KR100331375B1 - 다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법 - Google Patents

다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100331375B1
KR100331375B1 KR1019990008445A KR19990008445A KR100331375B1 KR 100331375 B1 KR100331375 B1 KR 100331375B1 KR 1019990008445 A KR1019990008445 A KR 1019990008445A KR 19990008445 A KR19990008445 A KR 19990008445A KR 100331375 B1 KR100331375 B1 KR 100331375B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
nest
vacuum
dicing
cutting
Prior art date
Application number
KR1019990008445A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990077855A (ko
Inventor
티버알오이스
사이끼기요떼루
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/156,593 external-priority patent/US6187654B1/en
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR19990077855A publication Critical patent/KR19990077855A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100331375B1 publication Critical patent/KR100331375B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

다이싱용 네스트가 다이싱 공정중에 칩(112)을 포함하는 기판(102)을 지지하도록 배열되며, 기판(102)은 제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 기판의 제 2 면은 칩(112)과 관련된 적어도 하나의 접점을 가진다. 이러한 다이싱용 네스트는 접점을 수용하기 위해 배치되는 적어도 하나의 개구부를 규정하는 격자 배열(212)과 네스트 본체(202)에 대해 기판(102)을 위치결정하기 위해 배열되는 적어도 하나의 정렬 수단을 포함하는 네스트 본체(202)를 구비한다. 네스트를 사용함으로써, 기판(102)은 어떠한 접착용 테이프도 사용하지 않고 개개의 집적회로 칩을 형성하도록 확실하게 유지되며, 효과적으로 다이싱될 수 있다.

Description

다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법{Nest for dicing, and Method and Apparatus for cutting Tapeless Substrate Using the Same}
(기술분야)본 발명은 집적회로 칩을 다이싱할 때 기판을 유지하는 데 적합한 네스트와, 접착용 테이프 없이 네스트를 사용하여 기판을 절단하는 방법에 관한 것이다.
(배경기술)집적회로 칩들의 제조 중, 다수 집적회로 칩들은 종종 단일 기판, 예를들면, 웨이퍼 또는 회로보드상에 배치되고, 이 단일 기판은 집적회로 칩을 분리하기 위해 최종적으로 다이싱된다. 기판은 전체 제조 공정 중 실질적으로 어떤 점에서 개개의 칩을 생성하도록 톱질(sawed)되거나 다이싱(dicing)되어도 되지만, 기판은 통상 볼 그리드 어레이들과 다이들이 기판상에 형성된 후 톱질된다.
도 1은 종래 기판의 볼 그리드 어레이(BGA)면 또는 접점의 개략도이다. 이 기술분야에서 숙련된 사람은 이해할 수 있는 것과 같이, 기판(102)은 개개의 집적 회로 칩들(112)을 포함하며, 이들 각각은 접점들의 볼 그리드 어레이(110)을 포함한다. 일반적으로, 기판(102)상에 형성된 다수의 집적회로 칩(112)은 기판(102)의 크기 및 집적회로 칩들(112)의 크기에 따라 변화된다. 또한, 각각의 볼 그리드 어레이(110)의 수 또한 변화될 수 있다. 일예로서, 도시된 바와 같이, 기판(102)은 16개의 볼을 갖는 볼 그리드 어레이를 각각 가지는 140개의 집적회로 칩을 포함한다.
기판(102)은 또한 다양한 제조 공정에 사용되는 위치결정 구멍(106)을 포함하지만, 기판(102)을 캡슐형으로 포장하기 위해 사용되는 공정과 칩들(112)상에 볼 그리드 어레이(110)를 부착하기 위해 사용하는 공정을 포함하며, 이들 공정에 한정되는 것은 아니다. 또한 기판(102)상에 포함되는 '픽업 점들'(116)은 제조 중 필요에 따라, 기판(102)의 전체 정렬을 카메라들이 체크할 수 있도록 하기 위해 배치된다.
도 2에는 기판(102)의 비-BGA 면이 도시된다. 비-BGA 면은 통상 집적회로 다이들(140)을 포함하기 때문에, 기판(102)의 비-BGA면은 기판(102)의 '다이-면'으로 고려된다. 이 기술분야에서 숙련된 사람은 알 수 있는 것과 같이, 기판(102)이 개개의 집적회로 칩(112)를 형성하도록 다이싱될 때, 집적회로 칩(112)의 각각의 면상에는 볼 그리드 어레이(110)를 가지며, 한편 다른 면에는 집적회로 다이(140)를 가진다.
상술된 바와 같이, 기판으로부터 집적회로 칩들을 분리하기 위해, 기판은 다이싱 톱(dicing saw) 또는 유사 장치로 다이싱되어야 한다. 통상적으로, 다이싱 공정은 접착면, 즉 테이프 상에, 테이프, 비-BGA 면을 아래로 해서, 기판을 수동으로 위치시키는 것을 포함한다. 테이프는 다이싱 도중 및 다이싱 이후 개개의 집적회로 칩들을 정위치로 유지하기 위해 배치된다. 특히, 테이프는 개개의 집적회로 칩이 서로에 대해 회전 및 병진하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
볼의 바닥면으로부터 또는 볼의 측면으로부터 볼 그리드 어레이의 볼을 테이프로 효과적으로 파지 및 유지가 어렵기 때문에, 기판은 BGA 면으로부터 절단되며, 즉 기판은 비-BGA면을 아래로 해서 절단된다. 즉, 테이프는 기판상의 다이 등의 실질적으로 평활한 면을 확실하게 유지할 수 있지만, 테이프는 다이싱 동안 볼 그리드 어레이 등의 전면(全面) 등의 불균일 면을 효과적으로 확실하게 유지하지 못한다.
기판이 테이프상에 BGA면을 위로 하여 놓이면, 테이프 및 기판은 다이싱을 위해 진공 척상에 수동으로 적재된다. 즉, 테이프 및 기판은 테이프 면을 아래로 하여 진공 척상에 정렬되기 때문에 진공측으로부터의 진공에 의해 테이프 및 보드를 효과적으로 '파지'한다. 테이프 및 기판이 진공 척상에 유지되어 있는 동안, 다이싱 톱을 사용하여 집적회로 칩들을 자동으로 다이싱한다. 당업자에게는 잘 알려져 있는 것과 같이, 다이싱 톱은 집적회로 칩을 형성하기 위해, 실질적으로 테이프를 통해 절단하지 않고 기판을 다이싱한다.
집적회로 칩들이 분리되면, 칩들은 테이프로부터 제거되어야 한다. 진공은 칩이 테이프상에 종종 정확하지 않게 정렬되기 때문에, 칩을 테이프로부터 제거하는 데에는 일반적으로 사용되지 않는다. 통상적으로, 사람이 BGA면을 위로 해서, 각 칩을 테이프로부터 제거하며, 이후 후속 제조공정으로 칩들을 반송하기 위해 사용될 수 있는 유지 트레이에 BGA면을 아래로 해서 각각의 칩을 놓는다. 그러나, 수동공정을 이용하면 시간이 걸리며 정확하지 않은 경우가 많다.
대안으로, 수동 공정 대신에, 픽 앤드 플레이스 머신(pick and place machine)이 테이프로부터 칩들을 제거하고, 유지 트레이내에 칩을 위치시키기 위해 사용되어도 된다. 테이프로부터 칩을 수동으로 제거하는 경우에와 마찬가지로, 픽 앤드 플레이스 머신을 이용하면 시간이 걸리는 일이 많다. 일예로서, 픽 앤드 플레이스 머신은 칩을 들어올리기 전에 각 칩을 정렬시켜야 한다. 또한 픽 앤드 플레이스 머신은 일반적으로 다이싱 머신과는 별도인, 제조 설비의 추가의 부분이다. 그러므로, 전체 다이싱 공정은 테이프 및 다이싱된 칩들을 픽 앤드 플레이스 머신으로 반송하기 위한 추가의 수동 공정을 필요로 하는 경향이 있다.
테이프는 비교적 고가이며, 다이싱 공정이 완료되면 폐기되어야 하기 때문에 다이싱 공정에 테이프를 사용하는 것은 바람직하지 않은 경우가 많다. 또한, 테이프상의 접착성이 다이싱 공정 후 칩상에 남을 수 있어, 제거하기 어려운 잔류물을 생성한다. 잔류물이 칩으로부터 적절하게 제거되지 않을 경우, 칩의 완전성 뿐만 아니라 후속 제조단계를 오염시킬 수 있다. 테이프의 사용은 또한, 일반적으로 예를들면 테이프상에 기판을 위치시키는 것과 같은 수작업을 요구한다. 당업자에게는 잘 알려진 것과 같이, 시간이 걸리는 것 외에 수동 공정은 종종 기판이 잘못 처리되거나 또는 오염될 가능성을 증가시킨다.
따라서, 개개의 집적회로 칩을 형성하기 위해 기판을 효과적으로 및 자동으로 다이싱하기 위한 방법 및 장치가 요망된다. 즉, 테이프를 사용하지 않고 다이싱시에 기판을 확실하게 유지하기 위한 방법 및 장치가 요망된다.
본 발명은 집적회로 칩 다이싱시 기판을 유지하는 데 적합한 네스트, 접착용 테이프를 사용하지 않고 네스트를 이용하여 기판을 절단하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명의 다이싱용 네스트는, 집적 회로칩을 포함하는 동시에, 제1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 볼 그리드 어레이를 포함하는 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 2의 기판면이 상기 집적회로 칩에 관련하는 상기 볼 그리드 어레이의 일부분으로 되는 접점을 포함하는 기판에 대해, 다이싱처리를 실시할 때, 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서, 상기 기판의 상기 접점을 받아 들이도록 설치된 개구부를 가진 격자 배열을 포함하는 네스트 본체와, 상기 네스트 본체에 대해, 상기 기판이 소정의 위치 관계로 정렬하도록 위치 결정하는, 적어도 하나의 정렬 수단을 구비한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명의 테이프리스 기판의 절단 방법은, 집적회로 칩을 포함하는 동시에, 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 2의 기판면이, 상기 집적회로 칩에 관련하는, 저면과 측면을 가진 적어도 하나의 볼을 포함하는 볼 그리드 어레이를 포함하는 기판을, 테이프를 사용하지 않는 형태로 절단하기 위한 기판 절단 방법으로서, 상기 제 2의 기판면을 하향으로 하는 동시에, 상기 볼 그리드 어레이를 네스트 기구에 설치된 개구부를 가진 격자배열로 받아 들이도록 함으로써, 상기 네스트 기구내에 상기 기판을 배치하여 이 기판을 유지하는 단계와, 진공 척과 절단 톱(cutting saw)을 포함하는 절단 수단의 상기 진공 척상에 상기 네스트 기구를 위치 결정하는 단계와, 상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해 상기 기판의 상기 제 2의 기판면을, 상기 네스트 기구를 통해 상기 진공 척에 대해 결합하는 단계와, 상기 절단 톱을 이용하여 상기 제 1의 기판면 측으로부터 상기 기판을 절단하는 단계를 구비한다.본 발명의 또다른 양태에 따르면, 본 발명의 테이프리스 기판의 절단 방법은, 실질적으로 평활한 기판면과, 이 실질적으로 평활한 기판면 뒷쪽의, 볼 그리드 어레이를 포함하는 실질적으로 평활하지 않은 면을 가지는 기판을 절단하기 위한 방법으로서, 상기 기판이 실질적으로 평활하지 않은 면을 하향으로 하는 동시에, 상기 볼 그리드 어레이를 네스트 본체에 설치된 개구부를 가진 격자배열에 받아 들임으로써, 실질적으로 병진 및 회전 이동하지 않도록 네스트 기구 내에 상기 기판을 정렬시켜, 상기 네스트 기구 내에 상기 기판을 유지하는 단계와, 상기 네스트 기구를 진공 척 상에 위치 결정하는 단계와, 상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해, 상기 기판을 상기 네스트 기구를 통해 상기 진공 척에 대해 결합하는 단계와, 절단 수단에 의해 상기 기판을 절단하는 단계를 구비한다.본 발명의 또다른 양태에 따르면, 본 발명의 다이싱용 네스트는, 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다도 평활한 기판에 대해, 다이싱 처리를 실시할 때에, 상기 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서, 제 1의 네스트면과, 이 제 1의 네스트면 뒷쪽의 제 2의 네스트면을 가지는 동시에, 적어도 하나의 네스트 개구부를 규정하는 격자 배열을 포함하는 네스트 본체와, 상기 네스트 본체의 상기 제 1의 네스트면 측으로부터 이 네스트 본체와 끼워 맞추는 동시에, 이 네스트 본체와 끼워 맞출 때에 상기 네스트 개구부를 관통하는 적어도 하나의 진공 페데스탈(pedestal)을 가지는 진공 유지 플레이트를 구비하고, 상기 네스트 개구부는 상기 기판으로부터 다이싱된 다이의 면적보다 작은 개구 면적을 가지며, 상기 격자배열은, 상기 네스트 개구부의 영역에 근접한 상기 제 1의 네스트 면상에 설치된 적어도 하나의 유지벽을 더 가지며, 상기 진공 페데스탈은, 상기 네스트 개구부를 관통하여 배치되면, 상기 제 2의 네스트 면으로부터 상기 제1의 네스트면상으로 돌출하고, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 1의 네스트면에 대향한 상태에서 상기 기판이 상기 네스트 본체 상에 배치됨으로써, 상기 네스트 본체가 상기 진공 유지 플레이트와 끼워 맞추어진 상태에서, 상기 진공 페데스탈이 상기 기판을 상기 제 1의 네스트면으로부터 들어 올린다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 본 발명의 테이프리스 기판의 절단방법은 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다 평활한 기판에 대해, 테이프를 사용하지 않은 형태로 다이싱처리를 실시하기 위한 방법으로서, 제 1의 네스트면과, 이 제 1의 네스트면 뒷쪽의 제 2의 네스트면을 가지는 동시에, 상기 기판으로부터 다이싱되는 다이의 면적보다 작은 개구 면적을 가진 적어도 하나의 네스트 개구부를 규정하는 격자 배열을 가지는 네스트를 준비하는 단계와, 상기 기판의 상기 제 1의 기판면이 상기 제 1의 네스트면에 대향하도록 상기 네스트상에 상기 기판을 배치하는 단계와, 상면에 적어도 하나의 진공 페데스탈을 가지는 진공 유지 플레이트를 준비하고, 상기 진공 페데스탈을 상기 제 2의 네스트면으로부터 상기 네스트 개구부를 관통시켜 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출시킴으로써, 상기 진공 유지 플레이트를 상기 네스트에 끼워 맞추고, 상기 진공 페데스탈의 상면이 상기 네스트 상에 있어서 상기 제 1의 기판면에 접촉하도록 하는 단계와, 상기 제 1의 기판면을 상기 진공 페데스탈의 상기 상면에 대해 유지하기 위해 상기 진공 페데스탈내를 진공 상태로 하는 단계와, 상기 기판의 상기 제 1의 기판면이 상기 진공 페데스탈의 상기 상면에 대해 유지된 상태에서, 다이싱 톱을 이용하여 상기 제 2의 기판면으로부터 상기 기판을 다이싱하는 단계를 구비한다.본 발명의 또다른 양태에 따르면, 본 발명의 다이싱용 네스트는, 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다도 평활한 기판에 대해, 다이싱 처리를 실시할 때에, 상기 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서, 제 1의 네스트면과, 상기 제 1의 네스트면의 뒷면의 제 2의 네스트면과를 가지는 동시에, 상기 기판으로부터 다이싱된 다이의 면적보다도 작은 개구면적을 가지는 개구를 포함하고, 상기 제 1의 네스트면상에 상기 제 1의 기판면을 지지하기 위한 네스트 본체와, 상기 다이싱 처리시에 있어서 상기 다이를 유지하기 위해, 상기 제 2의 네스트면으로부터 상기 개구를 관통하여 배치되고, 또한 상기 제 1의 네스트면으로부터 상기 개구를 관통하여 배치되고, 또한 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출하는 동시에, 상면이, 상기 다이싱 처리시에 상기 다이에 의해 진공 시일을 형성하도록 구성된, 진공 페데스탈을 구비한다.
도 1은 종래 기판의 볼 그리드 어레이면을 도시한 개략도.
도 2는 도 1의 종래 기판의 다이 면을 도시한 개략도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 네스트를 나타낸 개략 평면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 3의 네스트를 도시한 개략 사시도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 기판으로부터 개개의 칩을 형성하는 것과 관련된 단계를 도시하는 처리 플로도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 네스트를 나타내는 개략 평면도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 네스트를 나타내는 개략 평면도.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 네스트를 나타내는 개략 사시도.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 베이스 플레이트 및 진공 블록대를 포함하는 진공 유지 플레이트의 개략 사시도.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 네스트 개구부를 실질적으로 둘러싸는 유지벽의 개략 확대도.
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른, 기판으로부터 개개의 칩을 형성하는 것과 관련된 단계를 도시하는 처리 플로도.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 바와 같이 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여 상세히 설명된다. 이후의 상세한 설명에서는 본 발명이 충분히 이해될 수 있도록 다수의 상세(detail)가 기재되어 있다. 그러나 당업자라면 본 발명은 이들 상세의 몇몇 또는 모두의 실행없이도 실시될 수 있다. 다른 예로는, 공지된 구조 및 처리 단계는 본 발명이 불필요하게 불명료하게 되는 것을 피하기 위해 설명하지 않았다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 네스트 장치는 테이프를 사용하지 않는 다이싱 처리시에 기판을 확실하게 유지하기 위해 진공과 관계되어 배치된다. 기판은 볼 그리드 어레이(BGA)면을 하향으로 하여 네스트에 배치되고, 이후 다이싱을 위해 진공 척상에 장착된다. 다이싱 동안, 네스트 및 진공은 기판 및 후의 기판을 다이싱하여 형성된 개개의 칩을 병진 이동 및 회전 이동하는 것을 효과적으로 방지한다. 네스트 및 다이싱된 칩들이 다이싱후 진공 척으로부터 제거되면, 다이싱된 칩은 실질적으로 픽 앤드 플레이스 머신(pick and place machine)을 이용하여, 네스트로부터 제거될 준비가 되어 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 네스트 장치는 테이프를 사용하지 않는 다이싱 처리시에 기판을 확실하게 유지하기 위해 진공 유지 플레이트 장치와 관련하여 배치된다. 상기 기판은 볼 그리드 어레이(BGA)면을 상향으로 하여 진공 유지 플레이트에 배치되고, 이후 다이싱을 위해 진공 척상에 장착된다. 진공 유지 플레이트상에 네스트를 장착하는 것에 의해, 진공 유지 플레이트상에 진공 페데스탈은 네스트의 상면위로 기판이 상승하도록 네스트 개구부를 통해 돌출된다. 진공 페데스탈의 상면은 또한 절단될 다이의 평활한 하부면과 진공 시일을 형성하여, 진공이 온으로 된 경우 진공 페데스탈의 상면에 다이가 확실하게 유지되도록 한다. 기판이 네스트의 상면위로 약간 상승하기 때문에, 다이 톱은 네스트 또는 톱날 모두에 손상을 줄 위험없이 기판의 두께아래까지 돌출되어도 된다. 절단 중, 톱(saw)은 진공 유지 플레이트내의 진공 페데스탈간에 존재하는 홈들 내에 배치된다. 오목하게 된 홈은 톱의 횡방향의 배치가 어느 정도 변동해도 되는 크기로 할 수 있다. 홈의 폭 을 증가시키면 각 진공 페데스탈의 상면 영역을 감소시키지만, 진공 페데스탈의 상부에 절단된 다이를 지지하기 위한 진공의 능력에는 크게 영향을 주지 않는다.
기판이 절단된후, 이 때 상 커버는 기판의 절단된 다이들을 포함하는 네스트위에 놓인다. 상 커버는 바람직하게는 개개의 다이의 각각을 아래로 누르는 접촉 포스트들을 가진다. 상 커버, 네스트 및 이들 사이의 절단된 다이들의 이러한 조합에 의해 커버 부착 네스트 고정구가 형성되고, 이것은 후에 진공 블록대를 들어올린다. 진공블록대로부터 커버 부착 네스트 고정구를 들어올리면, 개개의 다이들은 네스트 표면까지 떨어져 되돌아 오게 된다. 더욱 상세하게는, 각 네스트 개구는 그 개구에 근접 배치된 유지벽을 가진다. 각 절단된 다이가 아래로 떨어져 네스트의 상면상에 놓이면, 유지벽이 이들의 에지로 각 절단된 다이를 유지하므로, 절단된 다이의 병진 및 회전 이동을 방지한다. 유지벽에 의해 실질적으로 고정되어 유지되고 상 커버의 접촉 포스트와 네스트 사이에 포획된 절단된 다이는 실질적으로 고정되어 유지되어 있는 동안 추가 처리(예를들면, 세정, 린싱, 건조)된다. 각 절단된 다이는 유지벽들에 의해 네스트의 표면상에 실질적으로 고정되어 유지되기 때문에, 다이싱된 칩들은 필연적으로 정렬되며, 예를들면, 픽 앤드 플레이스 머신을 사용하여 상부 플레이트가 제거될 때 네스트로부터 제거될 수 있는 상태로 된다. 이러한 방식으로, 전체 다이싱 공정이 자동화되며 절단된 다이들은 절단, 반송, 후속 처리 중 고정되어 있고 후속 픽킹 앤드 플레이싱(picking and placing)을 위해 정렬된다.
다이싱 시에 기판을 테이프 없이 유지하기 위해 네스트를 사용하는 것에 의해 테이프에 의해 칩상에 남겨진 접착 잔류물과 관련된 문제들뿐만 아니라, 테이프의 폐기와 관련된 문제도 제거한다. 또한, 네스트를 사용하는 것에 의해 테이프로부터 칩을 제거하고 진공 척상에 기판을 장착하는 것을 포함하는 수동공정의 필요성이 제거되므로, 전체 다이싱 공정을 자동화할 수 있다.
도 3 및 4를 참조하여, 네스트 기구의 일 실시예가 본 발명에 따라 설명된다. 도 3은 네스트 기구의 개략 평면도이며, 한편 도 4는 네스트 기구의 실질적인 사시도이다. 설명을 쉽게 하기 위해 도 3 및 4는 실제 축적으로 도시되어 있지 않다는 것을 이해해야 한다. 네스트(202)가 네스트(202)내에 위치된 기판의 병진 및 회전 이동을 감소시키기 위해 배열되거나 또는 그렇치 않으면 구성되어 있다. 네스트(202)는 다양한 다른 재료로 제조될수 있지만, 일 실시예에서, 스테인레스 스틸이 경량 및 강하기 때문에 네스트(202)는 스테인레스 스틸로 제조된다. 예를들면, 네스트(202)는 400 C 스테인레스 스틸로 제조된다. 네스트(202)상의 정렬 핀(210)은 결정 구멍을 결합하여 네스트(202)에 대해 기판을 위치시키기 위해 사용된다. 일반적으로, 실질적으로 어떠한 적절한 기구도 네스트(202)와 기판을 정렬시키기 위해 사용될 수 있다.
기판이 네스트(202)에 대해서 적절하게 위치되면, 기판은 격자 배열(212)에 대해 배치된다. 기판의 다이 면은 '표면을 아래로 하여' 네스트(202)상에 놓여도 되지만, 전술한 실시예에서, 기판의 BGA면은 네스트(202)위로 놓인다. 격자 배열(212)은 기판의 볼 그리드 어레이를 수용하는 개구부(214)를 규정한다. 즉 기판의 볼 그리드 어레이는 개구부(214)내에 적어도 부분적으로 위치된다. 도시된 바와같이, 격자 배열(212)은 140개의 개구부(214)를 규정하지만, 개구부(214)의 수는 통상 크게 변화될 수 있다.
볼 그리드 어레이(110)의 볼들 또는 접점 중 적어도 하나가 격자 배열(212)의 벽들과 가볍게 접촉하도록 각 개구부(214)는 볼 그리드 어레이를 효과적으로 유지한다. 일 실시예에서, 볼 그리드 어레이의 4개의 '코너' 볼의 면은 각 개구부(214)내의 격자 배열(212)의 코너와 접촉할 수 있다. 이와 같이, 개구부(214)는 실질적으로 직사각형 형상이어도 되지만, 개구부(214)의 코너는 격자 배열(212)에 대해 볼들 코너 면만의 접촉을 용이하게 하기 위해 약간 만곡될 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예에서는 실질적으로 각 볼 그리드 어레이의 면을 따르는 모든 볼들이 격자 배열(212)의 벽들과 접촉해도 된다.
네스트(202)는 다이싱 톱 조립체의 일부인 진공 척에 대해 고정된다. 진공 척은 통상 개구부(214)를 통해 네스트(202)상에 고정된 기판을 결합하는 진공을 발생한다. 일반적으로 다우웰들(dowels) 또는 유사한 구조를 통해 진공 척상에 끼워지도록 된 파일럿 위치결정 구멍(218) 등의, 임의의 적합한 기구가 네스트(202)를 진공척에 대해 부착하기 위해 이용되어도 되지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
이하에 도 5에 관해 설명하는 것과 같이, 네스트(202)와 따라서 기판이 진공 척상에 고정될 때, 다이싱 톱은 이 때 기판으로부터 개개의 집적 회로 칩을 생성하기 위해 기판을 절단할 수 있다. 네스트(202)는 각 칩의 볼 그리드 어레이의 볼 위치를 결정하는 것에 의해 실질적으로 정위치에 별개의 집적 회로 칩들을 유지하는 데 유효하다. 진공 척으로부터의 진공은 격자 배열(212)에 대해 각각의 칩을 유지시키는 반면, 격자 배열의 벽들과 칩의 볼들의 적어도 하나의 면들 사이의 접촉은 칩이 회전 및 병진하는 것을 방지한다. 칩이 회전 및 병진하는 것을 방지하는 것에 의해, 네스트(202)에서 칩을 제거하기 위해 사용되는 후속 픽 앤드 플레이스가 효과적으로 달성될 수 있다. 또한, 다이싱 동안 및 다이싱 후 칩이 자유롭게 이동하는 것을 방지함으로써 다이싱 공정은 기판으로부터 칩들을 부정확하게 절단할 수 있는 가능성을 감소시킨다.
도시된 바와 같은 실시예에서, 단차부(stepped section)(216) 또는 홈 형성 부분은 기판이 절단 또는 다이싱된후 기판의 절단면들을 수용하도록 배치된다. 즉, 기판으로부터의 스크랩 재료(scrap material)는 단차부(216)로 떨어지고, 그 결과, 네스트(202)에 대해 이동하는 것 및 다이싱 공정에 적극적으로 악영향을 미치는 것을 효과적으로 방지한다. 진공 개구부(222)가 다이싱 공정동안 및 다이싱 이후 스크랩 재료가 이동하는 것을 또한 방지하기 위해 단차부(216)에 추가로 사용된다. 특히, 진공 척에 의해 발생된 진공은 진공 개구부(222)를 통해 스크랩 재료을 결합시킴으로써, 반드시 스크랩 물질이 단차부(216)내에 남게 할 수 있다.
도 5를 참조하여, 기판으로부터 개개의 칩을 생성하는데 도 3 및 4의 네스트 를 구현하는 하나의 방법을 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판으로부터 개개의 칩을 형성하는 것과 관련된 단계들을 도시하는 처리 플로도이다. 공정(302)은 다이싱될 기판이 네스트에 적재되는 단계(304)에서 시작한다. 일반적으로, 네스트로의 기판의 적재는 기판을 적절하게 위치시키기 위해 네스트에 대해 기판을 정렬시키는 것을 포함한다. 하나의 실시예에서 전술한 바와 같이, 네스트에 대해 기판을 정렬하는 것은 기판상의 위치결정 구멍과 네스트상의 정렬 핀이 접촉하도록 기판을 위치결정하는 것을 포함한다. 기판이 적절히 정렬되면, 기판의 BGA면 상에 위치된 각 볼 그리드 어레이내의 볼들은 네스트의 네스트 개구부들에 효과적으로 위치된다.
기판이 단계(304)에서 네스트에 적재된 후, 네스트는 단계(306)에서 진공 척상에 적재된다. 특히, 네스트는 진공 척에 의해 제공되는 진공과 기판의 BGA면이 통하도록 진공 척위에 자동으로 적재된다. 즉, 네스트는 진공 흡착에 의해 기판의 BGA면이 효과적으로 결합하도록 위치된다. 당업자라면 알 수 있는 것과 같이, 진공 척은 개개의 칩으로 기판을 다이싱하기 위해 배치되는 전체 다이싱 톱 조립체의 일부일 수 있다.
네스트가 진공 척위로 적재되면, 이후 단계(308)에서, 다이싱 공정이 기판상에서 수행된다. 즉, 다이싱 톱 조립체의 예를 들면 다이아몬드 휠의 다이싱 톱이 기판을 절단하기 위해 이용되어 개개의 칩을 형성한다. 다이싱 공정이 완료된후, 공정 흐름은 커버가 네스트위로 위치되는 단계(310)로 이동한다. 커버는 네스트가 진공 척에서 제거되면 개개의 칩이 이동하는 것을 방지하기 위해 배열된다. 커버의 구성은 크게 변화될 수 있지만, 일 실시예에서, 커버는 네스트에 대해 개개의 칩들의 BGA면 부분을 유지하기 위해 개개의 칩들의 비 BGA면에 대해 가볍게 가압하는 돌출부가 배열된다. 그러나, 커버는 일반적으로 개개의 칩들이 형성된 후 기판의 면들에 남아있는 스크랩 재료, 잉여 재료를 유지하기 위해 배열되지 않는 것을 알아야 한다. 오히려 이하에 기술되는 것과 같이, 커버는 네스트의 스크랩 재료가 네스트로부터 세정될 수 있도록 배치되어도 된다.
커버 부착 네스트 고정구는 단계(312)에서 진공 척에서 제거되며, '세정 및 건조' 장치로 이동한다. 하나의 실시예에서, 커버 부착 네스트 고정구는 진공 척으로부터 자동으로 제거되며, 세정 및 건조 장치로 이동한다. 세정 및 건조 장치는 전체 다이싱 톱 장치의 일부이며, 일반적으로 개개의 칩에서 다이싱 공정동안 남겨지는 잔류물을 제거하기 위해 통상 배치된다. 세정 및 건조 장치는 또한 이들이 세척된 후 칩들을 건조하기 위해 배치된다. 일반적으로, 세정 및 건조 장치는 다이싱 공정동안 축적되는 오물, 부스러기 및 먼지를 제거하기 위해 배치된다.
단계(314)에서, 다이싱된 기판은 커버 부착 네스트 고정구내에서 세정 및 건조된다. 공정 중, 칩의 BGA면은 네스트내의 네스트 개구부를 통해 유체, 예를들면 물로 효과적으로 분무되거나 유체내에 잠긴다. 칩의 세정외에, 유체내의 분무 및 유체내로의 네스트의 잠김은 또한 네스트로부터 스크랩 재료를 효과적으로 제거한다. 즉, 스크랩이 커버 부착 네스트 고정구내에 유지되지 않기 때문에 스크랩 재료는 세정 중 네스트으로부터 부유(float)될 수 있다. 세정 및 건조 장치는 스크랩 재료 및 잔류물이 세정 및 건조 장치로부터 용이하게 제거될 수 있도록 스크랩 재료 및 잔류물을 포획하도록 되어 있다.
칩들이 세정되고 건조된후, 커버 부착 네스트 고정구를 단계(316)에서 세정 및 건조 장치로부터 내려진다(offload). 일실시예에서, 커버 부착 네스트 고정구는 스태이징 블록 상으로 자동적으로 내려진다. 커버 부착 네스트 고정구가 내려지면, 이후 단계(318)에서, 커버가 제거되어 다이싱된 기판 또는 개개의 칩을 노출시킨다. 끝으로, 단계(320)에서, 칩들은 네스트로부터 제거된다. 통상적으로, 칩들은 추가 공정을 위한 트레이내에 위치될 수 있도록 네스트로부터 제거된다. 칩을 제거하기 위해 실질적으로 임의의 적합한 방법이 사용될 수 있지만, 방법들은 네스트로부터 칩을 제거하기 위해 픽 앤드 플레이스 머신을 사용하는 것을 포함한다. 기술된 실시에에서, 픽 앤드 플레이스 머신은 전체 다이싱 톱 조립체의 일부이다. 즉, 단일 장치는 네스트로부터 다이싱된 칩을 제거하기 위해 그리고 기판을 개개의 집적회로 칩으로 다이싱하는 데 사용될 수 있다. 그러나, 대안으로서 픽 앤드 플레이스 머신은 다이싱 톱 조립체로부터 분리될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 칩이 네스트로부터 제거되면, 개개의 칩 형성 공정은 완료된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 네스트는 네스트가 실질적으로 직사각형인 기판을 수용할 수 있도록 직사각형이어도 된다. 그러나, 일반적으로 네스트의 형상은 크게 변화할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 예를들면, 네스트의 전체 크기 및 형상은 네스트가 지지하려 하는 기판의 크기 및 형상에 따라 변화된다. 또한, 기판상의 볼이 적어도 부분적으로 돌출되는 네스트내의 개구부의 크기 및 형상, 즉 네스트 개구부들은 도 3에 관련되어 기술되는 바와 같이, 기판상의 볼 또는 더욱 상세하게는 기판상의 각 칩의 수 및 배향에 따라 변할 수 있다. 다이싱 공정 중 기판을 지지하기 위해 필요에 따라 볼상에 최소 접촉을 제공하기 위해 배열되는 기판을 지지하기 위한 네스트의 그리드들은 상이한 배향을 취할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 네스트의 개략 평면도이다. 도 2의 네스트(202)와 같이, 네스트(402)는 파일럿 위치결정 구멍(406)을 포함하며 이 구멍은 진공 척에 대해 네스트(402)를 유지하는 데 사용될 수 있다. 네스트(402)는 또한 상술된 바와같이, 네스트(402)에 대해 기판을 정렬하기 위해 배치되는 정렬 핀들(410)을 구비한다. 그리드(414)는 전술한 실시예에서, 네스트 개구부(418)를 규정하고 이것은 전술한 실시예에서는 실질적으로 원형이다. 원형의 네스트 개구부(418)는 원형 풋프린트(footprint)를 갖는 볼 그리드 어레이를 수용할 수 있다. 즉, 각 원형 네스트 개구부(418)는 볼이 실질적으로 원형패턴으로 배열되는 볼 그리드 어레이를 수용하도록 배열될 수 있다. 대안으로, 각 원형 네스트 개구부(418)는 다각형 예를들면, 직사각형, 풋프린트를 가지는 볼 그리드 어레이를 수용하도록 배열될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 네스트의 개략 평면도이다. 네스트(432)는 그리드(434)를 포함하며 이 그리드는 네스트 개구부(438)를 효과적으로 규정한다. 도시된 바와 같이, 네스트 개구부들(438)은 다각형 형상이다. 특히, 전술한 실시예에서, 네스트 개구부(438)는 6각형 형상이다.
네스트 개구부들(438)은 이들이 네스트 개구부(438)와 동일 형상의 풋프린트를 갖는 볼 그리드 어레이를 수용하도록 배열될 수 있다. 그러나 네스트 개구부(438)는 네스트 개구부(438)와 다른 풋프린트를 갖는 볼 그리드 어레이를 수용하기에 적합한 것일 수 있다는 것을 인식해야 한다. 예를들면, 6각 형상 네스트 개구부(438)는 실질적으로 직사각형 배향으로 배열되는 볼 그리드 어레이들을 수용할 수 있다. 대안으로, 6각 형상 네스트 개구부들(438)은 또한 실질적으로 삼각형 배향으로 형성된 볼 그리드 어레이를 수용할 수 있다.
도 8 및 9는 본 발명에 따른 제 4 실시예에 따른 진공 유지 플레이트/네스트 기구 조합을 나타내며, 이 조합은 기판의 BGA면을 상향으로 하여 다이싱을 할 수 있도록 한다. 도 8의 참조하면, 네스트(502)는 네스트(502)의 두께를 통해 형성되는 다수의 네스트 개구부(504)를 포함한다. 각 네스트 개구부(504)의 크기는 절단된 다이가 이를 통해 떨어지지 않도록 하기 위해 절단된 다이의 치수보다 약간 작은 크기로 된다. 각 네스트 개구부(504)는 유지벽들(506)에 의해 그 개구부가 둘러싸이며, 이들은 네스트(502)의 상면(508)상에 배치된다. 유지벽들(506)은 절단된 다이가 네스트 개구부(504) 상에 배치되고, 또는 절단된 개개의 다이의 병진 및 회전 이동을 제한하기 위해 그 에지가 유지벽(506)내에 유지되도록 배치된다. 도 10에는 예시적인 유지벽들(506)이 보다 명백하게 도시된다. 다수의 위치결정 핀들(510)이 도시되고, 이들은 네스트(502)를 절단하기 전에 기판을 정렬하기 위해 이용될 수 있다.
네스트(502)는 진공 유지 플레이트(520)와 결합하도록 구성된다. 도 9의 예에서, 진공 유지 플레이트(520)는 진공 블록대(520A)와 베이스 플레이트(520B)를 포함한다. 진공 블록대(520A)는 다수의 상승된 진공 페데스탈(522)을 포함한다. 진공 페데스탈(522)은 네스트(502)의 네스트 개구부(504) 내에 끼워지도록 구성된다. 각 진공 페데스탈(522)은 페데스탈 상면(526)을 더 포함하고, 이것은 절단된 다이 하면에서 절단시에, 진공 시일을 형성하도록 평탄하다. 각각의 진공 페데스탈(522)은 또한 진공 포트(528)를 포함한다. 진공 블록대(520A)가 베이스 플레이트(520B) 상에 고정되면, 진공 포트는 베이스 판(520B)내의 오목형상 챔버(530)에 접속된다. 예를 들면 진공 라인이 베이스 플레이트(520B)의 포트(32)에 접속되는 등, 진공이 오목형상 챔버(530)내에 존재하면, 진공 페데스탈(522)의 각 진공 포트(528)는 절단된 다이를 절단 기간 중에 아래로 가압하는 진공이 제공된다.
절단될 기판을 그위에 가지는 네스트(502)가 진공 블록대(520A)상에 네스트(502)를 위치시킴으로써 진공 유지 플레이트상에 장착되면, 진공 페데스탈(522)은 네스트(502)의 개구부들(504)을 통해 돌출한다. 각 진공 페데스탈(522)의 높이(540)는 네스트(502)가 꼭대기 진공 블록대(520A)와 결합될 때 페데스탈 상면(526)이 네스트(502)의 상면(508)위로 돌출하는 치수로 된다. 따라서, 기판은 페데스탈 상면(526)에 의해 네스트(502)의 상면으로 들어올려 진다. 그러므로, 유지벽들(506)의 높이는 네스트가 진공 블록대과 결합될 때 네스트의 상면위로 진공 페데스탈의 상면이 돌출하는 높이보다 통상 낮다. 예를들면, 진공 페데스탈의 상면이 네스트의 상면위로 10 밀(10 mil)만큼 돌출하여 기판을 상면으로부터 10밀만큼 들어올리면, 유지벽의 높이는 5밀이 될수 있다. 그러므로, 진공이 온으로 되어 진공 포트(528)가 개개의 다이들의 바닥면들에 의해 기판을 아래로 하여 확실하게 유지할 수 있게 한다. 진공을 온으로 한후, 기판은 절단될 수 있다. 기판은 네스트(502)의 상면(508)위로 물리적으로 들어오려지기 때문에, 절단중 네스트(502)의 상면(508) 또는 톱(saw)에 손상을 줄 위험이 작다. 또한, 진공 페데스탈(522)의 높이(540)는 필요에 따라, 기판이 네스트(502)의 상면(508)위로 들어올려지는 거리를 증가 또는 감소시키기 위해 조정될 수 있다. 유지벽들(506)의 높이는 또한 필요에 따라 조정될 수 있다.
인접 진공 페데스탈(522)은 오목형상 홈(550)에 의해 분리된다. 이러한 오목형상 홈은 톱의 폭보다 휠씬 넓으므로, 절단중 톱날 배치에 어느 정도 유연성 및 공차를 허용한다. 일예에서, 오목형상 홈(550)의 폭은 톱날에 손상을 줄 위험이 없이 5 밀만큼 톱날이 횡방향으로 이동하도록 허용하는 6 밀 내지 12 밀 사이의 범위일 수 있다. 도 8에 도시되지 않았지만, 단차부 및/또는 진공포트는 후속 세정 및 린스동안 스크랩 부분들의 제거를 용이하게 하기 위해 이들을 유지하도록 네스트 어레이 개구부 주변에 존재해도 된다.
절단 후, 진공은 온인채로 있으며, 도시되지 않은 상 커버는 네스트(502)의 상부 및 절단된 다이상에 위치된다. 상 커버, 절단된 다이 및 네스트(502)의 조합은 커버 부착 네스트 고정구를 형성한다. 진공이 온으로 되어 있기 때문에, 각 개개의 절단된 다이는 이 시점에서 진공 페데스탈(522)의 페데스탈 상면(526)에 확실하게 유지된다. 상 커버는 상 커버의 무게에 의해 절단된 다이를 하향으로 유지하도록 각 절단된 다이(예를들면, 절단된 다이의 4개 코너)상에서 소정 장소와 접촉하도록 다수의 접촉 포스트를 가진다. 그 후 커버 부착 네스트 고정구는 진공 유지 플레이트(520)를 들어올린다. 개개의 절단된 다이가 네스트(502)의 상면(508)위로 더이상 들어올려지지 않기 때문에, 이들은 아래로 떨어지거나 상 커버의 무게에 의해 하향으로 가압되어 상면(508)상에 놓이고 유지벽(506)에 의해 제한된다. 이러한 방식으로, 상 커버 및 상면(508)은 사이에 있는 각각의 절단된 다이를 포획하고 유지벽(560)은 실질적으로 개개의 절단된 다이의 회전 및 병진 이동을 제한한다. 그후에, 커버 부착 네스트 고정구는 세정/린스/건조 기계로 반송될 수 있다. 각 개개의 절단된 다이는 상면(508) 및 유지벽들(506)에 의해 제한되기 때문에, 개개의 절단된 다이는 상 커버가 네스트(502)위로 들어올려지면 후속 공정을 위해 정렬된다.
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른, 도 8 및 9의 네스트 및 진공 유지 플레이트 구성을 사용하는 자동화된 다이 절단 기술의 플로우 챠트를 도시한다. 단계 600에서, 기판은 유지 네스트, BGA면을 위로 그리고 몰드면을 아래로 하여 정렬된다. 일 실시예에서, 기판은 네스트상의 위치결정 핀들(도 8 및 9의 네스트(502)상의 위치결정 핀(510) 등)에 의해 네스트와 정렬된다.
단계 602에서, 절단될 네스트 및 기판의 조합은 진공 블록대상에 위치되고,진공 페데스탈의 상면에 의해 네스트의 상면으로부터 기판이 들어올려지도록 한다. 단계 604에서, 진공이 온으로 되어 진공 블록대의 페데스탈 상면에 대해 기판을 견고하게 유지한다. 단계 606에서, 기판은 BGA면을 위쪽으로 해서 절단된다. 상기 실시예의 하나의 이점은 플라스틱 또는 몰딩면을 아래로 하여 다이를 절단하는 것이 가능하다는 것이다.
단계 608에서, 상 커버는 진공이 온으로 된 동안 절단된 다이의 상부 및 네스트상에 위치된다. 전술한 바와 같이, 상 커버의 중량은 정위치에 절단된 다이를 유지하고 커버 부착 네스트 고정구가 진공 블록대로부터 들어올려질 때 절단된 다이를 아래쪽으로 가압한다(단계 610).
전술한 바와 같이, 커버 부착 네스트 고정구가 진공 블록대로부터 들어올려지면 개개의 절단된 다이가 아래로 떨어지거나 네스트의 상면을 향해 상부 커버에 의해 하향으로 가압되고, 절단된 각 다이면이 네스트 개구부 주변에 배치된 유지벽에 의해 제한된 상태에서, 플레이트와 네스트의 상면 사이에 포획되도록 된다. 그후, 다이들은 상 커버와 네스트 사이에서 제한되고, 유지벽들에 의해 제한되면서 추가 처리(예를들면, 세정, 린스, 건조등)될 수 있다. 그후, 상 커버가 들어올려져서 절단된 다이가 접근하도록 허용되는 픽 앤드 플레이스 장비가 절단된 다이들에 접근할 수 있으며, 이 때 이들 다이는 네스트의 상면에 배치되고 유지벽들에 의해 제한되고, 이것에 의해 픽 앤드 플레이스 작동을 위해 정렬된다.
본 발명의 몇가지 실시예만이 기술되었지만, 본 발명은 본 발명의 정신 및 범위를 일탈함이 없이 많은 다른 특정 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예로서 기술된 네스트 개구부들은 완전히 개방된 것으로, 즉 네스트 개구부들은 실질적으로 볼 그리드 어레이내에 모든 볼들이 노출되게 하며, 네스트 개구부들은 부분적으로만 개방된 것으로 대체될 수 있다. 부분 개방 네스트 개구부는 볼 그리드 어레이내의 볼들 중 몇개만이 진공에 유효하게 직접 노출되는 반면, 나머지는 진공에 직접 노출되는 것이 차폐된다. 부분 개방된 네스트 개구부들의 사용은 다이싱중에 진공에 의해 기판이 확실하게 유지되게 하는데 유효할 수 있다. 그러나, 다이싱된 집적회로 칩에서 잔류물을 제거하는데 사용되는 세정 및 건조 공정은 볼 주변으로부터의 잔류물의 제거는 모든 볼이 노출되지 않을 때 어려워져서 더욱 복잡해진다.
네스트의 네스트 개구부는 일반적으로 균일한 것으로서 설명되었다. 즉, 단일 네스트의 모든 네스트 개구부들은 실질적으로 동일 형상인 것으로 기술되었다. 그러나, 하나의 실시예에서, 단일 네스트내에 있는 네스트 개구부는 실질적으로 모두 동일 형상이 아니어도 된다. 예를들면, 몇개의 네스트 개구부들은 다각형인 반면, 다른 네스트 개구부들은 원형이어도 된다. 여러 다른 형상인 네스트 개구부를 갖는 네스트는 여러 다른 볼 그리드 어레이 풋프린트들을 갖는 집적 회로 칩들을 포함하는 기판에 사용하는 데 특히 적합할 수 있다.
네스트 개구부들은 다각형. 예를들면, 직사각형 및 원형을 갖는 것으로 기술되었지만, 네스트 개구부들은 일반적으로 본 발명의 정신 또는 범위를 일탈함이 없이 볼 그리드 어레이들을 수용하는데 적합한 임의의 형상를 가질 수 있다는 것을 알아야 한다. 예를 들면, 볼 그리드 어레이가 불규칙 형상을 갖는 경우, 대응되는 네스트 개구부는 또한 실질적으로 동일한 불규칙 형상을 가져도 된다. 상기 불규칙 형상은 불규칙 다각형 및 여러가지 만곡된 형상이 포함할 수 있지만, 이것에 제한되는 것은 아니다.
상술된 바와같이, 네스트는 실질적으로 직사각 형상인 기판을 유지하기 위해 배치된다. 그러나 일반적으로 네스트는 실질적으로 어떤 크기 및 형상의 기판을 수용할 수 있도록 재구성될 수 있다는 것을 알아야 한다. 네스트를 사용하여 유지되는 기판이 원형일 때 네스트는 전체적으로 원형 형상이어도 된다. 이 대신에 네스트는 유지되는 기판이 유효하게 다각형 형상인 경우, 대략 다각형 형상이어도 된다.
네스트는 다이싱 처리중에 생기는 스크랩 물질이 무제한으로 비산하는 것을 방지하기 위한 홈 또는 단(step)을 포함해도 되지만, 네스트는 반드시 홈을 포함하지 않아도 된다. 일실시예에 있어서, 네스트는 정위치에 스크랩을 유지하는 클램핑 기구를 포함해도 된다. 그대신에 다른 실시예에서, 실질적으로 고정되지 않은 스크랩 물질이 전체적인 제조프로세스에 악영향을 미치지 않는다고 결정된 경우에는, 다이싱 처리후에 스크랩 재료의 이동을 방지하지 않아도 된다.
또한, 네스트 내에 계속 기판은 본 발명의 정신 및 범위를 일탈함이 없이 임의의 집적회로 칩을 포함할 수 있다. 칩의 수는 칩의 크기 및 전체 기판의 크기 모두에 달려있다. 일 실시예에서, 대략 8인치 x 2.5인치(8in by 2.5in)인 기판은 189개의 칩을 포함할 수 있고, 이들 칩의 각각은 7 x 7 (seven by seven)볼 그리드 어레를 27 x 7(twenty-seven by seven) 전체 어레이에 포함한다. 그러나 기판 및 기판상의 칩의 크기는 넓게 변화할 수 있다는 것을 알아야 한다.
네스트는 알루미늄 또는 더욱 일반적으로는 금속으로 형성되는 것으로 설명되었다. 그러나, 통상적으로 네스트는 임의의 적합한 재료로 형성되어도 된다. 예를들면, 네스트는 플라스틱으로 형성되어도 된다. 플라스틱 네스트는 동일 크기 및 형태의 금속 네스트보다 가벼운 경우가 많고, 그 결과, 네스트의 중량이 문제로 되는 경우에는 바람직하다.
네스트에 의해 유지되는 기판의 다이싱에 관한 공정은 통상 크게 변화될 수 있다. 본 발명의 정신 또는 범위에 일탈함이 없이 공정을 변경, 추가 또는 배제할수 있다. 예로서, 기판은 네스트에 적재하고, 적재 네스트의 매거진(magazine)중에 놓고, 그 후 이것을 한번에 하나씩 진공 척상에 배치하도록 해도 된다. 즉, 적재된 네스트는 각 네스트가 진공 척위로 적재되기 전에 순번 대기 상태로 되어도 된다. 또한, 일실시예에서, 세정 및 건조 장치에서 커버 부착 네스트 고정구를 꺼내기 전에 커버부착 네스트 고정구의 커버를 제거해도 된다.
네스트의 사용은 실질적으로 자동 다이싱 공정에 대해 기술되었지만, 네스트는 또한 반자동 다이싱 공정에 사용될 수 있다는 것을 알아야 한다. 예를들면, 네스트는 진공 척상으로의 네스트의 수동 적재를 필요로 하는 다이싱 공정에 사용될수 있다. 네스트는 또한 진공 척으로부터 세정 및 건조 장치로 수동으로 이동되는 것을 요구하는 다이싱 공정에 사용될 수있다.
상기 몇가지 실시예에서 기술된 바와같이, 기판은 네스트 내로 기판의 BGA면이 네스트를 향하도록 네스트에 위치된다. 즉, 기판의 '비-평활' 면이 실질적으로 네스트 중에 위치되며, 다이싱 처리시 진공과 실질적으로 직접 접촉된다. 다른 실시예에서, 기판은 네스트 중으로 '평활' 예를들면, 비-BGA 또는 다이면이 네스트를 향하도록 네스트에 위치될 수 있다. 상기 경우에서, 기판은 비-평활 면으로부터 절단될 수 있다. 현재의 예들은 예시적인 것이며 제한적인 것은 아니라고 이해해야 하며, 본 발명은 본원에 주어진 상세한 설명에 제한되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위의 범위내에서 변형될수 있다.이상 본 발명을 상세하게 기재하고 설명하였으나, 이것은 예시적인 것이며 한정하고자한 것이 아니라는 것을 명백하게 이해할 수 있고, 본 발명의 사상 및 범위는 첨부 청구범위에 의해서만 한정된다.
본 발명은 집적회로 칩 다이싱시 기판을 유지하는 데 적합한 네스트, 접착용 테이프를 사용하지 않고 네스트를 이용하여 기판을 절단하기 위한 방법을 제공하는 효과가 있다.

Claims (36)

  1. 집적 회로칩을 포함하는 동시에, 제1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 볼 그리드 어레이를 포함하는 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 2의 기판면이 상기 집적회로 칩에 관련하는 상기 볼 그리드 어레이의 일부분으로 되는 접점을 포함하는 기판에 대해, 다이싱처리를 실시할 때, 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서,
    상기 기판의 상기 접점을 받아 들이도록 설치된 개구부를 가진 격자 배열을 포함하는 네스트 본체와,
    상기 네스트 본체에 대해, 상기 기판이 소정의 위치 관계로 정렬하도록 위치 결정하는, 적어도 하나의 정렬 수단을 구비한, 다이싱용 네스트.
  2. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 유지기구를 더 포함하고, 상기 유지기구는 상기 네스트 본체를 다이싱 장치에 실질적으로 고정하도록 되는, 다이싱용 네스트.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 네스트 본체를 상기 다이싱 장치에 실질적으로 고정하도록 된 상기 유지기구가, 상기 다이싱 장치에 설치된 진공 척에 상기 네스트 본체를 실질적으로 고정하도록 되는, 다이싱용 네스트.
  4. 청구항4는 삭제 되었습니다.
  5. 집적회로 칩을 포함하는 동시에, 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 2의 기판면이, 상기 집적회로 칩에 관련하는, 저면과 측면을 가진 적어도 하나의 볼을 포함하는 볼 그리드 어레이를 포함하는 기판을, 테이프를 사용하지 않는 형태로 절단하기 위한 기판 절단 방법으로서,
    상기 제 2의 기판면을 하향으로 하는 동시에, 상기 볼 그리드 어레이를 네스트 기구에 설치된 개구부를 가진 격자배열로 받아 들이도록 함으로써, 상기 네스트 기구내에 상기 기판을 배치하여 이 기판을 유지하는 단계와,
    진공 척과 절단 톱(cutting saw)을 포함하는 절단 수단의 상기 진공 척상에 상기 네스트 기구를 위치 결정하는 단계와,
    상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해 상기 기판의 상기 제 2의 기판면을, 상기 네스트 기구를 통해 상기 진공 척에 대해 결합하는 단계와,
    상기 절단 톱을 이용하여 상기 제 1의 기판면 측으로부터 상기 기판을 절단하는 단계를 구비하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 기판의 상기 제 2의 기판면을 상기 진공 척에 대해 결합하는 상기 단계가, 상기 볼의 상기 측면을 상기 네스트 기구에 대해 유지하는 단계와, 상기 네스트 기구를 통해 상기 진공 척의 진공 흡인에 의해 상기 볼 그리드 어레이를 결합하는 단계를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 기판을 절단하는 상기 단계가, 상기 기판으로부터 상기 집적회로 칩을 분리하는 단계를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 볼의 측면을 상기 네스트 기구에 대해 유지하고, 또한 상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해 상기 볼 그리드 어레이를 결합하도록 함으로써, 분리된 상기 집적회로 칩이 이동하지 않도록 하는 단계를 더 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  9. 실질적으로 평활한 기판면과, 이 실질적으로 평활한 기판면 뒷쪽의, 볼 그리드 어레이를 포함하는 실질적으로 평활하지 않은 면을 가지는 기판을 절단하기 위한 방법으로서,
    상기 기판이 실질적으로 평활하지 않은 면을 하향으로 하는 동시에, 상기 볼 그리드 어레이를 네스트 본체에 설치된 개구부를 가진 격자배열에 받아 들임으로써, 실질적으로 병진 및 회전 이동하지 않도록 네스트 기구 내에 상기 기판을 정렬시켜, 상기 네스트 기구 내에 상기 기판을 유지하는 단계와,
    상기 네스트 기구를 진공 척 상에 위치 결정하는 단계와,
    상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해, 상기 기판을 상기 네스트 기구를 통해 상기 진공 척에 대해 결합하는 단계와,
    절단 수단에 의해 상기 기판을 절단하는 단계를 구비하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  10. 청구항10는 삭제 되었습니다.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 진공 척으로부터의 진공 흡인에 의해 상기 기판을 상기 진공 척에 대해 결합하는 상기 단계가, 상기 실질적으로 평활하지 않은 면을 결합하는 단계를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 기판을 절단하는 상기 단계가, 상기 실질적으로 평활한 면 측으로부터 상기 기판을 절단하는 단계를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 기판이 집적회로 칩의 배열을 포함하고, 상기 기판을 절단하는 상기 단계가, 상기 기판으로부터 상기 집적회로 칩의 배열을 절단하는 단계를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 집적회로 칩을 상기 네스트 기구에 대해 유지함으로써, 상기 절단된 집적회로 칩이 병진 및 회전 이동하지 않도록 하는 단계를 더 포함하는, 테이프리스 기판의 절단 방법.
  15. 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다도 평활한 기판에 대해, 다이싱 처리를 실시할 때에, 상기 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서,
    제 1의 네스트면과, 이 제 1의 네스트면 뒷쪽의 제 2의 네스트면을 가지는 동시에, 적어도 하나의 네스트 개구부를 규정하는 격자 배열을 포함하는 네스트 본체와, 상기 네스트 본체의 상기 제 1의 네스트면 측으로부터 이 네스트 본체와 끼워 맞추는 동시에, 이 네스트 본체와 끼워 맞출 때에 상기 네스트 개구부를 관통하는 적어도 하나의 진공 페데스탈(pedestal)을 가지는 진공 유지 플레이트를 구비하고,
    상기 네스트 개구부는 상기 기판으로부터 다이싱된 다이의 면적보다 작은 개구 면적을 가지며, 상기 격자배열은, 상기 네스트 개구부의 영역에 근접한 상기 제 1의 네스트 면상에 설치된 적어도 하나의 유지벽을 더 가지며,
    상기 진공 페데스탈은, 상기 네스트 개구부를 관통하여 배치되면, 상기 제 2의 네스트 면으로부터 상기 제1의 네스트면상으로 돌출하고, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 1의 네스트면에 대향한 상태에서 상기 기판이 상기 네스트 본체 상에 배치됨으로써, 상기 네스트 본체가 상기 진공 유지 플레이트와 끼워 맞추어진 상태에서, 상기 진공 페데스탈이 상기 기판을 상기 제 1의 네스트면으로부터 들어 올리는, 다이싱용 네스트.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 네스트 본체를 상기 진동 유지 플레이트와 끼워 맞출 때에, 상기 기판이 상기 네스트 본체의 상기 제 1의 네스트면으로부터 들어올려진 상태에서, 상기 기판이 다이싱되는, 다이싱용 네스트.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 진공 페데스탈이 진공 포트를 포함하고, 상기 진공 포트는 상기 네스트 본체가 상기 진공 유지 플레이트와 끼워 맞추어져서 진공 흡인이 개시되면, 상기 다이를 상기 진공 페데스탈의 상면에 대해 견고하게 유지하도록 구성되는, 다이싱용 네스트.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 유지벽의 높이가, 상기 진공 페데스탈이 상기 네스트 본체의 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출하는 높이보다 낮은, 다이싱용 네스트.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 진공 유지 플레이트가, 인접한 진공 페데스탈 사이에 설치된 홈을 더 포함하고, 이 홈은 다이싱처리에 의해 상기 기판으로부터 생긴 스크랩 재료를 수용하도록 배치되는, 다이싱용 네스트.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 홈이 다이싱 처리시에 톱날을 수용하도록 배치되고, 상기 홈의 깊이와, 상기 진공 페데스탈이 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출하는 높이를 합한 것은, 다이싱 처리시에 상기 톱날이 상기 제 2의 기판면아래까지 돌출하는 깊이보다 큰, 다이싱용 네스트.
  21. 제 15 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 유지 기구를 더 포함하고, 이 유지 기구는 상기 네스트를 다이싱 장치에 견고하게 고정하도록 배치되는, 다이싱용 네스트.
  22. 제 15 항에 있어서, 상기 상기 기판 위에 배치되도록 구성된 상(上) 프레이트를 더 포함하고, 상기 상 플레이트는 상기 진공 유지 플레이트가 상기 네스트 본체로부터 분리된 때에, 상기 다이를 상기 제 1의 네스트면에 대해 가압하도록, 상기 다이와 접촉하는 적어도 하나의 접촉 포스트를 포함하는, 다이싱용 네스트.
  23. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1의 기판면이 상기 기판의 몰드면이고, 상기 제 2의 기판면이 상기 기판의 볼 그리드 어레이면인, 다이싱용 네스트.
  24. 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다 평활한 기판에 대해, 테이프를 사용하지 않은 형태로 다이싱처리를 실시하기 위한 방법으로서,
    제 1의 네스트면과, 이 제 1의 네스트면 뒷쪽의 제 2의 네스트면을 가지는 동시에, 상기 기판으로부터 다이싱되는 다이의 면적보다 작은 개구 면적을 가진 적어도 하나의 네스트 개구부를 규정하는 격자 배열을 가지는 네스트를 준비하는 단계와,
    상기 기판의 상기 제 1의 기판면이 상기 제 1의 네스트면에 대향하도록 상기 네스트상에 상기 기판을 배치하는 단계와,
    상면에 적어도 하나의 진공 페데스탈을 가지는 진공 유지 플레이트를 준비하고, 상기 진공 페데스탈을 상기 제 2의 네스트면으로부터 상기 네스트 개구부를 관통시켜 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출시킴으로써, 상기 진공 유지 플레이트를 상기 네스트에 끼워 맞추고, 상기 진공 페데스탈의 상면이 상기 네스트 상에 있어서 상기 제 1의 기판면에 접촉하도록 하는 단계와,
    상기 제 1의 기판면을 상기 진공 페데스탈의 상기 상면에 대해 유지하기 위해 상기 진공 페데스탈내를 진공 상태로 하는 단계와,
    상기 기판의 상기 제 1의 기판면이 상기 진공 페데스탈의 상기 상면에 대해 유지된 상태에서, 다이싱 톱을 이용하여 상기 제 2의 기판면으로부터 상기 기판을 다이싱하는 단계를 구비하는, 테이프리스 기판의 절단방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 네스트의 상기 격자배열이, 상기 네스트 개구부에 근접하여 상기 제 1의 기판면 상에 배치된 적어도 하나의 유지벽을 포함하고, 상기 유지벽의 높이는, 상기 진공 페데스탈이 상기 네스트의 상기 제 1의 면위로 돌출하는 높이보다도 낮은, 테이프리스 기판의 절단방법.
  26. 제 24 항에 있어서, 상기 진공 유지 플레이트가, 이 진공 유지 플레이트의, , 인접하는 진공 페데스탈 사이는 오목형상 홈에 의해 이격되고, 이 오목형상 홈은 상기 다이싱 처리에 의해 생긴 절단가루를 유지하도록 배치되는, 테이프리스 기판의 절단방법.
  27. 제 24 항에 있어서, 상기 진공을 오프로 하고, 상기 기판이 다이싱된 후에 상기 네스트로부터 상기 진공 유지 플레이트를 분리하는 단계를 더 포함하는, 테이프리스 기판의 절단방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 기판이 다이싱된 후에 상기 다이상에 상 커버를 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 상 커버는 상기 진공 유지 플레이트가 상기 네스트로부터 분리되면 상기 다이를 상기 제 1의 네스트면에 가압하도록 상기 다이와 접촉하는 적어도 하나의 접촉 포스트를 포함하는, 테이프리스 기판의 절단방법.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 네스트의 상기 격자배열이, 상기 개구부에 근접하여 상기 제 1의 기판면 상에 배치된 적어도 하나의 유지벽을 포함하고, 상기 유지벽은 상기 진공 유지 플레이트가 상기 네스트로부터 분리되고, 상기 다이가 상기 상 커버에 의해 상기 제 1의 네스트면에 대해 가압된 후에, 상기 다이의 병진 이동 및 회전 이동 중 한쪽을 제한하도록 구성되는, 테이프리스 기판의 절단방법.
  30. 제 24 항에 있어서, 상기 제 1의 기판면이 상기 기판의 몰드면이고, 상기 제 2의 기판면이 상기 기판의 볼 그리드 어레이면인, 테이프리스 기판의 절단방법.
  31. 제 1의 기판면과, 이 제 1의 기판면 뒷쪽의 제 2의 기판면을 가지며, 상기 제 1의 기판면이 상기 제 2의 기판면보다도 평활한 기판에 대해, 다이싱 처리를 실시할 때에, 상기 기판을 지지하기 위해 이용되는 네스트로서,
    제 1의 네스트면과, 상기 제 1의 네스트면의 뒷면의 제 2의 네스트면과를 가지는 동시에, 상기 기판으로부터 다이싱된 다이의 면적보다도 작은 개구면적을 가지는 개구를 포함하고, 상기 제 1의 네스트면상에 상기 제 1의 기판면을 지지하기 위한 네스트 본체와, 상기 다이싱 처리시에 있어서 상기 다이를 유지하기 위해, 상기 제 2의 네스트면으로부터 상기 개구를 관통하여 배치되고, 또한 상기 제 1의 네스트면상으로 돌출하는 동시에, 상면이, 상기 다이싱 처리시에 상기 다이에 의해 진공 시일을 형성하도록 구성된, 진공 페데스탈을 구비한, 다이싱용 네스트.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 네스트 본체가, 상기 기판이 상기 제 1의 네스트면상에 배치된 때에 상기 기판과 상기 네스트 본체를 정렬시키기 위한 위치 결정 수단을 더 포함하는, 다이싱용 네스트.
  33. 제 31 항에 있어서, 상기 기판이 다이싱된 후에 상기 기판 위에 배치되도록 구성된 커버 수단을 더 포함하고, 상기 커버 수단은, 상기 진공 페데스탈이 상기 네스트 본체로부터 분리된 때에, 상기 다이에 접촉하여 이 다이를 상기 제 1의 네스트면에 대해 가압하는, 적어도 하나의 가압수단을 포함하는, 다이싱용 네스트.
  34. 제 31 항에 있어서, 상기 제 1의 기판면이 상기 기판의 몰드면이고, 상기 제 2의 기판면이 상기 기판의 볼 그리드 어레이면인, 다이싱용 네스트.
  35. 청구항35는 삭제 되었습니다.
  36. 청구항36는 삭제 되었습니다.
KR1019990008445A 1998-03-13 1999-03-13 다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법 KR100331375B1 (ko)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7785098P 1998-03-13 1998-03-13
US60/077,850 1998-03-13
US09/156,593 1998-09-18
US09/156,961 US6165232A (en) 1998-03-13 1998-09-18 Method and apparatus for securely holding a substrate during dicing
US9/156,593 1998-09-18
US09/156,961 1998-09-18
US09/156,593 US6187654B1 (en) 1998-03-13 1998-09-18 Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
US9/156,961 1998-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990077855A KR19990077855A (ko) 1999-10-25
KR100331375B1 true KR100331375B1 (ko) 2002-04-03

Family

ID=26759756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990008445A KR100331375B1 (ko) 1998-03-13 1999-03-13 다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6165232A (ko)
KR (1) KR100331375B1 (ko)
MY (1) MY123280A (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6187654B1 (en) 1998-03-13 2001-02-13 Intercon Tools, Inc. Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
US6325059B1 (en) * 1998-09-18 2001-12-04 Intercon Tools, Inc. Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
JP3485816B2 (ja) * 1998-12-09 2004-01-13 太陽誘電株式会社 ダイシング装置
US6688300B2 (en) * 1999-04-08 2004-02-10 Intercon Technologies, Inc. Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
US6321739B1 (en) * 1999-04-16 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Film frame substrate fixture
US6364299B1 (en) * 1999-07-09 2002-04-02 J. Schmalz Gmbh Vacuum holding apparatus
JP4388640B2 (ja) * 1999-09-10 2009-12-24 株式会社ディスコ Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル
KR100431282B1 (ko) * 1999-12-30 2004-05-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 픽업 방법 및 이를 위한 클램프
US6471525B1 (en) * 2000-08-24 2002-10-29 High Connection Density, Inc. Shielded carrier for land grid array connectors and a process for fabricating same
ATE366995T1 (de) * 2001-03-22 2007-08-15 Asm Assembly Automation Ltd Vorrichtung und verfahren zur bestückungsbehandlung
KR100441790B1 (ko) * 2001-03-22 2004-07-27 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 픽업 및 재치 장치와 그 방법
US7267037B2 (en) * 2001-05-05 2007-09-11 David Walter Smith Bidirectional singulation saw and method
US20020185121A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-12 Farnworth Warren M. Group encapsulated dicing chuck
US6787382B1 (en) 2001-08-30 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Method and system for singulating semiconductor components
US6746022B2 (en) * 2001-12-26 2004-06-08 Asm Assembly Automation Ltd. Chuck for holding a workpiece
US7147721B2 (en) * 2002-12-30 2006-12-12 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method for cleaning electronic packages
US6935549B2 (en) * 2003-05-23 2005-08-30 Medtronic, Inc. Brazing fixtures and methods for fabricating brazing fixtures used for making feed-through assemblies
US7281535B2 (en) * 2004-02-23 2007-10-16 Towa Intercon Technology, Inc. Saw singulation
SG145540A1 (en) * 2004-03-12 2008-09-29 Advanced Systems Automation Semiconductor package singulating system and method
US8011058B2 (en) * 2006-10-31 2011-09-06 Asm Assembly Automation Ltd Singulation handler system for electronic packages
US7730611B2 (en) * 2007-03-29 2010-06-08 Siemens Energy & Automation, Inc. High capacity pick and place process
DE202009012640U1 (de) 2009-09-21 2009-12-17 Rea Plastik Tech Gmbh Verschmutzungsreduzierter Siebkorb aus thermoplastischem Kunststoff für den Einsatz in der Rauchgasentschwefelung
US20130078768A1 (en) * 2011-09-28 2013-03-28 Texas Instruments Incorporated Nest mechanism with recessed wall segments
JP2014200888A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 ローム株式会社 吸引保持装置およびウエハ研磨装置
KR101671446B1 (ko) * 2014-11-25 2016-11-01 선문대학교 산학협력단 부품 제조 방법
CN107921601B (zh) * 2015-07-21 2023-06-20 康宁股份有限公司 对玻璃基材进行边缘精整的方法和设备
RU2740788C1 (ru) * 2020-05-12 2021-01-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" Способ разделения на отдельные микросхемы герметизированной с помощью эпоксидного компаунда мультиплицированной подложки
RU2743451C1 (ru) * 2020-05-12 2021-02-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет" Способ разделения герметизированной с помощью эпоксидного компаунда мультиплицированной подложки на отдельные микросхемы
KR102598274B1 (ko) * 2020-11-25 2023-11-06 세메스 주식회사 지지 유닛 및 반도체 패키지 절단 장치
US11729915B1 (en) 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252255A (ja) * 1993-03-01 1994-09-09 Fujitsu Miyagi Electron:Kk チップトレイ
JPH08250454A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Nippondenso Co Ltd 半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3809050A (en) * 1971-01-13 1974-05-07 Cogar Corp Mounting block for semiconductor wafers
US4004955A (en) * 1973-05-24 1977-01-25 General Motors Corporation Positive selective nickel alignment system
US4046985A (en) * 1974-11-25 1977-09-06 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer alignment apparatus
US3976288A (en) * 1975-11-24 1976-08-24 Ibm Corporation Semiconductor wafer dicing fixture
US4600936A (en) * 1983-07-12 1986-07-15 International Business Machines Corporation Chip registration mechanism
US4685363A (en) * 1985-05-22 1987-08-11 Gerber Scientific, Inc. Apparatus and method for supporting and working on sheet material
US5710065A (en) * 1995-01-03 1998-01-20 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for breaking and separating dies from a wafer
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252255A (ja) * 1993-03-01 1994-09-09 Fujitsu Miyagi Electron:Kk チップトレイ
JPH08250454A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Nippondenso Co Ltd 半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具

Also Published As

Publication number Publication date
US6165232A (en) 2000-12-26
KR19990077855A (ko) 1999-10-25
MY123280A (en) 2006-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100331375B1 (ko) 다이싱용 네스트 및 이것을 이용한 테이프리스 기판의 절단방법
JP3065070B2 (ja) ダイシング用ネストおよびそれを用いたテープレス基板の切断方法
US6187654B1 (en) Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
US6688300B2 (en) Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
EP0987739B1 (en) Arrangement configured to support substrate during a dicing process
US6325059B1 (en) Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
KR20080098018A (ko) 웨이퍼 개별화용의 지지체
US6787382B1 (en) Method and system for singulating semiconductor components
JP2004193493A (ja) ダイピックアップ方法および装置
WO2003069660A1 (fr) Mecanisme de transport d'objets de type plaque et dispositif associe de decoupage en des
JPS6022500B2 (ja) 位置合せ載置方法
JP4565433B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
TWI843787B (zh) 工件的保持方法及工件的處理方法
EP1848027A2 (en) Nest for dicing, and method and apparatus for cutting tapeless substrate using the same
JP2004330417A (ja) 基板の切断方法、切断装置および基板吸着固定機構
JPH02130103A (ja) ダイシング用治具
JPS6234444Y2 (ko)
JP2003209071A (ja) 樹脂封止済基板の切断用治具
US20030063967A1 (en) Method and apparatus for minimizing semiconductor wafer contamination
US4085038A (en) Methods of and apparatus for sorting parts of a separated article
JP2005085790A (ja) 基板の切断方法及び装置
JP2023091211A (ja) デバイスチップの製造方法、及び板状物
JP2832077B2 (ja) コレット位置合わせ方法
JPH0722547U (ja) チップトレー
JP2003151918A (ja) ダイシングテーブルおよびこれを用いたダイシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100310

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee