KR100597037B1 - 대전입자 리소그래피 장치용 투광시스템 - Google Patents

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무넨다니엘
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이리스 엘엘씨
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Abstract

투광시스템의 구성요소의 드리프트 공간에서 4중극 렌즈 배열을 위치시킴으로써 빔 이미턴스를 제어하는 방법 및 장치. 상기 투광시스템 구성요소는 전자건 또는 전자건에 부착가능한 라이너 튜브 또는 드리프트 튜브일 수 있다. 4중극 렌즈 배열은 3개 이상의 메쉬 그리드 또는 그리드와 연속박의 조합이 될 수 있다. 4중극 렌즈 배열은 광학 "플라이즈 아이" 렌즈를 닮은 다수의 마이크로렌즈를 형성한다. 상기 4중극 렌즈 배열은 방출빔 이미턴스가 입사빔 이미턴스와 다르지만 빔전체 전류는 변하지 않도록 다수의 서브빔 내부로 입사 속이 채워진 전자빔을 분할한다. 상기 방법 및 장치는 빔 전류와 빔 이미턴스의 독립적인 제어를 허용한다.

Description

대전입자 리소그래피 장치용 투광시스템{ILLUMINATION SYSTEM FOR CHARGED-PARTICLE LITHOGRAPHY APPARATUS}
도 1은 탄탈 디스크이미터를 갖는 일 종래의 웨넬트(Wehnelt) 전자건의 개략도,
도 2a는 본 발명에 따라 수정된 전자건의 개략도,
도 2b 및 도 2c는 본 발명의 변형을 설명하는 도,
도 2d는 전자빔위의 메쉬 그리드의 효과를 설명하는 도,
도 3은 종래의 웨넬트 전자건으로부터 전자방출프로필 개략적인 묘사도,
도 4a는 본 발명의 일실시예에서 메쉬 그리드의 효과를 설명하는 도,
도 4b는 관련 치수를 나타내는 본 발명의 메쉬 그리드의 개략도,
도 5는 본 발명의 광학계의 좀 더 일반적인 묘사도,
도 6a는 메쉬 그리드를 가로지르는 전위를 설명하는 도,
도 6b 및 도 6c는 대안적인 메쉬 그리드 배치를 가로지르는 전위를 나타내는 도,
도 7은 바이어스 전압이 -40kV인 SOURCE 컴퓨터 시뮬레이션 모델에 의해 계산된 메쉬 그리드주위의 등전위장을 설명하는 도,
도 8은 바이어스 전압이 -40kV인 CPO3d 컴퓨터 시뮬레이션 모델을 사용하여 계산된 메쉬 그리드에서 다중렌즈 효과를 설명하는 도,
도 9a는 SCALPEL 노광 시스템의 원리를 설명하는 개략도,
도 9b는 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일반적인 특징의 개략도,
도 10은 본 발명에 따른 대전입자빔 이미턴스 제어기의 바람직한 실시예의 개략도,
도 11a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대전입자빔 이미턴스 제어기 부분 단면의 평면도,
도 11b는 도 11a에 대응하는 측단면도,
도 12는 본 발명의 특정 실시예에서 전자빔상의 대전입자빔 이미턴스 제어기의 효과에 대한 컴퓨터 모델로부터의 결과를 설명하는 도이다.
도면에서, 동일한 참조 부호는 동일한 부분을 나타낸다.
본 발명은 대전입자 리소그래피장치용 투광시스템에 관한 것이다. 이러한 장치는 예를 들어 반도체 집적회로 및 다른 집적장치의 제조에 사용될 수 있다. 또한, 본 발명은 이러한 투광 시스템을 갖는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 일반적으로, 이러한 리소그래피 장치는,
- 방사 투영빔을 공급하는 투광 시스템;
-소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 마스크를 고정하는 마 스크 테이블;
-기판을 고정시키는 기판 테이블, 및
-기판의 목표영역위에 패턴화된 빔을 투영하는 투영 시스템을 포함한다.
리소그래피 투영 장치는 예를 들어 집적 회로(ICs)의 제조에서 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 마스크는, 집적 회로의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 포함할 수 있고, 이 패턴은, 방사선 감지물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 (하나 이상의 다이로 이루어진)목표영역상에 묘화될 수 있다. 일반적으로 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접 목표영역들의 전체적인 연결망을 포함할 것이다. 일 형태의 리소그래피 투영 장치에 있어서, 목표영역상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광시킴으로써 각각의 목표영역이 조사된다. 상기 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치로 불리워지는 대안적인장치에서는 상기 스캔 방향에 평행 또는 반평행(parallel or anti - parallel)으로 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝하면서 투영빔하에서 소정의 기준 방향("스캐닝 방향")으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은, 배율 인자 (magnification factor:M)(일반적으로<1)를 가지므로 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 여기서 서술된 리소그래피 장치에 관련된 보다 상세한 정보는 예를 들어 본 명세서에서 참조로 포함한 미국특허 제 6,046,792호에서 얻을 수 있다.
리소그래피 장치는 2개이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이 블)을 갖는 형태일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 장치에 있어서, 부가적인 테이블들이 병렬로 사용되거나 하나 이상의 테이블이 노광에 사용되는 동안 하나 이상의 다른 테이블상에서는 준비 단계가 수행될 수 있다. 트윈 스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어, US 5,969,441 및 WO 98/40791 에서 설명된다.
리소그래피 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크 패턴은 레지스트층이 적어도 부분적으로 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광후, 기판은 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는 예를 들어 IC인 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학 기계적 폴리싱등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그것의 변형 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재하게 될 것이다. 그 후, 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로에 대해 분리되어, 개별의 디바이스가 운반 장치에 탑재되고 핀등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGrawHill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있다.
(예를 들어, 전자빔을 사용하는) 대전입자 노광도구들은 20년 이상 반도체 공정에서 리소그래피를 위해 사용되고 있다. 이러한 제1노광도구들은 고초점 빔의 비점(flying spot) 개념, 대물 평면위로 스캐닝된 래스터를 기초로 되어있다. 이러한 도구들에서의 (전자)빔은 그것이 스캐닝하면서 조절되어 빔 자체가 리소그래피 패턴을 발생한다. 이러한 도구들은 리소그래피 마스크 메이킹등의 고정밀 작업에 널리 사용되고 있지만, 래스터 스캔모드가 너무 느려서 반도체웨이퍼 공정에서 필요로하는 높은 스루풋이 얻어질 수 없음이 발견된다. 이러한 장치에서 대전입자원은 전자 마이크로스코프에서 사용되는 대전입자원 즉, 작은 스폿빔에 초점을 둔 높은 휘도원과 유사하다.
좀 더 최근에, 새로운 e-빔 노광 도구(리소그래피 장치)는 SCALPEL(SC attering with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithography) 기술을 기초로 (Lucent에 의해) 개발되었다. 이 도구에서, 광역 전자빔은 대물평면상에 있는 리소그래피 마스크를 통해 투영된다. 반도체웨이퍼 또는 다른 기판의 상대적으로 큰 영역(예를 들면, 1mm2)이 한번에 노광될 수 있기 때문에, 스루풋이 받아들일 만하다. 이러한 도구의 고해상도는 상기 도구를 초미세라인리소그래피(즉, 미크론 이하)에 적합하게 한다. SCALPEL 기술은 예를 들어, 미국 특허 제 5,079,112 및 5,258,246호에서 더욱 상세하게 설명된다.
소위 가변축선렌즈(VAL) 또는 가변축선계침렌즈(VAIL)를 사용하는 대안적인 e-빔 리소그래피 노광도구(IBM에서 개발됨)가 있다. 이러한 도구들은 후방초점평면필터와 함께 스캐터링 스텐실 마스크를 이용한다. 이러한 시스템과 관련하여 더 많 은 정보는 예를 들어, 미국특허 제 5,545,902, 5,466,904, 5,747,814, 5,793,048, 및 5,532,496 호에서 설명된다.
(Nikon에 의해 개발된) e-빔 리소그래피 장치의 또다른 형태는 예를 들어, 미국특허 제 5,567,947, 5,770,863, 5,747,819, 및 5,798,196 호에서 설명된다.
e-빔 리소그래피 노광도구에서 빔원에 대한 필요조건은 종래의 초점빔 노광도구 또는 종래의 TEM 또는 SEM의 필요조건과 상당히 다르다. 고해상 결상이 여전히 주요목적이라면, 이것은 경제적인 웨이퍼 스루풋을 실현시키도록 상대적으로 높은(10-100㎂) 건 전류(gun current)에서 달성되어야만 한다. 통상의 초점빔원에 대한 값 106 내지 109 Acm-2sr-1과 비교할 때 필요한 축선방향 휘도는 상대적으로 낮고, 예를 들면 102 내지 104 Acm-2sr-1 이다. 그러나, 좀 더 큰 영역에 걸쳐 빔 플럭스는 필요한 리소그래피 선량 범위(lithographic dose latitude)와 CD 조절을 얻도록 고도로 균일하게 되어야만 한다.
e-빔 리소그래피 도구의 개발에서 매우 큰 장애는 비교적 큰 영역에 걸쳐 균일한 전자 플럭스를 제공하고 상대적으로 낮은 휘도와 D*α미크론 * 밀리라디안으로 정의되는 높은 이미턴스를 갖는 전자원의 개발이며, 여기서 D는 빔직경이고, α는 발산각이다. 전통적인 최신 기술의 전자빔원은 0.1-400미크론 * 밀리라디안 범위에서 이미턴스(emittance)를 갖는 빔을 발생시키는 반면 예를 들어, SCALPEL-형 기구는 1000 내지 5000 미크론 * 밀리라디안 범위에서 이미턴스를 필요로한다.
또한, 종래의 e빔 리소그래피 투광 시스템의 설계는 가우스 건 계 또는 그리드 제어 건계였다. 두 형태의 공통적인 결침은 빔이미턴스가 불가피한 이미턴스 변경과 빔전류 제어를 결합하는 실제 웨넬트 바이어스에 의존한다는 것이다. 시스템 관점으로부터, 빔전류와 빔이미턴스의 독립적인 제어는 더욱더 효과적이다.
본 발명은 대전입자 노광장치용 투광시스템 구성요소와 상기 투광시스템 구성요소에서 "이미턴스 제어기" 로서 역할을 하는 렌즈 배열을한 독립적인 이미턴스 제어를 제공하는 대전입자 리소그래피 노광도구에 관한 것이다. 일실시예에서, 부(negative)바이어스하에서의 도전성 메쉬는 대지 전위로 유지되는 리소그래피 장치에 위치되어, 광학 "플라이즈 아이(fly's eye)" 렌즈와 닮은 다수의 마이크로렌즈를 형성한다. 메쉬는 입사 솔리드 전자빔을 다수의 서브빔으로 쪼개는 정전 렌즈렛 (lenslets)의 배열을 형성하여, 출사빔 이미턴스가 입사빔 이미턴스와 다르지만 전체빔 전류는 변화없이 남아있다. 메쉬는 빔전류에 영향을 미치지 않으면서 빔 이미턴스 조절을 가능하게 한다. 또다른 실시예에서, 투광시스템 구성요소는 전자건이다. 또다른 실시예에서, 투광시스템 구성요소는 종래의 전자건에 연결할 수 있는 라이너튜브이다.
메쉬 그리드의 광학효과는 기하학적 용어로 설명될 수 있다. 메쉬에서 각각의 개구부는 마이크로렌즈 또는 렌즈렛으로 작동하여 메쉬 그리드의 한쪽위에 직경(d)을 갖는 그것 자신의 실질적인 소스(virtual source) 또는 크로스오버를 형성한다. 각각 개별 서브빔은 L에 근접한 기하학적인 공간을 차지하고 여기서 L은 메쉬 피치와 같다. 그것에 대한 메쉬 그리드가 전자건에 의해 생성된 후의 빔이미턴스 비율은 r=(L/d)2 과 같다.
본 발명의 또다른 실시예에서, 메쉬 그리드는 다수의(예를 들어, 둘, 셋 또는 그 이상) 메쉬를 포함한다. (1보다 더 큰)홀수로된 구성에서, 바깥쪽으로 두 개의 메쉬가 만곡 형상을 가질 수 있고, 이러한 렌즈는 빔이미턴스를 제어할 수 있고, 또한 구면 수차를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에서, 렌즈 배열은 박(foil)으로 이루어진 연속적인 렌즈이다.
본 발명의 또다른 형태에서, 빔제어기는 4중극 정전 렌즈렛의 배열을 제공한다. 바람직한 실시예에서, 4중극 정전 렌즈렛은 이격된 평행 관계인 세 개의 평면 메쉬에 의해 형성된다. 이들 메쉬들은 각각 복수의 병렬 와이어에 의해 형성된다.
본 발명은 주로 4중극 정전장 패턴의 배열을 통해 빔을 통과시킴으로써 대전된 입자빔의 이미턴스를 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 이 형태는 또한 4중극 정전장 패턴의 배열을 통해 빔을 통과시키는 것을 포함하는 방법의 집적된 장치를 생산하는 방법과 관련된다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 다음의 개략도와 첨부 설명의 도움으로 기술될 것이다.
도 1을 참조로, 종래의 웨넬트 전자건 조립체는 베이스(11), 음극 지지아암 (12), 음극 필라멘트(13), 웨넬트 수평 지지아암(15) 및 종래의 웨넬트 아파처 (aperture)(16)를 포함하는 웨넬트 전극(Wehnelt electrode)으로 도시된다. 베이스(11)는 세라믹인 반면, 지지부재(12)는 예를 들어, 탄탈, 강철, 또는 몰리브덴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 필라멘트(13)는 텅스텐 와이어일 수 있고, 웨넬트 지지아암(15)을 형성하는 재료는 강철 또는 탄탈일 수 있고, 전자 이미터(14)는 탄탈 디스크일 수 있다. 전자 이미터의 유효 영역의 범위는 통상 0.1 - 5.0mm2 이다. 바람직하게는 전자 이미터(14)는 직경 범위가 0.05-3.0mm 인 디스크이다. 양극은 양극 아파처(17a)를 포함하여 참조부호 17로 도시되고 전자빔은 18로, 드리프트 공간은 19로 개략적으로 도시된다. 간략화를 위해서, 상기 기술에서 일반적이고 잘 알려진 빔 제어장치는 도시되지 않는다. 당업자라면 도면에서의 크기가 축척이 꼭 맞을 필요는 없다는 것을 이해할 것이다. e-빔(예를 들어, SCALPEL) 노광 도구의 전자원의 중요한 특징은 앞에서 상술된 바와 같이, 전자빔 휘도가 상대적으로 낮다는 것이다. 가장 효과적인 노광을 위해서, 빔 휘도가 105Acm-2sr-1 미만의 값으로 제한되는 것이 바람직하다. 이것은 통상 최대 휘도로 최적화되는 종래의 주사 전자빔 노광도구와 대조가 된다. 예를 들어, 미국특허 제 4,588,928호 참조할 것임.
본 발명은 도 2a에서 도시된다. 메쉬 그리드(23)는 드리프트 공간(19)에서 전자 방사(18) 경로에 배치된다. 도 2에 따르면, 메쉬 그리드(23)는 드리프트 튜브 또는 라이너(20)로부터 절연된 무정전기장 드리프트 공간(19)에 위치되고 특정 전위(Um)로 바이어스 된다. 메쉬 그리드(23)와 라이너(20)사이의 전위차이는 메쉬 그리드(23)의 각각의 개구로부터 마이크로렌즈를 생성한다. 전자빔(18)은 개개의 서 브빔(빔릿)(beamlets)으로 분리되고, 각각의 빔릿은 그것의 각각의 메쉬 셀 또는 마이크로렌즈를 통해서 이동하면서 초점에 모인다. 메쉬 그리드(23)는 절연체(24)에 의해 라이너(20)로부터 분리된다. 메쉬 그리드(23)와 절연체(24)는 모두 메쉬홀더의 부분이 될 수 있다.
드리프트 공간(19)의 한가지 특성은 실질적으로 전기장도 존재하지 않는다는 것이다. 전기장의 실질적인 부재는 전자의 어떠한 가속 또는 감소도 초래하지 않아서, 전자는 아마도 자계의 존재하에서 "드리프트" 될 수 있다. 이는 강한 전기장을 갖는 진공 갭(19a)과 대조적이다.
도 2b 및 도2c는 도 2a의 변형예를 설명한다. 특히, 도 2b 및 도 2c는 모두 전자건 조립체(1)에 부착된 라이너(20)내부의 메쉬 그리드(23)를 나타낸다. 도 2b에서, 라이너(20)는 라이너 플랜지(21)와 전자건 플랜지(16)를 거쳐 전자건 조립체 (1)에 부착된다. 도 2b에서, 라이너(20)는 용접부(22)에서 전자건 조립체(1)에 부착된다. 상기 부착이 진공 기밀이 되는 한, 라이너(20)와 전자건 조립체(1)는 당업자에서 통상 기술의 하나로 알려진 기술에 의해 부착될 수 있다. 대안적으로, 메쉬 그리드(23)는 상기 메쉬 그리드(23)가 드리프트 공간(19)내부에 유지되는 한 전자건 조립체(1) 내부의 라이너 플랜지(21)와 전자건 플랜지(16)사이의 경계면 하방에 또는 용접부(22) 하방에 위치될 수 있다.
도 2b 및 도2c에서 도시하는 실시예의 한가지 이점은 그것들이 종래의 최적이 아닌 전자건의 사용을 허용한다는 것이다. 종래의 전자건은 일반적으로 리소그래피 도구에서 최적으로 사용하기에는 너무 협소하고 너무 균일하지 않은 빔을 생 성한다. 도 2b 및 도 2c의 배치는 라이너(20)내부에 포함된 메쉬 그리드(23)가 빔을 더 넓고 더 균일하게 함으로써 리소그래피 응용에 더욱 적합한 빔 이미턴스를 개선시키기 때문에 종래의 전자건을 활용하여 성능이 향상되도록 한다. 메쉬 그리드(23)의 효과는 도 2c에서 더욱 명백히 설명되어 있으며, IB는 입사빔을 표시하고 OB는 방출빔이다.
도 1의 웨넬트 건으로부터의 전자 방출 패턴은 도 3에서 도시된다. 웨넬트 방출기로부터의 상대적으로 불균일, 벨 곡선 형상 출력이 명백하다. 도 4a는 메쉬 그리드(23)를 통과한 전자 빔 이미턴스를 설명한다. 메쉬 그리드(23)의 좌측상의 이미턴스가 낮은 반면, 메쉬 그리드(23)를 통과한 후, 전자빔의 이미턴스는 더욱 높다.
메쉬 그리드(23)를 형성하는 스크린 요소는 다양한 구성을 갖을 수 있다. 가장 간단한 구성은 정사각형 아파처들을 갖는 종래의 직조된 스크린(woven screen)이다. 그러나, 상기 스크린은 예를 들어 3각형 형상 아파처, 6각 밀집 아파처, 또는 원형 아파처를 가질 수 있다. 그것은 직조되거나 직조되지 않을 수 있다. 연속층으로부터 적합한 스크린을 형성하는 기술이 상기 기술의 당업자들에게 떠오를 수 있다. 예를 들어, 연속 금속시트 또는 박의 다수의 개구들은 예를 들어 레이저 드릴링등의 기술로 생성될 수 있다. 또한, 미세한 메쉬는 전자 성형 기술에 의해 형성될 수 있다. 메쉬 그리드(23)는 전기적으로 전도체이어야만 하지만 메쉬의 재질은 그와는 달리 비교적 중요하지 않다. 상기 기술의 당업자에게 알려진 바와 같이 소정의 몇가지 합금이며, 예를 들어, 탄탈, 텅스텐, 몰리브덴, 티탄 또는 강철조차 적합한 재료이다. 투명도가 2차원 빈공간을 메쉬 그리드의 전면적으로 나눈것으로서 정의될 때, 메쉬 그리드(23)는 40-90% 의 범위의 투명도를 갖는 것이 바람직하다.
도 4b를 참조하면, 메쉬 그리드는 대략 50㎛ 너비의 바아 "b"와 너비 "C"가 대략 200㎛ 인 정사각형 셀을 갖는다. 이 메쉬 그리드는 대략 65%의 투명도를 갖는다. 적합한 것으로 판명된 메쉬 그리드 구조의 예시는 다음 테이블의 예시로 표시된다.
Figure 112001012552000-pat00001
셀 크기 "C"는 정사각형 개구를 갖는 메쉬의 개구의 너비이다. 직사각형 메쉬 그리드에 대하여 크기 "C"는 대략 개구 면적의 제곱근이다. 바람직하게는 개구는 대략 대칭인 예를 들어, 정사각형 또는 원형인 것이 바람직하다.
메쉬 그리드의 두께 t는 개구의 종횡비, C/t 가 바람직하게는 1보다 크다는 것을 제외하고는 상대적으로 중요하지 않다. 메쉬 그리드 변수들 사이의 바람직한 관계는 C:t>1.5로 주어진다.
또다른 실시예에서, 렌즈 배열은 하나 이상의 메쉬를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 렌즈 배열은 세 개의 메쉬들을 포함한다. 외측의 두 개의 메쉬들은 곡선형상을 갖도록 준비될 수 있다. 이러한 렌즈들은 빔이미턴스 조절을 제공할 수 있고, 구형 수차(spherical aberration)를 감소시킬 수 있다.
또한, 외측의 두 개의 메쉬들은 두께가 대략 0.1㎛인 SiN 박등의 박들로 대체될 수 있다. 이러한 필름(박)은 실질적으로 어떠한 물리적인 상호작용을 허용하지 않을 것이고(비탄성 충돌들), 따라서 투명도가 100% 에 도달하게 된다. 렌즈 배열(메쉬 또는 연속)을 통과하는 큰 전류로 인하여, 투명도는 중요해진다. 빔의 높은 퍼센테이지가 메쉬 또는 연속 필름의 구조체와 충돌한다면, 고전류가 메쉬 또는 연속 필름을 녹이기 쉽다.
도 5는 본 발명을 광학적으로 좀 더 일반적인 표현을 한 것이다. 81은 표준 고휘도 전자건의 음극, 예를 들어, 음극선관에서 사용되는 W "hairpin" or LaB6 결정 또는 BaO건이다. 82는 웨넬트 전극(Wehnelt electrode)과 추출장(extraction field)에 의해 형성된 건 렌즈이다. 83은 직경 dg 를 갖는 건 크로스 오버이다. 84는 빔이 100kV로 가속된 곳으로부터 뒤로 하프 아파처각(half aperture angle)(
Figure 112003038525314-pat00002
)을 갖는, 건으로부터 온 전자빔이다. 건의 이미턴스는
Figure 112003038525314-pat00003
이다.
빔이 개개의 렌즈렛(85)의 직경보다 상당히 더 큰 직경으로 퍼진 후, 렌즈 배열(80)이 위치된다. 각각의 렌즈렛(85)은 크기(di) 를 갖는 건 크로스 오버의 상(86)을 생성한다. 각각의 서브빔(87)은 하프 개구각(
Figure 112001012552000-pat00004
)을 갖는다.
렌즈 배열(80)로 생성된 이미턴스 증가가 유도될 수 있다. Liouville's 이론은 6차원 위상 공간에서의 입자 밀도가 렌즈등에 존재하는 보존력을 사용하여 변경될 수 없다는 것을 나타낸다. 이것은 하나의 렌즈렛을 통과하는 각 서브빔내의 이미턴스가 보존되고 따라서,
Figure 112001012552000-pat00005
이다.
여기서 N은 서브빔의 개수이다.
빔의 이미턴스는
Figure 112001012552000-pat00006
로 나타난다.
여기서, L은 렌즈렛(85)의 피치이고 따라서,
Figure 112001012552000-pat00007
는 렌즈 배열(80)의 전체 면적이다. 빔의 새로운 이미턴스는 유효 이미턴스로 명시된다. 이미턴스 증가는
Figure 112001012552000-pat00008
이다.
렌즈렛 배열을 갖는 실제 크로스오버를 생성할 필요는 없다. 이미턴스 증가에 대한 계산은 다르게 처리되지만 여전히 그 원리가 작용된다.
이미턴스가 크게 증가하는 경우에, 큰 피치의 메쉬 그리드(23)를 사용하는 것이 유익하다. 그러나, 새롭게 형성된 빔은 상당히 많은 수의 서브빔을 포함하여 상기 서브빔이 마스크등의 시스템내의 필수 위치에서 중첩할 수 있도록 되어야 할 것이다. 예시 1은 통상의 값들을 설명한다.
예시 1
직경이 0.2mm 인 LaB6 건이 사용된다. 건 렌즈 다음의 크로스 오버는 60㎛ 일 수 있고, 따라서, 이미턴스 증가는 표 1의 Grid#1을 사용하는 8의 인수이다.
렌즈 배열(80)은 도6a에 나타난 바와 같이 전위(V0)인 라이너(20)사이에 있는 전위(V1)의 메쉬 그리드(23)이거나, 도 6b에 도시된 전위인 두 개의 그리드(23 및 23') 또는 도 6c에 도시된 전위인 세 개의 그리드(23, 23',23") 또는 그리드 평면에 수직인 정전기장을 갖는 그리드 메쉬를 포함하는 어떤 다른 구성을 포함할 수 있다.
도 5에서의 렌즈렛(85)의 초점 거리는 일반적으로 4 x Vacc/Efield 의 차수이고 여기서, Vacc는 렌즈빔의 가속 전위이고 Efield는 정전기장의 강도이다. 예시 1에서, 건 크로스오버와 렌즈 배열 사이의 거리는 일반적으로 100mm 가 될 수 있고, 대략 50mm 정도의 초점 길이를 요구하여 축소된 상을 생성한다. 따라서, 100kV 가속에서, 정전기장은 10kV/mm 이어야 한다.
대안적인 실시예에서, 특정 구성이 강한 정전기장을 요구한다면, 메쉬 그리드 (23)는 음극과 양극 사이의 건의 가속 유닛에 포함될 수 있다. 이것은 빔이 이 점에서 전체 100kV로 아직 가속되지 않았다는 부가적인 이점을 가질 수 있다.
대안적인 실시예에서, 메쉬 그리드(23)는 또한 도 2의 웨넬트-아파처(16)에서 전자건내에 포함될 수 있다. 메쉬 피치는 다시 음극 직경보다 훨씬 작아야만 한다. 이것은 ㎛ 차원의 렌즈 크기로 될 것이다.
본 발명은 Charged Particle Optics(CPO, Bowring Consultant, Ltd., 및 Manchester University)와 SOURCE(by MEBS, Ltd) 모델 모두를 가지고 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 확인되었다. SORUCE 모델에서, 메쉬 그리드(23)는 일련의 원형 슬릿으로 접근된다. CPO와 SOURCE 양 프로그램에서, 2개의 접지된 실린더들 사이의 갭내의 바이어스된 메쉬를 갖는 이들 실린더들을 포함하는 렌즈가 시뮬레이션 된다. 도 7은 필드를 갖는 SOURCE 모델의 상세를 나타낸다. 렌즈 필드는 메쉬의 개구에서 선명하게 볼 수 있다.
또한, 모델링은 3차원 시뮬레이션 프로그램 CP03d을 가지고 실시되었다. 도 8은 메쉬의 평면에서 전위 분포를 도시한다. 또, 메쉬 그리드에서의 다중 렌즈 효과를 명백히 알 수 있다.
상술된 바와 같이 본 발명의 전자건은 전자빔 리소그래피 기기에서 전자원으로서 가장 유익하게 활용된다. 이 전자빔 방사의 경우에 현행 산업의 실시 방법으로서는 반도체 웨이퍼상의 반도체 디바이스의 가공은 화학선 방사, 이 경우 전자빔 방사의 미세한 선패턴을 갖는 폴리머 레지스트 재료의 노광을 생각하고 있다. 이것은 리소그래피 마스크를 통과하여 레지스트 코팅된 기판상으로 화학선 방사를 지향함으로써 종래의 시행방법으로 달성된다. 마스크의 상은 투영 프린팅용 기판상에 투영된다.
전자빔 리소그래피 도구는 매우 좁은 선 너비, 즉, 0.1㎛ 이하에서의 높은 콘트라스트 패턴을 특징으로 한다. 그것들은 광학 투영 시스템의 높은 스루풋과 결합된 넓은 공정 범위를 갖는 고해상도 이미지를 발생시킨다. 높은 스루풋은 웨이퍼 의 비교적 큰 영역을 노광시키기 위해 전자의 플러드 빔(flood beam)을 사용함으로써 가능해진다. 표준 자기장빔 조향 및 초점 형성을 포함하는 전자빔 광학은 플러드 빔을 리소그래피 마스크상에 그 후, 기판, 즉, 레지스트 코팅된 웨이퍼상에 결상시키기 위해 사용된다. 리소그래피 마스크는 높은 전자 산란 영역과 낮은 전자 산란 영역으로 구성되며, 이들 영역은 상기 마스크 패턴에서 요구되는 특징들을 형성한다. 적절한 마스크 구조의 상세는 예를 들어, 미국특허 제 5,079,112 및 5,258,246호에서 발견될 수 있다.
SCALPEL(및 또한 VAL/VAIL) 도구의 중요한 특징은 리소그래피 마스크와 기판 사이에 위치한 후방 초점면 필터이다. 후방 초점면 필터는 약하게 산란된 전자들을 통과시키는 반면 고도로 산란된 전자들을 차단함으로써, 기판위에 이미지 패턴을 형성하는 기능을 한다. 따라서, 차단 필터는 이미지내의 불필요한 방사를 흡수한다. 이것은 이미지의 불필요한 방사가 마스크 그 자체에 의해 흡수되어 마스크의 가열과 변형 및 마스크 수명 단축의 원인이 되는 종래의 리소그래피 도구와 대조적이다.
e-빔 리소그래피 시스템이 작동하는 원리는 도 9a에 도시된다. 리소그래피 마스크(52)는 도 2a의 전자건에 의해 발생된 100keV 전자들의 균일한 플러드 빔(51)을 가지고 투광된다. 멤브레인 마스크(52)는 고산란 재료의 영역(53)과 저산란 재료의 영역(54)을 포함한다. 빔이 약하게 산란되는 부분 즉, 광선(51a)은 후방 초점면 차단 필터(56)의 아파처(57)를 거쳐 자기 렌즈(55)에 의해 초점이 맞춰진다. 후방 초점면 필터(56)는 실리콘 웨이퍼 또는 전자를 차단하는데 적합한 다른 재료일 수 있다. 여기서 광선(51b 및 51c)에 의해 나타난 전자빔이 높게 산란되는 부분은 후방 초점면 필터(56)에 의해 차단된다. 후방 초점면 차단 필터(56)를 통과하는 전자빔 이미지는 59로 나타낸 광학면에 위치된 레지스트 코팅된 기판(또는 "작업 대상물")상에 초점이 맞춰진다. 영역(60)은 리소그래피 마스크(52)의 형상 (54) 즉, 노광될 영역을 복제하고, 영역(61)은 리소그래피 마스크의 형상(53) 즉, 노광되지 않은 영역을 복제한다. 본 기술에서 잘 알려진 바와 같이, 이러한 영역들은 상호 교환될 수 있어 네거티브 또는 포지티브의 레지스트 패턴중의 어느 하나를 만든다.
미국특허 제 5,258,246 은 도 9b에 도시된 전자빔 리소그래피 장치(200)의 일반적인 특징들을 설명한다. 전자빔 리소그래피 장치(200)는 전자빔 경로를 따르는 순서로, 가속된 전자원(202), 집기 렌즈 시스템(204), 마스크 홀더상에 장착된 마스크(206), 대물 렌즈 시스템(208). 후방 초점면 필터(210), 투영 렌즈 시스 템(212), 및 기판 홀더상에 장착된 노광 매체(기판)(214)를 갖는다. 전자빔 리소그래피 장치(200)는 일반적으로 맞춰찍기 및 정렬 시스템(registration and alignment system)(216)을 포함한다. 챔버는 전자빔의 경로를 따라 모두 구성요소를 포함하고 이러한 챔버는 진공 펌프(218)를 사용하여 진공으로 유지된다.
본 발명의 또다른 실시예는 도 10에 도시되고, 도 2a 내지 도 9a를 참조로 설명된 본 발명의 다른 실시예에 대하여 상기 인용된 실시예들과 동일한 많은 특성들을 포함한다. 그러나, 본 발명의 이러한 실시예는 메쉬 그리드보다 복수의 정전기 4중극 패턴을 형성하는 구조를 갖는 대전 입자빔 이미턴스 제어기(10)를 이용한 다. 본 명세서의 설명을 고려하여, 당업자들은 정전하를 형성할 수 있는 도체를 사용하여 4중극 필드 패턴을 발생시킬 수 있는 수많은 방법들이 있다는 것을 이해할 수 있다. 특별한 실시예에서, 이미턴스 제어기(100)의 구조는 도 10에서 102,103 및 104로 나타낸 복수의(바람직하게는 세 개의) 평면 메쉬를 포함한다. 외측 메쉬(102 및 104)의 와이어가 y-축선 방향으로 연장하는 반면, 내부 메쉬(103)의 와이어는 x-축선 방향으로 연장한다. 대전 입자빔 이미턴스 제어기의 기본 원리는 대전 입자빔이 전자빔이던지 원자 이온빔등의 다른 형태의 대전 입자빔이던지 간에 동일하다. 전자빔은 본 발명의 응용에 바람직하다. 그러나, 본 발명의 일반적인 개념은 단순히 전자 빔보다는 입자빔을 대전시키는 응용을 고려한다.
대전 입자 이미턴스 제어기(100)는 대전 입자, 바람직하게는 전자 빔에 배치되고, 수정된 이미턴스를 갖는 대전 입자의 방출빔을 생산한다. 대전 입자빔은 이미턴스 제어기에 의해 발생된 4중극 필드 패턴을 통과하여 대전 입자빔 부분이 수렴하도록 하여 복수의 2차 대전 입자원(유효원)을 형성한다. 바람직한 실시예에서, 대전 입자빔 이미턴스 제어기(100)는 절연체(24)에 의해 라이너(20)에 연결된 드리프트 공간(19)에 배치된다(도 2 참조). 바람직한 실시예에서, 대전된 입자빔 이미턴스 제어기(100)는 도 2에 나타난 메쉬 그리드(23)를 대체한다. 유사하게, 대전된 입자빔 이미턴스 제어기(100)는 도 2a, 2b, 2c, 6a, 6b 및 6c 에 나타난 다른 바람직한 실시예들에서 메쉬 그리드(23, 23',23")를 대체한다. 메쉬 그리드(23, 23',23")와 유사하게, 대전 입자빔 이미턴스 제어기(100)는 또한 도 2a에 나타난 웨넬트 아파처(16)에서 전자건에 포함될 수 있다.
도 11a는 본 발명의 바람직한 실시예에서, 대전 입자빔 이미턴스 제어기 (100) 부분을 도시한다. 도 11a는 상부로부터 본 대전 입자빔 이미턴스 제어기의 부분의(X,Z 평면의) 단면도이다.
도 11b는 도 11a에 도시된 대전 입자빔 이미턴스 제어기(100) 부분에 대응하는 (Y,Z평면의) 측단면도이다. 도시된 바와 같이, 제1외측 와이어 메쉬(102)와 제2외측 와이어 메쉬(104)는 평면이고 서로 실질적으로 평행하게 배치된다. 내측 와이어 메쉬(103)는 또한 실질적으로 평면형태를 갖고 제1 및 제2외측 와이어 메쉬(102,104) 사이에서 이들에 거의 평행하게 배치된다. 바람직하게는, 내측 와이어 메쉬 (103)와 제1외측 와이어 메쉬(102)사이의 거리는 내측 와이어 메쉬(103)과 제2외측 와이어 메쉬(104)사이의 거리와 거의 동일하다.
상기 바람직한 실시예에서, 제1외측 와이어 메쉬(102)가 복수의 도전성 부재를 갖고, 이들중 2개만이 참조 부호(112 및 114)로 도시되고 표시된다. 바람직하게는, 도전성부재들(112 및 114)은 직사각형 단면을 갖는 금속 와이어 또는 바아이다. 바람직하게는, 제1외측 와이어 메쉬(102)의 금속 와이어 또는 바아 각각은(도시된 바아(112 및 114)에 대해 도 11b의 페이지에 수직인) 각각의 중심을 따라 연장하는 길이 방향의 축선을 갖는다. 제1외측 와이어 메쉬(102)의 와이어 또는 금속 바아의 길이 방향의 축선은 도 11c에 도시된 바아(112 및 114)에 대한 페이지의 평면에 수직방향을 따라 연장된다. 바람직하게는 제1외측 와이어 메쉬(102)내의 금속 와이어는 실질적으로 동일한 크기를 갖고 동일한 간격으로 이격되어 있다.
상기 바람직한 실시예에서, 제2외측 메쉬(104)는 제1외측 메쉬(102)와 실질 적으로 동일한 구성과 배치를 갖는다. 바람직한 실시예에서, 내측 와이어 메쉬 (103)는 실질적으로 제1 및 제2외측 와이어 메쉬(102,104)와 실질적으로 동일한 구성을 갖지만, 도 11b 및 도 11c에 나타난 바와 같이 제1 및 제2외측 와이어 메쉬 (102,104)에 대하여 90°로 회전되어 있다.
전압원(도면에 도시 안됨)은 제1외측 와이어 메쉬(102), 제2외측 와이어 메쉬(104), 및 내측 와이어 메쉬(103)의 각각의 금속 바아와 전기적으로 접속된다. 바람직하게는, 제1외측 와이어 메쉬(102)와 제2외측 와이어 메쉬 (104)는 모두 대지 전위에 있고 내측 와이어 메쉬(103)는 접지에 대하여 전압 ㅿV를 갖는다. 바람직하게는, 전압 ㅿV는 네거티브 전압이다.
도 11a 및 도 11b는 대전 입자빔 이미턴스 제어기(100)의 국부 영역에서 4중극 전기장 패턴(116)의 예시를 설명한다. 국부적으로 4중극 필드 패턴(116)을 발생시키는 도전성부재("전극")(112, 117 및 119)에 근접한 상기 공간은 정전 4중극 렌즈렛(118)을 제공한다.
도 12는 메쉬(102 및 103)사이의 간격, 및 메쉬(103 및 104)사이의 간격이 0.5 mm 이고 각각의 메쉬 내부의 금속바아의 너비가 20㎛ 이고 200㎛ 이격된 4중극 배열용 CPO3d 컴퓨터 모델로부터 얻어진 결과를 나타낸다. 외측 메쉬는 중심 메쉬가 -4kV일 때 접지된다. 도 12에서 설명된 배향에서 초점 거리는 5mm 이하이다.
정전기 4중극 렌즈렛의 초점 맞춤 작용은 비회전 대칭이며, 아파처 렌즈 배열의 경우와 다르다. 대전된 입자빔 이미턴스 제어기(100)의 4중극 렌즈렛 배열에 대한 초점 맞춤 작용의 비회전 대칭으로 인한 역효과는 이미턴스 제어기(100)와 형 상 아파처 사이의 거리에 대하여 렌즈렛의 초점길이가 작을 때 충분히 작게 발견되고 그 형상 아파처가 전자빔에 의해 투광되는 평면으로서 형성된다. 제어기(100)와 형상 아파처 사이의 거리는 제어기(100)로부터 나오는 개개의 빔렛이 함께 중첩 및 혼합되도록 충분히 길어야만 하며, 이것은 속이 채워진 균일한 빔을 생성한다.
동작에서, 4중 렌즈렛은 렌즈의 배향과 중앙 전극의 전위 △V에 의존하여 항상 빔 축선을 향하는 또는 빔 축선으로부터 멀어지는 한 방향으로 작용하는 대전 입자상에 힘을 가한다. 4중극 렌즈렛의 초점 길이는 제1순서 효과로서 전기장에 유익하게 의존하는 반면 아파처 렌즈는 제2차수 효과로서 대전 입자상에 초점 맞춤 작용을 초래한다. 결과적으로, 렌즈렛의 4중극 배열은 더 큰 효율을 제공하고 렌즈 영역 내부의 상이한 전극사이에서 절연파괴 전압으로 인한 문제를 보다 적게 초래한다.
이러한 설명이 포함된 도면은 개략적이고 반드시 축척에 맞을 필요가 없다는 것을 이해해야만 한다. 디바이스 구성등은 앞에서 설명된 디바이스 구조상의 임의의 한계를 전달하는 것을 목적으로 하지 않는다.
본 명세서를 명확하게 하기 위해서 부가된 청구항에서, 용어 웨넬트 이미터는 대략 평편한 방출 표면을 가지고 속이 채워진 금속체를 형성하는 것을 목적으로 하고, 상기 평편한 방출 표면은 대칭이 되고, 즉, 원형 또는 표준 정다각 형상을 갖는다. 또한, 명확하게 하기 위해서, 본 명세서에 쓰여진 용어인 기판은 (반도체) 작업 대상물이 평면상에 존재하든지 안하든지간에 전자빔 노광 시스템의 대물평면으로 정의한다. 용어 전자광학 평면은 전자건내의 공간에서 x-y 평면과 전자빔 이미지가 초점화되는 표면 즉, 반도체 웨이퍼가 놓여진 대물 평면을 설명하기 위해 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서, 전자 광학 렌즈 배열은 대전 입자 노광 도구의 투광 광학 내부에 삽입된다. 이러한 렌즈 배열 또는 플라이즈 아이 렌즈의 위치는 각각의 렌즈렛이 인수(L/d)2 에 의해 빔의 유효 이미턴스를 증가시키는 렌즈 렛(L) 사이의 거리보다 더 작은 직경(d)을 갖는 빔 크로스 오버를 생성한다는 것이다. 전자 광학 렌즈 배열은 상기 그리드에 수직인 정전기장을 갖는 메쉬 그리드이다. 종래의 시스템을 능가하는 한 가지 이점은 본 발명이 표준 고휘도 전자건의 사용을 허용한다는 것이다. 또다른 이점은 유효 이미턴스가 빔 형상 아파처상에 큰 부분의 전자 흐름을 멈추지 않고 변화시킬 수 있다는 점이고, 이것은 현재로서는 이미턴스를 변경시킬 유일한 방법이 된다.
ICs의 제조에 있어서 본 발명에 따른 장치를 사용하기 위해 본 명세서에서 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 이러한 장치가 다수의 상이한 응용을 가능하게 한다는 것을 명백히 이해해야만 한다. 예를 들어, 그것은 집적 광학 시스템의 제조, 자기 도메인 메모리용 가이던스 및 감지 패턴, 액정 디스플레이 패널, 박막 자기 헤드등에 이용될 수 있다. 당업자는 이러한 대안적인 응용의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 어떤 용어 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"의 어떤 사용이 더욱 일반적인 용어 "마스크", "기판" 및 "목표 영역"으로 각각 대체되어 있다는 것을 고려해야만 한다.
본 명세서에서 특히 e-빔 장치에 있는 상황에 많은 논의가 이루어졌으나, 일반적으로 본 발명은 대전된 입자 리소그래피에서 응용가능한 것으로서 간주되어야함을 명백히 이해되어야 한다. 따라서, 그것은 이온 - 빔 리소그래피를 포함한다.
본 발명의 다양한 부가적인 변형들이 상기 기술의 업자들에 의해 일어날 것이다. 기술이 진보하는 원리와 그것들의 대응물을 기본으로 하는 상기 명세서의 구체적인 설명으로부터의 모든 이탈은 상술되고 청구된 본 명세서의 청구범위내에서 적절히 고려된다.
본 발명에 따라서, 표준 고휘도 전자건을 사용할 수 있고, 유효 이미턴스가 빔 형상 아파처상에 큰 부분의 전자 흐름을 멈추지 않고 변화시켜 이미턴스를 변경시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. 가속된 대전 입자원과,
    상기 입자원에 근접하게 배치되고 대전 입자빔을 형성하기 위해 상기 입자원으로부터 방사되는 입자의 경로를 바꾸기 위해 적응된 집광기 렌즈 시스템과,
    상기 빔의 경로에 마스크를 고정시키기 위해 구성되고 배치된 마스크 홀더, 및
    상기 마스크를 통과한 대전 입자의 경로에 배치된 기판을 포함하여 이루어지며,
    상기 입자원은,
    음극과,
    상기 음극에 근접하게 배치된 양극, 및
    상기 음극과 상기 양극 사이의 대전 입자 경로에 배치되고 복수의 정전 4중극 렌즈렛을 포함하는 상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 대전 입자 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양극은 드리프트 튜브를 형성하고, 상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기는 상기 드리프트 튜브에 의해 형성된 드리프트 공간에 배치되고, 상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기와 상기 드리프트 튜브 사이에서 전기 전도성 연결이 없는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 입자원은 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 웨넬트 전극(Wehnelt electrode)을 더 포함하여,
    상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기는 상기 웨넬트 전극에 의해 형성된 아파처에 배치되고, 상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기와 상기 웨넬트 전극 사이에 전기 전도성 연결이 없는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크와 상기 기판 사이에 배치된 대물 렌즈 시스템과,
    상기 대물 렌즈 시스템과 상기 기판 사이에 배치된 투영 렌즈 시스템, 및
    상기 대물 렌즈 시스템과 상기 투영 렌즈 시스템 사이에 배치된 후방 초점면 필터를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기는,
    실질적으로 평면 형상을 갖는 제1외측 와이어 메쉬와;
    실질적으로 평면 형상을 갖고 상기 제1외측 와이어 메쉬에 실질적으로 평행하게 배치된 제2외측 와이어 메쉬와;
    실질적으로 평면 형상을 갖고 상기 제1 및 제2외측 와이어 메쉬 사이에서 실질적으로 평행하게 배치된 내측 와이어 메쉬; 및
    상기 내측 와이어 메쉬와 상기 제1외측 와이어 메쉬 사이의 제1전압차가 상기 내측 와이어 메쉬와 상기 제2외측 와이어 메쉬 사이의 제2전압차와 실질적으로 동일하도록 상기 내측 와이어 메쉬, 상기 제1외측 와이어 메쉬, 및 상기 제2외측 와이어 메쉬중 하나이상에 연결된 전압원을 포함하여,
    상기 제1 및 제2와이어 메쉬와 상기 내측 와이어 메쉬는 상기 복수의 실질적으로 동일 평면상의 정전 렌즈렛을 형성하고, 상기 복수의 실질적으로 동일 평면상의 정전 렌즈렛은 상기 복수의 실질적으로 동일 평면상의 정전 렌즈렛의 각각의 렌즈렛에 인접하는 국부 지역에 실질적으로 4중극 전기장 패턴을 생성시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1외측 와이어 메쉬는 각각 길이 방향의 축선을 갖는 제1복수의 도전성 부재들을 포함하여, 제1복수의 도전성 부재들은 모든 길이방향의 축선들이 실질적으로 서로 평행하도록 정렬되고,
    상기 제2외측 와이어 메쉬는 각각 길이 방향의 축선을 갖는 제2복수의 도전 부재들을 포함하여, 상기 제2복수의 도전성부재들은 상기 제2복수의 도전성부재들의 모든 길이 방향의 축선들이 실질적으로 서로 평행하고 상기 제1외측 와이어 메쉬의 상기 길이방향의 축선들에 실질적으로 평행하도록 정렬되며,
    상기 내측 와이어 메쉬는 각각 길이 방향의 축선을 갖는 제3복수의 도전성부재들을 포함하여, 상기 제3복수의 도전성부재들은 상기 제3복수의 도전성부재들의 모든 길이 방향의 축선들이 실질적으로 서로 평행하고 상기 제1 및 제2외측 와이어 메쉬의 상기 길이방향의 축선들에 실질적으로 직교하도록 정렬된 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2외측 와이어 메쉬가 접지되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 내측 와이어 메쉬가 네거티브 전압에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1, 제2, 제3복수의 도전성부재들이 실질적으로 균일한 너비와 간격을 갖는 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1외측 와이어 메쉬와 상기 내측 와이어 메쉬 사이의 거리가 상기 제2외측 와이어 메쉬와 상기 내측 와이어 메쉬 사이의 거리와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 음극과,
    상기 음극에 근접하여 배치된 양극, 및
    상기 음극으로부터 방출되고 상기 양극을 향하여 가속된 전자 경로에 배치된 대전 입자빔 이미턴스 제어기를 포함하여 이루어지며,
    상기 대전 입자빔 이미턴스 제어기는 복수의 정전 4중극 렌즈렛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그래피 장치용 전자원.
  12. 실질적으로 평면 형상을 갖는 제1외측 와이어 메쉬와;,
    실질적으로 평면 형상을 갖고 상기 제1외측 와이어 메쉬에 실질적으로 평행하게 배치된 제2외측 와이어 메쉬와;
    실질적으로 평면 형상을 갖고, 상기 제1 및 제2외측 와이어 메쉬 사이에서 이들에 실질적으로 평행하게 배치된 내측 와이어 메쉬; 및
    상기 내측 와이어 메쉬와 상기 제1외측 와이어 메쉬 사이의 제1전압차가 상기 내측 와이어 메쉬와 상기 제2외측 와이어 메쉬 사이의 제2전압차와 실질적으로 동일하도록 상기 내측 와이어 메쉬, 상기 제1외측 와이어 메쉬, 및 상기 제2외측 와이어 메쉬중 하나이상에 연결된 전압원을 포함하여 이루어지며,
    상기 제1 및 제2와이어 메쉬와 상기 내측 와이어 메쉬는 각각의 렌즈렛에 근접한 국부 영역에서 실질적으로 4중극 전기장 패턴을 발생시키는 복수의 정전 렌즈렛을 형성하는 것을 특징으로 하는 대전 입자빔 이미턴스 제어기.
  13. (a)방사 감지 재료층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계,
    (b)대전 입자의 투영빔을 제공하는 단계,
    (c)투영빔을 패턴닝하기 위해 마스크를 사용하는 단계,
    (d)방사 감지 재료층의 목표 영역상에 패턴화된 방사 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    (c)단계에 앞서, 상기 투영빔이 4중극 정전기장 패턴의 배열을 통과하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 대전입자가 상기 기판에 도달하기 전에 상기 마스크를 통과한 상기 복수의 상기 대전 입자의 초점을 맞추는 단계,
    상기 대전 입자빔의 빔축선으로부터의 각 대전 입자의 편향에 기초하여 상기 초점맞춤으로 인한 초점면에서 실질적으로 상기 복수의 상기 대전 입자를 필터링 하는 단계, 및
    상기 기판위에 상기 마스크의 필터링된 이미지를 투영하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 대전 입자빔이 전자빔인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 4중극 정전기장 패턴의 배열이 상기 대전 입자의 상기 빔의 빔축선에 실질적으로 직교하도록 배치된 정전기 렌즈렛의 실질적으로 동일 평면상의 배열인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 정전기 렌즈렛의 실질적으로 동일한 평면상의 배열은 상기 대전 입자빔에 배치된 와이어 메쉬 조합체를 포함하고, 상기 와이어 메쉬 조합체는 제1 및 제2외측 와이어 메쉬 사이에 배치된 내측 와이어 메쉬를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 집적장치의 제조에서 대전 입자빔의 이미턴스를 제어하는 방법에 있어서,
    대전 입자빔을 발생시키는 단계, 및
    4중극 정전기장 패턴의 배열을 통해 상기 대전 입자빔을 통과시키는 단계를 포함하는 대전 입자빔 이미턴스 제어방법.
  19. 음극과;
    상기 음극에 근접하게 배치된 양극; 및
    상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 빔 제어기를 포함하여 이루어지며,
    상기 빔제어기는,
    실질적으로 평면 형상을 갖는 제1외측 와이어 메쉬와,
    실질적으로 평면 형상을 갖고 상기 제1외측 와이어 메쉬에 실질적으로 평행하게 배치된 제2외측 와이어 메쉬, 및
    실질적으로 평면 형상을 갖고 상기 제1 및 제2 외측 와이어 메쉬 사이에서 실질적으로 이들에 평행하게 배치된 내측 와이어 메쉬를 포함하며,
    각각의 상기 와이어 메쉬는 이격된 복수의 평행한 와이어를 포함하고,
    상기 제1외측 와이어 메쉬의 상기 평행한 와이어들과 제2외측 와이어 메쉬의 상기 평행한 와이어들은 제1축선 방향으로 연장되고, 상기 내측 와이어 메쉬의 상기 평행한 와이어들은 일반적으로 상기 제1축선 방향에 수직인 제2축선 방향으로 연장되고,
    상기 제1 및 제2외측 와이어 메쉬는 제1전위에 있고, 상기 내측 와이어 메쉬는 상기 제1전위와 다른 제2전위에 있는 것을 특징으로 하는 대전 입자빔원 및 제어기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11935472B2 (en) 2019-09-30 2024-03-19 Lx Semicon Co., Ltd. Pixel sensing circuit and display driver integrated circuit

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1105914B1 (en) * 1999-06-22 2007-03-07 Fei Company Particle-optical apparatus including a particle source that can be switched between high brightness and large beam current
JP3348779B2 (ja) * 1999-06-23 2002-11-20 日本電気株式会社 パターン露光マスク、パターン露光方法及び装置、回路製造方法及びシステム、マスク製造方法
US7345290B2 (en) * 1999-10-07 2008-03-18 Agere Systems Inc Lens array for electron beam lithography tool
US6528799B1 (en) * 2000-10-20 2003-03-04 Lucent Technologies, Inc. Device and method for suppressing space charge induced aberrations in charged-particle projection lithography systems
US6822248B2 (en) * 2001-03-15 2004-11-23 International Business Machines Corporation Spatial phase locking with shaped electron beam lithography
JP2002299207A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Toshiba Corp 荷電粒子ビーム描画装置
WO2003040830A2 (en) 2001-11-07 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
JP2005533365A (ja) 2001-11-07 2005-11-04 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド マスクレスの光子−電子スポット格子アレイ印刷装置
US6822241B2 (en) 2002-10-03 2004-11-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emitter device with focusing columns
KR101061407B1 (ko) 2002-10-30 2011-09-01 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 전자 빔 노출 시스템
US7057353B2 (en) * 2003-01-13 2006-06-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic device with wide lens for small emission spot size
US7816655B1 (en) 2004-05-21 2010-10-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Reflective electron patterning device and method of using same
US6870172B1 (en) 2004-05-21 2005-03-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Maskless reflection electron beam projection lithography
US7456491B2 (en) * 2004-07-23 2008-11-25 Pilla Subrahmanyam V S Large area electron emission system for application in mask-based lithography, maskless lithography II and microscopy
DE102004048892A1 (de) * 2004-10-06 2006-04-20 Leica Microsystems Lithography Gmbh Beleuchtungssystem für eine Korpuskularstrahleinrichtung und Verfahren zur Beleuchtung mit einem Korpuskularstrahl
KR100702479B1 (ko) * 2006-02-28 2007-04-03 한국원자력연구소 회전형 슬릿을 이용한 단일 스캔 빔 에미턴스 측정기
US7358512B1 (en) 2006-03-28 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Dynamic pattern generator for controllably reflecting charged-particles
US20070228922A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Mamora Nakasuji Electron gun and electron beam apparatus field of invention
US7928381B1 (en) * 2006-05-19 2011-04-19 Apparati, Inc. Coaxial charged particle energy analyzer
US7692167B1 (en) 2006-10-26 2010-04-06 Kla-Tencor Technologies Corporation High-fidelity reflection electron beam lithography
US7566882B1 (en) 2006-12-14 2009-07-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Reflection lithography using rotating platter
EP1975972A3 (de) * 2007-03-29 2010-06-23 Osram Gesellschaft mit Beschränkter Haftung Elektrische Lampe mit einer Laserstrukturierten Metalleinschmelzung
US7755061B2 (en) * 2007-11-07 2010-07-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Dynamic pattern generator with cup-shaped structure
US9040942B1 (en) 2008-01-11 2015-05-26 Kla-Tencor Corporation Electron beam lithography with linear column array and rotary stage
WO2009142550A2 (en) 2008-05-22 2009-11-26 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle beam extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
JP5450602B2 (ja) 2008-05-22 2014-03-26 エゴロヴィチ バラキン、ウラジミール シンクロトロンによって加速された荷電粒子を用いて腫瘍を治療する腫瘍治療装置
US8901509B2 (en) 2008-05-22 2014-12-02 Vladimir Yegorovich Balakin Multi-axis charged particle cancer therapy method and apparatus
US8896239B2 (en) 2008-05-22 2014-11-25 Vladimir Yegorovich Balakin Charged particle beam injection method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system
US8253119B1 (en) 2009-07-27 2012-08-28 Kla-Tencor Corporation Well-based dynamic pattern generator
JP5556107B2 (ja) * 2009-09-25 2014-07-23 凸版印刷株式会社 荷電粒子線露光用マスク
US8089051B2 (en) * 2010-02-24 2012-01-03 Kla-Tencor Corporation Electron reflector with multiple reflective modes
US8373144B1 (en) 2010-08-31 2013-02-12 Kla-Tencor Corporation Quasi-annular reflective electron patterning device
US10386722B2 (en) 2014-06-13 2019-08-20 Intel Corporation Ebeam staggered beam aperture array
US9897908B2 (en) 2014-06-13 2018-02-20 Intel Corporation Ebeam three beam aperture array
JP6677368B2 (ja) 2014-06-13 2020-04-08 インテル・コーポレーション 電子ビームのユニバーサルカッタ
EP3155644A4 (en) * 2014-06-13 2018-02-28 Intel Corporation Ebeam align on the fly
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
CN112055886A (zh) 2018-02-27 2020-12-08 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 带电粒子多束系统及方法
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US11373838B2 (en) * 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
US10573481B1 (en) * 2018-11-28 2020-02-25 Nuflare Technology, Inc. Electron guns for electron beam tools
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
US11651934B2 (en) 2021-09-30 2023-05-16 Kla Corporation Systems and methods of creating multiple electron beams

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258246A (en) 1989-08-07 1993-11-02 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5260151A (en) 1991-12-30 1993-11-09 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving step-and-scan delineation
JPH08124834A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
US7345290B2 (en) * 1999-10-07 2008-03-18 Agere Systems Inc Lens array for electron beam lithography tool

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11935472B2 (en) 2019-09-30 2024-03-19 Lx Semicon Co., Ltd. Pixel sensing circuit and display driver integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP1160824A3 (en) 2004-12-15
EP1160824B1 (en) 2009-12-30
JP2002033275A (ja) 2002-01-31
JP4416962B2 (ja) 2010-02-17
DE60140918D1 (de) 2010-02-11
KR20010109127A (ko) 2001-12-08
EP1160824A2 (en) 2001-12-05
US6333508B1 (en) 2001-12-25

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