KR100407054B1 - 진공 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼용 진공 성막 장치나 에칭 장치와 같은 진공 처리 장치의 진공 용기 내의 적재대(3) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 적재하고, 웨이퍼와 적재대 사이의 간극에 열전도용 가스 예컨대 He를 공급하여 웨이퍼를 소정의 온도로 유지시키면서 성막 처리나 에칭이 이루어진다. 이 때에, He 가스가 웨이퍼와 적재대와의 사이에서 이상 상태로 누출되는 것을 용이하게 검출하기 위해서, 표면을 경면 마무리 처리한 유전체로 이루어진 적재대 상에 정전 척으로써 웨이퍼를 흡착시켜, 가스 공급로(5)로부터 He 가스를 웨이퍼의 이면측에 감금한다. 그리고, 가스 공급로에 유량계를 설치하여, 가스 누출이 발생할 때 유량에 대응하는 임계치를 초과할 경우 이상 신호를 발생시킨다.

Description

진공 처리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR VACUUM PROCESSING}
반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라 함)를 진공에서 처리하는 경우, 웨이퍼와 이 웨이퍼를 실은 적재대 사이에 열전도용 가스인 He(헬륨) 가스를 흘려, 이 He 가스에 의해서 웨이퍼와 적재대 사이에 열이 전달되어, 웨이퍼를 소정 온도로 유지시킬 수 있다. 그런데, 웨이퍼와 적재대 간의 간극이 매우 작을지라도, 이 간극이 커져 버리는 경우가 있다. 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition)나 에칭을 행하는 경우에 진공실의 내벽에 부착된 반응 생성물이 파티클로서 적재대 위로 낙하하여, 이 상태로 웨이퍼가 적재대 위에 적재되면, 적재대 표면과 웨이퍼 사이에 파티클이 들어가 간극이 커져 버린다. 나아가서는, 프로세스 중에 적재대의 내부의 정전 척에 이상이 발생하여, 웨이퍼와 적재대와의 사이에 간극이 커져 버리는 경우도 있다. 또, 웨이퍼 반송 아암 상에서 웨이퍼의 위치가 어긋나 있으면, 웨이퍼는 적재대 표면으로 개구된 He 가스 분출 구멍에서 벗어날 우려도 있다.
이와 같이 웨이퍼가 적재대로부터 부유되어 버리거나, 웨이퍼의 위치가 틀어지거나 하면, 웨이퍼와 적재대간의 열 전달 상태가 변해 버리기 때문에, 웨이퍼의온도가 국소적으로 소정 온도에서 벗어나므로, 성막 처리나 에칭 처리에 불균형이 생긴다. 그래서, 웨이퍼가 적재대에 놓였을 때에 사전에 웨이퍼의 이상(異常) 적재 상태를 검출하기 위해서, 도 5에 도시된 장치가 이용되고 있다.
도 5에 있어서, 1은 He 가스 공급원, 12는 웨이퍼(W) 적재대, 11은 적재대(12)에 He 가스를 공급하는 가스 공급로이다. 가스 공급로(11)에는 밸브(16)가 설치되어 있다. 13은 압력 컨트롤러이며, 가스 압력계(14)로 계측한 가스 공급로(11) 내의 가스 압력치와 설정 압력을 비교하여, 그 차가 없어지도록 압력 조정 밸브(15)를 조정하여, 가스 공급로(11) 내의 가스 압력이 설정 압력과 같아지도록 제어한다.
여기서, 웨이퍼(W)가 적재대(12) 상에 정상적으로 놓여 있을 때의 압력 조정 밸브(15)의 밸브 개방 정도를 도시 생략된 메모리에 정상치로서 미리 기억시켜 놓고, 비교기(17)에 의해 압력 조정 밸브의 밸브 개방 정도에 대응하는 검출 신호와 상기 정상치인 임계치를 비교하여, 검출 신호가 임계치를 초과할 시 이상 검출 신호를 출력함으로써, 운전을 멈추게 한다.
전술한 압력 조정 밸브(15)에 관해서, 정상시 He 가스의 설정 압력과 밸브 개방 정도간의 관계는 도 6의 실선으로 도시한 바와 같으며, 또한 이상시에는 도 6의 점선으로 도시한 바와 같다. 이 도면으로부터 알 수 있듯이, 가스의 설정 압력 변화에 대하여 밸브 개방 정도의 변화는 크고, 한편, 정상시 밸브 개방 정도와 이상시에 밸브 개방 정도의 차는 작으며, 더구나 밸브 개방 정도가 설정 압력에 대하여 선형으로 변하지 않기 때문에, 설정 압력의 값에 따라 비교기(17)의 임계치를바꾸지 않으면 안된다. 이것은 번거로운 일이다.
더구나, 도 7에 일례를 도시한 바와 같이 He 가스의 원압(元壓)이 변하면, 정상시의 밸브 개방 정도와 설정 압력간의 관계도 변해 버린다. 이러한 점에서 비교기(17)의 임계치의 결정 방법이 어려워, 이상시 검출을 확실하게 행하고자 하면, 정상임에도 불구하고 이상 검출 신호가 발생할 우려가 있다.
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 기판과 같은 피처리물과 적재대 사이에 공급되고 있는 열 전달용 가스가 이상 상태에서 누출되는 것을 용이하고 확실하게 검출할 수 있는 기술을 제공하는 데에 있다.
본 발명은 예컨대 반도체 웨이퍼와 같은 피처리물을 진공 처리하기 위한 진공 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 진공 처리 장치를, ECR를 이용한 플라즈마 처리 장치에 적용한 실시 형태의 전체를 나타내는 단면도이다.
도 2는 상기 실시 형태의 적재대를 나타내는 단면도이다.
도 3은 상기 실시 형태의 적재대와 웨이퍼 사이에 공급되는 He 가스의 공급계 및 이상 검출을 위한 구성을 나타내는 구성도이다.
도 4는 상기 실시 형태에 있어서 유량과 He 가스의 설정 압력간의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 5는 종래의 진공 처리 장치의 주요부를 나타내는 구성도이다.
도 6은 종래의 진공 처리 장치에 있어서 유량과 He 가스의 설정 압력간의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 7은 종래의 진공 처리 장치에 있어서 원압을 파라미터로 한 유량과 He 가스의 설정 압력간의 관계를 나타내는 특성도이다.
본 발명에 따르면 정전 척 상에 적재된 피처리물에 대하여, 피처리물과 정전 척 사이에 열을 전달하는 열전도 가스를 공급하여 소정의 처리를 실시하는 진공 처리 방법으로서, 상기 열전도 가스를 공급하고 있을 때, 이 열전도 가스 유량을 측정하여 이 측정치에 기초하여, 상기 피처리물의 적재 상태의 이상 유무를 판별하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 진공 처리 장치는 피처리물을 진공 처리하는 진공 처리 용기와, 진공 처리 용기 내에 설치되고 또한 피처리물을 적재하는 표면을 갖는 적재대와, 이 적재대의 표면에 적재된 피처리물을 소정 온도로 유지하기 위해서, 피처리물과 상기 표면과의 사이에 형성되는 간극에 열전도용 가스를 공급하도록 상기 표면에 형성된 열전도용 가스 분출 구멍과, 상기 가스 분출 구멍에 열전도용 가스를 공급하기 위한 가스 공급로와, 이 가스 공급로에 접속된 열전도용 가스 공급원과, 상기가스 공급로 내에서 열전도용 가스 압력을 조정하기 위해 상기 가스 공급로에 설치된 압력 조정부와, 상기 가스 공급로에 있어서 상기 압력 조정부의 하류측에 설치되고 또한 상기 가스 분출 구멍을 향하는 열전도용 가스의 유량을 측정하는 유량계와, 정상 상태에서 상기 피처리물과 적재대의 표면 사이에 열전도용 가스가 누출될 때 상기 유량계가 측정하는 유량치에 대응하는 유량 임계치와 상기 유량계의 유량 측정치를 비교하여, 유량 측정치가 상기 유량 임계치를 초과할 시 검출 신호를 출력하는 비교 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 열전도용 가스의 유량을 감시함으로써, 피처리물과 적재대 사이에서 유량 임계치를 초과하는 열전도용 가스의 누출을 검출하기 때문에, 예컨대 열전도용 가스의 설정 압력이 변하더라도 이상 누출 상태가 발생했을 때 설정 가스 유량을 바꾸지 않아도 양호하며, 이 때문에 이상 가스 누출 검출이 용이해 질 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 유량의 임계치 이상의 가스 누출을 검출함으로써, 피처리물의 적재대 표면 상에서의 위치 결정 불량이나 피처리물의 휘어짐, 파손 등의 조기 검출이 가능해진다.
본 발명에서는 피처리물의 휘어짐 등에 의해 피처리물과 적재대 간의 열 전달이 불균일하게 되지 않도록, 피처리물을 적재대의 표면에 압박하기 위한 압박 수단을 갖추고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 예컨대 적재대는 유전체에 의해 구성되고, 압박 수단은 예컨대 상기 적재대의 표면 근방에 설치된 정전 흡착용의 전극을 포함하는 정전 척일 수 있다. 또한, 가스 공급로의 가스가 1 내지 20 Torr 중에서 선택되는 설정치를 갖도록, 압력 조정부를 조정하면 가스 압력과 피처리물의 온도간의 관계는 선형성을 갖게 되어, 피처리물의 온도를 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.
열 전달용 가스 공급의 기법으로서는 예컨대 적재대의 표면을 경면 마무리 처리하여 피처리물을 적재대에 대해 500 g/cm2 이상의 압력으로 압박 수단으로써 압박하여, 상기 가스를 피처리물과 적재대와의 사이에 봉입시킬 수 있다. 단, 가스를 봉입시킨다 하더라도, 실질적으로 극히 미량의 가스가 누출된다. 본 발명에 있어서, 진공 처리로서는 예컨대 성막 처리나 에칭 처리 등을 예로 들 수 있다.
이하에, 본 발명을 ECR(전자 사이크로트론 공명)을 이용한 플라즈마 CVD 장치에 적용한 실시 형태에 관해서 설명한다. 우선, 도 1에 기초하여 플라즈마 CVD 장치의 전체 구성을 간단히 설명하면, 이 장치는 진공 용기(2)의 상측에 설치된 플라즈마실(21) 내에, 고주파 전원부(20)로부터 예컨대 2.45 GHz의 마이크로파(M)를 도파관(22)에서 투과창(23)을 거쳐 유도하는 동시에, 플라즈마 가스용 노즐(24)로부터 플라즈마실(21) 내에 Ar 가스나 02가스 등의 플라즈마 가스를 공급하고, 또한 플라즈마실(21)의 외측에 설치한 전자 코일(25)에 의해 자계(B)를 인가하여 전자 사이크로트론 공명을 발생시키도록 구성되어 있다.
또, 진공 용기(2)의 하부측의 반응실(26) 내에는 반응성 가스 노즐(27)이 삽입되어 환상의 반응성 가스 공급 부재(28)를 통해 반응성 가스가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 반응실(26)의 바닥부에는 배기관(29)이 접속되어 있다. 그리고, 반응실(26)의 내부에는 기판인 웨이퍼를 유지하기 위한 적재대(3)가 설치되어 있다. 반응실(26)에는 공지의 게이트 밸브(G)가 설치되어 있다.
이 적재대(3)는 유전체 예컨대 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 이루어져, 도 2에 자세히 도시한 바와 같이 적재대 지지부(4) 위에 설치되어 있다. 적재대(3) 내에는 예컨대 웨이퍼(W)와 거의 동일한 크기의 통기실(31)이 형성되어 있고, 이 통기실(31)의 상면에는 적재대(3)의 표면에 관통하는 가스 분출 구멍(32)이 다수 형성되어 있다. 통기실(31)에는 적재대(3) 및 적재대 지지부(4)를 관통하여 외부로빠지는 가스 공급관(33)이 접속되어 있다. 이 예에서는 통기실(31)과, 가스 분출 구멍(32) 및 가스 공급관(33)에 의해 가스 공급로(5)가 형성되어 있다.
적재대(3)의 표면 부근에는, 정전 척용의 전극 예컨대 쌍극 타입의 전극(34A, 34B)이 매설되어 있고, 도시 생략된 직류 전원에 의해 이 전극(34A, 34B) 사이에 직류 전압이 인가되어, 유전체의 표면에 발생하는 정전 인력에 의해 웨이퍼(W)가 상기 표면에 흡착된다. 적재대(3)(유전체)의 표면에는 예컨대 격자형 홈이 형성되어 있다. 이들 홈은 없어도 좋지만, 홈이 있으면 정전 척의 전원을 껐을 때에 잔류 전압이 있더라도 웨이퍼의 이탈 분리가 용이한 이점이 있다. 또한, 적재대(3) 중에는 도시 생략된 히터가 설치되어 있다. 이 예에서는 전극(34A, 34B), 유전체 및 상기 직류 전원에 의해 압박 수단인 정전 척이 구성된다.
상기 적재대 지지부(4) 가운데에는 냉매 유로(41)가 형성되어 있고, 외부로부터 유입되는 냉매를 이 냉매 유로(41) 내에 유통시킴으로써, 적재대 지지부(4)는 예컨대 150℃로 유지된다. 그리고, 적재대(3)의 표면 온도는 내부의 히터 작용과 적재대 지지부(4)의 유지 온도와의 조합에 의하여 예컨대 250℃로 유지된다.
이어서, 이 실시 형태의 주요부를 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 열전도용 가스(백사이드 가스라고도 불리고 있다)를 적재대(3)의 표면으로 공급하기 위한 가스 공급계를 나타내고 있다. 가스 공급로(5)의 기단부(基端部)에는 He 가스의 가스 공급원(51)이 설치되어 있고, 이 가스 공급로(5)에는 상류측에서부터 압력 조정 밸브(52), 압력계(53), 유량계(54) 및 밸브(55)가 이 순서대로 설치되어 있다. 56은 압력 컨트롤러이며, 이 압력 컨트롤러(56)는 압력계(53)의 압력 검출치에 기초하여 압력 조정 밸브(52)를 조정하여, 검출치가 소정의 압력이 되도록 컨트롤한다. 유량계(54)의 유량 측정치는 비교 수단인 비교기(6)에 전기 신호로서 입력된다. 이 비교기(6)는 소정의 임계치와 상기 유량 측정치를 비교하여, 유량 측정치가 임계치를 초과할 시 이상 검출 신호를 출력한다.
상기 임계치는 예컨대 다음과 같이 설정된다. 적재대(3)의 표면을 경면(鏡面) 마무리 처리하여, 웨이퍼(W)를 적재대(3)에 압박하는(흡착하는) 흡착력을 예컨대 800 g/cm2 이상으로 설정함으로써, 웨이퍼(W)와 적재대(3)간의 밀착력을 높이고, 또한 He 가스가 웨이퍼(W)와 적재대(3) 표면 사이에 봉입시킨다. 다만, He 가스가 봉입된다고 하더라도, 실제로는 매우 미량의 He 가스가 진공실(2) 내로 누출된다. 예컨대 He 가스의 설정 압력이 10 Torr라면 약 0.3 sccm의 He 가스 누출이 있다.
예컨대 CVD 처리를 하는 경우, 막 두께의 균일성을 양호하게 하기 위해서 웨이퍼(W)의 온도를 더욱 정밀하게 제어할 필요가 있기 때문에, He 가스의 압력은 1∼20 Torr의 범위 내에서 제어된다. 그 이유는 이 압력 범위에서는 He 가스의 압력과 He 가스의 열전도도간의 관계가 선형적이므로(즉 양자가 일차 함수에 근사하여 나타내어지고), He 가스의 압력의 조정에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 정밀하게 제어할 수 있기 때문이다. 그런데, 도 4에 도시한 바와 같이 He 가스의 압력과 유량은 선형 관계에 있다. 그리고, 웨이퍼(W)와 적재대(3)와의 사이에 파티클이 개재하여 양자 사이에 간극을 만들면, 그 파티클이 미세할지라도 He 가스의 유량이 크게 증가하며, 예컨대 설정 압력이 10 Torr일 때에 유량은 3 sccm을 초과할 정도가 된다. 따라서, 정상시의 유량인 0.3 sccm에 장치의 변동 등을 감안하여 안전율을 5배로 하여, 0.3 sccm×5 = 1.5 sccm을 임계치로 설정하면 웨이퍼(W)의 적재 상태가 이상할 경우, 확실하게 이상을 검출할 수 있고, 또한 정상임에도 불구하고 이상 검지 신호를 발생시킬 우려도 없다.
다음에, 상술한 실시 형태의 작용에 관해서 설명한다. 우선 게이트 밸브(G)를 열어 도시생략된 로드 로크실에서 기판인 웨이퍼를 적재대(3) 상으로 반송(搬送)한다. 이 반송은 적재대(3)측에 설치된 공지의 승강 핀과 반송 아암(모두 도시하지 않음)과의 협동 작용으로 행해진다. 계속해서, 정전 흡착용의 전극(34A, 34B) 사이에 전압을 인가하여 웨이퍼(W)를 적재대(3)(유전체)에 예컨대 500 g/cm2 이상의 흡착력 이나 예컨대 800 g/cm2의 흡착력을 작용시켜 정전 흡착한다. 그리고, 밸브(55)를 개방하여 가스 공급원(51)으로부터의 He 가스를 가스 공급로(5)를 거쳐 적재대(3)와 웨이퍼(W) 사이의 간극에 공급한다.
한편, 진공 용기(2) 내를 예컨대 1.5 mTorr의 압력으로 유지시키면서 플라즈마 가스용 노즐(24)로부터 플라즈마 가스 예컨대 Ar 가스와, 반응성 가스용 노즐(27)로부터 반응성 가스 예컨대 C2H4가스를 각각 소정의 유량으로 도입한다. 반응성 가스는 반응실(26) 내에 유입된 플라즈마 이온에 의해 활성화되어, 이에 따라 웨이퍼(W) 상에 예컨대 CF막(플루오로카본막)이 생성된다. 이 때 웨이퍼(W)는 플라즈마에 의해 가열되어, 그 열이 이면측의 He 가스를 통해 적재대(3)측에 전달되고, 이에 의해서 웨이퍼(W)가 소정의 온도 예컨대 400℃로 가열된다.
여기서, 지금 웨이퍼(W)가 적재대(3) 상에 정상적으로 적재되어 있다고 하면, 예컨대 He 가스의 설정 압력이 10 Torr인 경우 가스의 누출량은 0.3 sccm이며, 이상 검출 신호는 출력되지 않는다. 한편, 웨이퍼(W)와 적재대(3)와의 사이에 파티클이 개재되어 He 가스의 누출량이 임계치인 1.5 sccm을 초과하면, 유량계(54)의 유량 측정치는 임계치보다 커져, 비교기(6)로부터 이상 검출 신호가 출력된다. 이상 검출 신호가 출력되면, 예컨대 알람이 발생하여, 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해지지 않고 해당 웨이퍼(W)는 반출된다. 또한, 프로세스 중에 이상 검출 신호가 발생하면 마이크로파의 발생이 정지하여, 프로세스가 중단된다.
상술한 실시 형태에 따르면, He 가스의 유량을 측정하고 그 유량 측정치에 기초하여 웨이퍼(W)의 이면측의 He 가스의 누출 상태를 감시하고 있다. 상술한 바와 같이, 설정 압력과 유량간의 관계는 거의 선형적이다. 그리고, 웨이퍼(W)가 적재대(3) 상에 정상적으로 적재되어 있는 경우에는 일정 소량의 유량이 누출되고 있지만, 미세한 파티클이 웨이퍼(W)와 적재대(3) 사이에 서로 맞물리면, 웨이퍼(W)와 적재대(3) 사이의 약간의 간극에 의해서 유량은 크게 증가한다. 이 유량 증가는 He 가스 공급원의 압력과 유량간의 관계와는 별도의 것이다. 따라서, 예컨대 유량의 임계치를 설정 압력에 관계없이 일정치(예컨대 3 sccm)로 할 수도 있다. 따라서, 유량 설정이 용이하며 더구나 확실하게 이상을 검출할 수 있어 정상 상태를 이상 상태로 인식해 버릴 우려가 없다.
유량의 경계치에 관해서는, 설정 압력에 관계없이 일정하게 하여도 좋지만, 설정 압력에 따라서 변경하여도 좋다. 유량계로서는 예컨대 압력 조정 밸브(52)와일체형으로 되어 있는 것을 이용하여도 양호하다. 또한, 압력 조정부로서는, 압력 조정 밸브 대신에 유량 조정 밸브를 이용하더라도 좋고, 이 경우, 유량계와 유량 조정 밸브(압력 조정 수단)이 일체로 된 것을 이용하여도 양호하다.
본 발명에서는 CVD 기법에 의한 성막 처리에 한정되지 않고, 예컨대 이미 상술한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, SiO2막을 CF계의 가스 플라즈마에 의해 에칭하는 경우에도 적용할 수 있다. 그리고, He 가스가 웨이퍼(W)와 적재대(3) 사이를 봉입되는 것에 한정되지 않고, 예컨대 적재대(3)의 표면을 경면 마무리 처리하지 않고 양자 사이의 간극을 크게 하여 He 가스의 누출량을 앞서 말한 누출량보다 더크게 하여도 양호하다. 한편, 에칭을 하는 경우에는 누출량은 2 sccm을 초과하지 않는 것이 바람직하다. 또, 열전도용 가스는 He 이외의 가스도 양호하다.
본 발명에 따르면, 기판과 적재대 사이에 공급되는 열전도용 가스의 이상 누출을 용이하고 확실하게 검출할 수 있다.

Claims (7)

  1. 진공 처리 용기 내의 정전 척 상에 적재된 피처리물에 대하여, 피처리물과 정전 척 사이의 열 전달을 행하는 열전도 가스를 공급하여, 소정의 처리를 실시하는 진공 처리 방법으로서,
    상기 피처리물과 정전 척의 적재대의 표면과의 사이에서 정상 상태로 열전도용 가스가 누출될 때에 상기 유량계가 측정하는 유량치를 유량 임계치로서 설정하고,
    열전도용 가스를 공급하고 있을 때, 이 열전도용 가스의 유량을 측정하고,
    측정된 열전도용 가스의 유량과 상기 유량 임계치를 비교하여,
    측정된 유량치가 유량 임계치를 초과할 시 상기 정전 척 상의 상기 피처리물 적재 상태의 이상으로 판단하여 이상 검출 신호를 출력하고,
    이상 검출 신호가 출력되었을 때, 처리전이라면 피처리물에 대하여 처리가 행해지지 않고 피처리물을 진공 처리 용기 밖으로 반출하고, 처리중이라면 그 처리를 중단하는 것을 포함하는 진공 처리 방법.
  2. 피처리물을 진공 처리하는 진공 처리 용기와,
    진공 처리 용기 내에 설치되고, 또한 피처리물을 적재하는 표면을 갖는 적재대와,
    이 적재대의 표면에 적재된 피처리물을 소정 온도로 유지하기 위해서, 피처리물과 상기 표면과의 사이에 형성되는 간극에 열전도용 가스를 공급하도록 상기 표면에 형성된 열전도용 가스 분출 구멍과,
    상기 가스 분출 구멍에 열전도용 가스를 공급하기 위한 가스 공급로와,
    이 가스 공급로에 접속된 열전도용 가스 공급원과,
    상기 가스 공급로 내에서 열전도용 가스 압력을 조정하기 위해 상기 가스 공급로에 설치된 압력 조정부와,
    상기 가스 공급로에 있어서 상기 압력 조정부의 하류측에 설치되고, 또한 열전도용 가스의 상기 가스 분출 구멍을 향하는 유량을 측정하는 유량계와,
    상기 피처리물과 적재대의 표면 사이에서 정상 상태로 열전도용 가스가 누출될 때에 상기 유량계가 측정하는 유량치에 대응하는 유량 임계치가 설정되어 있고, 이 유량 임계치와 상기 유량계의 유량 측정치를 비교하여, 유량 측정치가 상기 유량 임계치를 초과할 시 이상 검출 신호를 출력하는 비교 수단을 구비하고,
    이상 검출 신호가 출력되었을 때, 처리전이라면 피처리물에 대하여 처리가 행해지지 않고 피처리물을 진공 처리 용기 밖으로 반출시키고, 처리중이라면 그 처리를 중단하도록 되어 있는 것을 포함하는 진공 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 피처리물을 적재대의 표면에 압박하기 위한 압박 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 적재대는 유전체에 의해 구성되고, 상기 압박 수단은 상기 적재대의 표면 근방에 설치된 정전 흡착용 전극을 포함하는 정전 척인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 가스 공급로의 가스가 1 내지 20 Torr 중에서 선택된 설정 압력치를 갖도록 상기 압력 조정부가 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 적재대의 표면은 경면 마무리 처리되고, 상기 압박 수단은 피처리물을 적재대의 표면에 대하여 500 g/cm2 이상의 압력으로 압박하도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 압력 조정부는 가스 공급로의 압력을 검출하는 압력계와, 이 압력계에서의 검출 압력치와 설정 압력치를 비교하여 출력 신호를 내는 압력 컨트롤러와, 압력 컨트롤러의 출력 신호에 의해 제어되는 압력 조정 밸브로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
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