KR100403189B1 - 표면검사장치 - Google Patents

표면검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100403189B1
KR100403189B1 KR10-2001-0046602A KR20010046602A KR100403189B1 KR 100403189 B1 KR100403189 B1 KR 100403189B1 KR 20010046602 A KR20010046602 A KR 20010046602A KR 100403189 B1 KR100403189 B1 KR 100403189B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
specular reflection
inspection
optical system
illumination
Prior art date
Application number
KR10-2001-0046602A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020012133A (ko
Inventor
오오모리다께오
후까자와가즈히꼬
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20020012133A publication Critical patent/KR20020012133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100403189B1 publication Critical patent/KR100403189B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N2021/9513—Liquid crystal panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

웨이퍼 표면의 검사를 정반사광에 기초하여 효율적으로 검사한다.
웨이퍼 (2) 에 검사용 조명광을 조사하는 조명유닛 (1) 과, 웨이퍼로부터의 정반사광을 집광하여 웨이퍼의 이미지를 검출하는 CCD 촬상소자 (33) 를 갖는 수광유닛 (3) 으로 표면검사장치가 구성된다. 그리고, CCD 촬상소자 (33) 에 의해 검출된 이미지로부터 웨이퍼의 표면을 검사한다. 이 때, 조명유닛 (1) 에 의해 웨이퍼 (2) 에 조사되는 검사용 조명광의 입사각 (i) 과 파장 (λ) 이 조건식
λ/(sin i + 1) ≤p …(1)
단, p : 상기 패턴의 반복피치
을 만족하도록 설정된다.

Description

표면검사장치{APPARATUS FOR INSPECTING SURFACE}
본 발명은 IC 칩, 액정표시패널 등의 제조공정에서 웨이퍼 등의 표면검사를 행하기 위한 표면검사장치에 관한 것이다.
IC 칩이나 액정표시소자패널은 웨이퍼 표면 등에 여러 가지의 다른 회로패턴을 몇층이나 겹쳐 쌓아 구성되어 있으며, 이와 같은 회로패턴은 포토리소그래피 공정 등을 이용하여 웨이퍼상에 1 층씩 겹쳐 쌓도록 하여 형성된다. 이 회로패턴의 형성시, 회로패턴 형성용 레지스트의 막두께 불균일, 흠집 등의 결함이 있으면, 만들어지는 IC 칩 등의 제품불량으로 이어지므로, 제조공정에서의 표면검사는 매우 중요하다.
이와 같은 웨이퍼 표면 등의 표면검사는 웨이퍼 표면에 여러 가지 광속의 검사용 조명광을 다양한 각도에서 조사하고, 피검물이 되는 웨이퍼를 회전 또는 요동시키면서 관찰자가 직접 육안으로 관찰하여 행해지고 있었다. 최근에는 검사품질의 편차를 작게 하고, 검사의 생력화, 고속화를 도모하기 위해, 상기 표면검사를 자동화하는 요청이 강해지고 있다. 이와 같은 것으로부터, 예컨대 일본 공개특허공보 2000-28535 호에 개시되어 있는 바와 같이, 검사대상이 되는 웨이퍼의 표면에 조명광학계로부터 검사용 조명광을 조사하고, 웨이퍼 표면으로부터의 정반사광을 받아 촬상장치에 의해 웨이퍼 표면의 화상을 촬상하고, 이와 같이 촬상된 화상신호를 처리하여 웨이퍼 표면의 결함, 흠집 등의 유무를 검사하도록 된 표면검사장치가 제안되어 있다.
그런데, 이와 같은 표면검사장치에서는 웨이퍼 표면으로부터의 정반사광의 강도로부터 웨이퍼 표면의 양부를 판단하고 있다. 웨이퍼 표면에 형성되는 IC 칩 등은 미세한 피치의 반복패턴이 겹쳐 형성되어 있으며, 웨이퍼 표면에 검사용 조명광이 조사되면, 이들 반복패턴의 피치에 대응하는 회절광이 출사된다. 이 때문에, 이와 같이 발생한 회절광의 분만큼 정반사광이 저하되고, 이와 같이 저하된 정반사광에 대응하는 강도로 웨이퍼 표면의 화상이 촬상장치에 의해 촬상된다.
이 경우, 웨이퍼 표면의 패턴이 정상이면, 발생한 회절광에 대응하는 강도저하를 갖는 정반사광에 기초하는 화상이 촬상되는데, 예컨대 패턴작성을 위한 포토리소그래피 공정에서 디포커스 등의 결함이 발생한 경우, 이 부분으로부터의 회절광 강도가 정상인 패턴을 갖는 부분으로부터의 회절광 강도와는 다르며, 정반사광의 강도도 다르다. 그래서, 표면검사장치에서는 촬상장치에서 촬상된 화상의 신호처리를 하여 정반사광의 강도가, 정상인 패턴으로부터 얻어지는 화상의 강도와 다른 부분의 유무를 검사하여 디포커스에 의해 생긴 결함 등의 유무를 검사하도록 되어 있다.
이상과 같이, 정반사광을 사용한 표면검사장치에서는 웨이퍼 표면의 패턴에 조사한 검사용 조명광으로부터 정반사광 뿐만 아니라, 회절광을 유효하게 발생시킬 필요가 있다. 그러나, 웨이퍼 표면으로부터의 정반사광은 통상 어떠한 각도에서도 얻어지지만, 회절광은 웨이퍼 표면의 패턴피치, 조명광의 입사각 및 파장에의존하여 발생하는 것으로, 회절광을 항상 유효하게 발생시킬 수 있다고는 할 수 없으며, 효과적인 표면검사를 행할 수 없는 경우가 있다는 문제가 있다. 특히, 패턴피치가 작은 경우, 회절광이 발생하지 않아 유효한 표면검사가 어려워지는 경우가 있다는 문제가 있다.
본 발명은 이와 같은 문제를 감안한 것으로, 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 웨이퍼 표면의 검사를 피검물체의 표면으로부터의 정반사광에 기초하여 피검물체 표면의 이미지를 검출하고, 이 이미지의 휘도로부터 효율적이며 간단하게 표면 결함 등의 검사를 행할 수 있도록 한 표면검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 표면검사장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2 는 웨이퍼에 조사된 조명광에 대한 정반사광 및 회절광의 방향을 나타내는 설명도이다.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시 형태에 관계되는 표면검사장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 4 는 표면검사장치의 구성을 나타낸 개략도이다.
도 5 는 표면검사장치의 조명유닛 (1) 의 입사각과 광원파장을 결정하기 위한 MPU (8) 의 제어 플로챠트도이다.
도 6 은 표면검사장치의 조명유닛 (1) 의 입사각과 광원파장을 결정하기 위한 MPU (8) 의 다른 제어 플로챠트도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 조명유닛 2 : 웨이퍼
3 : 수광유닛 4 : 표시유닛
5 : 처리유닛 6 : 파장선택유닛
7 : 챔버 11 : 광원
과제를 해결하기 위한 수단
이와 같은 목적달성을 위해, 본 발명에서는 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체에 검사용 조명광을 조사하는 조명광학계와, 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와, 집광광학계에 의해 집광된 정반사광을 받아 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지고 표면검사장치가 구성된다. 그리고, 이 촬상장치에 의해 검출된 피검물체의 이미지로부터 피검물체의 표면을 검사하도록 구성되며, 이와 같은 구성의 표면검사장치에 있어서, 조명광학계에 의해 피검물체에 조사되는 검사용 조명광의 입사각 (i) 과 파장 (λ) 이 하기식 (1) 을 만족하도록 구성된다.
(수학식 1)
λ/(sin i + 1) ≤p …(1)
단, p : 상기 패턴의 반복피치
피검물체의 표면에 형성된 패턴의 반복피치 (p) 에 대하여 상기식 (1) 을 만족하는 검사용 조명광의 입사각 (i) 과 파장 (λ) 을 설정하면, 검사용 조명광이 상기 패턴에 조사되었을 때, 상기 패턴으로부터는 반드시 회절광이 출사된다. 이 때문에, 정반사광의 강도에 기초하는 피검물체 표면의 검사를 효과적으로 또한 용이하게 행할 수 있다.
그리고, 상기식 (1) 을 만족하는 파장 (λ) 을 갖는 검사용 조명광을 얻기 위해, 검사용 조명광의 파장대역을 제한하는 파장선택유닛을 형성하는 것이 바람직하다.
조명광학계를, 휘선 스펙트럼을 발하는 방전광원을 가지고 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 휘선 즉 강한 출력을 갖는 방전광원을 사용함으로써 검사효율이 높아진다.
또, 조명광학계를, 파장이 400 ㎚ 이하의 자외광을 공급하는 광원을 가지고 구성하고, 적어도 이 조명광학계를 불활성 가스 분위기중 또는 진공중에 배치하는 것이 바람직하다. 검사용 조명광의 광원으로서 파장이 400 ㎚ 이하의 자외광을 공급하는 광원을 사용하는 경우, 매우 작은 피치의 패턴에 대해서도 효과적으로 회절광을 발생시킬 수 있다. 또, 이 자외광이 공기중의 물질과 반응하여 렌즈에 부착하거나 하여 조명계에 흐림이 발생할 우려가 있지만, 조명광학계를 불활성 가스 분위기중 또는 진공중에 배치함으로써 이와 같은 문제의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 관계되는 표면검사장치를, 촬상장치로부터의 화상신호를 처리하여 피검물체의 표면화상을 구하고, 이 표면화상으로부터 피검물체 표면의 결함의 유무검사를 행하는 화상처리검사장치를 가지고 구성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 정반사광의 강도를 자동적으로 검사하는 자동표면검사장치를 간단하게 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 제 1 항에 관계되는 표면검사장치는 상기 조명광학계를 구성하는 조명유닛을 구동하는 조명유닛 구동수단과, 상기 집광광학계와 상기 촬상장치로 이루어지는 수광유닛을 구동하는 수광유닛 구동수단과, 상기 조명유닛 구동수단과 상기 수광유닛 구동수단을 제어하며, 상기 조명유닛으로부터의 상기 검사용 조명광의 입사각도의 변경에 따라 변화하는 정반사광의 출사방향에 위치하도록 상기 수광유닛을 제어하는 제어수단을 구비한다.
또한, 본 발명에 관계되는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법은 각각이 다른 조명광의 파장을 갖는 적어도 2 개의 제 1 및 제 2 검사용 광원과, 상기 검사용 광원에 의해 조명되며, 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와, 상기 집광광학계에 의해 집광된 상기 정반사광을 받아 상기 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지며, 상기 촬상장치에 의해 검출된 상기 피검물체의 이미지로부터 상기 피검물체의 표면을 검사하는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법에 있어서, 상기 제 1 검사용 광원을 소정의 입사각 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기정반사광에 의한 촬상을 하는 제 1 촬상 스텝과, 상기 제 1 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 1 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 1 기억 스텝과, 상기 제 2 검사용 광원을 소정의 입사각 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 2 촬상 스텝과, 상기 제 2 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 2 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 2 기억 스텝과, 상기 제 1 기억 스텝 및 상기 제 2 기억 스텝에서의 상기 제 1 과 제 2 소정의 정반사광량을 비교하는 비교 스텝과, 상기 비교 스텝의 결과에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 기억 스텝에서 기억된 각도위치의 일측을 선택함과 동시에, 상기 선택된 각도위치를 구하는데 사용된 제 1 및 제 2 검출용 광원의 일측을 선택하는 선택 스텝을 구비한 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 제 7 항에 관계되는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법은, 상기 제 1 및 제 2 정반사광량은 최소의 정반사광량이며, 상기 선택 스텝에서는 상기 제 1 및 제 2 정반사광량 중 작은 쪽에 대응하는 상기 각도위치를 선택하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관계되는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법은 각각이 다른 조명광의 파장을 갖는 적어도 2 개의 제 1 및 제 2 검사용 광원과, 상기 검사용 광원에 의해 조명되며, 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와, 상기 집광광학계에 의해 집광된 상기 정반사광을 받아 상기 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지며, 상기촬상장치에 의해 검출된 상기 피검물체의 이미지로부터 상기 피검물체의 표면을 검사하는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법에 있어서, 상기 주기적인 패턴의 피치를 입력하는 입력 스텝과, 상기 입력 스텝에서 입력된 피치 (P) 와, 상기 제 1 검출용 광원의 파장 (λ1) 에 기초하여 상기 제 1 검출용 광원의 입사각 (i) 이 식 : λ1/(sin i + 1) ≤P 를 만족하는 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 1 촬상 스텝과, 상기 제 1 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 1 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 1 기억 스텝과, 상기 입력 스텝에서 입력된 피치 (P) 와, 상기 제 2 검출용 광원의 파장 (λ2) 에 기초하여 상기 제 2 검출용 광원의 입사각 (i) 이 식 : λ2/(sin i + 1) ≤P 를 만족하는 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 2 촬상 스텝과, 상기 제 2 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 2 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 2 기억 스텝과, 상기 제 1 기억 스텝 및 상기 제 2 기억 스텝에서의 상기 제 1 과 제 2 소정의 정반사광량을 비교하는 비교 스텝과, 상기 비교 스텝의 결과에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 기억 스텝에서 기억된 각도위치의 일측을 선택함과 동시에, 상기 선택된 각도위치를 구하는데 사용된 제 1 및 제 2 검출용 광원의 일측을 선택하는 선택 스텝을 구비한 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 제 9 항에 관계되는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법은, 상기 제 1 및 제 2 정반사광량은 최소의 정반사광량이며, 상기 선택 스텝에서는 상기 제 1 및 제 2 정반사광량 중 작은 쪽에 대응하는 상기 각도위치를 선택하는 것을 특징으로 한다.
발명의 실시 형태
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1 에 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 표면검사장치를 나타내고 있다. 이 장치는 할로겐램프광원 (11) 을 가지고 구성되며, 400 ㎚ 에서 근적외역까지의 광을 조사하는 조명유닛 (조명광학계) (1) 을 구비한다. 조명유닛 (1) 으로부터의 광은 웨이퍼 (2) 의 표면에 입사되도록 되어 있으며, 이 때 웨이퍼 (2) 의 표면에 수직인 법선 (V) 에 대하여 조명광의 광축 (O1) 이 이루는 각이 입사각 (i) 이 된다. 이와 같이 웨이퍼 (2) 의 표면에 조명광이 조사되면, 웨이퍼 (2) 의 표면으로부터 정반사광이 광축 (O2) 에 대하여 출사각 (r) (= 입사각 i) 으로 출사되고, 또한 웨이퍼 (2) 의 표면에 형성된 패턴의 피치 (p), 입사각 (i) 및 입사광의 파장 (λ) 에 대응하여 웨이퍼 (2) 의 표면으로부터 회절광이 출사된다. 그리고, 이 때의 회절광의 출사각은 정반사광의 출사각 (r) 과는 다른 방향이 되며, 정반사광의 강도는 입사광의 강도에서 회절광의 강도를 뺀 강도에 대응한다.
상기와 같이 출사각 (r) 으로 출사되는 정반사광에 대향하여 수광유닛 (3) 이 배치되어 있으며, 웨이퍼 (2) 의 표면으로부터의 정반사광은 수광유닛 (3) 내에 입사한다. 수광유닛 (3) 은 집광렌즈 (31, 32) (집광광학계) 와, CCD 촬상소자 (33) (촬상장치) 를 가지고 구성되며, 집광렌즈 (31, 32) 에 의해 정반사광에 의한 웨이퍼 (2) 표면의 이미지가 CCD 촬상소자 (33) 에 형성된다. CCD 촬상소자 (33) 에 의해 촬상된 화상신호는 CRT 모니터, 액정디스플레이 모니터 등으로 이루어지는 표시유닛 (4) 에 보내지며, 웨이퍼 (2) 의 표면화상이 표시유닛 (4) 에 표시된다. 이 화상신호는 화상처리를 하는 처리유닛 (5) 에도 보내진다.
여기에서, 상술한 바와 같이, 정반사광에 기초하는 웨이퍼 (2) 의 표면검사시에는 웨이퍼 (2) 의 표면으로부터 회절광을 발생시킬 필요가 있으며, 회절광의 발생조건에 대하여 도 2 를 참조하여 설명한다. 도 2 에는 웨이퍼 (2) 의 표면에 광축 (O1) 을 가지고 입사각 (i) 으로 입사한 조명광에 대하여, 정반사광이 광축 (O2) 을 가지고 출사각 (r) 으로 출사되는 경우를 나타내며, 이 때, m 차의 회절광 (단, m = 1, 2, …및 m = -1, -2, …) 이 도시한 바와 같이 출사되는 경우를 나타내고 있다. 그리고, 이들 회절광의 출사각 (d) 을, 도 2 에서 법선 (V) 으로부터 우방향의 각도를 정(正)의 각도로 하여 정의한다.
이 경우에 있어서, 웨이퍼 (2) 표면의 패턴피치를 p, 조명광의 파장을 λ로 한 경우, m 차의 회절광이 출사각 (d) 으로 출사되는 조건식은 식 (2) 와 같이 나타난다.
(수학식 2)
sin d - sin i = mㆍλ/p …(2)
여기에서, 도 2 에서는 +2 차까지 및 -4 차까지의 회절광이 출사되도록 나타내고 있는데, 회절광의 출사각 (d) 이 커짐에 따라 고차의 회절광으로부터 차례로 출사되지 않게 되며, -1 차의 회절광만이 출사되는 상태가 발생한다. 따라서, -1 차의 회절광이 출사되는 조건이 회절광이 출사되는 최저 조건이며, 이 조건을 생각한다. 이 때문에, -1 차의 회절광의 출사각 (d) 이 -90 °≤d 라는 조건을만족하면 되고, -1 ≤sin d 라는 조건을 만족하면 된다. 이 조건을 상기식 (2) 에 넣어 변형하면, 식 (3) 이 얻어진다. 그리고, 이 식 (3) 은 상술한 식 (1) 과 동일한 식이다.
(수학식 3)
λ/(sin i + 1) ≤p …(3)
이상의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 조건식 (3) 을 만족할 때에는 웨이퍼 (2) 의 표면으로부터 회절광이 발생하며, 이 회절광을 뺀 강도의 정반사광을 집광렌즈 (31, 32) 를 통해 CCD 촬상소자 (33) 에 의해 수광하게 된다. 예컨대, 패턴피치 p = 0.3 ㎛ 일 때 입사각 (i) 이 19.5 °이상이면, 조명광의 파장 λ= 400 ㎚ 이상의 광에 대하여 회절광이 발생한다. 또, 입사각 i = 40 °로 하면, 파장 λ= 400 ㎚ ∼ 493 ㎚ 의 광에 대하여 회절광이 발생하며, 입사각 i = 60 °로 하면, 파장 λ= 400 ㎚ ∼ 560 ㎚ 의 광에 대하여 회절광이 발생한다. 이와 같이 입사각 (i) 을 크게 할수록, 회절광을 발생시킬 수 있는 조사광의 파장범위가 넓어지므로 검사효율이 좋아진다.
그리고, 광원 (11) 은 할로겐램프 즉 백열광원에 한정되는 것은 아니며, 파장 400 ㎚ 이상의 광으로 휘선 스펙트럼을 발하는 방전광원으로서 메탈할라이드램프 등을 사용할 수 있다. 할로겐램프는 피크파장이 700 ㎚ 이상의 영역에 있으며, 400 ㎚ 부근의 파장의 광의 출력이 상대적으로 약하다. 한편, 메탈할라이드램프는 파장 436 ㎚, 546 ㎚ 에서 강한 출력 (휘선) 이 있으므로, 회절광을 보다 효율적으로 발생시킬 수 있어 검사효율이 좋다.
또, 광원 (11) 으로서 수은램프를 사용해도 된다. 수은램프는 휘선 스펙트럼을 발하는 방전광원으로, 300 ㎚ ∼ 600 ㎚ 파장의 광을 출력하며, 파장 546 ㎚, 436 ㎚, 365 ㎚, 313 ㎚ 등에서 강한 출력 (휘선) 이 있으므로 검사효율이 높아진다. 수은램프는 단파장측에 휘선 스펙트럼을 많이 가지므로, 단파장역에서의 광량이 증대한다. 특히 패턴피치가 작은 패턴에 대하여 유효하다. 특히 상기의 조건, 즉 패턴피치 0.3 ㎛, 입사각 60 °라는 조건에서는 파장 300 ㎚ ∼ 560 ㎚ 의 입사광에 대하여 회절광이 발생하므로, 이 조건에서는 수은램프가 적합하다.
도 1 의 표면검사장치에 있어서, CCD 촬상소자 (33) 에 연결되는 처리유닛 (5) 에서는 CCD 촬상소자 (33) 에 의해 얻어진 화상신호를 처리하여 표면검사를 행한다. 구체적으로는 검사대상이 되는 웨이퍼 (2) 의 양품에 대한 정반사광의 화상을 미리 측정 기억해 두고, 이것을 실제의 검사대상이 되는 웨이퍼 (2) 의 정반사광의 화상과 비교하고, 패턴매칭을 행함으로써 상이의 유무를 판단하여 표면 결함의 유무를 검사한다. 예컨대, 검사대상이 되는 웨이퍼 (2) 에 있어서 포토리소그래피 공정에서의 디포커스에 의한 막두께 불균일 등의 결함이 있는 경우에는, 그 결함이 존재하는 장소에서의 회절광 강도가 양품의 웨이퍼로부터의 회절광 강도와 달라 정반사광의 강도가 상이하므로, 결함 부분에서 명암차, 화상의 특징의 상이 등이 되어 나타난다. 이와 같은 명암차, 특징 상이의 유무를 판단하여 표면 결함의 유무의 검사가 행해진다.
다음으로, 본 발명에 관계되는 제 2 실시 형태에 관계되는 표면검사장치에대하여 도 3 을 참조하여 설명한다. 이 검사장치에 있어서, 도 1 에 나타낸 구성의 검사장치부분과 동일구성부분에 대해서는 동일번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 이 검사장치에서는, 조명유닛 (1) 은 수은램프로 이루어지는 광원 (11) 과 조명렌즈 (12) 로 구성되어 있으며, 광원 (11) 으로부터 사출된 조명광속이 조명렌즈 (12) 에 의해 평행광속이 되어 웨이퍼 (2) 의 표면에 조사된다. 이 경우, 웨이퍼 (2) 의 표면에 조사되는 광의 입사광 (i) 은 웨이퍼 (2) 의 표면 전면에 걸쳐 동일해진다. 따라서, 정반사광 및 회절광의 출사방향이 웨이퍼 (2) 의 표면 전면에 걸쳐 균일하여 표면 결함의 검사감도가 동일해진다.
또한, 이 장치에서는 도시하지 않은 구동기구가 설치되어 있고, 웨이퍼 (2) 의 중심을 통과해 지면에 수직인 축을 중심으로 하여 조명유닛 (1) 및 수광유닛 (3) 이 요동 가능하게 되어 있어 입사각 (i) 을 임의로 조정 가능하며, 이에 대하여 정반사광의 출사각 방향에 위치하도록 수광유닛 (3) 의 방향을 임의로 조정 가능하게 되어 있다. 또, 이와 같이 양 유닛 (1, 3) 을 요동 가능하게 하는 대신, 웨이퍼 (2) 의 상기 축 주위의 각도와 양 유닛 (1, 3) 의 어느 하나를 요동 가능하게 하여 입사각 (i) 을 임의로 조정 가능하게 해도 된다. 이와 같이 구성하면, 입사각 조건을 웨이퍼 (2) 로부터의 회절광의 강도 변화가 많아지는 곳으로 설정할 수 있어 결함의 검사를 보다 정확하게 행할 수 있다.
그리고, 렌즈 (12, 31) 는 도시한 볼록렌즈가 아니라, 구면반사경 등의 반사광학소자를 사용해도 되며, 이에 의해 장치를 소형화할 수 있다.
파장선택유닛 (6) 은 광원 (11) 으로부터 사출된 광 중, 회절광이 발생하는파장역의 광을 선택하여 통과시키는 것으로, 다이크로익 미러, 간섭 필터 등 여러 가지 준비되어 이들이 교환사용 가능하게 되어 있다. 이와 같이 구성함으로써, 수광유닛 (3) 에서 수광되는 정반사광은 모든 파장역에서 회절광의 성분이 제거된 것이 되어 검사의 효율이 더욱 높아진다.
이 표면검사장치에서는, 조명유닛 (1), 웨이퍼 (2), 수광유닛 (3), 파장선택유닛 (6) 은 챔버 (7) 내에 들어가 있으며, 챔버내는 질소, 아르곤 가스 등의 불활성 가스로 충만되어 있다. 이에 의해, 400 ㎚ 이하의 자외선 등에 의해 광학계에 흐림이 발생하는 것을 방지하고 있다. 그리고, 불활성 가스를 채우는 대신 챔버 (7) 내를 진공으로 해도 된다.
이상 설명한 본 발명에 관계되는 표면검사장치에서는 CCD 촬상소자 (33) 에 의해 얻어진 화상신호를 처리유닛 (5) 에서 화상처리하여 표면 결함의 검사를 행하는 예를 설명했지만, 검사원이 표시유닛 (4) 또는 다른 모니터상의 화상을 보면서 검사를 행하는 육안 검사기로 하여 사용할 수도 있다. 상기 설명에서는 웨이퍼 (2) 전체영역의 이미지를 도입하는 경우를 설명했지만, 웨이퍼 일부영역의 이미지를 인출하고, 웨이퍼와 광속을 상대적으로 이동시켜 표면검사를 행하도록 해도 된다.
다음으로, 도 4 에서 도 6 에 기초하여 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에 관계되는 표면검사장치의 조명유닛 (1) 의 입사각과 광원파장의 결정방법에 대하여 설명한다.
도 4 는 표면검사장치의 구성을 나타내는 개략도이다. 도 5 및 도 6 은표면검사장치의 조명유닛 (1) 의 입사각과 광원파장을 결정하기 위한 MPU (8) 의 제어 플로차트도이다.
도 4 는 기본적으로는 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에 관계되는 표면검사장치를 나타내고 있지만, 일부 구성이 부가되어 있다. 도 4 에서는 조명유닛 (1) 과 수광유닛 (3) 은 마이크로 프로세서 유닛 (MPU) (8) 에 의해 조명유닛 (1) 의 입사각 (i) 과 동일한 출사각 (d) 방향으로 수광유닛 (3) 이 설정되도록 제어된다. MPU (8) 는 표면검사장치의 제어 전반을 담당하고 있으며, 조명유닛 (1), 수광유닛 (3) 의 제어, 표시유닛 (4), 처리유닛 (5) 등을 제어하고 있다.
조명유닛 (1) 은 구동원 (9a) 에 의해 구동되며, 또 수광유닛 (3) 은 구동원 (9b) 에 의해 구동된다. 이들 구동원 (9a, 9b) 은 MPU (8) 에 의해 구동제어되며, 예컨대 이들 구동원은 모터와 구동기구로 구성된다.
또, 조명유닛 (1) 은, 예컨대 할로겐램프, 메탈할라이드램프, 수은의 각 광원이 선택적으로 장착되며, 조명유닛 (1) 의 광원으로서 이하 설명하는 도 5 및 도 6 의 제어 플로에 따라 최적의 광원이 선택된다.
조명유닛 (1) 과 수광유닛 (3) 은 구동원 (9a, 9b) 의 구동력을 받는 구동전달기구 (10a, 10b) 를 구비하며, 축 (O) 주위로 요동 가능하다. 수광유닛 (3) 은 웨이퍼 (2) 로부터의 정반사광을 수광할 수 있도록 조명유닛 (1) 의 입사각 (i) 이 변화하면 그것에 연동하여 축 (O) 주위로 상술한 바와 같이 요동한다.
도 5 는 MPU (8) 가 파장이 다른 광원, 예컨대 할로겐램프, 메탈할라이드램프, 수은의 각 광원마다 입사각 (i) 을 변화시킨 경우의 정반사광량 (V) 을 측정하여 광원과 입사각을 결정하는 제어 플로를 나타낸다.
스텝 S1 (준비공정 1) : 조명유닛 (1) 에서는 파장 (λ1) 을 갖는 광원 (A) 이 선택되며, 입사각 (ij) 을 소정 범위내의 각도로 순차적으로 변화시킨다. MPU (8) 는 구동원 (9a 와 9b) 을 제어하며, 조명유닛 (1) 과 수광유닛 (3) 을 소정 범위내로 순차적으로 변화시켜 최소의 정반사광량 (V1min) 이 되는 각도위치 (ij) 를 메모리부에 기억한다. 즉, 수광유닛 (3) 의 CCD 촬상소자 (33) 의 출력으로부터 자동적으로 평균광량을 연산함으로써 최소 정반사광량인 것을 검출하고, MPU (8) 는 최소 정반사광량인 것을 검출한 시점에서 파장 (λ) 과 입사각도 (i) 를 메모리부에 기억한다.
최소 정반사광량을 검출하는 이유는, 최대의 정반사광량이 되는 것을 선택하면 회절광 성분을 포함하지 않는 상태의 각도위치를 기억할 우려가 있기 때문이다.
최소의 정반사광량이 되었음을 검출하는 방법은, 예컨대 표시유닛 (4) 의 모니터를 조작자가 육안으로 확인함으로써 행한다. 조작자가 최소 정반사광량이라고 확인한 시점에서 그 때의 광원의 파장 (λ) 과 입사각 (i) 을 기억시키기 위해 기억지시스위치를 누르는 방법이어도 된다.
다음으로, 조명유닛 (1) 에서는 파장 (λ2) 을 갖는 광원 (B) 이 선택되고, 입사각 (ih) 을 소정 범위내의 각도로 순차적으로 변화시키고, 최소의 정반사광량 (V2min) 이 되는 각도위치 (ih) 를 기억한다.
또한, 조명유닛 (1) 에서는 파장 (λ3) 을 갖는 광원 (C) 이 선택되고, 입사각 (ik) 을 소정 범위내의 각도로 순차적으로 변화시키고, 최소의 정반사광량(V3min) 이 되는 각도위치 (ik) 를 기억한다.
그리고, 준비공정 1 에서 사용하는 웨이퍼는, 예컨대 검사되는 로드의 제 1 번째의 웨이퍼여도 되고, 또 검사되는 로드의 웨이퍼를 대표하는 기준 웨이퍼를 준비하여 사용해도 된다.
스텝 S2 (준비공정 2) : 준비공정 1 에서 얻어진 최소의 정반사광량 (V1min, V2min, V3min) 중에서 최소의 것을 선택한다.
스텝 S3 (준비공정 3) : 준비공정 3 에서, 얻어진 최소 반사광량끼리를 비교해 이 중에서 최소값을 나타내는 것을 선택한다.
이 최소값을 나타내는 최소 반사광량 (V1min) 으로 하면, 이것에 대응하는 λ1 과 ij 가 선택된다.
스텝 S4 (본 검사공정) : 준비공정 3 에 의해 선택된 소정 파장 (λ) (예컨대, λ1) 의 광원과 입사각 (i) (예컨대, ij) 을 사용하여 웨이퍼의 결함 검사를 실행한다.
그리고, 본 검사공정에서는 상기 준비공정 1-3 에서 구해진 광원파장 (λ) 과 입사각도 (i) 를 사용하여 검사대상 로드의 웨이퍼를 검사한다. 그리고, 다음의 다른 피치 (P) 를 포함하는 로드에 대해서는 동일하게 처음부터 준비공정처리를 하여 본 검사공정 처리를 행한다.
도 6 은 도 5 에서 설명한 광원의 파장과 입사각도위치의 결정방법과 다른 방법을 설명하기 위한 도면이며, 검사대상의 웨이퍼의 패턴피치 (P) 를 미리 알고 있으므로, 입사각도가 변화시키는 범위도 수학식 3 으로 결정되어 있는 점에서 도5 의 제어 플로와는 다르다. 이하 설명한다.
스텝 S10 (준비공정 1) : 검사대상인 웨이퍼의 패턴피치 (P) 를 입력한다.
MPU (8) 는 웨이퍼에 부수된 피치 (P) 정보 데이터를 자동적으로 취득하거나, 또는 키보드 조작에 의해 조작자가 피치 (P) 정보를 입력한 데이터를 취득한다.
스텝 S11 (준비공정 2) : 이 스텝 S11 은 도 5 의 준비공정 1 의 스텝 S1 과 동일한 동작을 행하는데, 다른 점은 단 하나, 광원의 입사각도를 변화시키는 범위가 수학식 3 의 조건식으로 미리 결정되어 있는 것이다. 즉, 스텝 S10 에서 피치 (P) 가 입력됨으로써 입사각 (i) 은 조건식의 λ/(sin i + 1) ≤P 로 결정되고, 조건식을 만족하는 범위내에서 순차적으로 변화되며, MPU (8) 는 광원의 파장 (λ) 과, 최소의 정반사광량이 되는 각도위치 (i) 를 기억하게 된다.
스텝 S12 (준비공정 3) : 이 스텝 S12 는 도 5 의 스텝 S2 와 동일한 동작을 행한다.
스텝 S13 (준비공정 4) : 이 스텝 S13 은 도 5 의 스텝 S3 과 동일한 동작을 행한다.
스텝 S14 (본 검사공정) : 이 스텝 S14 는 도 5 의 스텝 S4 와 동일한 동작을 행한다.
그리고, 도 5 및 도 6 에서는, 준비공정에서 최소의 정반사광량을 검출하여 파장 (λ) 과 입사각 (i) 을 결정하고 있었지만, 이에 한정되지 않으며, 회절광을 포함하는 입사각도위치로 설정되면 되는 것이므로, 예컨대 최대의 정반사광량과 최소의 정반사광량의 중간값의 정반사광량에 대응하는 입사각도위치여도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 조명광학계에 의해 피검물체에 조사되는 검사용 조명광의 입사각 (i) 과 파장 (λ) 이 상술한 식 (1) 또는 (3) 을 만족하도록 구성되어 있으므로, 검사용 조명광이 상기 패턴에 조사되었을 때, 상기 패턴으로부터는 반드시 회절광이 출사되며, 정반사광의 강도에 기초하는 피검물체 표면의 검사를 효과적으로 또한 용이하게 행할 수 있다.
그리고, 상기식 (1) 을 만족하는 파장 (λ) 을 갖는 검사용 조명광을 얻기 위해, 검사용 조명광의 파장대역을 제한하는 파장선택유닛을 형성하는 것이 바람직하다.
조명광학계를, 휘선 스펙트럼을 발하는 방전광원을 가지고 구성하는 것이 바람직하며, 이와 같이 휘선 즉 강한 출력을 갖는 방전광원을 사용함으로써 검사효율을 높일 수 있다.
또, 조명광학계를, 파장이 400 ㎚ 이하의 자외광을 공급하는 광원을 가지고 구성하고, 적어도 이 조명광학계를 불활성 가스 분위기중 또는 진공중에 배치하는 것이 바람직하다. 검사용 조명광의 광원으로서 파장이 400 ㎚ 이하의 자외광을 공급하는 광원을 사용하는 경우, 매우 작은 피치의 패턴에 대해서도 효과적으로 회절광을 발생시킬 수 있다. 또, 이 자외광이 공기중의 물질과 반응하여 렌즈에 부착하거나 하여 조명계에 흐림이 발생할 우려가 있는데, 조명광학계를 불활성 가스 분위기중 또는 진공중에 배치함으로써 이와 같은 문제의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 관계되는 표면검사장치를, 촬상장치로부터의 화상신호를 처리하여 피검물체의 표면화상을 구하고, 이 표면화상으로부터 피검물체 표면의 결함의 유무검사를 행하는 화상처리검사장치를 가지고 구성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 정반사광의 강도를 자동적으로 검사하는 자동표면검사장치를 간단하게 얻을 수 있다.

Claims (10)

  1. 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체에 검사용 조명광을 조사하는 조명광학계와, 상기 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와, 상기 집광광학계에 의해 집광된 상기 정반사광을 받아 상기 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지고 구성되며,
    상기 촬상장치에 의해 검출된 상기 피검물체의 이미지로부터 상기 피검물체의 표면을 검사하는 표면검사장치에 있어서,
    상기 조명광학계에 의해 상기 피검물체에 조사되는 상기 검사용 조명광의 입사각 (i) 과 파장 (λ) 이 하기식
    λ/(sin i + 1) ≤p
    단, p : 상기 패턴의 반복피치
    을 만족하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 검사용 조명광의 파장대역을 제한하는 파장선택유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 조명광학계는 휘선 스펙트럼을 발하는 방전광원을 갖는 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 조명광학계는 파장이 400 ㎚ 이하의 자외광을 공급하는 광원을 가지며, 적어도 상기 조명광학계가 불활성 가스 분위기중 또는 진공중에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 촬상장치로부터의 화상신호를 처리하여 상기 피검물체의 표면화상을 구하고, 상기 표면화상으로부터 상기 피검물체 표면의 결함의 유무검사를 행하는 화상처리검사장치를 갖는 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 조명광학계를 구성하는 조명유닛을 구동하는 조명유닛 구동수단과,
    상기 집광광학계와 상기 촬상장치로 이루어지는 수광유닛을 구동하는 수광유닛 구동수단과,
    상기 조명유닛 구동수단과 상기 수광유닛 구동수단을 제어하고, 상기 조명유닛으로부터의 상기 검사용 조명광의 입사각도의 변경에 따라 변화하는 정반사광의 출사방향에 위치하도록 상기 수광유닛을 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  7. 각각이 다른 조명광의 파장을 갖는 적어도 2 개의 제 1 및 제 2 검사용 광원과,
    상기 검사용 광원에 의해 조명되며, 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와,
    상기 집광광학계에 의해 집광된 상기 정반사광을 받아 상기 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지며,
    상기 촬상장치에 의해 검출된 상기 피검물체의 이미지로부터 상기 피검물체의 표면을 검사하는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법에 있어서,
    상기 제 1 검사용 광원을 소정의 입사각 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 1 촬상 스텝과,
    상기 제 1 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 1 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 1 기억 스텝과,
    상기 제 2 검사용 광원을 소정의 입사각 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 2 촬상 스텝과,
    상기 제 2 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 2 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 2 기억 스텝과,
    상기 제 1 기억 스텝 및 상기 제 2 기억 스텝에서의 상기 제 1 과 제 2 소정의 정반사광량을 비교하는 비교 스텝과,
    상기 비교 스텝의 결과에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 기억 스텝에서 기억된 각도위치의 일측을 선택함과 동시에, 상기 선택된 각도위치를 구하는데 사용된 제 1 및 제 2 검출용 광원의 일측을 선택하는 선택 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 정반사광량은 최소의 정반사광량이며,
    상기 선택 스텝에서는 상기 제 1 및 제 2 정반사광량 중 작은 쪽에 대응하는 상기 각도위치를 선택하는 것을 특징으로 하는 표면검사방법.
  9. 각각이 다른 조명광의 파장을 갖는 적어도 2 개의 제 1 및 제 2 검사용 광원과,
    상기 검사용 광원에 의해 조명되며, 주기적으로 반복되는 패턴이 형성된 표면을 갖는 피검물체로부터의 정반사광을 집광하는 집광광학계와,
    상기 집광광학계에 의해 집광된 상기 정반사광을 받아 상기 피검물체의 이미지를 검출하는 촬상장치를 가지며,
    상기 촬상장치에 의해 검출된 상기 피검물체의 이미지로부터 상기 피검물체의 표면을 검사하는 표면검사장치에 사용되는 표면검사방법에 있어서,
    상기 주기적인 패턴의 피치를 입력하는 입력 스텝과,
    상기 입력 스텝에서 입력된 피치 (P) 와, 상기 제 1 검출용 광원의 파장 (λ1) 에 기초하여 상기 제 1 검출용 광원의 입사각 (i) 이 식 : λ1/(sin i + 1) ≤P 를 만족하는 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 1 촬상 스텝과,
    상기 제 1 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 1 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 1 기억 스텝과,
    상기 입력 스텝에서 입력된 피치 (P) 와, 상기 제 2 검출용 광원의 파장(λ2) 에 기초하여 상기 제 2 검출용 광원의 입사각 (i) 이 식 : λ2/(sin i + 1) ≤P 를 만족하는 범위내에서 순차적으로 각도 변화시켜 상기 촬상장치에 의해 상기 정반사광에 의한 촬상을 하는 제 2 촬상 스텝과,
    상기 제 2 촬상 스텝에 의해 상기 정반사광을 수광함으로써 제 2 소정의 정반사광량이 되는 각도위치를 기억하는 제 2 기억 스텝과,
    상기 제 1 기억 스텝 및 상기 제 2 기억 스텝에서의 상기 제 1 과 제 2 소정의 정반사광량을 비교하는 비교 스텝과,
    상기 비교 스텝의 결과에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 기억 스텝에서 기억된 각도위치의 일측을 선택함과 동시에, 상기 선택된 각도위치를 구하는데 사용된 제 1 및 제 2 검출용 광원의 일측을 선택하는 선택 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 정반사광량은 최소의 정반사광량이며,
    상기 선택 스텝에서는 상기 제 1 및 제 2 정반사광량 중 작은 쪽에 대응하는 상기 각도위치를 선택하는 것을 특징으로 하는 표면검사방법.
KR10-2001-0046602A 2000-08-04 2001-08-01 표면검사장치 KR100403189B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000236774 2000-08-04
JPJP-P-2000-00236774 2000-08-04
JPJP-P-2001-00215211 2001-07-16
JP2001215211A JP2002139451A (ja) 2000-08-04 2001-07-16 表面検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020012133A KR20020012133A (ko) 2002-02-15
KR100403189B1 true KR100403189B1 (ko) 2003-10-23

Family

ID=26597364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0046602A KR100403189B1 (ko) 2000-08-04 2001-08-01 표면검사장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6693293B2 (ko)
JP (1) JP2002139451A (ko)
KR (1) KR100403189B1 (ko)
TW (1) TW500919B (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI285738B (en) * 2000-09-26 2007-08-21 Olympus Corp Defect detecting apparatus and computer readable medium
US7016525B2 (en) * 2002-05-02 2006-03-21 Mitutoyo Corporation Systems and methods for continuously varying wavelength illumination
EP1464920B1 (de) * 2003-04-03 2007-07-25 Erwin Pristner Vorrichtung zum Erfassen, Bestimmen und Dokumentieren von Schäden, insbesondere durch plötzliche Ereignisse verursachte Deformationen an lackierten Oberflächen
TW200540939A (en) * 2004-04-22 2005-12-16 Olympus Corp Defect inspection device and substrate manufacturing system using the same
JP4728061B2 (ja) * 2004-10-14 2011-07-20 株式会社ディスコ 被加工物形状認識装置
US20070041613A1 (en) * 2005-05-11 2007-02-22 Luc Perron Database of target objects suitable for use in screening receptacles or people and method and apparatus for generating same
US20090174554A1 (en) * 2005-05-11 2009-07-09 Eric Bergeron Method and system for screening luggage items, cargo containers or persons
US7991242B2 (en) 2005-05-11 2011-08-02 Optosecurity Inc. Apparatus, method and system for screening receptacles and persons, having image distortion correction functionality
JP4661441B2 (ja) * 2005-08-05 2011-03-30 凸版印刷株式会社 周期構造の欠陥測定装置
JP4778755B2 (ja) * 2005-09-09 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びこれを用いた装置
WO2007069457A1 (ja) * 2005-12-14 2007-06-21 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
CA2584683A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-20 Optosecurity Inc. Apparatus, method and system for screening receptacles and persons
US7899232B2 (en) * 2006-05-11 2011-03-01 Optosecurity Inc. Method and apparatus for providing threat image projection (TIP) in a luggage screening system, and luggage screening system implementing same
JP4251193B2 (ja) * 2006-05-23 2009-04-08 コニカミノルタセンシング株式会社 反射特性測定装置
US8494210B2 (en) * 2007-03-30 2013-07-23 Optosecurity Inc. User interface for use in security screening providing image enhancement capabilities and apparatus for implementing same
US7990546B2 (en) * 2007-07-16 2011-08-02 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput across-wafer-variation mapping
US7903250B1 (en) * 2008-06-09 2011-03-08 Kla-Tencor Corporation Control by sample reflectivity
WO2010013232A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Applied Materials Israel Ltd. Mapping variations of a surface
JP4922334B2 (ja) * 2009-03-31 2012-04-25 株式会社東芝 パターン検査装置およびパターン検査方法
EP2738609A3 (en) * 2009-07-01 2018-01-17 Nikon Corporation Exposure condition determining method and surface inspection apparatus
NL2004949A (en) * 2009-08-21 2011-02-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus.
KR101973221B1 (ko) 2011-09-07 2019-04-26 라피스캔 시스템스, 인코포레이티드 적하목록 데이터를 이미징/검출 프로세싱에 통합시키는 x-선 검사시스템
KR101376831B1 (ko) * 2012-03-27 2014-03-20 삼성전기주식회사 표면결함 검사방법
AT513747B1 (de) 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
US9299374B2 (en) * 2014-07-15 2016-03-29 International Business Machines Corporation Dynamically optimizing read performance by adjusting servo-based head location
GB2595986A (en) 2016-02-22 2021-12-15 Rapiscan Systems Inc Systems and methods for detecting threats and contraband in cargo
CN111213047A (zh) * 2017-05-22 2020-05-29 深圳配天智能技术研究院有限公司 一种视觉检测参数的确定方法、视觉检测设备以及视觉检测系统
CN112147710B (zh) * 2019-06-26 2022-02-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种湿法光胶装置的检测方法及检测装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4030830A (en) * 1976-01-05 1977-06-21 Atlantic Research Corporation Process and apparatus for sensing defects on a smooth surface
JPH0587740A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異物検査装置
JPH0694642A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Kawasaki Steel Corp 表面欠陥検査方法および装置
JPH07218451A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nippon Steel Corp 光学式鋼板表面検査装置
JP2000155099A (ja) * 1998-09-18 2000-06-06 Hitachi Ltd 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
JP2001041720A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Nikon Corp 欠陥検出方法および装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216035A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Fujitsu Ltd 微粒子の検出方法
JPH085573A (ja) 1994-06-16 1996-01-12 Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk ワーク表面の検査装置と検査方法
JPH0854346A (ja) * 1994-08-17 1996-02-27 Hitachi Ltd 異物検査方法および異物検査装置
JP3668294B2 (ja) * 1995-08-22 2005-07-06 オリンパス株式会社 表面欠陥検査装置
JP3692685B2 (ja) * 1997-02-19 2005-09-07 株式会社ニコン 欠陥検査装置
WO1999002977A1 (fr) * 1997-07-10 1999-01-21 Nikon Corporation Dispositif et procede d'inspection de surfaces
KR100267665B1 (ko) * 1997-08-28 2001-01-15 하나와 요시카즈 표면검사장치
JPH11166901A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Nikon Corp 検査装置及び方法
JPH11344447A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Ltd 光学式欠陥検査装置
JP2000028535A (ja) 1999-05-11 2000-01-28 Nidek Co Ltd 欠陥検査装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4030830A (en) * 1976-01-05 1977-06-21 Atlantic Research Corporation Process and apparatus for sensing defects on a smooth surface
JPH0587740A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異物検査装置
JPH0694642A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Kawasaki Steel Corp 表面欠陥検査方法および装置
JPH07218451A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Nippon Steel Corp 光学式鋼板表面検査装置
JP2000155099A (ja) * 1998-09-18 2000-06-06 Hitachi Ltd 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
JP2001041720A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Nikon Corp 欠陥検出方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW500919B (en) 2002-09-01
JP2002139451A (ja) 2002-05-17
KR20020012133A (ko) 2002-02-15
US20020017620A1 (en) 2002-02-14
US6693293B2 (en) 2004-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100403189B1 (ko) 표면검사장치
JP4778755B2 (ja) 欠陥検査方法及びこれを用いた装置
JP5585615B2 (ja) 検査装置および検査方法
US6512578B1 (en) Method and apparatus for surface inspection
JP4548385B2 (ja) 表面検査装置
US6654113B2 (en) Surface inspection apparatus
JP2006005360A (ja) ウエハ検査方法及びシステム
WO2008007614A1 (fr) Appareil d'inspection de surface
JP2004012301A (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
US6646735B2 (en) Surface inspection apparatus and surface inspection method
JP2006284211A (ja) ムラ検査装置およびムラ検査方法
US6735333B1 (en) Pattern inspection apparatus
WO2009099142A1 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
JP4605089B2 (ja) 表面検査装置
JP2009109263A (ja) 検査装置及び検査方法
JP4506723B2 (ja) 表面検査装置
JP2006313143A (ja) ムラ検査装置およびムラ検査方法
JP4622933B2 (ja) 表面検査方法及び表面検査装置
JP2003232749A (ja) 半導体デバイス故障解析装置
JP4162319B2 (ja) 欠陥検査装置
JP2005274156A (ja) 欠陥検査装置
JP2004061371A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP2001289793A (ja) 表面検査装置
JP2005003476A (ja) 表面検査装置
JP2006292487A (ja) ムラ検査装置およびムラ検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 17