KR100309662B1 - 반도체장치및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

종래의 실란과 과산화 수소를 혼합 가스로서 사용하는 CVD법으로 형성한 실리콘 산화막에서는 상하 배선을 접속하는 접속 구멍(비어)에서 포이즌드 비어(poisoned via)라 불리는 배선 불량이 생긴다.
반도체 장치의 층간 절연막을, 실리콘 원자를 주요소로 하고, 상기 실리콘 원자가 산소 결합 및 탄소 결합을 갖는 동시에, 상기 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖는 재료를 사용하여 형성한다. 또한, 층간 절연막의 형성 방법으로서, 가스 분자 구조로서 실리콘 원자가 수소 결합 및 탄소 결합을 갖는 반응성 가스와 과산화 수소에 의한 혼합 가스를 사용하여 화학적 기상 성장법(CVD)으로 층간 절연막을 형성한다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 장치와 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 층간 절연막의 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 층간 절연막의 형성을 위해, 실리콘 화합물, 예를 들면 실란 가스(SiH4)와 과산화 수소(H2O2)를 사용하여 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한 실리콘 산화막은 0.25㎛ 이하의 극미세한 배선간을 매립할 수 있고, 또한 유동성이 우수하며, 그로 인해 자기 평탄화 작용을 나타내기 때문에, 종래로부터 사용되어 온 SOG(Spin On Glass)법 등을 대신하는 차세대 층간 절연막의 평탄화 방법으로서 주목되고 있다. 예를 들면, "NOVEL SELF-PLANARIZING CVD OXIDE FOR INTERLAYER DIELECTRIC APPLICATIONS"(Technical digest of IEDM 1994) 참조.
이 방식에 의한 실리콘 산화막의 형성은 이하의 화학식에 따라 행해진다. 우선, 실란 가스(SiH4)가 과산화 수소(H2O2)와 산화 반응함으로써 실라놀(Si(OH)4)이 형성된다(화학식 1a ∼ 1c). 형성된 실라놀은 가수분해 또는 열에너지에 의해 탈수 중합 반응을 일으켜 실리콘 산화막(SiO2)을 생성시킨다(화학식 2). 이와 같은 반응이 어떤 기판 상에서 행해진 경우 실리콘 산화막을 형성한 것이 된다.
도 7은 상기 방식을 이용한 종래의 층간 절연막의 형성 플로우를 나타낸 모식도이다.
도 7을 참조하여 층간 절연막 형성 플로우의 설명을 행한다.
우선, 도 7a에서 참조 번호(1)는 실리콘 기판과 그 위에 형성된 소자 및 절연층을 포함하는 반도체 장치 기판을 나타낸다. 이 기판(1) 상에 알루미 배선(2)이 형성되어 있다.
층간 절연막의 형성은, 상기한 바와 같이 알루미 배선(2)이 실시된 기판(1) 상에, 우선 제1 플라즈마 산화막(3)을 형성한다. 다음에, 제1 플라즈마 산화막(3)을 덮도록 상술한 실란 가스(SiH4) 및 과산화 수소(H2O2)를 사용한 CVD법으로 실리콘 산화막(4a)을 형성한다. 최후에, 제2 플라즈마 산화막(5)을 전체 덮도록 형성하여, 평탄한 층간 절연막이 형성된다.
그런데, 실란 가스(SiH4) 및 과산화 수소(H2O2)를 사용한 CVD법에 의한 실리콘 산화막은 막 형성 과정에서 생성되는 실라놀이 우수한 유동성을 가짐으로써, 극미세한 배선간의 매립을 가능케 하고, 또한 우수한 자기 평탄화 특성을 실현한다.
그러나, 이와 같은 실라놀로부터 생성된 실리콘 산화막의 비유전율은 4.0 ∼ 5.0이다. 최근의 디바이스의 미세화에 따라 층간 절연막의 용량에 기인한 배선 지연의 문제가 심각하게 되어 있다. 이 때문에, 이후의 층간 절연막에서는 그 용량을 줄이는 것이 큰 명제로 되어 있다. 특히, 0.3㎛ 이하로 미세하게 된 배선간의 용량을 감소시키는 것이 중요하고, 그 때문에 비유전율이 낮으면서 매립성, 평탄화 특성에 우수한 층간 절연막이 요구되고 있다.
이와 같은 요구를 충족하는 종래 방법으로서 막 중에 메틸기를 포함하는 유기 SOG가 있다. 이 재료는 도 8에 나타낸 바와 같은 분자 구조를 갖고 있고, 실리콘 원자의 1개의 결합을 메틸기로 종단(終端)시킴으로써 Si-O 네트워크를 분단시키고, 그 결과 막 밀도가 저하되어 낮은 비유전율화를 실현하고 있다. 예를 들면,"A New Methylsilsesquioxane Spin-on-Polymer"(Proceedings of The 48th Symposium on Semiconductor and Integrated circuits Technology 1994), 및 "New Reflowable Organic Spin-on-Glass for Advanced Gap-filling and Planarization"(Proceedings of VMIC Conference) 참조.
이 재료에서는 저유전율화를 행하기 위해 다량의 메틸기를 혼입시킬 필요가 있고, 이로 인해 야기되는 포이즌드 비어(poisoned via)라 불리는 배선의 신뢰성 불량이 문제로 되어 있다.
도 9는 포이즌드 비어 불량의 발생 메카니즘을 설명하기 위한 도면이다. 도 9에서 참조 번호(1)는 소자 및 절연막이 형성된 기판, 참조 번호(2)는 하층의 알루미 배선, 참조 번호(3)는 제1 플라즈마 산화막, 참조 번호(4a)는 유기 SOG, 참조 번호(5)는 제2 플라즈마 산화막, 참조 번호(6)는 질화티탄막/티탄막, 참조 번호(7)는 텅스텐막, 참조 번호(8)는 산소 플라즈마에 의한 변성층, 참조 번호(9)는 비어 측벽으로부터 이탈되어 있는 수분, 참조 번호(10)는 공극(포이즌드 비어)을 나타낸다.
포이즌드 비어는 상하 배선을 접속하는 접속 구멍(비어: 10)에서 야기되는 불량으로, 비어 측벽에 노출된 유기 SOG(4a)가 비어를 개구한 후의 레지스트 제거에 사용되는 산소 플라즈마에 의해 변성되는, 즉 Si-CH3기가 산소 플라즈마에 의해 Si-OH기로 변화되고, 외부로부터의 수분의 침입이 용이하게 됨으로써 발생된다. 외부로부터 침입된 수분은, 예를 들면 비어 내를 CVD법에 의한 텅스텐(7)으로 매립할 때에 측벽으로부터 방출되고, 비어(10) 내에서의 텅스텐(7)의 성장을 방해한다. 이 결과, 비어(10)에서의 저항 상승 또는 단선이 생기고, 배선의 신뢰성을 현저하게 열화시킨다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 메틸실란 등의 유기 실란 및 과산화 수소(H2O2)를 사용한 CVD법에 의한 실리콘 산화막에 있어서, 포이즌드 비어 불량을 방지하면서, 우수한 매립 성능을 실현함과 동시에, 형성된 절연막의 비유전율을 저하시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 장치는, 그 층간 절연막이 실리콘 원자를 주요소로 하고, 상기 실리콘 원자가 산소 결합 또는 탄소 결합을 갖는 동시에, 상기 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖는 재료로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치는 상기 탄소 결합이 메틸기, 에틸기 또는 비닐기 중 어느 하나와의 결합인 것을 특징으로 한다.
다음에, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 가스 분자 구조로서 실리콘 원자가 수소 결합 및 탄소 결합을 갖는 반응성 가스와 과산화 수소에 의한 혼합 가스를 사용하여 화학적 기상 성장법으로 층간 절연막을 형성함과 동시에, 상기 형성된 층간 절연막이 실리콘 원자를 주요소로 하고, 상기 실리콘 원자가 산소 결합 및 탄소 결합을 갖는 동시에, 상기 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 반응성 가스로서 유기 실란을 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 유기 실란으로서 메틸실란, 에틸실란 또는 비닐실란 중 어느 하나 또는 그 혼합물을 주성분으로서 사용하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 반도체 장치의 제조 방법, 특히 층간 절연막의 형성 방법을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의해 원료 가스에 메틸실란을 사용한 경우의 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 모식도.
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 산화막 및 종래 방법에 따른 유기 SOG의 수분 탈리량의 측정 결과를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 의해 원료 가스에 모노메틸실란과 디메틸실란의 혼합 가스를 사용한 경우의 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 모식도.
도 5는 본 발명의 제3 실시 형태에 의해 원료 가스에 모노에틸실란을 단독으로, 또는 모노에틸실란과 디에틸실란의 혼합 가스를 사용한 경우의 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 모식도.
도 6은 본 발명의 제4 실시 형태에 의해 원료 가스에 비닐실란을 사용한 경우의 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 모식도.
도 7은 종래 방법에서의 층간 절연막의 형성 플로우의 모식도.
도 8은 종래의 유기 SOG의 분자 구조의 모식도.
도 9는 종래의 포이즌드 비어 불량의 메카니즘을 설명하는 모식도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반도체 장치 기판
2 : 알루미 배선
3 : 제1 플라즈마 산화막
4 : 유기 실란 가스 및 과산화 수소를 사용한 CVD법에 의한 실리콘 산화막
5 : 제2 플라즈마 산화막
(발명의 실시 형태)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 도면중 동일한 부호는 동일 또는 그에 상당하는 부분을 나타낸다.
제1 실시 형태
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법, 특히 그 층간 절연막을 형성하는 방법을 나타낸 흐름도로, 각 공정에서의 단면도를 나타내고 있다.
도 1을 참조하여 그 제조 방법, 특히 층간 절연막의 형성 공정에 대하여 설명한다.
우선, 도 1a에서 참조 번호(1)는 실리콘 기판과 그 위에 형성된 소자 및 절연층을 포함하는 반도체 장치 기판을 나타낸다. 이 기판(1) 상에 알루미 배선(2)이 형성되어 있다.
층간 절연막의 형성은, 우선 알루미 배선(2)을 갖는 기판(1) 상에 제1 플라즈마 산화막(3)을 형성한다.
이 산화막은 플라즈마 CVD법으로 형성된다. 일반적인 형성 조건은 형성 온도가 300℃, 압력이 700mTorr(9.13Pa), 고주파 전력이 500W이고, 원료 가스에 실란(SiH4)과 아산화 질소(N2O)를 사용하고 있다. 형성된 산화막의 두께는 1000Å이다.
물론, 이 경우 원료 가스로서 TEOS(Tetraethoxysilane)와 산소를 사용하고, 플라즈마 CVD법에 의해 일반적으로는 형성 조건이 400℃, 압력이 5Torr(665Pa), 고주파 전력이 500W로 형성된 플라즈마 산화막을 사용해도 된다.
다음에, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 제1 플라즈마 산화막(3) 상에 메틸실란(SiH3CH3) 및 과산화 수소(H2O2)를 사용한 CVD법에 의한 실리콘 산화막(4; 이하 간단히 HMO라 칭함)을 형성한다.
다음에, 도 1c에 나타낸 바와 같이, CVD법에 의한 실리콘 산화막(4) 상에 제2 플라즈마 산화막(5)을 형성한다. 이 제2 플라즈마 산화막(5)의 형성 조건은 제1 플라즈마 산화막(3)과 동일한 조건이어도 된다. 또한, 다른 조건으로 형성해도 된다.
또한, 도 1c에는 도시하지 않았지만, 반도체 장치의 제조 공정으로서는 제2 플라즈마 산화막(5)의 상층에 제2 알루미 배선을 형성한다. 또한, 하층 배선과 상층 배선을 접속하는 접속 구멍도 형성한다. 그 외 필요한 공정을 거쳐 반도체 장치를 제조한다.
이상 설명한 실시 형태의 특징은 CVD법에 의한 실리콘 산화막(4: HMO막)의분자 구조 및 그 형성 방법에 있다. 여기서 사용한 메틸실란은 모노메틸실란(SiH3CH3)이다. 대표적인 HMO막의 형성 조건은 이하와 같다.
· 형성 온도 : 1℃
· 형성 압력 : 1000mTorr(133Pa)
· 가스 유량 : SiH3CH380SCCM
H2O20.65g/분
또한, 성막 가능한 조건 범위는 이하와 같다.
· 형성 온도 : -20 ∼ 20℃
· 형성 압력 : 500 ∼ 2000mTorr(66.5∼226Pa)
· 가스 유량 : SiH3CH340 ∼ 200SCCM
H2O20.4 ∼ 0.9g/분
이 조건 하에서의 성막은 이하의 화학 반응식에 따른 것으로 간주한다.
이상과 같은 화학 반응에서는, 우선 모노메틸실란(SiH3CH3)과 과산화 수소(H2O2)와의 반응에 의해 Si-OH 결합을 포함하는 중간체[SiH2(OH)CH3, SiH(OH)2CH3및 Si(OH)3CH3]가 생긴다(화학식 3a, 3b 및 3c).
그 후, 중간체 중의 Si-OH기끼리의 탈수축합(脫水縮合: hydrocondensation)에 의해 Si-O 네트워크를 성장시키지만, 이 과정에 기여하는 중간체는 주로 화학식 3b에서 생성된 것이고, 반응은 화학식 4와 같게 된다. 화학식 3a에서 형성된 중간체는 Si-O 네트워크를 종단시킬 때의 반응에 기여한다. 또한, 확률적으로는 적지만 화학식 3c에서 형성된 중간체도 성막에 기여한다.
도 2는 이와 같은 조건에 의해 형성된 실리콘 산화막의 분자 구조를 모식적으로 나타낸 도면이다. 이 층간 절연막은 실리콘 원자를 주요소로 하고, 이들 실리콘 원자가 산소 결합 및 탄소 결합을 갖는 동시에, 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖도록 형성되어 있다. 그리고, 이 경우 탄소 결합은 메틸기와의 결합으로 되어 있다.
종래 방법인 유기 SOG에서는 도 8에 나타낸 바와 같이, Si-O 결합 및 Si-CH3결합으로 구성되어 있다. 이것에 대비하여, 본 발명에 따른 HMO막은 Si-O 결합 및 Si-CH3결합 및 Si-H 결합으로 구성되어 있다.
이 경우, 종래 방법에서는 존재하지 않는 Si-H 결합이 분자 구조 내에 존재하기 때문에, 유기 SOG의 경우에서의 Si-CH3결합의 일부가 Si-H 결합으로 치환되게 되고, Si-CH3결합의 함유량이 저농도에서도 동일한 밀도 저하를 일으킬 수 있다. 따라서, 보다 저농도의 Si-CH3기의 혼입에서도 같은 정도의 저유전율화가 가능하게 된다.
본 발명에 따른 HMO막의 탈가스 특성을 종래 방법의 유기 SOG의 탈가스 특성과 대비하여 설명한다.
도 3a는 HMO막 또는 SOG로부터의 수분의 탈리량(脫離量)의 측정에 사용한 시료 구조를 나타낸다. 이 시료는 도시한 바와 같이, 반도체 기판(1) 상에 제1 플라즈마 산화막(3), 본 발명의 실리콘 산화막 또는 종래의 실리콘 산화막(4), 제2 플라즈마 산화막을 적층하여, 접속 구멍(비어: 6)을 개구한 것이다.
이와 같은 시료에 의해 승온 탈리 가스 분석법을 이용하여 비어(6)의 측벽에 노출된 HMO막 또는 유기 SOG로부터의 수분의 탈리량을 측정했다. 도 3a에 나타낸 시료 구조에서는, 실제로 비어 개구 후의 레지스트 제거시의 산소 플라즈마에 비어 측벽이 드러나게 된다.
도 3b는 본 발명에 따른 HMO막의 탈가스 특성과 종래 방법의 유기 SOG의 탈가스 특성을 나타낸 도면이다. 이 도면으로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 HMO막의 수분 탈리량이 적다는 것을 알 수 있다. 이와 같은 결과는 본 발명에 따른 HMO막의 Si-CH3결합 농도가 유기 SOG에 비해 낮기 때문이라 생각된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 HMO막은 종래 방법인 유기 SOG와 같은 정도의 낮은 비유전율을 실현하고, 또한 종래 방법에서 문제가 되었던 포이즌드 비어 불량을 해결하여, 보다 고신뢰성의 층간 절연막 구조를 제공할 수 있다라는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 HMO막을 제1 플라즈마 산화막(3) 상에 형성했지만, 직접 알루미 배선(2) 상에 형성할 수도 있다.
제2 실시 형태
제1 실시 형태에서는 메틸실란으로서 모노메틸실란[SiH3CH3]을 사용했지만, 본 실시 형태에서는 디메틸실란[SiH2(CH3)2]을 동시에 혼합하여 사용한다. 이 경우의 화학 반응식은 화학식 3a, 3b 및 4외에 이하의 화학식 5a, 5b가 추가된다.
화학식 5a에 의해 생성된 중간체는 화학식 3a와 마찬가지로 Si-O 네트워크를 종단시키는 반응에만 기여한다. 또한, 확률적으로 적지만, 화학식 5b의 반응도 성막에 기여한다.
도 4는 본 실시 형태에 의해 형성된 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 도면이다. 도 3의 구조에 비해, Si-O 네트워크의 종단부에서 메틸기가 약간 증가하는 것을 제외하고는 도 3의 구조와 기본적으로는 동일하게 된다.
즉, 본 실시 형태에서도 HMO막은 Si-O 결합 및 Si-CH3결합 및 Si-H 결합으로 구성되어 있다. 이 경우도, 종래 방법에서는 존재하지 않는 Si-H 결합이 분자 구조 내에 존재하기 때문에, 유기 SOG의 경우에서의 Si-CH3결합의 일부가 Si-H 결합으로 치환되게 되고, Si-CH3결합의 함유량이 저농도에서도 동일한 밀도 저하를 일으킬 수 있다. 따라서, 보다 저농도의 Si-CH3기의 혼입에서도 같은 정도의 낮은 비유전율화가 가능하게 된다.
제3 실시 형태
상술한 제1 실시 형태에서는 반응성 가스로서 메틸실란을 사용했지만, 본 실시 형태에서는 에틸실란[모노에틸실란(SiH3(C2H5))], 또는 모노에틸실란과 에틸실란[SiH2(C2H5)2]을 혼합하여 사용한다.
에틸실란을 단독으로 사용할 경우, 화학식 3a, 3b, 3c 및 4와 동일한 반응에 의해 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 이 경우의 화학 반응식은 이하와 같다.
또한, 디에틸실란을 혼합하여 사용할 경우, 상기 화학식 6a, 6a, 6c 및 7에, 이하의 화학식 8a 및 8b가 추가된다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 도면으로, 도 5a는 모노에틸실란의 가스를 사용한 경우, 도 5b는 모노에틸 실란과 디에틸실란과의 혼합 가스를 사용한 경우이다.
도 2, 도 4와 도 5a, 도 5b를 각각 대비하면, 메틸기가 에틸기로 치환되어 있는 것을 제외하고는 같은 구조로 되어 있다.
즉, 본 실시 형태에서는 HMO막이 Si-O 결합 및 Si-C2H5결합 및 Si-H 결합으로 구성되어 있다. 이 경우도, 종래 방법에서는 존재하지 않는 Si-H 결합이 분자 구조 내에 존재하기 때문에, 유기 SOG의 경우에서의 Si-C2H5결합의 일부가 Si-H 결합으로 치환되게 되고, Si-C2H5결합의 함유량이 저농도에서도 동일한 밀도 저하를 일으킬 수 있다. 따라서, 보다 저농도의 Si-C2H5기의 혼입에서도 같은 정도의 낮은 유전율화가 가능하게 된다.
제4 실시 형태
상술한 제1 실시 형태에서는 반응성 가스로서 메틸실란을 사용했지만, 본 실시 형태에서는 비닐실란[SiH3(CH=CH2)]을 사용한다.
비닐실란을 사용할 경우, 화학식 3a, 3b, 3c 및 4와 동일한 반응에 의해 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 이 경우의 화학 반응식은 이하와 같다.
도 6은 본 실시 형태에 따른 실리콘 산화막의 분자 구조를 나타낸 도면이다. 도 2와 도 6을 대비하면, 메틸기가 비닐기로 치환되어 있는 것을 제외하고는 같은구조로 되어 있다.
즉, 본 실시 형태에서는 HMO막이 Si-O 결합 및 Si-CH=CH2결합 및 Si-H 결합으로 구성되어 있다. 이 경우도, 종래 방법에서는 존재하지 않는 Si-H 결합이 분자 구조 내에 존재하기 때문에, 유기 SOG의 경우에서의 Si-CH=CH2결합의 일부가 Si-H 결합으로 치환되게 되고, Si-CH=CH2결합의 함유량이 저농도에서도 동일한 밀도 저하를 일으킬 수 있다. 따라서, 보다 저농도의 Si-CH=CH2기의 혼입에서도 같은 정도의 낮은 유전율화가 가능하게 된다.
또한, 이상의 각 실시 형태에서는 반응성 가스로서 각각 메틸실란, 에틸실란 또는 비닐실란을 사용했다. 이들 반응성 가스에 의해 형성되는 실리콘 산화막을 비교하면, 막의 구조 상 또는 화학 구조 상에서는 메틸실란이 막 밀도가 가장 크고, 다음에 에틸실란, 비닐실란의 순서로 된다. 또한, 비유전율의 크기도 이 순서로 된다.
또한, 모노메틸실란 또는 모노에틸실란의 단독계로 형성된 실리콘 산화막과, 모노메틸실란과 디메틸실란, 또는 모노에틸실란과 디에틸실란의 혼합계로 형성된 막을 비교하면, 혼합계를 사용했을 경우는 단독계보다 많은 유기기(有機基)를 도프하게 되어 포이즌드 비어의 억제 효과는 저하되지만, 비유전율은 감소된다.
따라서, 이들을 바탕으로 하여, 용도에 따라 적당한 반응 가스를 선택하여 사용하면 된다. 또한, 상기 각 반응성 가스를 더 혼합하여 사용할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 장치는 그 층간 절연막으로서 실리콘 원자를 주요소로 하고, 상기 실리콘 원자가 산소 결합 및 탄소 결합을 갖는 동시에, 상기 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖는 재료를 사용하여 형성한다. 또한, 그 탄소 결합으로는 메틸기, 에틸기 또는 비닐기 중 어느 하나가 사용된다.
이로 인해, 종래의 층간 절연막에서는 존재하지 않는 Si-H 결합이 분자 구조내에 존재하기 때문에, 종래의 Si-C 결합의 일부가 Si-H 결합으로 치환되어 있게 되고, 소량의 Si-C 결합으로도 밀도 저하를 야기시킬 수 있어, 저유전율이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서는 그 층간 절연막의 형성 방법으로서, 가스 분자 구조로서 실리콘 원자가 수소 결합 및 탄소 결합을 갖는 반응성 가스와 과산화 수소에 의한 혼합 가스를 사용하여 화학적 기상 성장법으로 층간 절연막을 형성함과 동시에, 상기 형성된 층간 절연막이 실리콘 원자를 주요소로 하고, 상기 실리콘 원자가 산소 결합 및 탄소 결합을 갖는 동시에, 상기 실리콘 원자의 적어도 일부가 수소 결합을 갖도록 형성된다.
또한, 반응성 가스로서 유기 실란을 사용한다. 보다 구체적으로는, 유기 실란으로서 메틸실란, 에틸실란 또는 비닐실란 중 어느 하나 또는 그 혼합물을 주성분으로서 사용한다.
이와 같은 제조 방법에 의해 상술한 바와 같은 밀도가 낮고, 비유전율이 낮은 층간 절연막이 얻어지고, 그와 같은 층간 절연막을 구비한 반도체 장치가 얻어진다.

Claims (3)

  1. 가스분자구조로서 실리콘원자가 수소결합 및 탄소결합을 갖는 반응성 가스와 과산화수소에 의한 혼합가스를 사용하여 화학기상성장법으로 층간절연막을 형성함으로써, 상기 화학기상성장법에 의한 상기 층간절연막의 성장 과정 중의 상기 혼합가스 사이의 화학 반응을 통해 상기 층간절연막이 실리콘 원자를 주요소로 하고 상기 실리콘 원자가 산소결합 및 탄소결합을 갖는 동시에 적어도 일부의 상기 실리콘원자가 수소결합을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 층간절연막 제조방법.
  2. 제1항에 따라 제조된 층간절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 탄소 결합은 메틸기, 에틸기, 또는 비닐기 중 어느 하나와의 결합인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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