KR100362185B1 - 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 (BixLay)Ti3O12(이하, BLT라 함) 박막을 유전체로 사용하는 강유전체 캐패시터 형성 공정에 관한 것이며, BLT를 강유전체 박막으로 사용함에 있어서 BLT의 충분한 핵 생성을 통해 보다 치밀한 막질을 얻을 수 있는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 강유전체 캐패시터 형성방법에 있어서, 하부전극용 전도막이 형성된 기판 상에 액상의 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 도포하는 제1 단계; 베이크 공정을 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 박막화하는 제2 단계; NH3플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 내의 금속 원소 및 용매와 결합된 유기물을 제거하는 제3 단계; 산소 플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막의 페로브스카이트 핵 생성을 유도하는 제4 단계; 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막에 대해 결정립 성장 열처리를 수행하는 제5 단계; 및 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 상에 상부전극용 전도막을 형성하는 제6 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법{A method of forming ferroelectric capacitor in semiconductor device}
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 강유전체 박막을 유전체로 사용하는 강유전체 캐패시터 형성 공정에 관한 것이며, 더 자세히는 (BixLay)Ti3O12(이하, BLT라 함) 박막을 유전체로 사용하는 강유전체 캐패시터 형성 공정에 관한 것이다.
강유전체 물질은 높은 유전상수(dielectric constant), 분극현상의 비휘발성(nonvolatile)으로 인해 반도체 메모리에 응용되어 DRAM(dynamic random access memory)의 고직접화(1Gb 이상) 및 새로운 형태의 비휘발성 반도체 메모리(FeRAM)의 구현에 필요한 물질로 등장하였다.
대표적인 강유전체 물질로는 (Sr,Bi)Ta2O9(이하, SBT라 함), Pb(ZrxTix-1)O3(이하, PZT라 함) 등이 있으며, 최근에는 비스무스-레이어드 페로브스카이트(Bi-layered perovskite) 구조를 가지는 BLT에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. BLT는 기존 강유전체의 단점이었던 피로(Fatigue) 현상(정보를 읽고 지우는 과정을 일정 횟수이상 반복할 때 저장된 정보를 잃는 등 성능이 저하되는 현상)을 극복할 수 있는 신소재 강유전체로 각광 받고 있다.
한편, BLT는 액체 상태의 BLT 케미칼 소오스를 스핀-온(spin-on) 방식으로 기판에 도포하고, 베이크 공정을 통해 박막화 과정을 거친 후, 결정화를 위한 열처리를 실시하는 공정을 통해 형성하고 있다. 베이크 공정은 액체 상태의 BLT 케미칼 소오스에 함유된 용매(solvent)를 증발시키고 금속 원소와 결합된 저온 유기물을 제거하기 위한 것으로, 통상적으로 원하는 두께의 박막을 얻기 위해서는 케미칼 소오스의 1, 2차 도포를 실시하고 있기 때문에 도포 후 각각 1, 2차 베이크를 실시하고 있다. 한편, 결정화를 위한 열처리는 급속열처리(RTA)와 전기로열처리(furnaceanneal)로 나누어 진행하고 있는 바, 급속열처리는 금속 원소 및 용매와 강한 결합을 이루고 있는 유기물을 완전히 제거하고 산소와의 결합을 통해 페로브스카이트 구조의 BLT 핵을 생성하기 위한 것이며, 전기로열처리는 결정 핵을 결정립으로 성장시키기 위한 것이다.
그러나, 급속열처리 단계에서 유기물의 제거와 핵 생성이 동시에 이루어지기 때문에 페로브스카이트 구조의 BLT 핵 생성이 충분하지 않으며, 후속 전기로열처리 단계에서 결정립 성장이 이루어지더라도 다공성의 막질이 형성되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, BLT를 강유전체 박막으로 사용함에 있어서 BLT의 충분한 핵 생성을 통해 보다 치밀한 막질을 얻을 수 있는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터 형성 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
18 : 하부전극
19 : BLT막
20 : 상부전극
상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 강유전체 캐패시터 형성방법에 있어서, 하부전극용 전도막이 형성된 기판 상에 액상의 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 도포하는 제1 단계; 베이크 공정을 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 박막화하는 제2 단계; NH3플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 내의 금속 원소 및 용매와 결합된 유기물을 제거하는 제3 단계; 산소 플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막의 페로브스카이트 핵 생성을 유도하는 제4 단계; 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막에 대해 결정립 성장 열처리를 수행하는 제5 단계; 및 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 상에 상부전극용 전도막을 형성하는 제6 단계를 포함하여 이루어진다.
바람직하게, 상기 제5 단계 수행 후, 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막에 대해 결정 핵 성장 열처리를 수행하는 제7 단계를 더 포함하여 이루어진다.
바람직하게, 상기 제3 단계 및 제4 단계는, 동일한 플라즈마 장비 내에서 수행한다.
바람직하게, 상기 산소 플라즈마 처리는, 플라즈마 소오스로 O2, N2O, H2O, H2O2, O3중 적어도 어느 하나를 사용하여 수행한다.
바람직하게, 상기 산소 플라즈마 처리는, 25∼1000W 범위의 플라즈마 파워와, 0.1mTorr∼10Torr 범위의 작업 압력과, 200∼400℃의 웨이퍼 온도를 사용하여 수행한다.
바람직하게, 상기 제3 단계는, Ar 또는 N2가스를 반응기 내에 주입하여 플라즈마를 발생시키는 제8 단계; 상기 Ar 또는 N2가스의 공급을 중지하고 온도를 상승시키면서 NH3가스를 주입하는 제9 단계; 및 NH3가스를 계속하여 플로우 시키면서 플라즈마를 안정화 시키는 제10 단계를 포함하여 이루어진다.
바람직하게, 상기 NH3플라즈마 처리는, 25∼500W 범위의 플라즈마 파워를 사용하여 수행한다.
바람직하게, 상기 제7 단계는, 급속열처리 챔버에서 수행하며, N2, NH3, O2, N2O, O2+N2중 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 50∼300℃/초의 승온 속도로 525∼725℃까지 승온시켜 수행한다.
바람직하게, 상기 제5 단계는, 전기로에서 수행하며, O2, N2O, O2+N2중 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 500∼700℃ 범위의 온도로 수행한다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.
첨부된 도면 도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터 형성 공정을 도시한 것으로, 이하 이를 참조하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터 형성 공정은, 우선 도 1에 도시된 바와 같이 실리콘 기판(10) 상에 소자분리막(11), 워드라인(12), 비트라인(14) 등을 형성하고, 그 결과물로 형성된 층간절연막(13, 15)를 선택 식각하여 하부전극 콘택홀을 형성한 다음, 콘택홀 내에 폴리실리콘 플러그(16) 및 실리사이드/장벽금속층(17)을 형성하고, 하부전극(18)을 형성한다. 여기서, 실리사이드는 저항성 접촉(ohmic contact)을 위한 것으로 Ti 실리사이드를 사용하는 것이 바람직하며, 장벽금속층으로는 Ti-Al-N, Ti-Si-N 등을 사용한다. 또한, 하부전극(18)으로는 Ir, IrOx, Ru, RuOx, Pt, W, WN, TiN 등의 물질을 사용하며, 그 증착법으로는 MOCVD, PVD, PECVD법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이 하부전극(18)이 형성된 전체 구조 상부에 BLT막(19)을 도포하고, 베이크 공정을 실시한 다음, NH3플라즈마 처리 및 산소 플라즈마 처리를 수행하고, 급속열처리 공정 및 전기로열처리 공정을 수행한다.
이 과정을 보다 자세히 살펴본다.
우선, 1차 BLT 도포를 실시하고, 약 160℃ 온도로 1차 베이크를 실시하고, 다시 2차 BLT 도포를 실시하고, 약 260℃ 온도로 2차 베이크를 실시한다. 이상의 과정을 통해 BLT 케미칼 소오스 내의 용매를 제거하여 박막화하고, 금속 원소와 약하게 결합된 저온 유기물을 제거한다. 이때, 도포된 BLT 내의 Bi와 La의 조성비는 Bi가 3.25∼3.35 원자농도, La가 0.80∼0.90 원자농도가 되도록 하며, 스핀-온 방식, MOD(metal organic decomposition) 방식, LSMCD(liquid source mist chemical deposition) 등의 도포 방식을 사용한다.
다음으로, 플라즈마 챔버 내에 웨이퍼를 장입하고, Ar 또는 N2가스를 챔버 내에 주입하여 플라즈마를 발생시키고, Ar 또는 N2가스의 공급을 중지하고 온도를 상승시키면서 NH3가스를 주입한 후, NH3가스를 계속하여 플로우 시키면서 플라즈마 안정화 단계를 거친다. 이때, 플라즈마 파워는 25∼500W 범위에서 결정하며, 이러한 NH3플라즈마 처리에 의해 금속 원소 및 용매와 강하게 결합하고 있는 유기물을 완전히 제거할 수 있다. 이어서, NH3가스의 주입을 멈추고 플라즈마 활성화 상태에서 O2, N2O, H2O, H2O2, O3등의 산화 가스를 주입하여 산소 플라즈마 처리를 실시한다. 이때, 25∼1000W 범위의 플라즈마 파워와, 0.1mTorr∼10Torr 범위의 작업 압력과, 200∼400℃의 웨이퍼 온도를 사용하여 수행하며, 이와 같은 산소 플라즈마 처리를 통해 산소와의 결합을 통해 페로브스카이트 구조의 BLT 핵 생성을 이룰 수 있다.
계속하여, 급속열처리를 실시한다. 급속열처리는 N2, NH3, O2, N2O, O2+N2분위기에서 수행하며, 50∼300℃/초의 승온 속도(ramp-up rate)로 525∼725℃까지 승온시킨다. 이와 같은 급속열처리를 통해 결정 핵을 성장시키게 되며, 상기 산소 플라즈마 처리에 의해 어느 정도로 성장된 결정 핵을 확보할 수 있기 때문에 경우에 따라서는 급속열처리를 생략할 수 있다.
다음으로, 전기로열처리를 실시한다. 전기로열처리는 500∼700℃의 O2, N2O, O2+N2분위기(상압)에서 수행하며, 이와 같은 전기로열처리를 통해 결정립을 성장시킬 수 있다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이 상부전극(20)을 형성한다. 여기서, 상부전극(20)으로는 Ir, IrOx, Ru, RuOx, Pt, W, WN, TiN 등의 물질을 사용하며, 그 증착법으로는 MOCVD, PVD, PECVD법 등을 이용할 수 있다.
상기와 같은 공정을 실시하는 경우, NH3플라즈마 처리를 통해 금속 원소 및 용매와 강하게 결합된 유기물을 완전히 제거할 수 있으며, 이어지는 산소 플라즈마 처리를 통해 페로브스카이트 구조의 핵 생성을 이룰 수 있어 후속 결정립 성장시 보다 치밀한 막질을 확보할 수 있게 된다. 한편, 경우에 따라서는 급속열처리를 생략할 수 있기 때문에 소자에 가해지는 열적부담을 줄일 수 있게 된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
예컨대, 전술한 실시예에서는 PP(plug poly) 구조의 캐패시터를 형성하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 본 발명은 NPP(non-plug poly) 구조의 캐패시터를 형성하는 경우에도 적용할 수 있다.
전술한 본 발명은 BLT 박막의 막질을 개선하여 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 캐패시터 형성 공정에 의해 유발되는 열적부담을 크게 줄이는 효과를 기대할 수 있다.

Claims (9)

  1. 강유전체 캐패시터 형성방법에 있어서,
    하부전극용 전도막이 형성된 기판 상에 액상의 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 도포하는 제1 단계;
    베이크 공정을 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막을 박막화하는 제2 단계;
    NH3플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 내의 금속 원소 및 용매와 결합된 유기물을 제거하는 제3 단계;
    산소 플라즈마 처리를 실시하여 상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막의 페로브스카이트 핵 생성을 유도하는 제4 단계;
    상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막에 대해 결정립 성장 열처리를 수행하는 제5 단계; 및
    상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막 상에 상부전극용 전도막을 형성하는 제6 단계
    를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제5 단계 수행 후,
    상기 비스무스-란탄-티타늄 산화막에 대해 결정 핵 성장 열처리를 수행하는 제7 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 단계 및 제4 단계는,
    동일한 플라즈마 장비 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 산소 플라즈마 처리는,
    플라즈마 소오스로 O2, N2O, H2O, H2O2, O3중 적어도 어느 하나를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산소 플라즈마 처리는,
    25∼1000W 범위의 플라즈마 파워와, 0.1mTorr∼10Torr 범위의 작업 압력과, 200∼400℃의 웨이퍼 온도를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 단계는,
    Ar 또는 N2가스를 반응기 내에 주입하여 플라즈마를 발생시키는 제8 단계;
    상기 Ar 또는 N2가스의 공급을 중지하고 온도를 상승시키면서 NH3가스를 주입하는 제9 단계; 및
    NH3가스를 계속하여 플로우 시키면서 플라즈마를 안정화 시키는 제10 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 NH3플라즈마 처리는,
    25∼500W 범위의 플라즈마 파워를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제7 단계는,
    급속열처리 챔버에서 수행하며, N2, NH3, O2, N2O, O2+N2중 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 50∼300℃/초의 승온 속도로 525∼725℃까지 승온시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제5 단계는,
    전기로에서 수행하며, O2, N2O, O2+N2중 적어도 어느 하나를 포함하는 분위기에서 500∼700℃ 범위의 온도로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
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