KR100387691B1 - 전자빔 노광 시스템 - Google Patents

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KR100387691B1
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야마시타히로시
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엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
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Abstract

전자기 렌즈(13, 14, 16, 18)와, 어퍼쳐(12 등) 및 전자빔 마스크(15)를 사용하여 전자빔 노광 시스템이 구성되는데, 이들은 전자 소스와 기판 사이에서 일렬로 정렬된다. 상기 전자 소스로부터 방사되고 그 다음 기판 상에 조사되는 전자빔의 궤도 내에, 전자빔의 전자에 대해서 크로스오버 위치(crossover planes; A, B, C)가 나타난다. 전자빔 마스크는 하나의 크로스오버 위치에 정렬되고, 동시에 어퍼쳐는 다른 크로스오버 위치에 정렬된다. 또한, 하나의 어퍼쳐는 단면 모양 및 크기에서 전자빔을 죄는(narrow down) 대물 어퍼쳐(17)이다. 전자 소스는 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자가 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자보다 더 높은 강도를 갖는 전자빔 강도 분포를 나타내도록 설계되는데, 전자 소스의 방사 표면(11a)의 중앙부(11b)를 둘러싸도록 띠 모양의 프로젝션부(11c)가 형성된다. 전자빔이 비스듬한 방식으로 기판 상에 입사하는 비스듬한 조명을 수행하기 위해서, 상기 시스템은 작은 빔 입사 반각을 갖는 전자를 차단하기 위한 중앙 실드 부재(31a, 41a)와 큰 빔 입사 반각을 갖는 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 링 개구부(31b, 41b)로 구성되는 수정 대물 어퍼쳐(31, 41)를 크로스오버 위치에 장착하고 있다. 따라서, 쿨롱 효과를 감소시키는 것이 가능하고, 집적 회로의 제조에서 해상도와 처리 능력을 향상시키는 것이 가능하다.

Description

전자빔 노광 시스템{ELECTRON-BEAM EXPOSURE SYSTEM}
발명의 배경
본 발명은 전자빔에 노출되는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 집적회로의 미세 패턴을 형성하는 전자빔 노광 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 높은 처리 능력(throughput)을 얻기 위한 셀 프로젝션(cell projection)에 적합한 전자빔 노광 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 본원에 참조 문헌으로 활용된 일본 특허원 제 Hei 10-331790호에 기초한다.
관련 기술의 설명
자외선 방사를 사용하는 종래의 축소 프로젝션(reduction projection) 기술과 비교해서, 전자빔 노광 기술은 극미세 패턴이 높은 해상도로 반도체 웨이퍼 상에 형성될 수 있다는 이점을 갖는다. 최근에, 메모리와 같은 반도체 장치는 높은 처리 능력으로 제조되는 것이 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위해서, 전자빔 노광 장치는 전자빔에 대해 특별히 설계된 마스크를 사용하는 셀 프로젝션을 활용한다.
셀 프로젝션에 따르면, LSI 패턴의 일부는 어퍼쳐의 개구 형상에 따라 기판 상에 반복적으로 상을 만들게 된다. 이 시스템은 다수의 반복된 패턴을 포함하는 DRAM(dynamic random-access memories)과 같은 메모리 장치의 제조에서 특히 유익한데, 그 이유는 노광을 수행하는 횟수가 현저히 감소될 수 있기 때문이다. 따라서, 펜(또는 브러쉬)의 단일의 직사각형으로 그림이 그려지는 방식으로 패턴을 노출하는 종래의 가변적으로 성형된 전자빔 노광과 비교해서, 기록 시간을 현저하게감소시키는 것이 가능하다.
종래의 전자빔 노광 시스템의 일 예는 도 9를 참조하여 설명될 것이다. 본원에서, 전자 소스(1)는 전자빔을 방사하고, 그 정방형의 형상은 제 1의 어퍼쳐(2)에 의해 형성된다. 전자빔은 제 1 및 제 2의 전자기 렌즈(3, 4)에 의해 집속된다. 그 다음, 전자빔은 개구 패턴(5a)을 구비하는 전자빔 마스크(5) 상에 조사된다. 마스크(5)의 개구 패턴(5a)을 통해 투과된 전자빔은 제 3의 전자기 렌즈(6)에 의해 축소 및 집속된다. 그 다음, 대물 어퍼쳐(object aperture; 7)를 통해 투과되고 대물 전자기 렌즈(8)에 의해 집속된다. 따라서, 최종적으로 전자빔은 반도체 웨이퍼(W)의 표면 상에 조사된다.
또한, 종래의 전자 소스(1)는 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같은 정방형 표면 전자 소스(square surface electron source)인데, 여기서 전자빔의 방사 표면(1a)은 평면처럼 형성된다. 또한, 종래의 전자 소스는 중앙부가 돌출된 다른 형태의 방사 표면을 사용한다. 도 9에 있어서, 선정된 크기의 개구부는 상기 언급된 어퍼쳐(2 및 7)의 중앙부에 형성되어 전자빔의 투과를 허용한다. 즉, 제 1의 어퍼쳐(2)는 개구부(2a)를 구비하고, 대물 어퍼쳐(7)는 개구부(7a)를 구비한다.
상기 언급된 전자빔 노광 기술은 다음과 같은 단점을 갖는다.
셀 프로젝션에 있어서, 큰 면적의 패턴은 기판 상에 동시에 그려진다. 이것은 렌즈와 어퍼쳐를 통해 투과되는 빔 전류를 증가시킨다. 빔 전류의 증가는 소위 쿨롱 효과를 크게 하고, 그 결과 빔 전류의 양에 응답하여 전자간에 초래되는 척력으로 인해 빔 형상의 형성에 대한 정확도가 악화된다. 쿨롱 효과가 크게 될 때 빔의 크기가 확대되어 해상도가 감소되는 단점이 있다. 이러한 이유로 인해, 빔 전류를 크게 하는 것이 불가능하다. 따라서, 처리 능력을 향상시키는 것이 어렵다. 통상적으로, 전자 소스로부터 방사되는 전자빔은 기판 상으로의 조사시의 입사 반각(incident semi-angles)에 대한 전자 강도의 각도 분포가 가우스 분포를 갖는다. 따라서, 전자는 전자빔의 단면 중앙부에 집중된다. 그러므로, 빔 전류를 증가시키는 것에 의해 유발되는 쿨롱 효과는 빔 입사 반각이 더 작게 될수록 종래의 전자빔 노광 기술에 더욱 나쁜 영향을 미치게 된다.
본 발명의 목적은 쿨롱 효과를 감소시킬 수 있고 해상도와 처리 능력을 향상시킬 수 있는 전자빔 노광 시스템을 제공하는 것이다.
전자빔 노광 시스템은 전자기 렌즈, 어퍼쳐 및 전자빔 마스크(또는 EB 마스크)가 전자 소스와 반도체 웨이퍼와 같은 기판 사이에 일렬로 배치되어 구성된다. 본원에서, 전자 소스로부터 방사되는 전자에 대응하는 전자빔은 전자기 렌즈에 의해 집속 및 축소되고 동시에 개구 패턴을 갖는 EB 마스크에 의해 패턴 형성되며, 그 후, 상기 전자빔은 기판 상에 조사되어 소정의 패턴이 기판 상에 이미지화 되어 집적 회로를 생성하게 된다. 전자 소스로부터 기판으로 진행하는 전자빔의 궤도 내에, 예를 들면, 전자빔의 전자의 세 개의 크로스오버 위치(crossover planes)가 형성된다. EB 마스크는 하나의 대물 평면(object plane)에 정렬되고, 어퍼쳐는 크로스오버 위치에 정렬된다. 또한, 하나의 어퍼쳐는 전자빔의 단부 모양 및 크기를 줄이는 대물 어퍼쳐로서 설계된다.
본 발명의 전자빔 노광 시스템은 전자빔의 단면의 주위에 대응하는 전자가 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 부분보다 강도에서 더 센 특정한 전자빔 강도 분포를 제공하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 띠 모양의 환형(zonal-annular) 프로젝션부가 형성되어 방사 표면의 중앙부를 둘러싸도록 전자 소스가 설계된다. 또는, 다수의 유닛 프로젝션(unit projection)이 형성되어 방사 표면의 중앙부를 둘러싸도록 설계된다.
전자빔이 비스듬하게 기판 상에 입사하는 비스듬한 조명(oblique illumination)을 수행하기 위해서, 상기 시스템은 크로스오버 위치(crossover plane)에 변형 대물 어퍼쳐(modified object aperture)를 갖추고 있으며, 이것은 작은 빔 입사 반각을 갖는 전자를 차단하기 위한 중앙 실드 부재(center shield member)와 큰 빔 입사 반각을 갖는 전자를 선택적으로 투과하기 위한 링 개구부(ring opening portion)로 구성된다.
따라서, 전자빔 내의 전자간의 평균 거리를 증가시킴으로써 쿨롱 효과를 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 반도체 웨이퍼 상에 집적 회로의 제조시 해상도와 처리 능력을 향상시키는 것이 가능하다.
본 발명의 이들 및 다른 목적, 양상 및 실시예는 하기에 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템을 도시하는 부분 분해 입단면도.
도 2의 (a)는 도 1에 도시된 전자 소스의 방사 표면을 도시하는 정면도.
도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 전자 소스의 단면도.
도 3은 반도체 웨이퍼 상에 입사하는 전자빔의 빔 입사 반각과 연계한 전자빔 강도의 분포를 도시하는 그래프.
도 4a는 본 발명의 제 2의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템에서 사용되는 전자 소스를 도시하는 정면도.
도 4b는 도 4a의 X-X 라인을 따라 취해진 단면도.
도 5는 본 발명의 제 3의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템을 도시하는 부분 분해 입단면도.
도 6은 본 발명의 제 3의 실시예의 전자빔 노광 시스템에서 사용되는 변형 대물 어퍼쳐의 주요 부분을 도시하는 평면도.
도 7은 본 발명의 제 4의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템을 도시하는 부분 분해 입단면도.
도 8은 본 발명의 제 5의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템을 도시하는 부분 분해 입단면도.
도 9는 전자빔 노광 시스템의 종래 예에 관한 부분 분해 입단면도.
도 10a는 도 9에 도시된 전자 소스의 방사 표면의 일 예를 도시하는 정면도.
도 10b는 도 10a의 전자 소스의 단면도.
도 11a는 전자 소스의 방사 표면의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 11b는 도 11a의 전자 소스의 단면도.
도 12는 기판 상에 입사하는 전자빔의 입사 반각과 연계한 전자빔의 전자빔 강도의 분포를 도시하는 그래프.
♠도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명♠
1, 11, 21 : 전자 소스 11a, 21a : 방사 표면
11b, 21b : 방사 표면의 중앙부 11c : 띠 모양의 환형 프로젝션
15, 51 : 전자빔 마스크 21c : 유닛 프로젝션
31 : 수정 대물 어퍼쳐 31a, 41a : 중앙 실드 부재
31b, 41b : 링 개구부 41 : 제 2의 수정 대물 어퍼쳐
51a : 개구부 51b : 박막 산란 부재
A : 제 1의 크로스오버 위치 B : 제 2의 크로스오버 위치
C : 제 3의 크로스오버 위치
본 발명의 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 통해 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제 1의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템에 관해 설명할 것이다.
도 1의 전자빔 노광 시스템은 전자 소스(11), 제 1의 어퍼쳐(12), 제 1의 전자기 렌즈(13), 제 2의 전자기 렌즈(14), 전자빔 마스크(또는 EB 마스크)(15), 제 3의 전자기 렌즈(16), 대물 어퍼쳐(17) 및 제 4의 전자기 렌즈(18)로 구성된다.
도 1에 도시된 제 1의 실시예의 전자빔 노광 시스템에 있어서, 전자 소스(11)는 전자빔을 방사하고, 그 단면 모양은 제 1의 어퍼쳐(12)에 의해 직사각형 모양으로 조정된다. 제 1의 전자기 렌즈(13)는 제 1의 어퍼쳐(12)를 제 1의 대물 평면(object plane)으로서 사용하여, 단면의 모양이 상기 제 1의 어퍼쳐(12)에 의해 조정되는 전자빔이 평행 빔으로 변환되도록 한다. 상기 제 1의 전자기 렌즈(13)에 의해 형성된 상기 평행 빔은 제 2의 전자기 렌즈(14)에 의해 집속되는데, 상기 제 2의 전자기 렌즈(14)는 집속된 전자빔을 제공한다. EB 마스크(15)의 중앙부에 형성된 개구 패턴(15a)은 집속된 전자빔을 소정의 패턴으로 형성한다. 그 다음, EB 마스크(15)의 개구 패턴(15a)을 통해 투과된 전자빔은 제 3의 전자기 렌즈(16)에 의해 집속 및 축소된다. 대물 어퍼쳐(17)는 제 3의 전자기 렌즈(16)에 의해 집속 및 축소된 전자빔을 죄는(narrow down) 제한 어퍼쳐(limiting aperture)로서 작용한다. 그 다음, 대물 어퍼쳐(17)에 의해 크기 및 형상에서 죄어진(narrowed down) 전자빔은 대물 렌즈로서 작용하는 제 4의 전자기 렌즈(18)에 의해 집속된다. 따라서, 제 4의 전자기 렌즈(18)에 의해 집속된 전자빔은 반도체 웨이퍼(또는 기판)(W)의 표면에 조사된다.
또한, 도 1의 점선은 크로스오버의 전자빔 궤도를 도시하는데, 도면 부호(A, B 및 C)는 각각 전자의 제 1, 제 2 및 제 3의 크로스오버 위치를 나타낸다.
전자 소스(11)는 예를 들면 LaB6의 결정으로 형성된다. 도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 전자빔(11)은 그 끝부분에서 전자빔을 방사하기 위한 방사 표면(11a)을 구비한다. 본원에서, 방사 표면(11a)은 아래 방향으로 돌출된 띠 모양의 환형 프로젝션(11c)에 의해 둘러싸인 중앙부(11b)를 구비한다.
EB 마스크(15)는 소위 셀 프로젝션 마스크이다. 따라서, 마스크(15)의 중앙부에 형성된 개구 패턴(15a)은 셀 프로젝션 개구 패턴이며, 이것은 노광 패턴의 추출된 부분에 대응한다. 마스크(15)의 개구 패턴(15a)은 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키고, 투과된 전자는 단면 형상 성형(sectional-shape formation)되어 개구 패턴(15a)의 형상과 일치하여 소정의 단면 형상을 제공한다.
개구는 각각 어퍼쳐(12 및 17)의 중앙부에 형성된다. 따라서, 어퍼쳐(12 및 17)의 개구는 각각 전자빔의 전자를 투과시켜, 각각의 단면 형상 성형이 전자빔이 대해 달성되도록 한다.
또한, 본 실시예의 전자빔 노광 시스템은 크로스오버 위치(A)에 EB 마스크(15)의 지정된 셀 프로젝션 개구 패턴(15a) 상으로 전자빔을 편향시키는 선택 편향기(도시되지 않음)와, 컴퓨터(도시되지 않음)로부터 전송된 노광 데이터에 따라서 반도체 웨이퍼(W) 상의 지정된 위치에 축소된 전자빔을 편향시키는 위치 결정 편향기(positioning deflector)를 구비하고 있다.
전자 소스(11)의 방사 표면(11a)에 관해서, 띠 모양의 환형 프로젝션부(11c)가 형성되어 중앙부(11b)를 둘러싸게 된다. 따라서, 중앙부(11b)의 주위에 대응하는 띠 모양의 환형 프로젝션부(11c)의 끝 부분으로부터 전자가 쉽게 방사될 수 있다. 따라서, 전자빔은 주로 중앙부(11b)의 주위에서 방사되어 단면이 링 형상을 갖게 된다. 그러므로, 링 형상을 갖는 높은 전자 밀도 영역이 단면에 존재하는 전자빔을 얻을 수 있게 된다.
상기 상술된 전자 소스(11)를 사용하면, 전자빔의 강도가 중앙부보다 그 주위에서 더 높은 전자빔을 생성할 수 있다. 다시 말하면, 전자빔 밀도는 중앙부(11b)의 주위에서 더 높다. 전자 소스(11)는 전자빔을 방사하는데, 이것은 반도체 웨이퍼(W) 상에 조사되고 도 3에 도시된 바와 같이 분포된다. 즉, 빔 입사 반각과 관련하여 도 3에 도시된 바와 같이 전자빔 강도 분포를 제공하는 것이 가능한데, 이것에 의해 전자빔이 반도체 웨이퍼(W) 상에 조사된다. 본원에서, 상대적으로 높은 전자빔 강도는 빔 입사 반각의 상대적으로 넓은 범위에서 나타나도록 분포되는데, 이것은 비스듬한 조명을 제공한다. 비스듬한 조명의 경우에 있어서, 전자빔은 수평 방향으로 퍼지는데, 다시 말하면, 빔 입사 반각(α)은 크게 되고, 그 결과 전자 사이의 거리는 증가된다. 이것은 쿨롱 상호 작용 효과를 약화시켜 쿨롱 효과를 감소시키게 된다.
이제, 빔 흐림(beam blur)과 빔 입사 반각(α) 사이의 관계에 대해 설명할 것이다. 일반적으로, 쿨롱 효과로 인한 전자빔의 빔 흐림(δci)은 하기의 수학식 1과 같이 표현된다:
여기서 I는 빔 전류를 나타내고, L은 빔 경로 길이를 나타내며, α는 빔 입사 반각(즉, 반도체 웨이퍼(W) 상의 빔 폭의 반)을 나타내며, E는 가속 전압을 나타낸다.
상기 언급된 수학식 1은 빔 입사 반각(α)이 크게 될 때 빔 흐림(δci)이 작게되어, 쿨롱 효과가 감소되는 것을 나타낸다. 빔 입사 반각(α)을 적절하게 증가함으로써, 빔 흐림(δci)을 감소하는 것이 가능한데, 다시 말하면, 해상도를 크게 증가하는 것이 가능하다. 따라서, 빔 전류(I)를 증가하는 것이 가능하다. 하기의 수학식 2에 따라 빔 전류(I)와 처리 능력 사이의 관계를 평가하는 것이 가능하다:
여기서 S는 레지스트 감도를 나타내고, A는 웨이퍼 상의 패턴 유효 면적을 나타낸다.
상기 수학식 2는 빔 전류(I)를 증가시키는 것에 의해 처리 능력이 향상될 수 있음을 나타낸다.
따라서, 띠 모양의 환형 프로젝션부(11c)를 구비하는 전자 소스를 사용함으로써, 쿨롱 효과를 감소시키는 것이 가능하고, 따라서 빔 흐림을 감소하는 것이 가능하다. 또한, 빔 전류를 증가하는 것이 가능하여, 처리 능력을 향상시키는 것이 가능하다.
색수차(chromatic aberration)로 인한 빔 흐림(δci)과 구면 수차(spherical aberration)로 인한 빔 흐림(δci)은 하기의 수학식 3 및 수학식 4에 의해 주어진다:
여기서 Cc는 색수차 계수를 나타내며, Cs는 구면 수차 계수를 나타낸다. 또한, 에너지 폭의 값, 즉 ΔE는 전자 소스의 재료에 의존한다. 본 실시예의 LaB6의 경우에 있어서, ΔE는 대략 2.5eV 정도이다.
전체 빔 흐림(δ)은 하기의 수학식 5에 표현된 바와 같이 상기 언급된 수차의 자승합의 평방근으로 주어진다:
상기의 수학식 3과 수학식 4는 빔 흐림(δcr, δsp)이 빔 입사 반각(α)을 감소함으로써 증가되는 것을 나타낸다. 마스크 프로젝션 타입의 전자빔 노광 시스템의 쿨롱 효과로 인해 발생되는 빔 흐림(δci)는 소정 범위의 크기에 속하는 크기를 갖는데, 상기 소정 범위의 크기는 구면 수차로 인한 전형적인 빔 흐림의 크기(예를 들면 15㎚)뿐만 아니라 색수차로 인한 전형적인 빔 흐림의 크기(예를 들면 30㎚)보다도 더 크다.
렌즈의 적절한 설계에 의해 상기 언급된 수차를 감소하는 것이 가능하다. 따라서, 색수차 및 구면 수차의 변화에 관계없이, 쿨롱 효과를 감소시킴으로써 전체 빔 흐림을 억제하는 것이 가능하다.
다음으로, 제 2의 실시예의 전자빔 노광 시스템이 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명될 것이다.
방사 표면(11a)에 관한 중앙부(11b)를 둘러싸기 위해 띠 모양의 환형 프로젝션부(11c)가 형성되는 전자 소스(11)를 사용하는 상기의 제 1의 실시예와는 상이하게, 제 2의 실시예는 방사 표면(21a)에 대해서 유닛 프로젝션(21c)이 형성되고 중앙부(21b)에 대해서 흩어지는(scattered) 전자 소스(21)를 사용한다. 특히, 제 2의 실시예는 방사 표면(21a)의 네 코너에 네 개의 유닛 프로젝션을 형성한다. 본원에서, 각각의 유닛 프로젝션(21c)은 끝 단부면(tip end surface)을 구비하는데, 이것은 사각형 형상으로 형성된다.
제 2의 실시예에 있어서, 각각의 유닛 프로젝션(21c)은 그 끝에서 전자를 방사한다. 따라서, 전자 소스(21)로부터 조사되는 전자빔의 단면의 중앙 영역을 둘러싸는 높은 전자 밀도 영역을 형성하는 것이 가능하다. 제 1의 실시예와 유사하게, 제 2의 실시예는 비스듬한 조명을 수행하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시예는 네 개의 유닛 프로젝션(21c)을 사용하는데, 이것은 방사 표면(21a)의 중앙부(21)의 주위에 개별적으로 정렬된다. 다수의 유닛 프로젝션을 형성하는 것이 필요하다. 그러나, 다수의 유닛 프로젝션은 네 개로 제한되는 것이 아니라, 두 개, 세 개, 다섯 개 또는 그 이상의 유닛 프로젝션을 전자 소스 내에 형성하는 것이 가능하다.
다음으로, 제 3의 실시예의 전자빔 노광 장치가 도 5를 참조하여 설명될 것이다.
제 3의 실시예는 기본적으로 도 1에 도시된 제 1의 실시예와 유사하다. 전자 소스(11)의 방사 표면(11a)의 중앙부(11b)를 둘러싸기 위해 띠 모양의 환형 프로젝션부(11c)가 형성되며 대물 어퍼쳐(17)의 중앙부에 간단한 개구가 형성되는 제 1의 실시예와는 상이하게, 도 5의 제 3의 실시예는 일반적인 정방형 표면 전자 소스인 상기 언급된 전자 소스(1)와 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자가 투과하는 것을 방지하기 위해 중앙 실드 부재(31a)가 형성된 수정 대물 어퍼쳐(modified object aperture; 31)를 사용한다. 또한, 상기 중앙 실드 부재(31a)는 전자빔의 단면의 주변부에 대응하는 전자가 수정 대물 어퍼쳐(31)를 통해 투과하는 것을 허용한다.
상기 수정 대물 어퍼쳐(31)는 전자광학의 크로스오버 위치(C)에 정렬된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 원형 형상을 갖는 중앙 실드 부재(31a)는 수정 대물 어퍼쳐(31)의 중앙부에 형성된다. 본원에서, 중앙 실드 부재(31a)를 둘러싸기 위해 (네 개의) 원형호(circular-arc) 개구로 이루어진 링 개구부(31b)가 형성된다. 또한, 중앙 실드 부재(31a)의 주변 단부는 (네 개의) 리브부(rib portions; 31c)에 의해 지지된다.
중앙 실드 부재(31a)는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 입사 반각이 상대적으로 작은 전자가 투과하는 것을 방지하지만, 링 개구부(31b)는 전자빔의 단면의 주변부에 대응하는 빔 입사 반각이 상대적으로 큰 전자가 투과하는 것을 허용한다. 따라서, 중앙 실드 부재(31a)를 구비하는 수정 대물 어퍼쳐(31)를 제공함으로써, 이미지 표면에 대한 비스듬한 조명을 수행하는 것이 가능하다.
제 3의 실시예는 전자 소스(1)로서 정방형 표면의 전자 소스를 하지만, 전자 소스의 용례를 제한할 필요는 없다. 예를 들면, 제 3의 실시예는 제 1의 실시예의 전자 소스(11) 또는 제 2의 실시예의 전자 소스(21)를 사용함으로써 수정될 수 있다. 수정 대물 어퍼쳐(31)와 함께 전자 소스(11 또는 21)를 사용하는 것은 조명에 있어서 시너지 효과를 제공한다. 따라서, 높은 효율의 우수한 비스듬한 조명을 얻는 것이 가능하다.
도 5의 제 3의 실시예는 링 개구부(31b)가 형성되어 중앙 실드 부재(31a)를 둘러싸는 수정 대물 어퍼쳐(31)를 사용하는 것을 특징으로 한다. 중앙 실드부재(31a)를 둘러싸는 개구부를 형성하는 것이 필요하다. 그러나, 이러한 개구부가 반드시 링 형태로 형성될 필요는 없다. 예를 들면, 선택된 위치에서 수정 대물 어퍼쳐(31)를 통해 투과하는 스루홀(through holes)을 형성하는 것이 가능한데, 이것은 중앙 실드 부재(31a)에 대해서 흩어진다. 또는, 정방형의 개구를 형성하는 것이 가능하다.
수정 대물 어퍼쳐(31)는 EB 마스크(15)의 개구 패턴(15a)을 통해 투과하는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자가 투과하는 것을 방지한다. 또한, 수정 대물 어퍼쳐(31)를 통해 투과하는 전자와 수정 대물 어퍼쳐(31)에 의해 투과가 방지된 전자 둘 다는 투과 마스크의 투과 전자이다. 즉, 수정 대물 어퍼쳐(31)는 EB 마스크가 전자의 산란 정도에서의 차이에 기초한 콘트라스트를 형성하는 산란 마스크(즉, 소위 SCALPEL 마스크, 여기서 SCALPEL은 "Scattering with Angular Limitation in Projection Electron-Beam Lithography"의 약자이다)에 대응하는 경우에는 사용되지 않는다. 다시 말하면, 수정 대물 어퍼쳐(31)는 산란 전자 내에서 크게 산란된 전자만을 선택적으로 투과시키는 어퍼쳐와는 모양, 크기 및 기능이 상이하다.
다음으로, 제 4의 실시예에 따른 전자빔 노광 시스템이 도 7을 참조로 설명될 것이다.
제 4의 실시예는 상기 언급된 제 3의 실시예와 기본적으로 유사하지만, 제 4의 실시예는 단일의 수정 대물 어퍼쳐(31)가 제 3의 크로스오버 위치(C)에 정렬되는 도 5의 제 3의 실시예와 상이하다. 즉, 제 4의 실시예는 두 개의 수정 대물 어퍼쳐(31 및 41)를 제공하는 것을 특징으로 한다. 특히, 제 1의 수정 대물 어퍼쳐(31)는 제 3의 크로스오버 위치에 정렬되지만, 중앙 실드 부재(41a)를 구비하는 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)는 제 1의 크로스오버 위치(A)에 정렬된다.
중앙 실드 부재(31a)를 구비하는 수정 대물 어퍼쳐(31)와 같이, 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)는 원형 형상을 갖는 중앙 실드 부재(41a)를 구비하며, 이것은 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자가 투과하는 것을 방지한다. 또한, 다수의 원형호 개구로 이루어진 링 개구부(41b)가 중앙 실드 부재(41a)를 둘러싸도록 형성되고 정렬된다. 또한, 중앙 실드 부재(41a)의 주변은 리브부(rib portions)(도시되지 않음)에 의해 지지된다. 또한, 중앙 실드 부재(41a)를 둘러싸는 개구부(41b)의 형상은 링 형태 또는 띠 모양의 환형 프로젝션 형태에 제한되지 않는다. 따라서, 개구부는 정방형 등으로 형성될 수 있다.
제 4의 실시예의 전자빔 노광 시스템은 EB 마스크(15)의 앞뒤에 두 개의 수정 대물 어퍼쳐를 정렬한다. 제 1의 수정 대물 어퍼쳐(31)와 유사하게, 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)는 중앙 실드 부재(41a)에 의해 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 링 개구부(41b)에 의해 전자빔의 주변부에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시킨다. 따라서, 제 3의 실시예와 비교해서, 제 4의 실시예는 더 비스듬한 방식으로 비스듬한 조명을 수행할 수 있다.
또한, 수정 대물 어퍼쳐(31)를 종래의 대물 어퍼쳐로 대체하고, 동시에 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)를 남겨두는 방식으로 제 4의 실시예를 수정하는 것이 가능하다. 이러한 경우, 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)는 전자빔의 단면의 중앙부에대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변부에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시킨다. 제 2의 수정 대물 어퍼쳐(41)가 선택적으로 투과시킨 전자를 포함하는 이러한 전자빔은 EB 마스크(15) 상에 입사한다. 그 다음, 마스크(15)를 통해 투과한 전자빔은 반도체 웨이퍼(W) 상에 조사된다. 따라서, 제 4의 실시예의 수정예는 상기 제 3의 실시예와 유사하게 비스듬한 조명을 수행할 수 있다.
다음으로, 제 5의 실시예의 전자빔 노광 시스템이 도 8을 참조하여 설명될 것이다. 제 5의 실시예는 상기 제 3의 실시예와 기본적으로 유사하지만, 도 5의 제 3의 실시예와 상이하다. 제 3의 실시예는 투과 마스크에 대응하는 EB 마스크(15)와, EB 마스크(15)를 통해 투과하는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변부에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키는 수정 대물 어퍼쳐(31)를 사용한다. 제 3의 실시예와는 대조적으로, 도 8의 제 5의 실시예는 제 2의 크로스오버 위치(B)와 제 3의 크로스오버 위치(C)에 각각 정렬된 EB 마스크(51)와 수정 대물 어퍼쳐(52)를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본원에서, EB 마스크(51)는 박막 스텐실 마스크(thin-film stencil mask)에 대응하는데, 개구부(51a)와 박막 산란 부재(51b)에 의해 상기 마스크 상으로 패턴이 형성된다. 상기 개구(51a)는 마스크(51)의 인입 전자빔의 전자를 투과시키고 박막 산란 부재(51b)는 산란 전자를 투과시키는데, 상기 산란 전자는 전자빔의 전자를 산란시킴으로써 발생된다. 또한, 수정 대물 어퍼쳐(52)는 인입 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 중앙부의 주변에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시킨다.
상기 상술된 바와 같이, 원형 형상을 갖는 중앙 실드 부재(52a)는 수정 대물 어퍼쳐(52)의 중앙부에 형성된다. 또한, 원형호 개구로 이루어진 링 개구부(52b)는 중앙 실드 부재(52a)를 둘러싸도록 형성되고 정렬된다. 또한, 중앙 실드 부재(52a)의 주변은 리브부(도시되지 않음)에 의해 지지된다.
EB 마스크(51)의 박막 산란 부재(51b)는 두께가 거의 수 마이크로미터(㎛) 정도인 초박막으로 이루어진다. 따라서, 마스크(51) 상으로 조사되는 전자빔의 전자는 산란 전자와 같이 상대적으로 큰 산란 각도로 산란된다.
본 실시예는 투과 전자빔과 마스크 산란 전자빔(mask-scattered electron beam) 사이의 차이를 사용하도록 설계되는데, 상기 전자빔들의 빔 입사 반각은 서로 상이하다. 본원에서, 수정 대물 어퍼쳐(52)의 중앙 실드 부재(52a)는 투과 전자빔의 전자를 차단하고, 중앙 실드 부재(52a)의 주변에 대응하는 링 개구부(52b)는 마스크 산란 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시킨다. 따라서, 일정한 이미지가 반도체 웨이퍼(W) 상에 형성된다. 그러므로, 투과 전자빔을 사용하여 이미지 형성이 직접적으로 행해지는 전자빔 노광 시스템과 비교해서, 본 실시예는 빔의 범위를 넓힐 수 있고 그 결과 빔 입사 반각(α)이 그에 따라 증가된다. 따라서, 쿨롱 효과를 감소시키는 것이 가능하게 된다.
투과 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 선택적으로 차단하는 제 3의 실시예의 수정 대물 어퍼쳐(31)와 비교해서, 제 5의 실시예의 수정 대물 어퍼쳐(52)는 투과 전자빔의 모든 전자를 차단한다. 따라서, 수정 대물 어퍼쳐(52)는 상기 언급된 수정 대물 어퍼쳐(31)와 기능적으로 상이하다.
또한, 제 5의 실시예의 수정 대물 어퍼쳐(52)는 마스크 산란 전자빔의 전체를 투과시킨다. 따라서, 산란 정도에 응답하여 마스크 산란 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키는 어퍼쳐와는 기능적으로 상이하다. 그러므로, 이미지 형성을 위해 마스크 산란 전자빔의 일부를 투과시키는 어퍼쳐와 비교해서, 제 5의 실시예의 수정 대물 어퍼쳐(52)는 산란 정도에 관계없이 마스크 산란 전자빔의 전체를 효율적으로 사용할 수 있다. 따라서, 마스크 산란 전자빔의 전체는 이미지 형성에 기여하게 된다.
상기 언급된 실시예는 하기와 같은 본 발명의 영역 내에서 수정될 수 있다:
제 1 및 제 2의 실시예는 전자 소스(11 및 12)로부터 방사되는 전자빔이 투과 마스크에 대응하는 EB 마스크 상으로 조사되도록 설계된다. 그러나, EB 마스크(15)에 대해 투과 마스크를 사용할 필요는 없다. 즉, 다른 형태의 마스크를 사용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 투과 마스크에 대응하는 EB 마스크(15) 대신, 상기 언급된 제 3의 실시예의 산란 마스크와 상기 언급된 제 5의 실시예의 박막 스텐실 마스크를 제 1 및 제 2의 실시예에서 사용할 수 있다.
마지막으로, 본 발명은 하기와 같이 요약될 수 있는 기술적 특징 및 효과를 갖는다:
(1) 전자빔 노광 시스템은 전자빔의 형태로 전자를 방사하기 위해 전자 소스를 사용하는데, 상기 시스템은 전자빔의 단면에서 특정 전자빔 강도 분포를 갖도록 제어된다. 즉, 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자는 전자빔의 단면의 중앙부에대응하는 전자보다 강도에서 더 세게 설정된다. 이것은 전자빔의 단면의 주변에서의 밀도를 증가시켜, 상기 시스템이 반도체 기판 상에 비스듬한 조명을 수행할 수 있게 된다. 본원에서, 전자빔은 수평 방향으로 확장되어, 전자간의 평균 거리도 증가된다. 따라서, 쿨롱 효과를 감소시킬 수 있게 되고, 동시에 빔 전류를 증가시키는 것이 가능하다. 그러므로, 기판 상의 이미지 형성의 해상도를 증가시키고 집적 회로의 처리 능력을 향상시키는 것이 가능하다.
(2) 전자빔 노광 시스템은 특정 설계를 갖는 전자빔을 사용하는데, 여기서 프로젝션부가 전자를 방사하기 위한 방사 표면의 중앙부를 둘러싸도록 형성된다. 따라서, 전자 소스의 방사 표면의 중앙부의 주변으로부터 전자가 주로 방사된다. 그러므로, 단면의 중앙부보다는 주변에서 전자 밀도가 큰 전자빔을 얻을 수 있다. 따라서, 전자빔이 비스듬한 방식으로 기판 상에 입사하는 비스듬한 조명을 수행하는 것이 가능하다.
(3) 프로젝션부가 띠 모양의 환형 형상으로 방사 표면의 중앙부에 대해 형성되도록 전자빔 노광 시스템의 전자 소스가 설계된다. 따라서, 전자 밀도가 높은 영역이 링 형상인 전자빔을 얻는 것이 가능하다. 이러한 전자빔을 사용하면, 띠 모양의 환형 형상을 갖는 비스듬한 방식으로 기판 상에 전자빔이 입사하는 띠 모양의 비스듬한 조명을 수행하는 것이 가능하다.
(4) 방사 표면의 중앙부에 대해 흩어진 다수의 유닛 프로젝션에 의해 프로젝션부가 형성되도록 전자빔 노광 시스템의 전자 소스가 설계된다. 여기서, 전자는 각각의 유닛 프로젝션의 단부로부터 방사된다. 따라서, 다수의 높은 전자 밀도 영역은 전자빔의 단면의 중앙부의 주변에 흩어진다. 이러한 전자빔을 사용하면, 비스듬한 조명을 쉽게 수행하는 것이 가능하다.
(5) 중앙 실드 부재가 전자의 크로스오버 위치에 정렬되도록 전자빔 노광 시스템이 설계된다. 중앙 실드 부재는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 투과시킨다. 즉, 중앙 실드 부재는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 상대적으로 작은 빔 입사 반각을 갖는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 상대적으로 큰 빔 입사 반각을 갖는 전자를 선택적으로 투과시킨다. 이것은 비스듬한 조명에 기여하는 전자빔의 전자 비율을 증가시킨다. 따라서, 쿨롱 효과를 감소시킬 수 있다.
(6) 전자빔 노광 시스템은 투과 마스크에 대응하는 EB 마스크를 사용하는데, 상기 마스크 상에 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 개구부와 전자를 차단하기 위한 실드 부재에 의해 특정 패턴이 형성된다. 또한, 중앙 실드 부재는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 투과시키기 위해 전자의 하나의 크로스오버 위치에 정렬된다. 따라서, 투과 마스크를 통해 투과된 전자 또는 투과 전자 내에서, 중앙 실드 부재는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 상대적으로 작은 빔 입사 반각을 갖는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 상대적으로 큰 빔 입사 반각을 갖는 전자를 선택적으로 투과시킨다. 이러한 전자빔을 사용하면, 대물 평면 또는 이미지 표면에 대해서 비스듬한 조명을 수행하는 것이 가능하다. 따라서, 쿨롱 효과를 쉽게 감소시킬 수 있다.
(7) 전자빔 노광 시스템은 박막 스텐실 마스크에 대응하는 EB 마스크를 사용하는데, 전자를 투과시키기 위한 개구부와 전자를 산란시키는 것에 의해 유발되는 산란 전자를 투과시키기 위한 박막 산란 부재에 의해 상기 마스크 상에 특정 패턴이 형성된다. 또한, 상기 시스템은 EB 마스크와 기판 사이에 전자의 하나의 크로스오버 위치에 중앙 실드 부재를 정렬한다. 중앙 실드 부재는 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고, 동시에 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시킨다. 대조적으로, 산란 전자는 차단되지 않고 큰 범위의 빔 입사 반각을 갖는 빔에 의해 이미지 형성을 위해 사용된다. 특히, 산란 전자의 마스크 산란 전자빔은 투과 전자의 전자빔보다 큰 빔 입사 반각과 큰 크기를 갖는다. 이것은 전자빔의 전자 사이의 평균 거리를 증가시킨다. 따라서, 쿨롱 상호작용 영향을 약화시키는 것이 가능하다.
본 발명은 본 발명의 본질적인 특성의 취지를 벗어나지 않으면서 몇 몇 형태로 구현될 수 있기 때문에, 본 발명의 실시예들은 예시적인 것이지 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 영역은 상기의 설명보다는 첨부된 특허청구범위에 의해 한정되기 때문에, 특허청구범위의 충족하고 그 영역 내에 있는 모든 변형예는 특허청구범위에 의해 포괄되는 것으로 이해되어져야 한다.

Claims (16)

  1. 전자빔을 성형하는 어퍼쳐와, 성형된 전자빔을 집속하여 크로스 오버를 형성하는 렌즈를 갖는 전자빔 노광 장치에 있어서,
    전자빔의 형태로 전자를 방사하기 위한 전자 소스; 및
    기판 상에 조사되고 상기 기판 상에 전자빔 마스크의 패턴을 노광하는 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 전자빔 마스크를 포함하며,
    상기 전자 소스는 전자를 방사하기 위한 방사 표면을 구비하고, 전자빔의 주변 단면이 전자빔의 중앙부 보다 더 높은 강도를 갖도록 프로젝션부가 상기 방사 표면의 오목한 중앙부를 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프로젝션부는 상기 방사 표면의 중앙부 주위에 형성된 띠 모양의 환형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로젝션부는 다수의 유닛 프로젝션으로 구성되고, 상기 다수의 유닛 프로젝션은 상기 방사 표면의 중앙부를 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    전자빔의 중앙부 단면에 대응하는 전자를 차단하고 전자빔의 주변 단면에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키도록 전자 소스로부터 방사되는 전자의 적어도 하나의 크로스오버 위치에 중앙 실드 부재가 정렬되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  6. 전자빔을 성형하는 어퍼쳐와, 성형된 전자빔을 집속하여 크로스 오버를 형성하는 렌즈를 갖는 전자빔 노광 장치에 있어서,
    전자빔의 형태로 전자를 방사하기 위한 전자 소스와;
    기판 상에 조사되며 상기 기판 상에 전자빔 마스크의 패턴을 노광하는 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 전자빔 마스크와,
    상기 전자 소스로부터 방사된 전자의 적어도 하나의 크로스오버 위치에 정렬된 중앙 실드 부재를 포함하고,
    상기 전자 소스는 전자를 방사하기 위한 방사 표면을 구비하고, 프로젝션부가 상기 방사 표면의 오목한 중앙부를 둘러싸도록 형성되고,
    상기 전자빔 마스크는 패턴이 상기 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 개구부 및 상기 전자빔의 전자의 일부를 차단하기 위한 차폐 부재에 의해 형성되는 투과 마스크에 대응하며,
    상기 중앙 실드 부재는 전자빔의 중앙부 단면에 대응하는 전자를 차단하고 전자빔의 주변 단면에 대응하는 전자를 선택적으로 투과하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  7. 전자빔을 성형하는 어퍼쳐와, 성형된 전자빔을 집속하여 크로스 오버를 형성하는 렌즈를 갖는 전자빔 노광 장치에 있어서,
    전자빔의 형태로 전자를 방사하기 위한 전자 소스와;
    기판상에 조사되며 상기 기판 상에 전자빔 마스크의 패턴을 노광하는 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 전자빔 마스크와,
    상기 전자 소스로부터 방사된 전자의 적어도 하나의 크로스오버 위치에 정렬된 중앙 실드 부재를 포함하고,
    상기 전자 소스는 전자를 방사하기 위한 방사 표면을 구비하고 돌출부가 상기 방사 표면의 오목한 중앙부를 둘러싸도록 형성되고,
    상기 전자빔 마스크는 전자빔의 전자를 선택적으로 투과하는 개구부 및 상기 전자빔의 전자를 산란함으로써 유발되는 산란 전자를 선택적으로 투과하는 박막 산란 부재에 의해 패턴이 형성되는 박막 스텐실 마스크(thin-film stencil mask)에 대응하고,
    상기 중앙 실드 부재는 상기 전자빔의 중앙부 단면에 대응하는 전자를 차단하고 상기 전자빔의 주변 단면에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  8. 전자빔의 형태로 전자를 방사하기 위한 전자 소스와;
    단면이 직사각형 모양인 전자빔을 형성하기 위한 제 1의 어퍼쳐와;
    상기 제 1의 어퍼쳐를 통해 투과한 전자빔에 대해 집속을 수행하여 전자의 크로스오버 위치(A)을 형성하기 위한 제 1의 전자기 렌즈와;
    상기 제 1의 전자기 렌즈를 통과한 전자빔에 대해 집속을 수행하여 전자의 제 2의 크로스오버 위치(B)을 형성하기 위한 제 2의 전자기 렌즈와;
    상기 제 2의 전자기 렌즈를 통과한 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시켜 상기 전자빔에 소정의 패턴을 제공하기 위한 개구부를 구비하며 상기 제 2의 크로스오버 위치에 근접하여 정렬되는 전자빔 마스크와;
    상기 전자빔 마스크를 통해 투과한 전자빔에 대해 집속을 수행하여 전자의 제 3의 크로스오버 위치를 형성하기 위한 제 3의 전자기 렌즈와;
    상기 제 3의 전자기 렌즈를 통과한 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시켜 전자빔을 죄기 위한 대물 어퍼쳐에 대응하는 제 3의 어퍼쳐; 및
    상기 제 3의 어퍼쳐를 통해 투과한 전자빔에 대해 집속을 수행하여, 상기 전자빔이 비스듬한 조명으로 기판 상에 조사되도록 하는 제 4의 전자기 렌즈를 포함하며,
    상기 전자 소스는 전자를 방사하기 위한 방사 표면을 구비하고 돌출부가 상기 방사 표면의 오목한 중앙부를 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 전자 소스는 LaB6의 결정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 방사 표면의 중앙부 주위에 형성된 띠 모양의 환형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 방사 표면의 중앙부를 둘러싸도록 정렬된 다수의 유닛 프로젝션에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 제 3의 어퍼쳐는 상기 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하는 중앙 실드 부재와 상기 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키는 링 개구부를 구비하는 수정 대물 어퍼쳐에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 링 개구부는 상기 중앙 실드 부재를 둘러싸도록 정렬되는 다수의 원형호(circular-arc) 개구부로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하는 중앙 실드 부재와 상기 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키는 개구부를 구비하는 제 2의 수정 대물 어퍼쳐를 더 포함하며, 상기 제 2의 수정 대물 어퍼쳐는 상기 제 1의 크로스오버 위치에 근접하여 정렬되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 전자빔 마스크는 상기 전자빔의 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 개구부와 상기 전자빔을 산란함으로써 유발되는 산란 전자를 선택적으로 투과시키기 위한 박막 산란 부재를 구비하는 박막 스텐실 마스크에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제 3의 어퍼쳐는 상기 전자빔의 단면의 중앙부에 대응하는 전자를 차단하고 전자빔의 단면의 주변에 대응하는 전자를 선택적으로 투과시키는 중앙 실드 부재를 구비하는 수정 대물 어퍼쳐에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
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