였다.

실시예 6 내지 8 : 구리 나노입자를 이용한 무전해 동도금

실시예 5에 개시된 방법에 따라 표 2에 표시된 농도로 제조된 Cu 나노입자의 용액을 사용하고 표 2에 나타난 도금 시간에 따라 무전해 동도금을 수행한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 무전해 동도금을 수행하였다. 실시예 7 및 8에서 무전해 동도금을 수행하여 형성된 동도금 표면에 대해 SEM 사진을 촬영하여 도 2에 나타내었고, 실시예 7에 따라 무전해 동도금을 수행하여 형성된 기판 및 동도금 피막의 측면에 대해 SEM 사진을 촬영하여 도 3에 나타내었다.

도 2 및 도 3을 살펴보면, 본 발명에 따라 기판에 금속 나노입자를 형성한 후 무전해 동도금을 수행하는 경우 Sn⁴⁺ 이온을 제거하기 위한 산처리 공정없이 기판 상에 무전해 동도금 피막이 형성됨을 알 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

1. 기판을 세척하는 단계 (S1);
   세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시키는 단계 (S2); 및
   상기 금속 나노입자를 무전해 동도금액과 반응시켜 상기 기판 상에 동도금 피막을 형성하는 단계 (S3);
   를 포함하는 무전해 동도금 방법.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속 나노입자는 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 금속 나노입자는 Ag 나노입자 또는 Cu 나노입자인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 기판에 부착된 금속 나노입자의 크기는 1~100 nm인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 세척된 기판 상에 금속 나노입자를 부착시키는 단계는 금속 나노입자 용액에 상기 세척된 기판을 침지시킨 후 꺼내어 세척하여 수행되는 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 금속 나노입자 용액은 Ag 나노입자, Cu 나노입자, Ni 나노입자, Pd 나노입자, Au 나노입자 또는 Pt 나노입자가 용매에 0.01~5 g/L로 분산된 용액인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 용매는 금속 나노입자를 분산시킬 수 있는 용매인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
8. 제 5 항에 있어서,
   상기 금속 나노입자 용액은 금속염, 환원제 및 용매를 포함하는 것임을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 금속염은 Ag 금속염, Cu 금속염, Ni 금속염, Pd 금속염, Au 금속염 또는 Pt 금속염인 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
   
10. 제 8 항에 있어서,
    상기 환원제는 NaBH₄ 및 NaPO₂H₂로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
    
11. 제 8 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자 용액에는 분산제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
    
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 분산제는 CTAB(cetrimonium bromide), PVP(Polyvinylpyrrolidone) 및 SDS(Sodium dodecyl sulfate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 무전해 동도금 방법.
    
13. 제 1 항 내지 제 12 항에 따른 무전해 동도금 방법을 수행하여 제조되는 인쇄회로기판.

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