KR100349426B1 - 전도성재료의스퍼터링성질을갖는유도결합된플라즈마스퍼터챔버 - Google Patents

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로버트 바이어
알렉산더 디. 랜트스맨
제임스 에이. 세르마르코
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도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

쉐이드(23)는 유도 결합 플래즈마 챔버의 내부 벽 상에 배치되고, 챔버를 구동하는 유도 코일(11)의 반대에 위치한 벽의 보호 구역(24)을 덮으며, 웨이퍼(13)로부터 스퍼터링된 재료가 상기 구역에서 축적되는 방지함으로써, 챔버 벽(12)을 따라 발생하는 소용돌이 전류 흐름을 위한 밀폐된 통로를 제한하고, 챔버 내의 플래즈마에 대한 전원의 유도 결합성을 개선시킨다.

Description

전도성 재료의 스퍼터링 성질을 갖는 유도 결합된 플라즈마 스퍼터 챔버{Inductively Coupled Plasma Sputter Chamber with Conductive Material Sputtering Capabilities}
스퍼터링 공정에서, 반도체 웨이퍼와 같은 처리될 기판은 가스로 채워진 진공 챔버 반응기 내에 장착된다. 반응기 내의 가스는 전기 여기(excitation)되어 반응기 내에 플라즈마를 생성한다. 스퍼터링 에칭 공정에서, 플라즈마로부터의 이온들은 기판의 표면에 충격을 주고 웨이퍼 표면 상의 코팅부의 입자들을 방출시킨다. 방출된 입자들은 반응기의 내부 표면에 상당히 부착되어 피복된다. 스퍼터링 코팅 공정에서, 타깃이 반응기 내에 놓여지고, 플라즈마로부터의 이온들은 그 타깃에 충격을 주어, 반응기의 웨이퍼 및 내부면에 부착된 타깃의 입자들을 방출시킨다.
유도 결합 스퍼터링 반응기에서, 예를 들어 EPA 제94914084.2호에 도시된 바와 같이, 챔버는 비전도성이다. 전기 여기는 챔버의 외측 주위에 형성된 헬리컬코일에 의해 형성된 자기장에 의해 부분적으로 제공된다. 코일은 석영 챔버와 같은 자기 불침투성 장벽에 의해 챔버로부터 분리된다.
금속 또는 다른 전기 전도성 코팅부의 유도 결합 스퍼터링에 있어서의 문제점은, 예를 들어 웨이퍼로부터, 스퍼터링된 입자들이 챔버의 내측 상에 전도성 필름을 형성하는 경향이 있다는 것이다. 챔버가 규칙적으로 세척되지 않으면, 이러한 필름이 축적될 것이고, 필름의 저항이 충분히 작아져 코일로부터의 자기장이 전도성 필름에 와류(eddy current)를 유도할 것이다. 이러한 와류는 코일로부터 챔버로 자기장의 침투를 방해하는 경향이 있어, 플라즈마 점화 특성을 저하시키고, 또는 심한 경우에 플라즈마 점화를 일어나지 않게 한다.
챔버의 규칙적인 세척 및 교체로 인해 비용 및 시간이 더 들 수 있다. 게다가, 심지어는 규칙적인 세척도 전도성 필름이 반응기 내에 축적됨에 따라 일부 성능의 약화를 방지하지 못한다. 따라서, 상당한 비용 및 성능의 이점들은 반응기 챔버의 내측 상에 전도성 필름이 축적됨으로 인한 플라즈마 손상을 받지 않는 유도 결합 플라즈마 스퍼터 에칭 반응기를 통해 얻어질 수 있다.
본 발명은 전도성 재료의 유도 결합된 스퍼터링(sputtering)에 관한 것이다.
도1은 유도 결합 플라즈마 처리 반응기의 단면도이다.
도2A는 챔버 내의 전도성 필름의 축적 결과를 모의하는 전도성 실린더와 끼워맞춤된 도1의 반응기의 단면도이다.
도2B는 선 2B-2B를 따라 취한 도2A의 반응기의 평면도이다.
도3A는 챔버 벽의 신장부를 따라 보호 구역(24)에서 전도성 필름이 축적되는것을 방지하는 벤치형 쉐이드(22)가 제공된 도1의 반응기의 단면도이다.
도3B는 선 3B-3B를 따라 취한 도3A의 반응기의 평면도이고, 도3C는 쉐이드(22)의 사시도이다.
도4 및 도5는 보호 구역(24', 24")에서 전도성 필름이 축적되는 것을 방지하는 쉐이드의 다른 실시예를 개략적으로 도시하는 부분 평면도이다.
본 발명의 원리에 의하면, 쉐이드(shade)가 유도 결합 플라즈마 챔버의 내측벽 상에 배치된다. 쉐이드는 챔버를 구동하는 유도 코일에 일반적으로 대향하는 벽의 보호 구역을 덮고, 이러한 구역에 스퍼터링된 재료가 축적되는 것을 방지함으로써, 챔버의 벽을 따라 와류의 폐쇄 경로를 감소시켜서, 챔버 내의 플라즈마와 전력의 유도 결합을 개선시킨다.
특정한 실시예로서, 쉐이드는 신장되어 있고, 그 신장 방향은 유도 코일의 축에 일반적으로 평행하다. 쉐이드는 챔버 벽과 접촉되어 챔버 벽으로부터 내측으로 연장된 하나 이상의 지지부를 포함하여, 지지부로부터 (챔버 벽과 평행하게) 일반적으로 접선 방향으로 연장된 신장형 후드를 지지하며, 보호 구역을 덮고 있다. 특정 실시예로서, 2개 이상의 신장형 쉐이드가 합체되어 보호 구역을 덮을 수 있다.
쉐이드는 코일 길이의 전체를 따라 연장된 보호 구역을 덮을 수 있고, 또는 이와 달리 코일의 전류와 챔버의 플라즈마가 유도 결합되도록 반응기의 내측 상의 와류 경로가 충분히 방지되는 한, 쉐이드는 챔버 코일 길이의 일부를 덮을 수 있다.
따라서, 본 발명에 의한 챔버는 챔버의 내측 상에 전도성 필름의 축적에 의해 야기된 와류의 영향을 받지 않게 됨으로써, 플라즈마 점화 특성을 개선시키고, 비용이 많이 드는 챔버의 규칙적인 세척의 필요성을 감소시킨다. 본 발명의 상기 및 기타 목적은 첨부된 도면과 설명에 의해 보다 명백해질 것이다.
본 명세서에 구체화되고 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 일반적인 설명과 함께 본 발명의 실시예를 도시하고 있고, 이러한 실시예의 상세한 설명은 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.
도1을 참조하면, 예를 들어 플라즈마 에칭 반응기와 같은 유도 결합 플라즈마 반응기(10)는 일반적으로 30.5 cm(12 인치)의 직경과 대략 20.3 cm의 높이(8 인치)와 6.4 mm(0.25 인치)의 벽 두께를 갖는 석영 챔버와 같은 원통형 챔버(12) 둘레에 감겨진 플라즈마 여기를 위한 헬리컬 또는 스피럴 코일(11)을 구비하고 있다. 챔버(12)는 예를 들어 1.3 x 10-6N/m2(10-8Torr)와 같은 높은 진공 상태를 견뎌내야 한다. 코일(11) 및 챔버(12)는 하우징 플래트폼(16)에 의해 지지되고 하우징 내에 보유된다(도시되지 않음).
코일(11)은 3.2 mm(0.125 인치) 직경의 구리 관으로 15.2 m(50 foot)의 길이로 제조되어 챔버(12)의 외부면 둘레에 대략 15.5 회전수로 감겨져 있다. 전기 단자들은 구리 관의 단부에 접속되어 있다. 냉각수는 코일의 조작 온도를 안정화시키기 위해 관의 중심을 통해 유동된다.
코일(11)은 100 내지 800 kHz의 범위에서 특히 450 kHz의 중간 범위 주파수에서 전기적으로 여기되어 챔버(12)의 내측에 자기장을 발생시킨다. 코일(11)의 전기 여기는 전력원(도시되지 않음)에 의해 발생되며, 그러한 전력원으로서 84525 콜로다도주 포트 콜린즈 프라스펙트 파크웨이 1600에 소재한 어드밴스드 에너지 인더스트리즈, 인크(Advanced Energies Industries, Inc.)로부터 판매되는 PDP 2500 450 kHz 2000 Watt 제너레이터가 있다. 코일은 대략 1250 Watts의 전력이 소비된다. 이러한 전기 에너지는 전력 매칭 네트워크(도시되지 않음)를 통해 코일(11)에 결합되며, 그러한 전력 매칭 네트워크로서는 10962 뉴욕주 오렌지버그 루트 303에 소재한 마테리알 리서치 코포레이션(materials Research Corporation)으로부터 판매되는 RMX-10 및 RMX-12가 있다. 코일(11)의 전기 접속 및 여기 주파수는 다른 특정한 용도로 변경될 수 있다.
플라즈마 스퍼터 에칭 반응기에서 처리되는 웨이퍼(13)는 챔버(12) 내측의 웨이퍼 척(14) 상에 배치된다. 웨이퍼(13)는 10.2 내지 20.3 cm(4 내지 8 인치)의 직경을 가질 수 있으나, 도시된 공정에서는 웨이퍼가 20.3 cm(8 인치)의 직경을 갖고 있다. 챔버(12)는 진공 펌프(도시되지 않음)에 의해 진공 상태로 된다. 무선 주파수(RF) 전력은 13.56 MHz의 주파수에서 대략 2000 와트의 레벨로 하우징(15) 및 플래트폼(16)에 대한 웨이퍼 척(14)에 인가되고, 공정 중에 웨이퍼 상에 125 볼트 DC의 전압을 발생시킨다. 하나의 적합한 전력원으로서 14623 뉴욕주 로체스터 하이 파우어 로드 100에 소재한 아스텍 아메리카의 사단인 ENI 코포레이션 인크로부터 판매되는 모델 AEG-1OB-02 RF 동력 제너레이터가 있다. 동시에, 중간 범위의 주파수 에너지는 전술한 바와 같이 코일(11)에 인가된다.
가스는 저속으로 진공 챔버(12)로 유동되어 저압을 유발한다. 예를 들어, 아르곤은 15 내지 50 sccm의 속도로 예를 들어 20 sccm의 속도로, 66 내지 130 x 10-3N/m2(0.5 내지 1 milliTorr)의 압력으로 예를 들어 93 x 10-3N/m2(0.7 millitorr)의 압력으로 챔버(12)로 유동된다.
척(14)에 인가된 RF 전력 및 코일(11)로부터의 전기 여기의 조합은 챔버(12) 내의 가스가 이온화되어 챔버(12) 내에 가스 플라즈마를 형성하도록 유발한다. 따라서, 웨이퍼의 표면은 플라즈마 충격에 의해 에칭된다. 웨이퍼의 가공은 약 120초 정도 걸린다.
도1에 도시된 바와 같이, 챔버(12)는 원통형부를 갖고 12.1 cm(4.75 인치)의 직경을 갖는 재진입 튜브(15)를 포함한다. 재진입 튜브(15)는 챔버(12)의 표면으로부터 웨이퍼의 표면에서 대략 1.9 cm(0.75 인치)로 이격된 밀접 단부(17)로 연장되어 있다. 이러한 재진입 튜브의 내측은 챔버(12)의 외측에서 대기로 개방되어 있으며, 즉 진공 상태가 아니다. 재진입 튜브(15)는 챔버(12)의 중심부에 플라즈마의 형성을 방지함으로써, 웨이퍼의 중심부에서의 에칭 속도를 감소시킨다. 재진입 튜브가 없으면, 웨이퍼 상의 에칭 속도가 모서리에서보다 웨이퍼의 중심에서 현저히 높아지게 된다. 재진입 튜브는 웨이퍼의 중심에서 에칭 속도를 감소시키고, 웨이퍼에 균일한 에칭을 이루어 낸다.
에칭 공정 중에, 웨이퍼로부터 제거된 재료는 챔버(12)의 내부면 상에 상당히 침전된다. 웨이퍼(13)의 표면으로부터 금속 또는 다른 전도성 재료의 에칭은 전도성 필름이 챔버(12)의 내부면 상에 형성되도록 한다. 이러한 층의 전도성은챔버(12)에 처리된 웨이퍼의 수와 함께 증가된다. 일부 비전도성 금속 함유 필름의 에칭은 공정 중에 발생되는 화학적 반응으로 인해 유사한 결과가 발생된다.
챔버(12)의 내부면 상에 형성된 전도성 코팅은 코일(11)이 챔버(12) 내의 처리 가스로 자기장과 결합하는 것을 방지하는 전기 차폐물로써 기능을 하여, 플라즈마 점화를 방지한다. 코일(11)에 의해 생성된 자기장의 변화는 전도성 코팅에 와류를 유도한다. 와류는 전도성 필름에서 챔버(12)의 원통형 벽 둘레로 코일(11) 내의 전류 흐름 방향과 대체로 평행하면서 대향 방향으로 순환된다. 유도된 와류는 챔버(12) 내에서 동일하면서 대향 자기장을 발생시키고, 코일(11)에 의해 발생된 자기장에 반발하여 제거시키는 경향이 있다.
충분한 두께의 전도성 필름이 챔버(12)의 내측에 축적되었을 때, 플라즈마를 챔버(12)의 내측에서 점화하는 것이 불가능하게 된다. 결과적으로, 챔버(12)는 추가의 공정을 수행하기 위해 세척되거나 교체되어야 한다. 이러한 것은 에칭 공정에서 경비 및 시간 절약의 결과를 양산한다.
플라즈마 처리 챔버의 내측에서의 전도성 필름의 침전과 관련하여 다음과 같은 어려운 점들이 있다. 100 nm의 침전된 티타늄 필름으로 덮여진 15.2 cm(6 인치)의 실리콘 웨이퍼는 전술된 상태하에서 도1에 도시된 반응기 내측에서 유도 결합 플라즈마 에칭 방법을 이용하여 에칭된다. 20 내지 25개의 웨이퍼들이 상기 방식으로 에칭된 후, 플라즈마 점화가 완전히 실패되어 추가 공정이 불가능하게 되었다. 이 때에, 챔버(12)의 내부가 검사되었고, 챔버의 내부면 상에 1.27 cm(0.5 인치) 떨어진 거리로 배치된 프로브로 측정된 바와 같이 전도성 필름이 코일(11)의 영역내에서 30 내지 400 오옴 미터 사이의 시트 저항을 갖고 챔버의 내부 상에 침전되었음이 발견되었다. 재료가 스퍼터링된 웨이퍼(13)의 표면에 가까운 챔버의 영역에는 시트 저항이 낮은 값으로 기록되었다.
본 발명의 원리에 따르면, 전술된 어려운 점들은 와류가 유동될 수 있는 챔버(12)의 내부 상에서 침전된 재료가 연속 경로를 형성하는 것을 방지함으로써 경감되어진다. 이러한 것은 챔버(12)의 중심 축에 대체로 평행하고 유도된 와류의 흐름 방향에 수직인 방향으로 배치된 챔버의 내부 면 상의 신장부를 갖는 비전도성 보호 구역을 만들어냄으로써 이루어졌다. 이러한 비전도성 보호 구역은 석영 챔버(12)의 내측 상에서 전도성 필름 내에 와류가 흐르는 것을 방지함으로써, 대향 자기장의 형성을 방지하게 된다.
도2A 및 도2B를 참조하면, 챔버(12)의 내측에 삽입용의 스테인레스 강철 시험 요소(18)를 제조함으로써, 보호 구역을 이용한 와류의 방지가 실현 가능하다고 판명되었다. 시험 요소(18)는 시임 스톡 스테인레스 강철 제SS-304호로 제조되고, 그 두께는 0.153 mm(0.006 인치)이고 그 폭은 15.3 cm(6.0 인치)이다. 이러한 시임 스톡은 시험 요소(18)를 형성하는 4.45 cm(1.75 인치)의 갭(20)을 갖는 원통형부로 구부러져 있다. 상기 시험 요소(18)는 스퍼터링 에칭에 의한 3,000개 이상의 웨이퍼의 가공 후에 챔버(12)의 내측 상에 축적된 전도성 층의 예상 두께를 모의하기 위해 챔버(12)의 내측에 설치되었다. 열 산화물 상부 층(즉, 비전도성 상부층)을 갖는 시험 웨이퍼들은 챔버로 배치되고, RF 및 유도 전력이 플라즈마 공정을 모의하기 위해 챔버에 인가되었다. (전도성 재료가 웨이퍼의 상부 층으로부터 갭(20)으로 스퍼터링되지 않고 갭(20)에 걸쳐 단락을 발생시키지 않도록 보장하기 위해, 비전도성 웨이퍼가 사용되었다.)
전술된 시험 장치는 적시에 제공되어 플라즈마 점화를 유지하였고, 챔버 내의 시임 스톡 시험 요소(18)의 유무에 의한 영향을 명백히 받지 않았다. 이러한 성질에 의해, 챔버(12)의 내부면 상에 비전도성 보호 구역을 포함하는 것이 와류 흐름을 방지하고 챔버(12)의 내부면 상에 전도성 재료가 축적될 때 발생되는 난점들을 제거한다고 판명되었다.
도3A 및 도3B를 참조하면, 보호 구역 내에서 챔버(12)의 내측면 상에 전도성 재료가 축적되는 것을 방지하기 위한 쉐이드의 한 실시예가 벤치 형태를 이루고 있다. 벤치(22)는 도3B에 도시된 바와 같이 챔버 벽 상에 놓여진 2개의 지지부(21)와, 코일(11)의 축에 평행한 방향으로 코일(11)의 전체 길이의 신장 방향으로 연장된 후드(23)를 포함하고 있다. 기지부(21)는 대략 0.32 내지 0.95 cm로 챔버(12)의 중심을 향해 내측으로 반경 방향으로 연장되어 있고, 지지 후드(23)는 챔버(12) 벽으로부터 상기 높이로 연장되어 있다. 후드(23)는 대략 5.1 cm(2 인치)로 접선 방향으로 연장되어 챔버(12)의 내측에서 웨이퍼로부터 스퍼터링된 재료로부터 차단된 보호 구역을 만들어 낸다. 후드(23) 및 지지부(21)는 석영으로 제조된다.
후드(23)가 제공됨으로써, 웨이퍼 또는 플라즈마 스퍼터링 시스템에서의 타깃으로부터 스퍼터링된 재료는 보호 구역(24) 내의 챔버(12)의 영역을 피복시키지 않을 것이다. 결과적으로, 전도성 코팅층이 챔버(12)의 내측면 상에 장시간 형성 될지라도, 비전도성 코팅층이 보호 구역(24) 내에 형성되지 않을 것이다. 따라서,와류가 보호 구역(24)을 통해 유동될 수 없게 되고, 챔버(12)의 내부의 원통형부 둘레를 따라 유동될 수 없게 된다.
도4는 챔버(12)의 내측 상에 보호 구역을 발생하기에 적합한 쉐이드(26)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 도4에 도시된 쉐이드(26)는 챔버(12) 및 코일(11)의 축에 평행한 방향으로 챔버(12)의 내측면을 따라 연장된 지지부(21)를 포함한다. 후드(23)는 0.32 내지 0.95 cm(0.13 내지 0.75 인치)의 거리로 지지부(21)의 내부 모서리로부터 접선 방향으로 챔버(12)의 내부면 상에 연장되어 있다. 후드(23)는 스퍼터링된 재료가 침전되지 않는 보호 구역(24')을 만들어내기 위해 챔버(12)의 내부면 상에서 5.1 내지 7.6 cm(2 내지 3인치)와 같은 충분한 거리로 접선 방향으로 연장되어 있다.
도5를 참조하면, 쉐이드의 제3 실시예로서, 2개의 구조물(26, 27)이 중첩 형태로 배열되어 있다. 한 구조물(26)은 접선 시계 방향으로 연장된 후드를 구비하고, 다른 구조물은 접선 반시계 방향으로 연장된 후드를 구비하고 있으며, 제1 및 제2 구조물(26, 27)의 후드는 중첩되어 있고 구조물(26)의 지지부로부터 구조물(27)의 지지부로 연장된 보호 구역(24")을 만들어 낸다. 따라서, 스퍼터 재료는 보호 구역(24") 내에 침전되지 않을 것이다.
본 발명이 다양한 실시예로 설명되고, 이러한 실시예가 상세하게 기술되었을지라도, 본 기술 분야에 숙련된 사람으로부터 용이하게 개조물 및 부가적인 이점들이 만들어질 수 있다.
예를 들어, 스퍼터 에칭 장치 및 공정이 설명되었을 지라도, 본 발명의 원리는 스퍼터 코팅 공정과 같은 다른 공정에 이용될 수 있다.
또한, 전술된 쉐이드가 챔버(12)의 원통형 표면 상에서만 챔버 연장되어 있는 반면에, 쉐이드가 챔버(12)의 디스크형 단부면 상에서 또는 재진입 튜브(15)의 단부(17) 상에서 용이하게 연장되어 있을 수 있다. 도3A에서 외형선으로 도시된 바와 같이, 이러한 유형의 쉐이드는 후드(12) 및 코일(11)의 축에 대해 반경 방향으로 연장된 후드(22)를 지지하는 지지부(21)를 부가적으로 포함할 수 있다.
이러한 유형의 쉐이드는 램 리서치 코포레이션(Lam Research Corporation)에서 판매되는 소위 변형 결합 플라즈마(transformer coupled plasma, TCP) 시스템과 같은 한 시스템에서 특정 이점으로 이용될 수 있으며, 이러한 시스템에서는 플라즈마를 여기하기 위한 유도 결합 코일이 나선형으로 이루어지고 벨 챔버의 원통형 측면 둘레보다는 오히려 벨 챔버의 디스크형 단부 상에 배치된다. (벨 챔버는 첨부된 도면에 도시된 챔버와 비교해서 직경에 대해 실질적으로 더 작은 높이를 갖고 있다.) 그러한 경우에, 전도성 재료를 나선형 코일에 대향 위치한 벨 챔버의 디스크형 표면 상에 축적함으로써 와류를 위한 전도성 통로를 제공하게 되고 플라즈마 점화가 방지된다. 그러나, 나선형 코일에 대향 위치한 챔버의 디스크형 단부 상에 반경 방향으로 배향된 쉐이드를 배치함으로써, 이러한 전도성 통로가 제거될 수 있다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 스퍼터 공정에 의해 처리되도록 웨이퍼(13) 및 가스를 수용하기 위한 비전도성 밀봉 챔버(12)와, 전력원과, 상기 밀봉 챔버(12)의 내측에 자기장을 발생시켜 플라즈마를 생성하도록 상기 처리 가스를 여기시키기 위해 상기 전력원에 결합되고 상기 챔버(12)의 외부 벽에 인접하고 상기 챔버(12) 둘레에 감겨진 유도 코일(11)을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기(10)에 있어서,
    상기 챔버(12)의 내부벽으로부터 이격되어 있고, 상기 유도 코일(11)의 일부분으로부터 상기 챔버 벽의 대향 측면 상에 위치한 상기 내부벽의 보호 구역(24, 24', 24")을 덮고 있으며, 스퍼터링된 전도성 재료가 상기 보호 구역 내에서 축적되는 것을 방지하는 쉐이드(22, 26, 27)를 포함하고,
    챔버 내부벽을 따라 발생하는 와류 흐름의 폐쇄 경로가 제한되어, 상기 챔버(12) 내의 플라즈마에 대한 전력의 유도 결합을 개선시키는 것을 특징으로 하는 반응기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버(12) 및 코일(11)은 원통형 형상을 이루고 있고, 상기 코일(11)은 상기 챔버(12)의 원통형 벽 둘레에 원통형으로 감겨져 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  3. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코일(11)은 중심 축둘레에감겨진 신장형부를 구비하고,
    상기 쉐이드(22, 26, 27)는 신장형부를 구비하며, 상기 쉐이드(22, 26, 27)의 신장형부는 상기 코일(11)의 상기 중심 축에 평행한 것을 특징으로 하는 반응기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 쉐이드(22, 26, 27)는, 챔버 내부벽과 접촉되어 상기 챔버 내부벽으로부터 내측으로 연장된 지지부(21)와, 상기 지지부(21)로부터 연장되어 상기 보호 구역(24, 24', 24")을 덮는 신장형 후드(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 후드(23)는 상기 지지부(21)로부터 접선 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  6. 제4항에 있어서, 상기 쉐이드(22)는, 챔버 내부벽과 접촉되어 상기 챔버 내부벽으로부터 내측으로 연장된 제2 지지부(21)를 더 포함하고, 상기 신장형 후드(23)는 상기 지지부(21) 사이에 연장되어 상기 보호 구역(24)을 덮는 벤치 구성물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반응기.
  7. 제3항에 있어서, 상기 쉐이드(22, 26, 27)는 상기 중심 축을 따라 상기 코일(11)의 전체 길이를 가로질러 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  8. 비전도성 진공 챔버(12)에 배치된 표면(13)으로부터 전도성 재료를 스퍼터링하는 방법으로서, 챔버(12)를 진공화하는 단계와 상기 챔버로 처리 가스를 제공하는 단계와, 상기 처리 가스를 챔버(12)의 외부 벽에 인접하고 축 둘레에 감겨진 전기 코일(11)로 여기시키는 단계와, 상기 처리 가스가 플라즈마를 형성하도록 유발시키는 단계와, 상기 플라즈마로부터의 이온들이 상기 표면에 충격을 주어 상기 표면(13)으로부터 상기 전도성 재료를 스퍼터링하도록 유발시키는 단계를 포함하는, 상기 방법에 있어서,
    상기 챔버(12)의 내부벽으로부터 이격되고 상기 내부벽의 보호 구역(24, 24', 24") 위에 배치된 쉐이드(22, 26, 27)를 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 쉐이드는 상기 보호 구역(24, 24', 24") 내에 스퍼터링된 전도성 재료가 축적되는 것을 방지하여, 상기 챔버 내부벽을 따르는 와류 흐름을 위한 폐쇄 경로가 제한되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 코일(11)은 중심 축 둘레에 감겨진 신장형부를 구비하고, 상기 쉐이드(22, 26, 27)를 제공하는 단계는 신장형부를 갖는 쉐이드(22, 26, 27)를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 신장형부는 상기 코일(11)의 상기 중심 축에 평행한 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 쉐이드(22, 26, 27)를 제공하는 단계는 상기 중심 축을 따라 상기 코일(11)의 전체 길이를 가로질러 연장된 쉐이드를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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