KR100294317B1 - 초소형 냉각 장치 - Google Patents

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KR100294317B1
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Abstract

본 발명은 초소형으로 제작할 수 있으면서도 중력의 영향을 거의 받지 않아 설치 장소 및 위치에 제한을 받지 않으며, 뛰어난 냉각 효율을 발휘할 수 있는 냉각 장치를 제공하기 위하여, 본 발명은 초소형으로 제작할 수 있으면서도 중력의 영향을 거의 받지 않아 설치 장소 및 위치에 제한을 받지 않으며, 뛰어난 냉각 효율을 발휘할 수 있는 냉각 장치를 제공하기 위하여, 열원으로부터의 열을 제거하기 위한 냉각 장치에 있어서, 내부 구조물을 수용하기 위한 하우징; 상기 하우징 내부에서 상기 열원에 인접한 영역에 형성된 다수의 미세 채널을 포함하는 열흡수부; 상기 열흡수부에 의하여 흡수된 열이 열흡수부 이외의 다른 영역으로 전달되는 것을 방지하기 위하여 상기 열흡수부에 인접하여 형성된 단열층; 기상의 냉매를 응축하기 위하여 상기 열흡수부와 이격되어 형성된 응축부; 상기 열흡수부의 미세 채널에 표면 장력에 의하여 충전되는 냉매를 보관하기 위한 저장부; 및 상기 열흡수부에서 흡수된 열에 의하여 기화된 냉매가 상기 응축부로 이동하는 통로가 되도록, 상기 열흡수부 및 상기 단열층과 인접하여 형성된 기체 이동부를 포함하는 냉각 장치를 제공한다.

Description

초소형 냉각 장치{MICRO-COOLING SYSTEM}
본 발명은 불필요한 열을 방출시키기 위한 냉각 장치에 관한 것으로, 특히 집적회로장치와 같이 소형이면서도 불필요한 고열이 발생하는 전자 제품을 위한 냉각 장치에 관한 것이다.
최근의 중앙처리장치(CPU)와 같은 집적회로장치는 단위 면적당 발열량이 매우 커서, 장치의 성능이 저하되고 수명을 단축시키며, 궁극적으로 당해 장치 및 그를 채용한 시스템의 신뢰도를 저하시킨다. 특히, 반도체 장치와 같은 경우에는 그 동작 온도에 따라 각종 파라미터의 값이 변화하게 되어 장치내의 집적 회로의 특성이 열화되는 문제를 초래하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위한 종래의 방식 중 대표적인 것으로 송풍기를 부착하여 강제 냉각시키는 방식이 있다. 그러나, 이러한 방식은 그 냉각 효율이 낮아 높은 열을 효과적으로 냉각시키지 못하며, 송풍기를 위한 별도의 전원이 필요하게 되며, 나아가 송풍기 자체에서 열이 발생하는 문제점도 있다.
이보다 높은 냉각 효율을 달성하기 위한 방식으로는 유체의 상 변화를 야기하여 열을 방출하는 방식이 있다. 즉, 발열 부위에 냉매로 사용되는 유체를 통과시키고 가열된 유체를 기화시키면서 기화에너지로서 열을 소진시키는 방식으로서, 이미 냉장고 등에서 널리 사용되는 방식이다. 그러나, 이러한 방식에 의하면, 기화된 냉매를 다시 응축시키기 위한 여러 가지 장비가 부가되므로 전체적인 부피와 소모 전력이 커지는 문제점이 있다.
최근의 소형 냉각 장치로는 유체의 상 변화와 자연 대류 현상을 이용한 히트 파이프(heat pipe) 장치가 있다. 히트 파이프 장치에도 다양한 종류가 있으나, 그중 냉각 효율이 높은 방식으로는 내부 파이프 및 외부 파이프를 포함하는 이중 파이프 방식이 있다. 즉, 외부 파이프에 냉매가 수용되고, 내부 파이프에는 조밀한 구멍을 다수 형성하여 외부 파이프와의 통로를 형성한다. 열원으로부터 외부 파이프에 열이 전달되면, 파이프 내부에 수용된 냉매가 기화되면서 열을 흡수하게 되고, 기화된 냉매는 내부 파이프에 형성된 구멍을 통하여 내부 파이프 내부로 들어가게 된다. 내부 파이프 내부의 기체는 부력과 기압의 차이로 인하여 관 반대편으로 이동하게 되고, 관 반대편에서 응축되어 다시 액화된다. 액화된 냉매는 다시 내부 파이프의 구멍을 통하여 외부 파이프로 이동하고 최종적으로 원위치로 복귀하게 된다.
상기와 같은 원리의 히트 파이프는 소형이면서도 양호한 냉각 효율을 보일 수 있으나, 파이프 내부에서의 기화된 냉매의 이동은 부력과 기압차에 의존하게 되고, 액화된 냉매는 중력에 의존하기 때문에, 설치할 수 있는 위치에 제한이 있다. 나아가, 열원의 반대편에서 냉매를 응축시키기 위한 구조를 취하여야 하므로, 지나치게 소형화하게 되면 냉각 효율이 낮아져 원하는 성능을 발휘할 수 없게 된다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 초소형으로 제작할 수 있으면서도 뛰어난 냉각 효율을 발휘할 수 있는 냉각 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 중력의 영향을 거의 받지 않아 설치 장소 및 위치에 제한을 받지 않는 고효율의 냉각 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 냉각기의 XZ 평면에서의 단면을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 냉각기를 a-a'선 방향으로 본 단면도
도 3은 도 1의 냉각기의 열흡수부의 미세 채널 중의 하나를 개략적으로 확대한 도면.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 냉각기(100')의 XZ 평면에서의 단면도.
* 도면의 주요 부분의 기호의 설명
102 : 저장부 104 : 기체 이동부
106 : 열흡수부 108 : 단열층
110 : 응축부
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 본 발명은 초소형으로 제작할 수 있으면서도 중력의 영향을 거의 받지 않아 설치 장소 및 위치에 제한을 받지 않으며, 뛰어난 냉각 효율을 발휘할 수 있는 냉각 장치를 제공하기 위하여, 열원으로부터의 열을 제거하기 위한 냉각 장치에 있어서, 내부 구조물을 수용하기 위한 하우징; 상기 하우징 내부에서 상기 열원에 인접한 영역에 형성된 다수의 미세 채널을 포함하는 열흡수부; 상기 열흡수부에 의하여 흡수된 열이 열흡수부 이외의 다른 영역으로 전달되는 것을 방지하기 위하여 상기 열흡수부에 인접하여 형성된 단열층; 기상의 냉매를 응축하기 위하여 상기 열흡수부와 이격되어 형성된 응축부; 상기 열흡수부의 미세 채널에 표면 장력에 의하여 충전되는 냉매를 보관하기 위한 저장부; 및 상기 열흡수부에서 흡수된 열에 의하여 기화된 냉매가 상기 응축부로 이동하는 통로가 되도록, 상기 열흡수부 및 상기 단열층과 인접하여 형성된 기체 이동부를 포함하는 냉각 장치를 제공한다.
이제, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 냉각기의 XZ 평면에서의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 즉, 본 발명의 냉각기(100)는, 폐쇄된 하우징(112)내에 액체 상태의 냉매(도면에서 물결 무늬로 표시된 부분)를 수용하는 저장부(102)와, 상기 저장부(102)에 인접하여 열원과 가까이 형성되며, 모세관 현상에 의하여 냉매가 충입되는 미세 채널(도면에서 사선으로 표시된 부분)을 포함하는 열흡수부(106)와, 상기 열흡수부(106)에 의하여 상기 저장부(102)와 X-축 방향으로 이격되는 맞은 편 영역에 형성된 기체 이동부(104)와, 상기 열흡수부(106)에 가해진 열이 다른 부분으로 이동하는 것을 차단하기 위하여 상기 열흡수부(106)에 인접하여 형성된 단열층(108)와, 상기 단열층(108)에 의하여 상기 열흡수부(106)과 Z-축 방향으로 이격되는 맞은 편 영역에 형성된 응축부(11)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 냉각기(100)의 기하학적 구조를 보다 명확히 설명하기 위하여 도 2를 참조하면, 도 2는 도 1의 냉각기(100)를 a-a'선 방향으로 본 단면도이다. 즉, 상기 냉각기(100)에는, 하우징(112)내에 저장부(102)와 기체 이동부(104)가 열흡수부(106)를 사이에 두고 X-축 방향으로 이격되어 형성되며, 상기 열흡수부(106)는 다수 개의 미세 채널(114)을 포함한다.
이제, 도 1 내지 도 3을 참조하여 상기 냉각기(100)의 동작을 설명한다. 도 1을 참조하면, 상기 냉각기(100) 외부에 블록 화살표(120 및 122)로써 외부 열의 이동 방향을 도시하였다. 즉, 외부 열원(도시되지 않음)으로부터의 열은 상기 냉각기(100)의 열흡수부(106)로 전달된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 냉각기(100) 하우징(112)의 열흡수부(106)가 형성된 외벽과 외부 열원이 열적으로 접촉하고 있는 것이 좋다. 상기 하우징(112)은, 실시콘(Si)이나 갈륨(Ga)과 같은 반도체 재료, 자체 결집 단층막(Self Assembled Monolayer)과 같은 신소재 적층 재료, 열전도율이 우수한 구리(Cu)나 알루미늄(Al)의 금속 및 그 합금, 세라믹 재료(ceramics), 다이아몬드와 같은 결정 재료 등 다양한 소재로 제조될 수 있다. 특히, 외부 열원이 반도체 장치인 경우에는 그 반도체 장치와 동일한 소재로 제조될 수 있으며, 나아가 후술하는 바와 같이 본 발명의 냉각기(100)는 상기 반도체 장치의 제조 공정의 일부로서 일체적으로 제조될 수 있다. 따라서, 그 크기를 외부 열원과 동일한 수준(예컨대, 수 내지 수십 평방 센티미터)으로 제작할 수 있으며, 따라서 외부 열원과 본 발명의 냉각기(100) 사이의 열적 저항을 최소화할 수 있다.
이제 도 2를 참조하면, 상기 외부 열원으로부터 전달된 열은 열흡수부(106)에 의하여 흡수된다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 열흡수부(106)는 다수의 미세 채널(114)을 포함하고 있는 바, 상기 미세 채널(114)에는 상기 저장부(102)로부터의 냉매가 모세관 현상에 의하여 채널(114)의 소정 영역까지 충진되어 있다. 이 상태를 도 3에 도시하였다. 즉, 도 3을 참조하면, 도 3은 상기 열흡수부(106)의 미세 채널(114) 중의 하나를 개략적으로 확대한 도면으로서, 상기 저장부(102)로부터의 냉매(빗금 영역으로 표시하였음)가 'A' 부분까지 충진되어 있음을 도시하고 있다.
상기 열흡수부(106)에 냉매가 충진되는 영역('A')은 냉매의 종류와 상기 미세 채널(114)의 크기에 따라 좌우된다. 특히, 하우징(112)의 소재에 따라 사용될 수 있는 냉매도 달라지는데, 그 이유는 냉매가 미세 채널이나 하우징의 표면과 화학적 반응을 일으킬 수 있기 때문이며, 환경 오염을 고려하여 비CFC 계열의 신냉매를 사용하는 것이 바람직하다. 하우징(112)의 소재와 그에 적합한 냉매의 예를 들면, 집적회로와 같은 전자 제품의 경우에는 냉매로서 물(H2O)이나, 메탄 또는 에탄 등의 알코올계 냉매를 사용하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 냉매는 열용량이 크며, 반도체 소자와의 표면 장력 각도가 적어 표면 장력 유속이 크므로 많은 열량을 이동시킬 수 있다. 이와 더불어 환경 오염에 대한 문제가 없으며 하우징(112)의 파손(예컨대, 표면의 미세 균열에 의한 파손)시에 유체가 외부로 흘러나올 확률이 작다.
일반적으로 거시계에서도 표면 장력이 존재하지만, 중력장의 영향이 더 우세하므로 표면 장력을 효율적으로 이용하기 어렵다. 따라서, 중력장의 영향을 무시할 수 있을 정도가 되기 위하여는 그 시스템의 물리적 크기(size)가 작아져야 한다. 그리하여, 본 발명의 냉각기(100)에 적합한 미세 채널(106)의 폭은 약 1 ㎚ 내지 1000 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하며, 그 길이는 약 0.5 내지 5 cm의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 상기 미세 채널의 단면은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 다각형 등 임의의 단면으로 형성될 수 있으며, 이하에 설명하는 바와 같이, 소정 방향으로 단면적을 증가시키거나 감소시킴으로써, 내벽과 냉매 사이의 표면 장력의 크기를 조절할 수 있고, 결과적으로 냉매의 이동 방향을 결정할 수 있게 된다.
상기와 같이, 냉매가 충진된 열흡수부(106)의 미세 채널(114)에 외부의 열원으로부터 열이 가해지면, 상기 미세 채널(114) 내부에서 냉매의 일부가 기화하게 되고, 이에 따라 액체 상태의 냉매에서는 난류가 발생하게 된다. 이러한 냉매의 기화 및 난류에 의하여 다수의 미세 기포(도시되지 않음)가 상기 미세 채널(114) 내에 발생하고, 이 미세 기포들은 냉매가 저장되지 않은 기체 이동부(104)로 이동하게 된다. 이러한 미세 기포가 기체 이동부(104)로 이동하는 거리는 수 밀리미터 이하이므로 중력의 영향을 무시할 수 있게 되어, 저장부(102)가 높은 곳에 있고 기체 이동부(104)가 낮은 곳에 있더라도 열흡수부(106) 내부의 압력 차이에 의하여 기체의 이동이 가능하게 된다.
상기와 같은 미세 기포의 이동은 열흡수부(106)에 형성된 노드(116)에 의하여 일정한 방향성을 가질 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 미세 채널(114)의 저장부(102)에 인접한 영역의 내벽면에는 다수의 노드(116)가 돌설되어 있는데, 이러한 노드(116)에 의하여 저장부(102)로부터 기체 이동부(104)의 방향(즉, X축의 증가 방향)으로 미세 채널(114)의 단면적이 감소하게 되며, 따라서 이 방향으로 표면 장력이 증가하게 된다. 이러한 표면 장력의 증가에 의하여 냉매는 저장부(102)로부터 기체 이동부(104)로 이동하려는 잠재 에너지(potential)를 갖게 되고, 이러한 냉매의 이동 에너지의 방향에 의하여 미세 기포의 이동 방향도 X축의 증가 방향으로 치우치게 된다.
다음으로, 다시 도 1을 참조하면, 상기 기체 이동부(104)는 초기에 빈 공간으로 형성되므로, 상기 열흡수부(106)로부터 기체 이동부(104)로 이동한 미세 기포가 발포됨으로써 냉매가 기화된다. 기체 상태의 냉매는 상기 열흡수부(106)로부터 분출되는 것과 같은 상태이므로, 응축부(110)와 열흡수부(106)에 인접한 영역에서의 압력 차이에 의하여 기화된 냉매가 응축부(110)로 이동하게 된다.
한편, 단위 체적당 미세 기포의 수가 증가될 수록 본원의 냉각기(100)의 효율이 증가되므로, 상기 미세 기포의 수를 인위적으로 증가시키도록 할 수도 있다. 예를 들어, 열흡수부(106)의 내부 표면에 미세한 홈을 형성하여 미세 기포의 수를 증가시킬 수 있으며, 또는 냉각기(100)에 마이크로파를 입력함으로써 미세 기포의 수를 증가시킬 수도 있다.
다음으로, 상기 응축부(110)에 도달한 기체 상태의 냉매는 응축부(110)에서 기화 에너지를 상실하고 다시 액체로 상변환하게 된다. 이러한 냉매의 응축을 효율적으로 하기 위하여, 응축부(110)에 인접한 하우징(112)의 외부에 다수의 핀(fin)(도시되지 않음)을 형성할 수도 있다. 상기 핀은 역시 미세구조로 형성하며, 예컨대 마이크로액츄에이터(micoractuator)를 포함하는 핀을 형성하는 경우에는 응축부(110)에서 외부로 방출하는 열을 재활용하여 주위의 공기를 순환시키도록 구동시킬 수도 있다. 또한, 열전 소자(thermoelectric device)를 포함하는 미세구조를 형성시킨 경우에는, 응축부(110)에서 방출되는 열을 변환시켜 생성된 전기적 에너지를 이용하여 미세 구동에 활용한다. 또는, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 응축부(110)의 체적을 상기 열흡수부(106)의 체적보다 크게(예컨대, 약 10배) 형성함으로써, 주위의 대류 현상으로도 기체가 용이하게 응축될 수 있도록 할 수도 있다. 또한, 상기 핀은 응축부(110)의 내측에도 형성할 수 있으며, 이러한 응축부 내측에 형성된 핀(도시되지 않음)은 냉매의 응축 효율을 증가시킬 수 있다.
응축부(110)에서는 기체들이 응축하면서 모여 큰 액체면을 형성하게 되는데 응축돤 유체가 커지면 응축부(110)와 저장부(102) 사이의 미세 채널을 통하여 액체 상태의 냉매가 저장부(102)로 이동한다.
응축된 냉매가 저장부(102)로 이동하는 것은 열흡수부(106)에서 설명한 것과 같은 원리에 의하여 이루어진다. 즉, 상기 응축부(110)의 구조는 열흡수부(106)의 구조와 유사하게, 기체 이동부(104)에 인접한 영역의 벽면에 다수의 노드(118)가 형성되어 있는데, 응축부(110)에 형성된 노드(118)의 방향은 열흡수부(106)에 형성된 노드(116)와 반대 방향을 취한다. 이렇게 응축되어 액화된 냉매는 상기 저장부(102)로 복귀하게 되고, 냉각기(100) 내부에서의 냉매의 순환이 완성된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 냉각기(100) 내부에서의 냉매의 순환은 외부의 동력이 가해지지 않은 자체적인 순환이며, 특히 액체 상태의 냉매의 표면장력을 이용한 모세관 현상에 의하여 냉매가 순환하게 되므로, 중력의 영향을 받지 않는다. 이는, 상기한 바와 같이 열을 흡수하는 열흡수부(106)가 다수의 미세 채널(114)을 포함하기 때문인데, 이러한 미세계에서는 중력의 영향보다 표면 장력의 영향이 훨씬 크게 작용하게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 미세계의 역학적 특수성을 이용한 것으로서, 이러한 특성을 갖는 미세계는 현재 널리 알려진 다수의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 반도체 공정을 응용한 MEMS(Micro Electro Mechanical System)나 SAM(Self Assembled Monolayer) 과 같은 기술을 응용하거나, 반도체 장치를 제조하기 위한 레이저 또는 플라스마 등을 이용한 초정밀 구조 제조 방법 등이 있다.
다음으로, 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 의한 냉각기(100')의 XZ 평면에서의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 냉각기(100')는 상기 단층 구조의 실시예를 확장하여 다층 구조로 형성될 수도 있다.
상기 다층 구조의 냉각기(100')의 냉매 순환 주기는 다음과 같다. 즉, 상기 단층 구조의 냉각기(100)에서와 동일한 메카니즘으로 열흡수부(106')에서 흡수된 열에 의하여 냉매가 기화되고 기화된 냉매가 일단 이동하기 시작하면, 연속성의 원리에 의하여 기화된 양과 같은 양의 냉매가 저장부(102')로부터 열흡수부(106')로 보충되고, 저장부(102')에서 유출된 양과 같은 양의 냉매가 응축부(110')로부터 저장부(102')로 보충된다. 기화된 냉매는 기체 이동부(104')를 거쳐 응축부(110')에서 다시 액화됨으로써 응축부(110')에서 유출된 양을 보충시킨다. 이렇게 하여 냉매의 순환이 완성된다.
도시된 바와 같이, 상기 냉각기(100')는 다층 구조의 응축부(110')를 포함한다는 점에서 도 1의 단층 구조의 냉각기(100)와 구별될 수 있으나, 냉매의 순환 및 상변환, 그에 따른 열발산 등의 원리는 모두 동일하다. 상기 다층 구조의 응축부(110')는 단열층(108')으로 분리된 다수의 미세 채널(빗금 영역)로 형성되며, 열흡수부(106)와 가장 멀리 떨어진 곳에 형성된 미세 채널의 내벽에는 냉매의 방향성을 유도하기 위한 다수의 노드(118')가 형성되어 있다. 이러한 노드는 일정한 방향성을 유지한 채 응축부(110')의 모든 미세 채널의 내벽에 형성될 수 있다. 또한, 열흡수부(106')에도 단층 냉각기(100)의 경우와 유사하게 노드(116)를 형성하여 냉매의 방향성을 유도한다.
상기한 바와 같이, 응축부(110')를 복수개의 층으로 형성함으로써, 냉매의 응축 효율을 향상시킬 수 있고, 결과적으로 냉각기(100')의 냉각 효율을 증대시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 상기한 기술 사상은, 응축부 또는 저장부를 상기 하우징 외부에 형성하여 응축부 또는 저장부의 체적이나 표면적을 증대시키도록 구현될 수도 있다. 또는, 상기 응축부가 상기 열흡수부와 동일한 평면상에서 상기 단열층에 의하여 구분되도록 형성되어 전체적인 두께를 얇게하도록 구현될 수도 있으며, 상기 열흡수부의 미세채널은 직선형이 아닌 곡선형이 될 수도 있다. 이러한 다양한 변형례는 일일이 도시하거나 상세하게 설명하지는 않았지만, 본 발명의 기술 사상의 범위에 속한다는 점을 주의하여야 한다.
본 발명에 의하면, 고효율의 방열 특성을 갖는 초소형의 냉각기를 제공할 수 있으며, 따라서 본 발명의 냉각기를 장착한 장치의 성능을 향상시키고 신뢰성을 제고할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.

Claims (9)

  1. 열원으로부터의 열을 제거하기 위한 냉각 장치에 있어서,
    내부 구조물을 수용하기 위한 하우징;
    상기 하우징 내부에서 상기 열원에 인접한 영역에 형성된 다수의 미세 채널을 포함하는 열흡수부;
    상기 열흡수부에 의하여 흡수된 열이 열흡수부 이외의 다른 영역으로 전달되는 것을 방지하기 위하여 상기 열흡수부에 인접하여 형성된 단열층;
    기상의 냉매를 응축하기 위하여 상기 열흡수부와 이격되어 형성된 응축부;
    상기 열흡수부의 미세 채널에 표면 장력에 의하여 충전되는 냉매를 보관하기 위한 저장부; 및
    상기 열흡수부에서 흡수된 열에 의하여 기화된 냉매가 상기 응축부로 이동하는 통로가 되도록, 상기 열흡수부 및 상기 단열층과 인접하여 형성된 기체 이동부를 포함하는 냉각 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은,
    반도체 재료, 적층 재료, 금속 재료와 그 합금 재료, 세라믹 재료 및 결정 재료로 구성된 집합으로부터 선택된 재료로 형성된 냉각 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 채널은,
    그 폭이 약 10-9m 내지 10-3m의 범위 내이며,
    그 길이가 약 0.5 cm 내지 5 cm 내의 범위 내가 되도록 형성된 냉각 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 열흡수부는,
    상기 저장부로부터 상기 기체 이동부를 향하는 방향으로 단면적을 감소시키는 다수의 노드가 그 내벽에 형성된 미세 채널을 적어도 하나 포함하는 냉각 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 응축부는
    상기 기체 이동부로부터 상기 저장부를 향하는 방향으로 단면적을 감소시키는 다수의 노드가 그 내벽에 형성된 미세 채널을 적어도 하나 포함하는 냉각 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 응축부는,
    상기 기체 이동부로부터 상기 저장부를 향하는 방향으로 단면적이 감소되는 테이퍼부가 형성된 미세 채널을 적어도 하나 포함하는 냉각 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 응축부는,
    상기 열흡수부의 체적 보다 더 큰 체적을 갖도록 형성된 냉각 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 응축부에 인접한 하우징의 외벽에 열 방출을 용이하게 하기 위한 핀(fin)을 더 포함하는 냉각 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 응축부는,
    복수개의 층을 형성하는 다수의 미세 채널 및 상기 복수개의 층간을 단열시키기 위한 복수개의 단열층을 포함하는 냉각 장치.
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