KR100434432B1 - Ｐｖｔ 변화에 둔감한 저전압 고속용 셀프-오실레이터 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공정변화, 온도변화 및 전원 전압의 변화에 무관하고, 휴대용에 적합한 저 전원 전압 동작 및 고속 동작이 가능한 셀프-오실레이터를 제공하고자 하는 것이다.

고속 동작을 위한 낮은 클램핑 전압을 갖는 클램핑회로를 사용하는 경우 2.7에서 3.3V의 낮은 전원 전압에 응용하기 위해서는 링-오실레이터의 딜레이 셀이 4개의 트랜지스터가 직렬 연결되는 구조를 가져서는 아니 된다. 그렇다고, 전류제어용 p채널 모스트랜지스터를 사용하지 않게 되면 공정 변화에 따라 오실레이터의 출력신호가 영향을 받게 된다.

따라서, 본 발명에서는 낮은 전원 전압 ( ~2.7V) 에서 사용가능하면서 전원 전압에 관계없이 일정한 주파수의 출력신호를 제공할 수 있도록 하기 위하여, 링-오실레이터에서 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 pMOS트랜지스터 소오스측이 클램핑전압의 공급단에 직접 접속되어 있다. 그리고, 공정변화에 관계없이 일정한 주파수의 출력신호를 제공할 수 있도록 하기 위하여, 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 각 출력단에 전류제어용 트랜지스터가 접속 구성되어 있다.

Description

ＰＶＴ 변화에 둔감한 저전압 고속용 셀프-오실레이터{PVT compensated self-oscillator for low power and high speed}

본 발명은 셀프-오실레이터(self-oscillator)에 대한 것으로서, 특히 전원 전압 및 공정 변화에 대해 출력 신호의 주파수 변화가 작으며, 또한 저 전원 전압 동작과 고속 동작이 가능한 셀프-오실레이터에 관한 것이다.

잘 알려진 바와 같이, 외부 발진 소자를 사용하지 않고 자체적으로 발진을 통해 발진신호를 생성하는 셀프-오실레이터는, 컴퓨터, 시스템 또는 통신기기 등을 포함하는 전자 장치들의 타이밍 신호를 제공하는 데에 폭넓게 사용되고 있다. 한편, 원래 설정된 주파수의 발진신호에 의하여 동작되도록 설계된 전자 장치들이 틀어진 주파수 특성으로 인해 오동작하는 문제점이 발생하게 되는 바, 이는 전원전압 변화, 온도 변화 그리고 공정 변화에 의해서 오실레이터의 출력신호의 주파수 변화가 발생하기 때문이다. 따라서, 전원전압 변화, 온도 변화 그리고 공정 변화에 둔감한 셀프-오실레이터를 설계하고자 많은 연구 개발이 계속 이어져 오고 있다.

도 1은 통상적인 셀프-오실레이터의 구성을 나타낸 블록 구성도이다.

도 1을 참조하면, 통상적인 셀프-오실레이터는 기준전압발생부(10), 기준전압(Vref)을 전류로 바꾸어 주는 전압-전류 변환부(20) 및 전압-전류 변환부(20)의 출력전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진 신호(Vout)를 출력하는 링-오실레이터(ring-oscillator)(30)로 구성된다.

기준전압발생부(10)는 공정변화, 온도변화 및 전압전압 변화에 무관한 동작을 하도록, 음의 온도 상수(temperature coefficient)을 가지는 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터(base-emitter) 전압(V_BE)과 절대 온도에 비례하는 전압(Thermal voltage = V_T= q/kT)의 합으로 기준전압(Vref)을 발생시키는 밴드갭(bandgap) 기준전압발생기가 통상적으로 이용되고 있다.

전압전류변환부(20)는 기준전압발생부(10)로부터 제공되는 기준전압이 직류 전압인 바, 이 기준전압을 후단의 링-오실레이터(30)를 제어하기 위한 전류로 변환해 주는 기능을 한다. 상기 전압-전류 변환부(20)는 증폭기와 트랜지스터를 이용한 네가티브 피드백 루프(negative feedback loop)를 이용하여 구성되는 것이 통상적이다.

링-오실레이터(30)는 전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M_pi와, 인버터(iv_i)의 구성요소인 p-채널 모스트랜지스터 M_ipi및 n-채널 모스트랜지스터 M_ini와, 전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M_ni로 구성된 딜레이 셀(cell_i)이 홀수개로서 직렬로 연결되고, 최종단 딜레이 셀(cell_n-1)의 출력이 첫 번째단 딜레이 셀(cell_1)의 입력으로 궤환되는 구성을 갖는다.

전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M_pi는 모스트랜지스터 M_ipi의 소오측과 전원전압단(VDD) 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부(20)의 출력 전류 pcntl을 입력받는다.

전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M_ni는 n-채널 모스트랜지스터 M_ini의 소오측과 접지전압단(VSS) 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부(20)의 출력 전류 ncntl을 입력받는다.

상기 링-오실레이터(30)의 동작 원리는 전류제어용 p-채널 모스트랜지스터 M_pi를 통해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 전류제어용 n-채널 모스트랜지스터 M_ni를 통해서 방전하며, 충방전 시간 및 각 인버터(iv_i)의 지연 시간의 합의 역이 링-오실레이터의 출력신호(Vout)의 동작 주파수가 된다.

전하의 충전 시간은 전압에 비례하고 전류에 반비례하는 특성을 갖는데(Q=CV=IT), 상기한 종래의 링-오실레이터(30)에서 사용된 딜레이 셀(cell_i)은 전원전압단(VDD)과 모스트랜지스터 M_pi가 연결되어 있어 전하를 충전하는 시간이 전원전압에 의해 달라지게 된다. 결국 종래의 링-오실레이터를 사용하였을 경우에는 전원 전압의 변화가 출력 주파수에 그대로 반영되는 특성을 갖게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 종래의 셀프-오실레이터는 전원 전압에 무관한 밴드갭 기준전압발생기, 전압-전류 변환기를 사용하더라도, 링-오실레이터가 전원 전압의 변화를 그대로 반영하는 문제점을 가지고 있다.

본 발명의 목적은 전원전압의 변화에 무관한 셀프-오실레이터를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 전원전압에 무관하고, 저 전원 전압 동작 및 고속 동작이 가능한 셀프-오실레이터를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 공정변화, 온도변화 및 전원 전압의 변화에 무관하고, 저 전원 전압 동작 및 고속 동작이 가능한 셀프-오실레이터를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 통상적인 셀프-오실레이터의 구성을 나타낸 블록 구성도,

도 2은 본 발명에 따른 전원 전압에 무관한 셀프-오실레이터를 도시한 블록 구성도,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 링-오실레이터에 대한 회로도,

도 4는 본 발명의 다른실시예에 따른 링-오실레이터에 대한 회로도,

도 5는 도 2의 클램핑전압생성부에 대한 실시 회로도,

도 6은 도 2의 기준전압발생부에 대한 실시 회로도,

도 7은 도 2의 전압-전류변환부에 대한 실시 회로도,

도 8은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 따른 셀프-오실레이터의 회로도,

도 9는 도 8에 따른 셀프-오실레이터의 공정 및 전원 전압 변화에 따른 출력신호의 주파수 변화를 나타낸 표.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***

100 : 기준전압발생부 200 : 전압-전류변환부

300 : 링-오실레이터 400 : 클램핑전압생성부

기준전압발생부, 전압-전류변환부 및 링-오실레이터부로 구성되는 셀프-오실레이터는 바람직한 동작을 위해 요구되는 사항은 아래와 같다.

첫째, 기준전압발생부의 출력 전압은 최종 출력의 주파수를 그대로 반영하므로 전원 전압 및 공정의 변화에 관계없이 항상 일정한 값을 발생해야 한다.

둘째, 전압-전류 변환부는 링-오실레이터의 주파수 제어에 사용될 전류를 생성하는 부분이므로 공정 및 전원 전압의 변화에 둔감한 전압-전류 변환이 이루어져야 한다.

셋째, 링-오실레이터의 출력 신호는 전원 전압과는 관련이 없어야 하며 주파수의 제어를 위해 사용되는 전류의 양은 공정 변화에 관계없이 항상 일정하여야 한다.

그런데, 종래의 셀프-오실레이터는 전원 전압에 무관한 밴드갭 기준전압발생기 및 전압-전류 변환기를 사용하더라도, 링-오실레이터가 전원 전압의 변화를 그대로 반영하는 문제점을 가지고 있다.

따라서, 본 발명에서는 출력 전압을 일정한 전압으로 클램핑시켜 전하의 충방전 시간을 일정하게 유지하도록, 전원전압 대신에 클램핑(clamping) 전압에 의해 링-오실레이터를 구동시켜 링-오실레이터의 출력인 발진신호가 전원 전압에 무관하도록 한다.

한편, 본 발명에서와 같이 고속 동작을 위한 낮은 클램핑 전압을 갖는 클램핑회로를 사용하는 경우 2.7에서 3.3V의 낮은 전원 전압에 응용하기 위해서는 링-오실레이터의 딜레이 셀이 4개의 트랜지스터가 직렬 연결되는 구조를 가져서는 아니 된다. 그렇다고, 전류제어용 p채널 모스트랜지스터(도 1의 Mpi)를 사용하지 않게 되면 공정 변화에 따라 오실레이터의 출력신호가 영향을 받게 된다.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에서는 낮은 전원 전압 ( ~2.7V) 에서 사용가능하면서 전원 전압에 관계없이 일정한 주파수의 출력신호를 제공할 수 있도록 하기 위하여, 링-오실레이터에서 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 pMOS트랜지스터 소오스측이 클램핑전압의 공급단에 직접 접속되어 있다. 그리고, 공정변화에 관계없이 일정한 주파수의 출력신호를 제공할 수 있도록 하기 위하여, 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 각 출력단에 전류제어용 트랜지스터가 접속 구성되어 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 다양한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 2은 본 발명에 따른 전원 전압에 무관한 셀프-오실레이터를 도시한 블록 구성도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 셀프 오실레이터는 기준전압발생부(100), 기준전압발생부(100)로부터 제공된 기준전압(Vref)을 전류로 바꾸어 주는 전압-전류 변환부(200), 기준전압발생부(100)로부터 제공된 기준전압(Vref)에 응답하여 클램핑전압(Vclp)을 출력하는 클램핑회로부(400), 및 상기 전압-전류 변환부(200)의 출력전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진 신호(Vout)를 출력하되 상기 클램핑전압을 구동전원으로 사용하여 일정전압으로 클램핑된 상기 발진 신호(Vout)를 출력하는 링-오실레이터(ring-oscillator)(300)로 구성된다.

링-오실레이터(300)는 홀수(n-1)개의 딜레이 셀이 직렬 접속되고 최종단 딜레이 셀(Cell_n-1)의 출력이 첫번째단 딜레이 셀(Cell_1)의 입력으로 궤환되는 다수의 상기 딜레이 셀을 포함한다.

즉, 본 발명은 따른 셀프-오실레이터에서, 링-오실레이터(300)는 출력 전압을 일정한 전압으로 클램핑시켜 전하의 충방전 시간을 일정하게 유지하도록 전원전압(VDD) 대신에 클랭핑(clamping) 전압(Vclp)에 의해 링-오실레이터를 구동시켜 링-오실리에이터의 출력 발진신호(Vout)가 전원 전압에 무관하도록 구성되어 있다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 링-오실레이터(300A)에 대한 회로도이다.

도 3을 참조하면, pMOS트랜지스터(M31) 및 nMOS트랜지스터(M32)로 구성된 인버터(iv1)와, 클램핑전압(Vclp)의 공급단과 pMOS트랜지스터(M31)의 소오스측 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부(200)의 제1출력전류(pcntl)를 입력받는 pMOS트랜지스터(M33)와, 접지전압단(VSS)과 nMOS트랜지스터(M32)의 소오스측 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부의 제2출력전류(ncntl)를 입력받는 nMOS트랜지스터(M34)이 하나의 딜레이 셀(Cell_1)을 구성하게 된다.

한편, 도 3의 실시예에 따른 링-오실레이터는 하나의 딜레이 셀이 클랭핑전압(Vclp) 공급단으로부터 접지전압단(VSS) 사이에 4개의 트랜지스터(M31, M32, M33, M34)가 직렬 연결되는 구조를 가지고 있어, 낮은 클램핑 전압을 사용하는 고속 오실레이터의 경우 2.7V에서 3.3V의 낮은 전원 전압을 사용하는 것이 적합하지 않다. 즉, 저전압용 셀프-오실레이터에는 응용이 어렵다.

그렇다고 pMOS 전류제어용 트랜지스터, 즉 pMOS트랜지스터(M33)를 사용하지 않을 경우에는 전하의 충전에 필요한 전류의 양이 인버터(iv)의 pMOS트랜지스터(M31)에 의해 생성되며, 이는 공정 변화에 따라서 그 전류의 양이 달라지게 되고, 결국 인버터의 지연 시간이 공정에 따라 다른 값을 가지게 되는 결과를 낳게 되므로 발진신호(Vout)의 주파수 변동을 야기 시킨다.

이러한 점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 링-오실레이터가 도 4에 도시되어 있다.

도 4를 참조하면, 하나의 딜레이 셀(Cell_1)이, 클램핑전압(Vclp)을 구동전원으로 사용하는 pMOS트랜지스터(M41) 및 nMOS트랜지스터(M42)를 포함하는 인버터(iv)와, 전원전압단(VDD)과 상기 인버터(iv)의 출력단 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부(200)의 제1출력전류(pcntl)를 입력받는 pMOS트랜지스터(M43)과, 접지전압단(VSS)과 상기 nMOS트랜지스터(M42)의 소오스측 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고 게이트로 전압-전류변환부(200)의 제2출력전류(ncntl)를 입력받는 nMOS트랜지스터(M44)를 포함하여 구성된다.

즉, 본 발명의 다른 실시예에서, 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 pMOS트랜지스터(M31) 소오스측이 클램핑전압(Vclp)의 공급단에 직접 접속되어 있어 3개의 트랜지스터단이 직렬 연결되는 구조를 가지고 있다. 따라서, 낮은 클램핑전압(Vclp)의 사용이 가능하여 저 전력을 소모하면서 고 주파수의 특성을 얻을 수 있다.

또한, 딜레이 셀을 구성하는 인버터의 각 출력단과 전원 전압(VDD) 사이에 전류제어용 pMOS트랜지스터(M43)가 삽입되어 있어 안정적인 전류를 공급하게 된다.

전류제어용 pMOS트랜지스터(M43)에서 공급되는 전류의 양은 전압-전류변환부(200)에서 생성된 전류이므로 공정 및 전원 전압 변동에 따른 전류의 양의 변화가 매우 적다. 또한, 인버터의 pMOS트랜지스터(M41)의 크기는 전류제어용 pMOS트랜지스터(M43) 보다 매우 작은 크기의 값을 가지므로, 전하의 충전 시에 사용되는 전류는 대부분 전류제어용 pMOS트랜지스터(M43)로부터 나오게 된다. 결국 공정 변화에 의한 인버터의 pMOS트랜지스터(M31) 전류 변화량은 전체 충전 전류량에 대해서 매우 미약하므로 전체 전하 충전 시간의 변화량은 매우 적으며, 이는 발진신호(Vout)의 주파수가 공정의 변화에도 불구하고 거의 변동이 없는 결과를 낳게 된다.

도 5는 클램핑전압생성부(400)에 대한 실시 회로도로서, 통상의 비반전증폭기로서 구현이 가능하다.

도 5를 참조하면 클램핑전압생성부(400)는 기준전압(Vref)을 정입력단(+)으로 입력받는 증폭기(420)와, 출력단과 접지전원단 사이에 직렬접속된 저항(R51) 및저항(R52)을 포함하고. 저항(R51) 및 저항(R52) 사이의 노드와 증폭기(420)의 부입력단(-)이 접속되어 있다.

도 6은 기준전압발생부에 대한 실시 회로도로서, 베이스와 콜렉터가 공통 접지된 pnp바이폴라트랜지스터(120)와, 베이스와 콜렉터가 공통 접지되고 상기 pnp바이폴라트랜지스터(120)에 비해 큰 면적을 가지는 pnp바이폴라트랜지스터(140)와, pnp바이폴라트랜지스터(120)의 에미터단에 정입력단(+)이 접속되고 pnp바이폴라트랜지스터(140)의 에미터단이 저항(R63)를 통해 부입력단(-)에 접속되며, 자신의 출력단이 저항(R61)을 통해 상기 정입력단(+)과 접속되고, 상기 출력단이 저항(R62)를 통해 상기 부입력단(-)에 접속된 증폭기(160)로 실시 구성되어 있다.

도 6의 기준전압발생부는 1:n의 비율의 면적이 서로 다른 pnp 바이폴라트랜지스터(BJT)의 베이스-이미터 전압(V_BE)을 차동 증폭기(160)을 사용하여 그 합을 구하는 방식의 밴드갭 기준전압발생기로서, 출력되는 기준전압 Vref는 전원 전압 및 공정에 관계없이 하기 수학식1의 출력전압으로 생성되며, 만약 증폭기의 음의 입력단에 연결된 저항 R62 와 R63이 같다면 기준전압 Vref은 공정의 변화에는 무관한 정전압 신호가 가능하다.

도 7은 전압-전류변환부에 대한 실시 회로도로서, 기준전압(Vref)을 정입력단으로 입력받는 증폭기(220)와, 증폭기(220)의 출력단에 게이트가 접속되고 소오스측이 상기 증폭기(220)의 부입력단에 접속되고 상기 소오스측이 저항(R71)을 통해 접지전압단에 접속된 nMOS트랜지스터(M71)와, nMOS트랜지스터(M71)의 드레인단에 접속되어 제1출력전류(pcntl)와 제2출력전류(ncntl)를 생성하는 전류미러(240)으로 구성되어 있다.

도 7의 전압-전류변환부(200)는 기준전압발생부(100)의 출력신호의 직류 전압을 후단의 링-오실레이터(300)를 제어하기 위한 전류(pcntl, ncntl)로 변환해 주는 기능을 한다. 상기 전압-전류변환부(200)는 네가티브 피드백 루프(negative feedback loop)를 이용하여 기준 전압 Vref을 Vref/R71의 전류로 변환시켜 준다. 증폭기(220)의 부입력단의 전압은 증폭기의 특성에 의해 정입력단 전압 Vref와 같으므로, 결국 Vref/R71의 전류가 흐르게 된다. 증폭기와 트랜지스터를 이용한 네가티브 피드백 루프는 트랜지스터의 트랜스임피던스(transimpedance)을 증폭기의 전압 이득의 배만큼 증가 시켜 주며 이는 이상적인 전류원의 특성인 높은 출력 임피던스를 갖을 수 있도록 해 준다. 이렇게 만들어진 전류원은 전류 미러를 통해서 링-오실레이터를 제어하기 위한 전류 신호를 만들어 준다. 전류 신호는 공정의 변화에 따른 전류 변환 저항(R71) 값의 편차가 전류 값으로 그대로 반영되나, 고 정밀 저항 레이어(layer) 및 그 폭이 넓은 저항을 사용하며, 단위 저항 어레이를 이용하게 되면 그 편차를 최소화 할 수 있다. 또한, 전류 미러(240)를 통해서 전류 신호를 생성하여 공정에 무관한 양 방향 전류 신호를 생성할 수 있다.

도 8은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 따른 셀프-오실레이터의 회로도로서, 앞서 설명한 도 4의 링-오실레이터와 도 5의 클램핑전압생성부, 도 6의 기준전압발생부 및 도 7의 전압-전류변환부를 함께 도시한 회로도이다.

도 9는 도 8에 따른 셀프-오실레이터의 공정 및 전원 전압 변화에 따른 출력신호의 주파수 변화를 나타낸 표로써, 0.35um CMOS 공정을 사용하여 트랜지스터의 변화 및 저항과 커패시턴스(capacitance)의 변화를 나타내는 파라미터를 사용한 50MHz 발진기의 시뮬레이션 결과이다.

도 9에 도시된 것처럼 본 발명에 따른 발진기의 실험결과 그 출력 주파수의 변화는 공정 변화에 따른 트랜지스터의 특성의 변동에 따른 최대 변동률 2% 이내 이며, 10%의 전원 전압 변동에 따른 최대 변동률은 1% 이내의 변동률을 보여, 일반적으로 공정에 따른 변화가 20% 정도임에 비추어 본다면, 본 발명에 따른 발진기의 최종 출력 주파수는 공정 및 전원 전압의 변동을 거의 무시할 만한 수준임을 알 수 있다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 외부 발진 소자를 사용하지 않고도 공정 변화에 둔감한 고속 셀프-오실레이터의 구현이 가능하고, 높은 PSRR+ 특성을 갖는 밴드갭 기준전압발생기 및 전압-전류 변환기를 사용하고 링-오실레이터의딜레이 셀에 클램핑 회로를 적용함으로써 전원 전압 변화에 둔감한 고속 셀프-오실레이터를 제공하는 것이 가능하다.

또한, 내부의 전압 증폭기를 저 잡음 및 저 전압 동작 특성을 갖도록 설계하고, 딜레이 셀에서 트랜지스터단의 적층을 해소함으로써 2.7V의 저 전압에서도 안정적인 고속 셀프-오실레이터를 제공하는 것이 가능하다.

Claims (7)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 기준전압발생수단;

   상기 기준전압발생수단으로부터 제공된 기준전압을 전류로 바꾸어 주는 전압-전류 변환수단;

   상기 기준전압발생수단으로부터 제공된 기준전압에 응답하여 클램핑전압을 출력하는 클램핑전압생성수단; 및

   상기 전압-전류 변환수단의 출력전류의 양에 따라 결정된 주파수의 발진신호를 출력하되 상기 클램핑전압과 전원전압을 구동전원으로 사용하여 일정전압으로 클램핑된 상기 발진 신호를 출력하는 링-오실레이터를 포함하며,

   상기 링-오실레이터는, 홀수개의 딜레이 셀이 직렬 접속되고 최종단 딜레이 셀의 출력이 첫번째단 딜레이 셀의 입력으로 궤환되는 다수의 상기 딜레이 셀을 포함하고,

   상기 딜레이 셀은,

   상기 클램핑전압을 구동전원으로 사용하는 제1피모스트랜지스터와, 제1엔모스트랜지스터를 포함하는 인버터;

   전원전압공급단과 상기 인버터의 출력단 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고, 게이트로 상기 전압-전류변환부의 제1출력전류를 입력받는 제2피모스트랜지스터; 및

   접지전압단과 상기 제1엔모스트랜지스터의 소오스측 사이에 소오스-드레인 경로가 형성되고, 게이트로 상기 전압-전류변환부의 제2출력전류를 입력받는 제2엔모스트랜지스터

   를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 셀프-오실레이터.
5. 제4항에 있어서,

   상기 클램핑전압생성부는,

   상기 기준전압을 정입력단으로 입력받는 차동증폭기와, 출력단과 접지전원단 사이에 직렬접속된 제1저항 및 제2저항을 포함하고. 상기 제1저항 및 상기 제2저항 사이의 노드와 상기 차동증폭기의 부입력단이 접속된 것을 특징으로 하는 셀프-오실레이터.
6. 제4항에 있어서,

   상기 기준전압발생수단은,

   베이스와 콜렉터가 공통 접지된 제1 pnp바이폴라트랜지스터;

   베이스와 콜렉터가 공통 접지되고 상기 제1 pnp바이폴라트랜지스터에 비해 큰 면적을 가지는 제2 pnp바이폴라트랜지스터; 및

   상기 제1 pnp바이폴라트랜지스터의 에미터단에 정입력단이 접속되고 상기 제2 pnp바이폴라트랜지스터의 에미터단이 제1저항(R63)를 통해 부입력단에 접속되며, 자신의 출력단이 제2항(R61)을 통해 상기 정입력단과 접속되고, 상기 출력단이 제3저항(R62)를 통해 상기 부입력단에 접속된 증폭기

   를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기준전압발생기.
7. 제4항에 있어서,

   상기 전압-전류변환수단은.

   상기 기준전압을 정입력단으로 입력받는 증폭기;

   상기 증폭기의 출력단에 게이트가 접속되고, 소오스측이 상기 증폭기의 부입력단에 접속되고, 상기 소오스측이 저항(R71)을 통해 접지전압단에 접속된 엔모스트랜지스터; 및

   상기 엔모스트랜지스터의 드레인단에 접속되어 제1출력전류와 제2출력전류를 생성하는 전류미러

   를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기준전압발생기.