KR100349794B1 - 고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 생산하는 방법 - Google Patents

고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 생산하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100349794B1
KR100349794B1 KR1019990012073A KR19990012073A KR100349794B1 KR 100349794 B1 KR100349794 B1 KR 100349794B1 KR 1019990012073 A KR1019990012073 A KR 1019990012073A KR 19990012073 A KR19990012073 A KR 19990012073A KR 100349794 B1 KR100349794 B1 KR 100349794B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating film
metal conductor
polymer coating
electrode
phenol
Prior art date
Application number
KR1019990012073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990083015A (ko
Inventor
카와무라유카
카와카미테스지
나가지마케이조
오니시히로시
Original Assignee
마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 filed Critical 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Publication of KR19990083015A publication Critical patent/KR19990083015A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100349794B1 publication Critical patent/KR100349794B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/02—Electrolytic coating other than with metals with organic materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/007—Processes for applying liquids or other fluent materials using an electrostatic field
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/14—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to metal, e.g. car bodies
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/44—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for electrophoretic applications
    • C09D5/4476—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for electrophoretic applications comprising polymerisation in situ
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/06—Insulating conductors or cables
    • H01B13/16—Insulating conductors or cables by passing through or dipping in a liquid bath; by spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/02—Disposition of insulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Insulating Bodies (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

고분자 코팅막을 생산하는 방법은 4번 위치가 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6번 위치는 치환되거나 치환되지 않은 페놀 유도체 및 알킬아민을 함유한 알칼리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와 상기 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이다.

Description

고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 제조하는 방법{METHOD FOR PRODUCING POLYMERIZED COATING AND AN INSULATIVE COATING-COVERED METAL CONDUCTOR}
본 발명은 전해 중합 반응을 통하여 얻어지는 유기 고분자의 고분자 코팅막과 그 생산 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 고분자 코팅막을 생산하는 상기 방법을 이용하여 금속 물질에 절연 코팅막을 입히는 방법과, 이와 같은 절연 코팅막으로 피복된 금속 도체에 관한 것이다. 본 발명은 나아가 금속 코일 등의 표면에 전기적으로 절연되는 고분자 코팅막을 입히는 방법에 관한 것이다.
최근에 전자 기기의 급속한 소형화와 성능 향상이 이루어짐에 따라, 이들 기기의 부품으로서 코일의 소형화와 성능 향상이 절실히 요구되고 있다. 흔히 제한된 공간 내에 절연 코팅막으로 피복된 다수의 도선(leads)이 삽입되기 때문에 보다 얇은 코팅막을 갖는 도선이 필요하다. 다수의 도선이 제한된 공간 내에 삽입될 때,절연 코팅막으로 피복된 도선에서 절연 코팅막이 자동 권선 장치 등의 봉침에 의해 야기될 수 있는 절연코팅막 손상이 보다 잘 일어나게 되어 흔치않은 누전과 불충분한 접지와 같은 문제를 일으키게 된다.
절연 코팅막으로 피복된 도선 분야, 특히 단면이 평평한 직사각형인 절연 코팅막으로 피복된 도선 분야에서, 약 8 ㎛ 내지 약 20 ㎛와 같이 비교적 두꺼운 절연 코팅막으로 피복된 도선이 사용되어왔다. 일반적으로, 절연 코팅막으로 피복된 도선은 금속 도체에 절연 바니시(varnish)를 칠하여 선형으로 잡아늘이고 혼성물을 소성 처리하여 생산한다. 평평한 직사각형 단면을 갖는 절연 코팅막으로 피복된 도선의 분야에 있어서, 두께가 수 마이크로미터 이하로 얇은 절연 코팅막을 갖는 절연 코팅막으로 피복된 도선이 아직 개발되지 않았다. 그 이유는, 절연 바니시를 도포 및 소성을 최적화하여 평평한 직사각형 금속 도체의 양쪽 주요 평면에 얇은 절연 코팅막을 형성할 수 있지만 금속 도체의 양측 단면에 얇은 절연 코팅막을 안정하게 형성하기가 아직 어렵기 때문이다. 한편으로, 원형 단면을 갖는 금속 도체에 절연 코팅막을 형성한 후 혼성물을 압연 가공하여 평평한 직사각형 단면을 갖는 절연 코팅막으로 피복된 도선을 생산할 수 있다. 그러나, 이 방법으로 만들어진 절연 코팅막으로 피복된 도선은 특히 그들의 절연코팅막 상에서 소정의 잔유응력을 가지고 있기 때문에, 압연율이 크거나 그리고/또는 절연 코팅막이 얇은 경우에 절연 코팅막에 균열이 생기기 쉬운 문제가 있다. 따라서, 내전압 및/또는 열 충격에 대한 내성이 크게 저하된다.
금속 도체에 얇은 절연 코팅막을 형성하는 한 가지 방법은 전해 중합 반응을이용하여 금속 도체에 전기적으로 절연되는 고분자의 얇은 고분자 코팅막을 형성하는 것이다. 이 때, 금속 도체는 전극으로 이용된다. 전해 중합 반응을 이용하여 금속 도선에 전기적으로 절연되는 고분자의 얇은 코팅막을 형성하는 방법은 일렉트로 케미카 (Electrochimica) Acta, 22, 451-457 (1977)과 응용전기화학 (Journal of Applied Electrochemistry), 9, 483-493 (1979)에 소개되었다.
상기에서 설명한 바와 같이, 코일의 소형화와 성능 향상을 위하여 다수의 도선을 제한된 공간 내에 자주 삽입시키기 때문에 얇은 절연 코팅막으로 피복된 도선이 바람직하다. 전해 중합 반응은 얇은 절연 코팅막을 형성하는 데에 이용되는 가능한 방법으로 보인다. 또한, 다수의 도선을 제한된 공간 내에 삽입함에 따라 절연 코팅막으로 피복된 도선의 절연코팅 막이 손상된다 하여도, 전해 중합 반응을 이용하여 절연 코팅막으로 피복된 금속 도선의 이러한 손상 부위의 절연 결함은 비교적 교정되기 쉽다.
그러나, 종래의 전해 중합 반응법은 단지 금속 도체로서 철을 사용한다. 또한, 전해 중합 반응법은 전기적으로 절연되는 고분자 코팅막을 생산하므로, 전극에 고분자 코팅막을 피복시킴에 따라 전도성이 저하되어 충분한 두께를 갖는 고분자 코팅막을 생성하기 어렵다.
도면은 본 발명의 실시예 12에 따라 고분자 코팅막을 생산하는 방법에서 사용되는 고분자 코팅막 생산 장치를 도시한 개략도이다.
본 발명에 따르면, 고분자 코팅막을 생산하는 방법은 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체와 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다.
한편 본 발명에 따른 고분자 코팅막을 생산하는 방법은 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체와, 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체와, 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도선을 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체와 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다.
다른 한편으로는 본 발명에 따른 고분자 코팅막을 생산하는 방법은 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체를 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다.
또다른 한편으로 본 발명에 따른 고분자 코팅막을 생산하는 방법은 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체와, 중합 가능 단량체를 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체와 중합 가능 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다.
발명의 일 실시예에서, 금속 도체는 그의 조성물이 Cu를 함유하는 금속 도체이다.
발명의 다른 실시예에서, 전해 중합 반응 다음에 고분자 코팅막이 상부에 형성된 금속 도체를 알카리성 수용액을 제외한 물이나 임의의 수용액, 또는 알콜 용액에 담그는 단계를 더욱 포함한다.
발명의 또 다른 실시예에서, 전해 중합 반응 다음에 상기 전해 중합 반응으로부터 형성된 고분자 코팅막을 가열시키는 단계를 더욱 포함한다.
발명의 또 다른 실시예에서, 금속 도체를 전기적 절연 코팅막으로 피복하며 상기 절연성 코팅막은 결함 부위를 포함한다.
발명의 또 다른 실시예에서, 알카리성 수용액은 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체 이외에도 알킬아민을 함유한다.
발명의 또 다른 실시예에서, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체는 2-알릴페놀(allylphenol), 2-(1-프로페닐)페놀(2-(1-prophenyl)phenol), 또는 2-알릴-6-메틸페놀(2-allyl-6-methylphenol)일 수 있다.
발명의 다른 측면에서, 절연성 코팅막으로 피복된 금속 도체는 금속 도체와 상기 언급된 방법 중의 어느 한가지 방법에 의해 금속 도체의 일부 또는 전체 표면에 형성된 고분자 코팅막을 포함한다.
본 발명은 해당 기술의 지식을 지닌 자에게 첨부된 도면을 참조하여 다음의상세한 설명을 통하여 분명히 이해될 것이다.
이후부터, 본 발명에 따른 고분자 코팅막을 생산하는 방법을 설명하기로 한다.
본 발명의 제 1 측면에 따르면, 고분자 코팅막을 생산하는 방법은, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체와 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다. 이하에서 상기 방법을 설명한다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체의 2, 3, 5 및 6 번 위치의 치환체는 제한적이지는 않으나 다음과 같다: 1 개 내지 12 개의 탄소 원자, 바람직하게는, 1 개 내지 7 개의 탄소 원자를 갖는 포화되었거나 포화되지 않은 지방족 탄화수소기, 또는 6 개 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소기; 알콕시기(RO-); 알콕시알킬기(ROR-); 아실기(RCO-); 알콕시카르보닐기(ROCO-); 아미드기(RCONH-); 카바모일알킬기(H2NCOR-); 및 히드록시알킬기(HOR-)이며,이때 R은 1 개 내지 12 개의 탄소원자, 바람직하게는, 1 개 내지 7 개의 탄소원자를 갖는 1가 또는 2가 알킬기를 나타낸다.
알킬아민은 1 개 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 함유하는 모노알킬아민, 디알킬아민 또는 트리알킬아민이 사용되며, 예를 들어, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디(n-프로필)아민, 디(이소프로필)아민, 디(n-부틸)아민, 디(이소부틸)아민, 디(t-부틸)아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리(n-프로필)아민, 트리(이소프로필)아민, 트리(n-부틸)아민, 트리(이소부틸)아민, 또는 트리(t-부틸)아민이다. 또한, 5 개 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 함유하는 모노알킬아민, 디알킬아민 또는 트리알킬아민이나, 에탄올아민, 디에탄올아민, 또는 트리에탄올아민과 같은 치환된 알킬아민을 사용할 수도 있다.
알카리성 수용액에 대한 용해도에 있어서, 에틸아민, 디메틸아민 또는 디에틸아민과 같이 3 개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬 사슬을 포함하는 모노알킬아민이나 디알킬아민이 바람직하다. 같은 이유로, 에탄올아민, 디에탄올아민 또는 트리에탄올아민과 같이 친수성 치환체를 갖는 알킬아민도 바람직하다.
알카리성 수용액은 용매로서 물과, 선택적으로 알콜 또는 다른 극성용매를 함유하며, 염기 화합물이 더욱 추가된 용액으로 정의된다. 알콜로는 메탄올, 에탈올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부틸알콜, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-부톡시에탄올 및 에틸렌글리콜이 포함된다. 극성 용매로는 아세토니트릴, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, N-메틸 피롤리돈(NMP), 및 프로필렌카르보네이트가 포함된다. 염기성 화합물에는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘 및 알카리금속 알콜산화물이 포함된다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체의 농도는 약 0.01 내지 약 10 몰/리터, 바람직하게는, 약 0.1 내지 약 2 몰/리터이다. 알킬아민의 농도는 약 0.05 내지 약 1 몰/리터, 바람직하게는, 약 0.1 내지 약 0.6 몰/리터이다. 염기성 화합물의 농도는 몰량이 염기성 화합물이 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체 몰 양의 약 0.5 내지 약 2 배, 바람직하게는, 약 0.5 내지 약 1.2 배가 함유되도록 한다.
금속 도체로서, 그의 조성물이 Zn, Sn, Ni, Al, Cr, Fe, Cu, Ti, Ag, Pd, In, Pt, Au, 또는 이들의 합금을 포함하는 금속 도체가 사용될 수 있다. 바람직한 금속 도체의 예는 그의 조성물이 Cu 또는 그의 합금을 포함하는 금속 도체이다. 여기서, '조성물이 소정의 원소(예: Zn, Sn, Ni, Al, Cr, Fe, Cu, Ti, Ag, Pd, In, Pt, Au)를 포함하는' 금속 도체는 소정의 원소에 포함되는 1종 이상의 금속 성분을 함유하는 금속 조성물을 말한다.
전해 중합 반응에서 사용되는 짝 전극(counter electrode)으로, Fe, 스테인레스강, Al, Pd, Pt, Au 또는 C와 같은 1종 이상의 여러 가지 물질을 함유하는 전극을 사용할 수 있다.
식 1은 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체의 양극 산화의 형태로 일어나고 작업 전극으로 금속 도체가 이용되는 전해 반응을 나타낸다. 특히, 이 반응은 알카리성 수용액의 존재 하에 페녹사이드 이온(phenoxide ion)이 페녹시 라디칼(phenoxy radical)로 산화되는 반응이다.
여기서, X2, X3, X5및 X6은 수소나, 또는 상기에 언급한 2, 3, 5 및 6 번 위치의 치환체를 각각 나타낸다.
전해 중합 반응에서 작업 전극의 전위는 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 특정한 페놀 유도체의 화학 구조와 같은 반응 조건과 사용되는 알카리성 수용액에 따라 달라진다. 전극 사이에 인가되는 전압은 제한적이지는 않으나, 약 0.5 내지 약 5 V인 것이 바람직하다.
전해 중합 반응으로부터 절연성 고분자의 성장에 이르는 일련의 반응들이 단량체나 중합체의 페녹시 라디칼간의 커플링 반응을 통하여 이루어짐으로써 식 2에서 나타낸 바와 같이 매 회마다 중합 반응의 반복 단위수가 늘어난다. 전기적으로 절연성인 코팅막이 이들 반응이 진행됨에 따라 성장하고, 애노드(anode)(즉, 작업 전극)가 비활성화되어 전해 반응 중에 흐르는 전류가 중합 반응이 일어날 때까지 점점 감소하고 코팅막의 형성이 중단된다.
이와 같이 페놀 유도체의 전해 중합 반응을 통하여 고분자 코팅막을 형성하는 종래의 방법이 알려져 있으나, 반응의 비교적 초기 단계에서 코팅막의 성장이 중단되기 때문에 두께가 약 0.1 ㎛인 코팅막 (Cu 전극인 경우)을 형성할 수 있을 뿐이다. 이와 대조적으로, 본 발명의 방법은 알카리성 수용액에 녹인 알킬아민을 사용하기 때문에 두께가 약 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는, 약 2 ㎛ 이상인 고분자 코팅막을 형성할 수 있다.
본 발명의 제 2 측면에 따르면, 고분자 코팅막을 생산하는 방법은, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체, 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체 및 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체와 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다. 이하에서 이 방법을 설명한다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체와 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액에 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체가 존재하기 때문에, 출발 물질로서 전해 반응을 통하여 발생하는 페녹시 라디칼을 이용하는 라디칼 첨가 중합 반응을 동시에 일으킬 수 있다. 그러므로, 고분자 구성요소로서, 페놀 유도체와 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체를 함유하는 보다 두꺼운 고분자 코팅막을 금속 도체 전극의 표면에 형성시킬 수 있다.
알카리성 수용액에 용해 상태로 공존할 수 있는 중합 가능 단량체는 불포화탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체로 사용된다. 이와 같은 중합 가능 단량체는 제한적이지는 않으나 불포화 탄소간 결합을 갖는 다음과 같은 단량체를 포함하는 데, 예를 들어, 아크릴아미드(acrylamide), 메타크릴아미드(methacrylamide), 히드록시알킬 아크릴산(hydroxyalkyl acrylate) (예: 히드록시에틸 아크릴산(hydroxyethyl acrylate)), 히드록시알킬 메타크릴산(hydroxyalkyl methacrylate)(예: 히드록시에틸 메타크릴산), 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴산(methacrylic acid), 폴리알킬렌글리콜 (polyalkyleneglycol) (디)아크릴산(예: 폴리에틸렌글리콜 (디)아크릴산), 폴리알킬렌글리콜 (디)메타크릴산(예: 폴리에틸렌글리콜 (디)메타크릴산), 디알킬아미노알킬 아크릴산(dialkylaminoalkyl acrylate), 디알킬아미노알킬 메타크릴산, 염화 아크릴로일옥시알킬트리알킬암모늄 (acryloyloxyalkyltrialkylammonium chloride) 또는 염화 메타크릴로일옥시알킬트리알킬암모늄 (methacryloyloxyalkyltrialkyl ammonium chloride)이다. 알카리성 수용액에서 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체의 농도는 약 0.01 내지 약 10 몰/리터, 바람직하게는, 약 0.1 내지 약 2 몰/리터의 범위 내에 있다.
그 외에, 본 발명의 제 2 측면은 제 1 측면과 같은 방식으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 3 측면에 따르면, 고분자 코팅막을 생산하는 방법은, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체를 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다. 이하 이 방법을 설명하기로 한다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 적어도 1 개의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체에서 불포화 탄소간 결합을 갖는 치환체로는 제한적이지 않으나 비닐기(vinyl), 알릴기, 프로파질기(propagyl), 또는 알레닐기(allenyl)와 같은 불포화 지방족 또는 방향족 탄화수소기가 있다. 불포화 탄소간 결합을 갖는 다른 치환체도 사용할 수 있다.
불포화 탄소간 결합을 갖는 하나 이상의 치환체를 갖는 페놀 유도체의 치환체로는 제한적이지 않으나 1 개 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 또는 6 개 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소기; 알콕시기; 아미노기; 아실기; 알콕시카르보닐기; 및 아미드기가 포함된다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체로서, 다음의 페놀 유도체를 사용하는 것이 바람직한데, 6 번 위치가 치환되거나 치환되지 않은 2-알릴페놀; 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 2-(1-프로페닐)페놀; 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 2-비닐페놀; 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 3-알릴페놀이 그것이다..
알카리성 수용액에서 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체의 농도는 약 0.01 내지 약 10 몰/리터, 바람직하게는, 약 0.1 내지 약 2 몰/리터의 범위 내에 있다. 알칼리성 수용액에서 염기성(basic) 화합물의 농도는 페놀 유도체의 몰 양(molar amounts)에 대하여 약 0.5 내지 약 2배, 바람직하게는 약 0.5 내지 약 1.2 배의 몰 양으로 포함된다.
전해 중합 반응의 반응식은 식 3과 식 4에 나타나 있다. 식 3에서 보는 바와 같이, 4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체는 페녹사이드 이온으로 변환되고, 페녹사이드 이온은 산화 반응을 통하여 페녹시 라디칼을 생성한다. 식 4를 보면, 페녹시 라디칼은 페놀 유도체나 생성중인 고분자의 방향족 고리 또는 치환체 내의 불포화된 탄소간 결합과 반응하여 중합 반응을 진행시킨다.
4번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체가 전해 중합 반응을 하여 얻은 생성물은 하나 이상의 치환체에서 불포화된 탄소간 결합의 반응에 의해 가교 구조를 갖는다. 그 결과, 전해 용액은 중합 반응 생성물을 부풀려서 겔(gel)화시킨다. 이로 인하여 중합 반응 말기에도 전해 용액이 전극 가까이에 닿게 되는 것이 가능하므로, 중단되는 일이 없이 전해 반응을 장시간 지속할 수 있다. 그러므로, 본 발명은 종래의 전해 중합 반응법으로 얻을 수 없는 수십 마이크로미터의 두께를 갖는 절연성 코팅막을 제공한다.
여기서, R1, R2및 R3은 CH3-나 H-이다. Xn는 불포화된 탄소간 결합을 갖는 치환체의 나머지를 나타낸다. Xm은 치환되지 않은 탄소간 결합을 갖지 않는 치환체를 나타낸다. 또한, p와 q는 1에서 100까지의 정수로서 각각의 반복 단위 개수를 나타낸다.
전극 사이에 인가되는 전압은 제한적이지는 않으나, 약 0.5 내지 약 5 V인 것이 바람직하다.
그 외에, 본 발명의 제 3 측면은 제 1 측면과 같은 방식으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 4 측면에 따르면, 고분자 코팅막을 생산하는 방법은, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체와, 중합 가능 단량체를 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계와; 그리고 금속 도체를 전극으로 사용하여 페놀 유도체와 중합 가능 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함한다. 다음은 이 방법을 설명하기로 한다.
4 번 위치가 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되는 페놀 유도체를 함유하는 알카리성 수용액에 페놀 유도체와 성질이 다른 중합 가능 단량체가 존재하기 때문에, 출발 물질로서 전해 반응을 통하여 발생하는 페녹시 라디칼을 이용하는 라디칼 공중합 반응을 동시에 일으킬 수 있다. 그러므로, 절연성 고분자 코팅막의 구조와 물리화학적 특성을 변화시킬 수 있다.
4 번 위치가 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체와 함께 알카리성 수용액에 공존하는 중합 가능 단량체는 제한적이지 않으나, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체(단, 불포화된 탄소간 결합을 갖는 치환체를 포함하는 것은 제외); 또는 불포화된 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체일 수 있다.
4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되거나 치환되지 않은 페놀 유도체의 2, 3, 5 및 6 번 위치에 해당하는 치환체는 제한적이지 않으나, 1 개 내지 12 개의 탄소 원자, 바람직하게는, 1 개 내지 7 개의 탄소 원자를 갖는 포화 또는 불포화된 지방족 탄화수소기, 또는 6개 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소기; 알콕시기; 알콕시알킬기; 아실기; 알콕시카르보닐기; 아미드기; 카바모일알킬기; 및 히드록시알킬기가 이에 포함된다.
알카리성 수용액에 용해 상태로 공존할 수 있는 중합 가능 단량체라면 어느 것이나 불포화된 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체로 사용할 수 있다. 이와 같은 중합 가능 단량체는 제한적이지는 않으나 불포화된 탄소간 결합을 갖는 다음과 같은 단량체를 포함하는 데, 아크릴아미드 (acrylamide), 메타크릴아미드 (methacrylamide), 히드록시알킬 아크릴산(예: 히드록시에틸 아크릴산), 히드록시알킬 메타크릴산(예: 히드록시에틸 메타크릴산), 아크릴산, 메타크릴산, 폴리알킬렌글리콜 (디)아크릴산(예: 폴리에틸렌글리콜 (디)아크릴산), 폴리알킬렌글리콜 (디)메타크릴산(예: 폴리에틸렌글리콜 (디)메타크릴산), 디알킬아미노알킬 아크릴산, 디알킬아미노알킬 메타크릴산, 염화 아크릴로일옥시알킬트리알킬암모늄 및 염화 메타크릴로일옥시알킬트리알킬암모늄이 이에 포함된다. 알카리성 수용액에서의 불포화된 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체의 농도는 약 0.01 내지 약 10 몰/리터, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2 몰/리터의 범위 내에 있다.
그 외에, 본 발명의 제 4 측면은 제 1 측면과 같은 방식으로 실행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 알카리성 수용액은 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체 이외에도 알킬아민을 함유한다. 이와 같은 본 발명의 특징을 설명하면 아래와 같다.
알카리성 수용액은 앞서 언급된 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체 이외에도 알킬아민을 함유하기 때문에, 전극으로 사용되는 금속 도체의 표면을 알킬아민이 활성화시키므로 보다 두꺼운 절연성 고분자 코팅막을 형성할 수 있다.
4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되었거나 치환되지 않은 페놀 유도체를 사용하는 경우와 같이, 알킬아민으로는 알카리성 수용액(전해 용액으로 사용되는)에 용해될 수 있는 알킬아민을 사용할 수 있다. 알카리성 수용액에서의 알킬아민의 농도는 약 0.01 내지 약 1 몰/리터, 바람직하게는, 약 0.1 내지 약 0.6 몰/리터이다.
본 발명의 다른 실시예에서, 4 번 위치가 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체는 2-알릴페놀, 2-(1-프로페닐)페놀, 또는 2-알릴-6-메틸페놀일 수 있다. 본 발명의 이와 같은 특징을 설명하면 다음과 같다.
특히 바람직하게는 4 번 위치가 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 치환되지 않은 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체는 2-알릴페놀, 2-(1-프로페닐)페놀 및 2-알릴-6-메틸페놀을 포함한다. 이와 같은 페놀 유도체가 전해 중합 반응을 하여 얻은 생성물은 치환체 내의 불포화된 탄소간 결합의 반응에 의해 잘 발달된 가교 구조를 갖는다. 이 가교 구조의 효과는 앞서 설명하였다.
본 발명의 다른 실시예에서, 앞서 설명한 전해 중합 반응에서 사용되는 금속도체는 그의 조성물이 Cu를 포함하는 물질일 수 있다. 본 발명의 이와 같은 특징을 설명하면 아래와 같다.
페놀 유도체로서 페놀과 ο-클로로페놀 (ο-chlorophenol)을 사용하고 전극 금속 도체로서 Fe를 사용하는 전해 중합 반응에서 강한 염기성을 나타내는 에틸렌디아민을 염기로 사용하여 약 10μm 까지의 두께를 갖는 고분자 코팅막을 형성할 수 있는 것으로 알려져 있다(F. Bruno, M.C.Pham, and J.E.Dubois, Electrochimica Acta, 22, 451-457 (1977)). 그러나, 이 반응에서 전극 금속 도체에 Cu를 이용하면 Cu-에틸렌디아민 착물이 형성되어 Cu 전극이 용출된다. 따라서, Cu 전극 표면에 고분자 코팅막을 안정하게 형성시키기 어려웠다.
이와는 대조적으로, 본 발명에 따른 방법은 알카리성 수용액에 녹인 알킬아민이 Cu 전극의 용해를 막아주기 때문에 두께가 약 0.5 ㎛ 이상인 고분자 코팅막을 형성할 수 있다.
조성물이 Cu를 포함하는 금속 도체는 제한적이지는 않으나 예를 들면 다음 물질을 포함한다: 전해 구리, 환원 구리(deoxydized copper), 무산소 구리, 황동(Zn 함유), 기계 가공 하지 않은 황동(Zn과 Pb 함유), 해상 황동(Zn과 Sn 함유), 청동(Sn과 P 함유), 알루미늄 청동(Al 함유), 콜손(Corson) 합금(Ni과 Si 함유), 휴슬러(Heusler) 합금(Mn과 Al 함유), 저먼 실버(Zn과 Ni 함유), 백동(Ni함유), 베릴륨동, 니켈구리, 은 구리, 카드뮴 구리, 및 크롬 구리가 그것이다.
본 발명은 조성물이 Cu를 포함하고 압연 가공이나 압연 절단을 통하여 평평한 직사각형의 단면을 갖도록 처리된 금속 도체의 표면에 절연성 고분자 코팅막을형성하는 방법으로서 특히 유용하다.
금속 도체에 절연성 바니시를 입히고 소성 처리하여 평평한 직사각형의 단면을 갖는 요소 위에 고분자 코팅막을 형성하는 종래의 방법은, 바니시가 요소의 평평한 주요면보다 말단면에 적게 묻기 때문에 말단면의 절연성이 떨어지므로 말단 경사면에 더 많은 양의 바니시를 입혀야 되는 데, 이때 평평한 주요면에는 필연적으로 더 많은 양의 바니시가 제공되어야 하는 문제가 있다. 이와 대조적으로, 본 발명의 방법에서는 금속 도체의 말단 경사면에도 고분자 코팅막이 충분히 형성된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 방법 중의 어느 한 가지에 의한 전해 중합 반응에 이어서 (표면에 고분자 코팅막이 형성된) 금속 도체를 물, 상기에 설명한 알카리성 수용액을 제외한 알카리성 수용액, 또는 알콜 용액에 담그는 추가 단계가 포함될 수 있다. 본 발명의 이와 같은 특성을 설명하면 아래와 같다.
전해 중합 반응의 경우, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치가 치환되거나 치환되지 않은 페놀 유도체 같은 페놀 유도체를 사용하여 전해 중합 반응이 완결된 후에 형성된 고분자 코팅막은 전해 용액으로 작용하는 알카리성 수용액에 의해 부풀려질 수 있다. 이 경우, 전해 용액에서 전해물은 고분자 코팅막에 남아서 코팅막의 절연능력을 감소시킨다. 고분자 코팅막의 절연능력은 (고분자 코팅막이 형성된) 금속 도체를 물, 상기에 설명한 알카리성 수용액을 제외한 알카리성 수용액, 또는 알콜 용액에 담가서 전해물을 제거함으로써 크게 향상시킬 수 있다.
상기와 같이 담글 때 사용되는 액체로는 물, 금속 도체의 표면에 형성된 고분자 코팅막을 용해하지 않는 어떠한 알카리성 수용액이나 알콜 용액을 사용할 수 있다. 적당한 수용액을 예로 들면, 산성 수용액(예: 염산, 황산, 질산, 또는 아세트산)과 금속염(예: 염화나트륨이나 염화칼륨)의 수용액이 있다. 적당한 알콜 용액으로는 필요한 경우 산 및/또는 금속염 및/또는 다른 화합물을 알콜(예: 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부틸알콜, 또는 에틸렌 글리콜) 용매에 녹여서 제조한 것을 사용한다.
상기 담구는 침지 단계에 부가하여 또는 이를 대신하여, 고분자 코팅막에서 잔여 이온 물질을 보다 효과적으로 탈착시키기 위하여 전해 중합 반응의 완결 후에 전해 중합 반응에 사용하지 않은 다른 극성의 전기장을 금속 도체와 짝 전극 사이에 인가할 수도 있다.
발명의 다른 실시예에서, 상기 방법 중의 어느 한 가지에 의한 전해 중합 반응에 이어서 전해 중합 반응으로부터 형성된 고분자 코팅막을 가열시키는 추가 단계가 포함될 수 있다. 본 발명의 이와 같은 특성을 설명하면 아래와 같다.
고분자 코팅막을 형성하기 위한 전해 중합 반응 후에 고분자 코팅막을 가열시킴으로써 고분자 코팅막 내의 응력을 완화시켜서 금속 도체에 대한 접착성이 우수한 코팅막을 얻을 수 있다. 보다 바람직하게는, 고분자 코팅막을 구성하는 고분자의 용융점(softening point) 또는 그 이상의 온도로 고분자 코팅막을 가열시켜서 전기적 절연성을 향상시킨 고분자 코팅막을 얻을 수 있다. 가열 온도는 고분자의 용융점보다 약 10 내지 100 ℃높게 하고, 약 1 내지 30 분간 가열시키는 것이 바람직하다.
특히, 4 번 위치가 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6 번 위치 중에서 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체를 사용하는 경우, 이와 같은 가열 처리를 통하여 고분자 코팅막에 남아 있는 불포화된 탄소간 결합 사이의 반응을 향상시켜 코팅막이 보다 조밀한 가교 구조를 형성할 수 있다. 그 결과, 강도가 개선된 고분자 코팅막을 얻을 수 있다.
상기 설명한 침지 단계를 수행하는 경우, 가열 단계는 침지 단계 이후에 수행하는 것이 바람직하다.
발명의 다른 실시예에서, 금속 도체는 전기적으로 절연성인 코팅막으로 피복하고 절연성 코팅막은 결함 부위를 포함한다.
여기서, '전기적으로 절연성인 코팅막으로 피복된 금속 도체'는 바니시 등을 도포하여 표면을 절연성 코팅막으로 피복된 에나멜 와이어나, 표면을 산화물 등으로 입힌 금속 도체를 말한다. 이와 같은 절연성 코팅막이 절연성이 약한 부위인 결함 부위를 포함할 경우, 이 결함 부위를 통하여 전도가 일어난다. 상기에서 설명한 페놀 유도체를 함유하는 알카리성 수용액에 금속 도체를 담그고 이 결함 부위를 전극으로서 이용하여 전해 중합 반응을 일으키면, 결함 부위에 고분자 코팅막을 형성하여 절연성 코팅막을 만들 수 있다. 본 발명을 적용하면, 절연 코팅막으로 피복된 도선의 절연 특성 또는 절연 결함을 포함하는 트랜스 도체나 커패시터와 같은 전자 부품의 절연 특성을 선택적으로 복구시키기가 수월해진다.
본 발명의 제 5 측면에서, 고분자 코팅막을 생성하기 위한 상기 방법을 이용하여 고분자 코팅막이 형성된 상부에 절연성 코팅막으로 피복된 금속 도체가 제공된다. 다음에는, 이 방법을 설명하기로 한다. 고분자 코팅막을 생성하기 위한 상기 방법에 따라서, 금속 도체인 도선 등의 상부에 약 10 ㎛ 또는 100 ㎛까지의 마이크론 이하 수준의 두께를 갖는 고분자 코팅막을 형성할 수 있다.
특히, 이 방법으로 형성된 절연성 코팅막으로 피복된 도선은 니스를 입히고 소성시켜서 만든 절연성 코팅막으로 피복된 도선보다 피복 두께가 얇다. 이 방법에 의해 형성된 절연성 코팅막으로 피복된 도선을 전동기의 권선으로 이용하는 경우, 단위 부피당 권선 밀도가 높아서 전동기의 능률이 향상된다.
본 발명에 따라 고분자 코팅막을 만드는 방법은 도면에서 나타낸 바와 같이 전해 중합 반응을 바탕으로 하는 고분자 코팅막 형성 장치를 이용하여 도선과 같은 일차원적인 물체를 만드는 데에 적용시킬 수 있다.
가령, 도면을 참조하면, 릴(reel)(1)에 감긴 도선(3)을 풀리(pulley)(7)를 통하여 전해조(2)에 담갔다가 뺀다. 이 때, 전해조(2)에는 상기에서 설명한 바와 같이 페놀 유도체와, 불포화된 탄소간 결합을 갖는 중합 가능 단량체와, 알킬아민을 함유하는 알카리성 수용액인 전해 용액(5)이 담겨 있다.
전원(6)을 짝전극(4)과 (도선(3)과 전기적으로 접촉된) 풀리 전극(7)에 연결시키고 짝전극(4)을 연속 도선(3)과 닿지 않은 위치에 담그면 전해 중합 반응이 전해조(2) 내에서 일어난다. 필요한 경우, 전해 처리 후에 세척 용액(9)(예: 물이나 상기 수용액 중의 한 가지)을 담은 세척조(8) 및/또는 건조로(10)를 사용할 수도 있다. 이와 같이 처리된 도선을 릴(11)에 감아서 고분자 코팅막으로 피복된 도선을얻는다. 또한, 필요한 경우에는 고분자 코팅막을 금속 도선(예를 들어, 전선)에 형성하기 위한 전해 중합 반응을 일으키기 전에 금속 도선의 표면에 존재하는 오일이나 산화막을 제거하기 위하여 세척 및/또는 식각 처리를 실시할 수도 있다.
본 발명은 더욱 상세하게 실시예들로 설명될 것이다. 그러나, 본 발명의 범주는 실시예로 한정되지 않는다.
(실시예)
(실시예 1)
0.5몰/리터의 2,6-디메틸페놀, 0.2몰/리터의 디에틸아민 및 0.5몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물: 메탄올=75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 1.5분 동안 전압을 걸어 수행되기 때문에 상기 Cu 전극은 Ag/AgCl 기준 전극에 대하여 0.5 V 전위에서 유지되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 1.8μm로 측정되었다.
상부에 절연성 고분자 코팅막이 부분적으로 피복된 Cu 전극들 다수를 차례로 쌓아서 전극들 사이의 전도율을 측정하였으며 상기 전도율은 상기 축적된 Cu 전극들 사이에서 만족스러운 절연성을 나타내었다.
(실시예 2)
실시예 1에 따라 상부에 절연성 코팅막이 형성된 Cu 전극을 220℃에서 5분 동안 유지된 자동온도조절 장치 배쓰(thermostat bath)에 시효(aging)동안 배치했다. 다음, 알루미늄 코팅막이 증기 증착을 통하여 고분자 코팅막 위에 형성되었다. 알루미늄 코팅막과 상기 Cu 전극의 원 부분(naked portions)(상술한 고분자 코팅막이 피복되지 않은 부분들) 사이의 전기 절연성은 1.5×1014Ωcm로 측정되었다.
(실시예 3)
0.5몰/리터의 페놀, 0.2몰/리터의 히드록시메타크릴레이트, 0.2몰/리터의 트리에틸아민 및 0.5몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물: 메탄올=75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합은 1.5분 동안 전압을 걸어 수행되기 때문에 상기 Cu 전극은 Ag/AgCl 기준 전극에 대하여 0.8 V 전압에서 유지되었다. 그리고 나서, 상기 구리 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 2.7μm로 측정되었다.
상부에 절연 고분자 코팅막이 부분적으로 피복된 Cu 전극들 다수를 차례로 쌓아서 전극들 사이의 전도율을 측정했으며 상기 전도율은 상기 축적된 구리 전극들 사이에서 만족스러운 절연성을 나타내었다.
(실시예 4)
실시예 3에 따라 고분자 코팅막이 형성된 Cu 전극을 150℃에서 유지된 자동온도 조절 장치 배쓰에 시효하는 5분 동안 배치했다. 다음, 알루미늄 코팅막이 증기 증착을 통하여 고분자 코팅막 위에 형성되었다. 알루미늄 코팅막과 상기 Cu 전극의 원 부분(상술한 중합 코팅이 입혀지지 않은 부분들) 사이에 전기 절연성은 2×1013Ωcm로 측정되었다.
(실시예 5)
0.7몰/리터의 2-알릴페놀과 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극과 Pt 전극사이에 3 V 전압을 20분 동안 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 0.3μm로 측정되었다.
(실시예 6)
0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.3몰/리터의 디에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극 사이에 3 V 전압을 20분 동안 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 34μm로 측정되었다.
(실시예 7)
0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.3몰/리터의 트리에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:에탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극 사이에 5분 동안 3 V 전압을 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅 두께는 무게를 기초로 10μm로 측정되었다.
(실시예 8)
0.7몰/리터의 2-(2-프로페닐)페놀, 0.3몰/리터의 디에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극사이에 20분 동안 3 V 전압을 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 25μm로 측정되었다.
(실시예 9)
0.7몰/리터의 2-알릴-6-메틸페놀, 0.3몰/리터의 디에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극사이에 20분 동안 3 V 전압을 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 구리 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 30μm로 측정되었다.
(실시예 10)
0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.7몰/리터의 2,6-디메틸페놀, 0.6몰/리터의 디에틸아민 및 1.4몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극사이에 3 V 전압을 20분 동안 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 중합 코팅 두께는 무게를 기초로 30μm로 측정되었다.
(실시예 11)
0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.7몰/리터의 페놀, 0.6몰/리터의 디에틸아민 및 1.4몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 Cu 전극(애노드로써 제공)과 Pt 전극사이에 20분 동안 3 V 전압을 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 52μm로 측정되었다.
(실시예 12)
도면에 제시된 것과 같은 전해 중합 반응을 바탕으로 하는 고분자 코팅막 형성 장치를 사용하여 고분자 코팅막이 Cu 와이어(직경이 0.1mm) 위에 연속적으로 생성되었다. 0.5몰/리터의 2,6-디메틸페놀, 0.1몰/리터의 히드록시에틸메타크릴 레이트, 0.2몰/리터의 디에틸아민 및 0.5몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 수용액(물:메탄올=75:25 부피%)은 전해조(2)에서 용액으로 사용되었다. 전해 중합 반응은 전압을 걸어 행해지기 때문에 상기 Cu 와이어 전극은 Ag/AgCl 기준전극에 대하여 0.6V의 전위에서 유지되었고 상기 Cu 와이어 전극은 선속도 0.2미터/초로 전해조(2)(길이 10m)에 통과되었다. 코일은 상기 방법으로 상부에 형성된 절연성 고분자 코팅막을 갖는 Cu 와이어로 구성되었고, 상기 코일은 만족스러운 코팅강도와 절연성을 나타내었다.
(실시예 13)
평평한 직사각형 단면을 가지며 구리 중심부로부터 차단되고 압연된 Cu 도선 위에 광택제를 칠한 후 소성한 상기 Cu도선은 주요 평평한 Cu 도선 면들 위에 약 0.7μm의 평균 두께를 갖게 되었다. 매우 소량의 광택제만이 Cu 도선의 말단면에 접착되기 때문에 약간의 결함이 있는 부분이 광택제로 피복되지 않아서 절연되지 않는 것으로 관찰되었다. 실시예 12에서와 같이 전해 중합 반응을 바탕으로 하는 고분자 코팅막을 사용하여 절연 결함부분은 선택적으로 고분자 코팅막으로 피복되었다. 그 결과 Cu 도선의 말단면 위에 절연 결함부위를 제거했다.
(실시예 14)
에나멜이 피복된 도선(직경 1mm)을 직경 2cm의 코일로 감고, 약간의 에나멜 코팅막을 사포로 제거했으며, 그렇게 하여 절연 결함부위를 갖는 전극을 얻었다. 0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.3몰/리터의 디에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 에나멜이 피복된 도선과 Pt 짝전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 20분 동안 Cu 전극과 Pt 전극사이에 3 V 전압을 걸어 수행되었다.
그리고 나서, 에나멜 코팅막이 제거된 부분에 절연성 코팅막이 선택적으로 형성된 Cu전극을 용액에서 빼냈다. 전해 중합 반응 후의 에나멜이 피복된 도선과Pt전극을 식염수에 담근 후에 전극간의 전도율을 시험했고 상기 전도율은 매우 뛰어난 절연성을 나타냈다.
(실시예 15)
에나멜이 피복된 도선(직경 1mm)을 직경 2cm의 코일로 감고, 약간의 에나멜 코팅을 사포로 제거했으며, 그렇게 하여 절연 결함부위를 갖는 전극을 얻었다. 0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.7몰/리터의 페놀, 0.6몰/리터의 디에틸아민 및 1.4몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 실시예 14(에나멜 코팅이 제거된 부분)에 따른 에나멜이 피복된 도선과 Pt 짝 전극(counter electrode)을 담갔다. 전해 중합은 20분 동안 Cu 전극과 Pt 전극 사이에 3 V 전압을 걸어 수행되었다.
그리고 나서, 에나멜 코팅이 제거된 부분에 선택적으로 절연 코팅막이 형성된 Cu전극을 용액에서 빼냈다. 전해 중합 반응 후의 에나멜이 피복된 도선과 Pt전극을 식염수에 담근 후에 전극간의 전도율을 시험했고 상기 전도율은 매우 뛰어난 절연성을 나타냈다.
(실시예 16)
코일이 감긴 부분에 절연 결함이 있는 에나멜이 피복된 도선을 혼합한 차량 환풍기용 환풍기 모터는 실시예 16에 따른 전해 중합 반응의 전극으로 이용되었다.
0.7몰/리터의 2-알릴페놀, 0.3몰/리터의 디에틸아민 및 0.7몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리성 수용액(물:메탄올 =75:25 부피%)에 모터와 Pt 짝 전극(25×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 20분 동안 Cu 전극과 Pt 전극 사이에 3 V 전압을 걸어 수행되었다. 그리고 나서, 모터를 용액에서 빼냈고 상기 모터는 절연성 코팅막이 도선의 절연결함이 있는 부위에 선택적으로 잘 형성되었다는 것을 나타냈다. 염화 나트륨과 페놀프탈레인으로 구성된 수용액 속에 담겨진 부직포 구조는 상기 모터에 배치되었고 전압이 인가되어서 상기 모터는 캐소드(cathode)로서 제공되었다. 그러나, 상기 페놀프탈레인은 수소화로 인해 색을 나타내지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따라 형성된 절연성 코팅막은 뛰어난 절연성을 제공한다고 확증되었다.
(비교예 1)
0.5몰/리터의 2,6-디메틸페놀 및 0.5몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 수용액(물: 메탄올=75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각 5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 1.5분 동안 전압을 걸어 수행되기 때문에 상기 Cu 전극은 Ag/AgCl 기준 전극에 대하여 0.5 V 전위에서 유지되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 완전히 씻어낸 뒤 건조시켰다. 상기 전극 위에 형성된 고분자 코팅막 두께는 무게를 기초로 0.1μm로 측정되었다.
상부에 절연성 고분자 코팅막이 부분적으로 피복된 Cu 전극들 다수를 차례로 쌓아서 전극들 사이의 전도율을 측정하였으며 상기 전도율은 상기 축적된 구리 전극들 사이에서 실질적인 절연성을 나타내지 않았다.
(비교예 2)
0.5몰/리터의 페놀, 0.2몰/리터의 에틸렌디아민 및 0.5몰/리터의 수산화 칼륨으로 구성된 알칼리 수용액(물: 메탄올=75:25 부피%)에 Cu 전극과 Pt 전극(각각5×60×0.1mm 스트립)을 담갔다. 전해 중합 반응은 전압을 걸어 수행되기 때문에 상기 Cu 전극은 Ag/AgCl 기준 전극에 대하여 0.5 V 전위에서 유지되었다. 그리고 나서, 상기 Cu 전극을 용액에서 빼내고 상기 Cu 전극이 식각되어졌다. 이러한 결과로부터 상기 Cu 전극이 추출되기 때문에 Cu-에틸렌디아민 착화합물이 형성되는 것으로 추정되었다.
본 발명에 따라 얇은 절연성 코팅막이 단단하게 금속 도체 상에 형성될 수 있다. 또한, 절연성 코팅막은 Cu와 같은 금속 도체 상에 형성될 수 있지만, 상기 절연성 코팅막을 종래 전해 중합 반응으로 이루기는 어렵다. 또한, 본 발명에 따르면, 절연 코팅막이 피복된 금속 도체의 절연 결함은 쉽게 복구될 수 있다. 본 발명은 얇은 절연성 코팅막이 피복된 도선을 생산하는 용도로 사용될 수 있다. 상기 도선은 코일의 성능 향상과 소형화 뿐 아니라 코일의 절연 결함을 복구하는 것에 필수적이다.
다양한 여러 변형들이 본 발명의 범주와 의의에서 벗어남 없이 당업자에 의해 쉽게 이용될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항의 범주는 본 명세서의 상세한 설명을 제한한 것으로 상기 청구항들은 넓게 고안될 수 있다.
본 발명은 (1) 금속 도체의 상부에 안전하게 형성되는 얇은 절연성 코팅막, (2) 종래의 전해 중합 반응법으로는 얻기 힘든 Cu와 같은 금속 도체 상에 형성된 절연성 코팅막, (3) 절연성 코팅막으로 피복된 금속 도선의 절연 결함을 복구시키는 방법 및 (4) 얇은 절연성 코팅막으로 피복된 도선을 만드는 방법을 제공한다.

Claims (18)

  1. 4번 위치는 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6번 위치는 치환되거나 치환되지 않은 페놀 유도체인 2, 6-디메틸페놀, 페놀, 2--알릴페놀, 2-(2-프로페닐)페놀 또는 2-알릴-6-메틸페놀과 알킬아민을 함유하는 알칼리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계; 및
    상기 금속 도체를 전극으로 사용하여 상기 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 도체가 구리를 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전해 중합 반응에 이어서 고분자 코팅막이 위에 형성된 금속 도체를 물, 알칼리 수용액을 제외한 다른 수용액, 또는 알콜 용액에 담그는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전해 중합 반응에 이어서 전해 중합 반응에 의해 생성된 고분자 코팅막을 가열하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 도체는 결함부위를 포함하는 전기적 절연성 코팅막으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  6. 4번 위치는 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6번 위치는 치환되거나 치환되지 않은 페놀 유도체인 2, 6-디메틸페놀, 페놀, 2--알릴페놀, 2-(2-프로페닐)페놀 또는 2-알릴-6-메틸페놀과, 불포화 탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체, 및 알킬아민을 포함하는 알칼리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계; 및
    금속 도체를 전극으로 사용하여 상기 페놀 유도체 및 불포화 탄소-탄소간 결합을 갖는 중합 가능한 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속 도체가 구리를 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  8. 4번 위치는 치환되지 않고, 2, 3, 5 및 6번 위치로부터 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며, 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체인 2-알릴페놀, 2-(2-프로페닐)페놀 또는 2-알릴-6-메틸페놀을 함유하는 알킬리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계; 및
    상기 금속 도체를 전극으로 사용하여 상기 페놀 유도체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 알칼리성 수용액이 알킬 아민을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제8항에 있어서, 상기 금속 도체가 구리를 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 전해 중합 반응에 이어서 고분자 코팅막이 위에 형성된 상기 금속 도체를 물, 알칼리 수용액을 제외한 다른 수용액 또는 알콜 용액에 담그는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 전해 중합 반응에 이어서 전해 중합 반응에 의해 생성된 고분자 코팅막을 가열시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 금속 도체는 결함부위를 포함하는 전기적 절연성 코팅막으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  15. 4번 위치는 치환되지 않고 2, 3, 5 및 6번 위치로부터 선택된 하나 이상의 위치가 치환되며 하나 이상의 치환체가 불포화된 탄소간 결합을 갖는 페놀 유도체인 2-알릴페놀, 2-(2-프로페닐)페놀 또는 2-알릴-6-메틸페놀 및 중합 가능한 단량체를 포함하는 알칼리성 수용액에 금속 도체를 담그는 단계; 및
    상기 금속 도체를 전극으로 사용하여 상기 페놀 유도체 및 상기 중합 가능한 단량체를 전해 중합 반응시키는 단계를 포함하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 금속 도체가 구리를 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 코팅막의 제조 방법.
  17. 금속 도체; 및
    상기 금속 도체의 일부 또는 전체 표면에 제1항의 방법에 따라 형성된 고분자 코팅막을 포함하는 절연성 코팅막이 피복된 금속 도체.
  18. 금속 도체; 및
    상기 금속 도체의 일부 또는 전체 표면에 제8항의 방법에 따라 형성된 고분자 코팅막을 포함하는 절연성 코팅막이 피복된 금속 도체.
KR1019990012073A 1998-04-07 1999-04-07 고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 생산하는 방법 KR100349794B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9432398 1998-04-07
JP10-094323 1998-04-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990083015A KR19990083015A (ko) 1999-11-25
KR100349794B1 true KR100349794B1 (ko) 2002-08-22

Family

ID=14107086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990012073A KR100349794B1 (ko) 1998-04-07 1999-04-07 고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 생산하는 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4334663B2 (ko)
KR (1) KR100349794B1 (ko)
CN (1) CN1291421C (ko)
MY (1) MY121055A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7200060B2 (ja) * 2018-07-17 2023-01-06 太陽ホールディングス株式会社 ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンエーテルを含む硬化性組成物、ドライフィルム、プリプレグ、硬化物、積層板、および電子部品
TW202007709A (zh) 2018-07-17 2020-02-16 日商太陽控股股份有限公司 聚苯醚、包含聚苯醚之硬化性組成物、乾膜、預浸體、硬化物、積層板，及電子零件
JP7418985B2 (ja) * 2018-09-28 2024-01-22 太陽ホールディングス株式会社 硬化性組成物、ドライフィルム、硬化物および電子部品
JP7369581B2 (ja) * 2019-09-30 2023-10-26 太陽ホールディングス株式会社 ポリフェニレンエーテルを含む硬化性組成物、ドライフィルム、プリプレグ、硬化物、積層板、および電子部品
JP2023037449A (ja) * 2021-09-03 2023-03-15 太陽ホールディングス株式会社 感光性組成物、ドライフィルム、硬化物、及び電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN1291421C (zh) 2006-12-20
CN1231486A (zh) 1999-10-13
MY121055A (en) 2005-12-30
JP2000104014A (ja) 2000-04-11
KR19990083015A (ko) 1999-11-25
JP4334663B2 (ja) 2009-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10109428B2 (en) Process to improve coverage and electrical performance of solid electrolytic capacitors
CN100533617C (zh) 电解电容器
KR100450885B1 (ko) 고체전해콘덴서 및 그 제조방법
US6890363B1 (en) Solid electrolytic capacitor and method for producing the same
JPH07173637A (ja) ハロゲン化物質の架橋及び還元方法
KR101611783B1 (ko) 자기 석출형 구리용 표면처리제 및 수지 피막 부착 구리 함유 기재의 제조방법
KR20110013171A (ko) 에나멜 피복 절연 전선 및 그 제조 방법
KR100349794B1 (ko) 고분자 코팅막과 절연 코팅막이 피복된 금속 도체를 생산하는 방법
WO2002045104A2 (en) Method of and electrolyte for anodizing aluminium substrates
JP3961434B2 (ja) 燃料電池用セパレータの製造方法
Fleischmann et al. The synergetic effect of benzylamine on the corrosion inhibition of copper by benzotriazole
JP4325354B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2005285755A (ja) 絶縁被覆電線、その製造方法及び該絶縁被覆電線を用いたコイル
JP2004296611A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3026817B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2001123114A (ja) 重合皮膜の形成方法と、これを用いた金属の絶縁被覆方法及び絶縁被覆金属導体
JP2002020894A (ja) 金属の被覆方法及び絶縁被覆金属導体
JP2002309175A (ja) ポリマ被膜形成用電解液およびそれを用いるポリマ被膜形成方法
JPH06224077A (ja) 導電ポリマー製プレカソードを有する漏洩電流の小さい電解コンデンサの製造方法
KR20030080536A (ko) 희토류 금속을 이용한 복합산화물 전극 및 그 제조방법
CN109637751B (zh) 用于制造被绝缘的汇流条的方法
JP3960655B2 (ja) 錫または錫合金用電解剥離液及び電解剥離法
JP2001006462A (ja) 重合皮膜の形成方法とこれを用いた金属の絶縁被覆方法及び絶縁被覆金属導体
KR100827606B1 (ko) 고분자 콘덴서 리드의 세척 방법
JP2001126917A (ja) マグネットコイルおよび密閉式圧縮機用モータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090724

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee