KR100289277B1 - 패턴노광장치용 시료대 - Google Patents

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Abstract

(과제) 마스크상에 형성되어 있는 회로패턴을 시료상에 전사하는 노광장치용 시료대에서 배율편차 측정수단이나 위치편차 계측수단의 정밀도가 열화되지 않고, 또 마스크 자체 또는 마스크 지지기판의 파손을 초래하지 않으며, 또한 마스크패턴이 작은 경우에도 단시간에 시료 실리콘 기판을 신장 또는 단축하는 것을 도모한다.
(해결수단) 패턴노광장치용 시료대는 중앙부와 주변부로 분할되고, 각각 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착하는 척 기구가 설치되어 있다. 주변부의 일부 또는 전부가 시료대의 중심에서 주변으로 향하는 반경방향으로 이동할 수 있다.

Description

패턴노광장치용 시료대 {sample table for pattern exposure machine}
본 발명은 반도체장치의 집적회로나 LCD 의 제조에 사용되는 패턴노광장치에 관한 것으로 특히 X 선 노광장치의 시료대에 관한 것이다.
최근 반도체 집적회로의 고밀도화나 고속화를 향상시키기 위해 반도체집적회로의 각 소자치수에 대한 미세화의 노력이 계속되고 있다. 또, 소자치수의 미세화에 따라 여러 공정에서 형성된 반도체소자 상호간의 중복이 적절한지의 여부가 중요시되어 왔다. 통상적으로 중복 정밀도의 요구치는 소자치수의 1/4 에서 1/3 이며 최근 개발이 진행되고 있는 0.25 혹은 0.18 ㎛ 룰을 채택한 패턴에서는 50 혹은 80 ㎚ 정도의 정밀도가 필요해진다.
한편, 반도체 집적회로 제조에 사용되는 실리콘기판은 제조공정 중에 열변화를 받거나 내부응력을 갖는 박막형성이 행해지거나 하여 미미하게나마 단축 (수축) 또는 신장 (팽창) 하는 경우가 있다. 예컨대, 6 인치 직경의 실리콘기판상에 두께 0.2 ㎛ 의 질화실리콘막을 형성한 경우에 4 ppm 의 단축, 즉 길이 20 ㎜ 의 패턴이 80 ㎚ 만 짧아지는 경우가 있다. 이 단축분 80 ㎚ 은 상술한 중복 정밀도와 동일한 정도가 되며 무시할 수 없는 크기이다. 따라서, 다음 노광공정의 패턴전사에서는 그 분만 보정하여 노광해야한다.
또, 실리콘기판상에는 두께 1.0 ㎛ 의 산화실리콘막을 CVD 법으로 형성한 경우에는 5 ppm 의 신장, 즉 길이 20 ㎜ 의 패턴이 100 ㎚ 만 길어지는 경우가 있다. 이 신장분 100 ㎚ 는 상술한 중복 정밀도와 동일한 정도 이상이 되어 무시할 수 없는 크기이다. 따라서, 다음 노광공정의 패턴전사에서는 그 분만 보정하여 노광해야한다.
반면, 자외선을 이용하여 마스크패턴의 축소전사를 하는 광노광장치에서는 광학계의 조합 렌즈간격을 조정하여 전사배율을 소정의 값에서 미소하게 변경할 수 있으며 상술한 노광공정에서의 보정을 용이하게 할 수 있다.
그러나, 자외선을 이용한 광노광에서는 대응할 수 없는 미세한 패턴형성에 유효한 싱크로트론 방사광 (SOR) 을 광원으로 하는 X 선 노광에서는 X 선에 유효한 실용적 렌즈가 없어 일반적으로 등배 (等倍) 마스크가 사용되며 패턴전사배율을 변경할 수 없다.
그래서, 일본 공개특허공보 소63-260023 호 (이하 선행기술 1 이라 함) 에서는 마스크 지지기판 (용융석영) 과 시료기판 (실리콘) 의 팽창계수가 다른 것에 착안하여, 마스크 지지기판과 시료기판의 쌍방의 온도를 변화시켜 노광공정에서의 보정을 행하고 있다 (이하 선행기술 1 이라 함)
또, A.C.Chen et al., Proc.SPIE Vol.2437, pp.140-150 (1995) (이하 선행기술 2 라 함) 에서는 마스크 지지기판에 외력을 가하여 강제력으로 마스크를 신장시켜 노광공정에서의 보정을 행하고 있다.
상술한 선행기술 1 및 2 에서는 다음에 서술한 바와 같은 문제점이 있다.
먼저, 선행기술 1 에서는 마스크 지지기판과 시료기판의 온도변화에 따른 장치 자체의 변동요인, 즉 배율편차 측정수단이나 위치편차 측정수단의 정밀도가 열화된다는 문제가 발생한다. 또, 이 선행기술 1 에서는, 온도를 변화시켜 안정될때까지 10 내지 수 십분의 시간을 필요로 하며 단시간에 측정보정량을 변경할 수없다는 문제도 있다.
한편, 선행기술 2 에서는 마스크기판에 반복 외력을 가할 필요가 있기 때문에 마스크기판의 피로를 잘 초래시키고 마스크 자체 또는 마스크 지지기판의 파손을 잘 초래시킨다. 또한, 외력을 가하는 것은 마스크를 신장시키는 방향으로 한정되어 있기 때문에 마스크패턴에 대해 시료상의 패턴이 커지는 경우에 한정되어 있으며, 반대로 시료상의 패턴이 작은 경우에는 대응할 수 없다는 문제도 있다.
이와같이 시료 실리콘 기판의 신축에 대응할 때에 단시간에 조정을 행하기 위해서는 온도변화를 이용하는 방법에 비해 외력을 이용하는 방법이 유리하지만, 외력을 마스크 지지기판에 가하는 방법으로는 마스크 또는 마스크 지지기판의 파손이 잘 일어난다.
그래서, 본 발명은 이들 선행기술이 갖는 문제점을 해결하기 위해 외력을 시료기판에 가함으로써 마스크패턴에 대해 시료기판상에 이미 구성되어 있는 패턴을 정확히 정합시킬 수 있는, 특히 X 선 노광장치에서 유효한 노광장치용 시료대를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다
도 2 는 도 1 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다.
도 4 는 도 3 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 5 는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다.
도 6 은 도 5 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 7 은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다.
도 8 은 도 7 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 9 는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다.
도 10 은 도 9 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 11 은 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성을 나타내는 개략사시도이다.
도 12 는 도 11 에 도시된 패턴노광장치용 시료대의 전체구성을 나타내는 개략단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
10 : 시료대
11, 11A : 시료대 중앙부
12 : 시료대 주변고정부
13 : 시료대 주변가동부
14, 14A : 시료대 중앙부 진공척
14', 14A' : 시료대 중앙부 정전척
15 : 시료대 주변고정부 진공척
15' : 시료대 주변고정부 정전척
16 : 시료대 주변가동부 진공척
16' : 시료대 주변가동부 정전척
20 : 시료대 진공척
20' : 시료대 정전척
21 : 시료 실리콘 기판
22 : 가동용 바아
23 : 가동용 모터
24, 24A : 시료대 중앙부 진공척 구동장치
24', 24A' : 시료대 중앙부 정전척 구동장치
25 : 시료대 주변고정부 진공척 구동장치
25' : 시료대 주변고정부 정전척 구동장치
26 : 시료대 주변가동부 진공척 구동장치
26' : 시료대 주변가동부 정전척 구동장치
30 : 시료대 진공척 구동장치
30' : 시료대 정전척 구동장치
문제를 해결하기 위한 수단
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위한 기술적 수단으로 다음에 나타낸 바와 같은 패턴노광장치용 시료대를 제공한다.
즉, 본 발명에 의한 패턴노광장치용 시료대는 마스크상에 형성되어 있는 회로패턴을 시료상에 전사하는 노광장치에 사용되며, 상기 시료가 탑재된 노광장치용 시료대로서, 시료대는 중앙부와 이 중앙부를 둘러싼 주변부로 분할되어 있으며 시료를 흡착한 상태에서 주변부의 적어도 일부를 시료대의 반경방향으로 이동시키는 수단을 구비하는 특징이 있다.
발명의 실시형태
이하 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
(제 1 실시형태)
도 1 및 도 2 는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대의 주요부의 구성 및 전체구성을 나타낸 도면이다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 시료대가 시료대 중앙부 (11) 와 시료대 주변고정부 (12) 와 복수개의 시료대 주변가동부 (13) 로 분할되어 있으며, 각각에 시료 실리콘 기판 (21) 을 진공흡착하여 고정하기 위한 척, 즉 시료대 중앙부 진공척 (14), 시료대 주변고정부 진공척 (15) 및 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 갖는 구성을 구비하고 있다.
시료대 주변고정부 (12) 와 복수개의 시료대 주변가동부 (13) 는 시료대 중앙부 (11) 의 외주에 설치되어 있다. 바꿔말하면 시료대 중앙부 (11) 는 시료대 주변고정부 (12) 및 시료대 주변가동부 (13) 에 의해 둘려싸여 있다. 복수개의 시료대 주변가동부 (13) 는 도 1 에 나타낸 바와 같이 방사형으로 원주방향을 따라 균등한 각도 간격으로 배치되어 있다.
또, 시료대 주변가동부 (13) 는 도 2 에 나타낸 바와 같이 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 에 의해서 시료대의 중앙에서 반경방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 시료대 중앙부 진공척 (14) 과 시료대 주변고정부 진공척 (15) 과 시료대 주변가동부 진공척 (16) 은 각각 서로 독립된 구동장치인, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24), 시료대 주변고정부 진공척 구동장치 (25), 및 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (26) 에 의해 구동된다.
이와 같은 구성을 구비한 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면, 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판이 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 단축 (수축) 되어 있는 경우에는 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장 (팽창) 시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축과 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 진공척 (14) 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11) 에 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (26) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24) 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 진공척 (14) 의 흡착기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 진공척 (16) 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 동작시키고 가동용 바아 (22) 에 의해 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 각각의 시료대 주변가동부 (13) 가 소정의 길이만큼 이동하면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 신장되어 미미하게나마 단축되어 있는 시료 실리콘 기판 (21) 이 본래의 크기로 복원될 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 진공척 (14) 및 시료대 주변가동부 진공척 (15) 을 동작시켜 시료 실리콘 기판 (21) 전체를 흡착지지한다.
본 실시형태에서는 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이만큼 수축·팽창시키는 것이 가동용 모터 (23) 에 가하는 동력 및/또는 시간을 제어함으로써 이루어진다. 또, 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이만큼 수축·팽창시킬 수 있는지의 여부는 시료 실리콘 기판 (21) 상에 이미 붙여 있는 마크 (도시 생략) 를 모니터장치 (도시 생략) 로 모니터하여 판정함으로서 이루어진다.
이상에서는 시료가 수축되어 있는 경우에 대해 설명했는데, 반대로 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면 그와같은 경우에도 다음에 나타내는 바와 같은 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 진공척 (14) 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (16) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24) 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 진공척 (14) 의 흡착기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 진공척 (16) 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의해 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 내측으로 방사형으로 이동시킨다. 각각의 시료대 주변가동부 (13) 가 소정의 길이 만큼 이동하면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 이 본래의 크기로 복원할 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 진공척 (14) 및 시료대 고정부 진공척 (15) 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 전체를 흡착지지한다.
이상 기술한 바와 같이 상기 제 1 실시형태에 의한 시료대를 채택하면 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우에, 또한 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원할 수 있어 마스크상의 패턴을 투영하였을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
(제 2 실시형태)
이어서, 도 3 및 도 4 를 참조하여 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대에 대해 설명한다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는 도 3 에 나타내는 바와 같이 시료대가 시료대 중앙부 (11A) 와 그것을 둘러싼 시료대 가동부 (13) 로 분할되어 있고, 각각에 시료 실리콘 기판 (21) 을 진공흡착하여 고정하기 위한 척, 즉 시료대 중앙부 진공척 (14A) 및 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 갖는 구성을 구비하고 있다. 이러한 점에서 알 수 있는 바와 같이 시료대 중앙부 (11A) 는, 상술한 제 1 실시형태에서, 시료대 중앙부 (11) 와 시료대 주변고정부 (12) 를 일체화한 것에 상당한다. 또한 시료대 중앙부 진공척 (14A) 은 상기 기술한 제 1 실시형태에서, 시료대 중앙부 진공척 (14) 과 시료대 주변고정부 진공척 (15) 을 조합한 것에 상당한다.
또한 시료대 주변가동부 (13) 는 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 에 의해, 시료대의 중앙에서 반경방향으로 방사형으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 또, 시료대 중앙부 진공척 (14A) 과 시료대 주변가동부 진공척 (16) 은 각각 서로 독립적인 구동장치인 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 및 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (26) 에 의해 구동된다. 이러한 점에서 알 수 있는 바와 같이 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 는 상술한 제 1 실시형태에서, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24) 와 시료대 주변고정부 진공척 구동장치 (25) 를 조합한 것에 상당한다.
이와 같은 구성을 구비하는 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 혹은 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 단축되어 있는 경우에는 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 진공척 (14A) 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11A) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (26) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 진공척 (14A) 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 진공척 (16) 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동 바아 (22) 에 의해 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 각각의 시료대 주변가동부 (13) 가 소정의 길이 만큼 이동하면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 신장되어 미미하게나마 단축되어 있던 실리콘기판 (21) 이 본래의 크기로 복원될 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 진공척 (14A) 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한다.
본 실시형태에서도 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이 만큼 수축·팽창시키는 것은 가동 모터 (23) 에 가하는 동력 및/또는 시간을 제어함으로써 이루어진다. 또한, 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이 만큼 수축·팽창시켰는지의 여부는 시료 실리콘 기판 (21) 상에 미리 붙여진 마크 (도시 생략) 를 모니터장치 (도시 생략) 로 모니터하여 판정함으로써 이루어진다.
이상에서는 시료가 수축되어 있는 경우에 대해 설명하였지만 반대로 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 혹은 내부응력을 갖는 박막형성에 의해, 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면 그와 같은 경우에도 다음에 나타내는 바와 같은 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 진공척 (14A) 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11A) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 진공척 구동장치 (26) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 진공척 (16) 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 진공척 구동장치 (24A) 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 진공척 (14A) 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 진공척 (16) 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의해 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 소정의 길이 만큼 이동시키면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 이 본래의 크기로 복원될 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 진공척 (14A) 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 전체를 흡착지지한다.
이상 기술한 바와 같이 상기 제 2 실시형태에 관한 시료대를 채택하면 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우에, 또한 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원할 수 있어 마스크상의 패턴을 투영하였을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
그리고, 상술한 제 2 실시형태에 대한 설명에 있어서는 시료대 중앙부 (11A) 중 시료대 주변가동부 (13) 사이에 위치하는 부분과 그 이외의 중앙부분에서 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착하는 척 기능이 함께 제어되는 것으로 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것이 아니라 각각이 독립적으로 제어되어 있어도 된다.
(제 3 실시형태)
다음에 도 5 및 도 6 을 참조하여 본 발명의 제 3 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대의 구성에 대해 설명한다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는 도 5 에 나타내는 바와 같이 시료대 (10) 가 세분화되어 있고, 각각에 시료대 진공척 (20) 을 갖는 구성을 구비하고 있다. 또한 이와 같은 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에는 도 6 에 나타내는 바와 같이 각 부분이 동시에 중심에서 반경방향으로 방사형으로 이동하도록 각 부분에 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 가 설치되어 있고, 시료대 (10) 중앙의 한군데만 고정되어 있다. 또한 도 6 에 나타내는 바와 같이 시료대 진공척 (20) 은 모두 공통된 시료대 진공척 구동장치 (30) 에 의해 구동된다.
이와 같은 구성을 구비하는 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 혹은 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 단축되어 있는 경우에는 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대 (10) 의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 진공척 구동장치 (30) 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 진공척 (20) 을 구동시켜 시료대 (10) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이렇게 하여 시료대 진공척 (20) 전체에서 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의해서 세분화된 시료대의 각부분을 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 시료대의 각부분이 소정의 길이 만큼 이동하면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 신장되어 미미하게나마 단축되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다.
본 실시형태에서는 시료대의 각부분은 중심으로부터의 거리에 따라 이동량이 다르도록, 가동용 바아 (22) 의 이동량에 대해 각각 다른 비율로 이동하도록 되어 있다. 또한 본 실시형태에서는 이런 목적을 위해 가동용 모터 (23) 에 의해 환봉형 가동용 바아 (22) 가 회전하고, 가동용 바아 (22) 의 주위에 새겨져 있는 웜 기어 (도시 생략) 와 시료대의 각부분의 기어 (도시 생략) 가 맞물려 시료대의 각부분이 이동하는 구조가 채택되어 있고, 각 부분에서의 기어의 비율을 시료대의 중심으로부터의 거리에 따라 변화하도록 되어 있다.
이상에서는 시료가 수축되어 있는 경우에 대해 설명하였지만 반대로 반도체집적회로 공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 혹은 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면 그와 같은 경우에도 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 진공척 구동장치 (30) 를 동작시키고, 시료대 진공척 (20) 을 구동시켜 시료대 (10) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이렇게 하여 시료대 진공척 (20) 에 의해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의해 세분된 시료대 (10) 의 각부분을 반경방향 내측으로 방사형으로 이동시킨다. 시료대 (10) 의 각부분을 소정의 길이 만큼 이동시키면 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다.
이상 기술한 바와 같이 상기 제 3 실시형태에 관한 시료대를 채택하면 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우에, 또한 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원할 수 있어 마스크상의 패턴을 투영하였을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
(제 4 실시형태)
다음에 도 7 및 도 8 을 참조하여 본 발명의 제 4 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대에 대해 설명한다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 시료대가 시료대 중앙부 (11) 와 그것을 둘러싼 시료대 주변고정부 (12) 및 복수개의 시료대 주변가동부 (13) 로 분할되어 있고, 각각에 시료 실리콘 기판 (21) 을 정전흡착하여 고정시키기 위한 척, 즉 시료대 중앙부 정전척 (14'), 시료대 주변고정부 정전척 (15') 및 시료대 주변가동부 정전척 (16') 을 갖는 구성을 구비하고 있다. 또한 시료대 주변가동부 (13) 는 도 8 에 나타내는 바와 같이 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 에 의해 시료대의 중앙에서 반경방향으로 방사형으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한 시료대 중앙부 정전척 (14') 과 시료대 주변고정부 정전척 (15') 과 시료대 주변가동부 정전척 (16') 은 각각 서로 독립적인 구동장치로서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24'), 시료대 주변고정부 정전척 구동장치 (25') 및 시료대 주변가동부 정전척 구동장치 (26') 에 의해 구동된다.
이러한 점에서 알 수 있는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대는 상술한 제 1 실시형태에서 진공척 기구 대신에 정전척 기구를 사용한 것이다.
이와 같은 구성을 구비하는 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 혹은 내부응력을 갖는 박막형성에 의해, 미미하게나마 단축되어 있는 경우에는 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 정전척 (14') 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 정전척 구동장치 (26') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동 정전척 (16') 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24') 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 정전척 (14') 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 진공척 (16') 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의해 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 그 결과, 각각의 시료대 주변가동부 (13) 를 소정의 길이 만큼 이동시키면 시료 실리콘 기판 (13) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 단축되어 있던 실리콘기판 (13) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 정전척 (14') 및 시료대 주변가동부 정전척 (15') 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 전체를 흡착지지한다.
본 실시형태에서도 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이 만큼 수축·팽창시키는 것은, 가동용 모터 (23) 에 가하는 동력 및/또는 시간을 제어함으로써 이루어지고 있다. 또한, 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이만큼 수축·팽창시킬 수 있는지의 여부는, 시료 실리콘 기판 (21) 상에 사전에 부착된 마크 (도시 생략) 를 모니터장치 (도시 생략) 로 모니터하여 판정함으로써 이루어진다.
이상에서는, 시료가 수축되어 있는 경우에 대하여 설명하였으나, 반대로 반도체집적회로 공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의하여 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면, 그러한 경우에도 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 정전척 (14') 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 정전척 구동장치 (26') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 정전척 (16') 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24') 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 정전척 (14') 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 정전척 (16') 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의하여 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 내측으로 방사형으로 이동시킨다. 그 결과, 각각의 시료대 주변가동부 (13) 를 소정의 길이만큼 이동시키면, 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 정전척 (14') 및 시료대 주변고정부 정전척 (15') 을 동작시켜 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한다.
이상에서 기술한 바와 같이, 상기 제 4 실시형태에 관한 시료대를 채택하면, 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우, 또한 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원시킬 수 있어 마스크상의 패턴을 투영하였을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
(제 5 실시형태)
다음으로, 도 9 및 도 10 을 참조하면서,본 발명의 제 5 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는 도 9 에 나타낸 바와 같이, 시료대가 시료대 중앙부 (11A) 와 그것을 둘러싼 시료대 가동부 (13) 로 분할되어 있고, 각각에 시료 실리콘 기판 (21) 을 정전흡착시켜 고정하기기 위한 척, 즉 시료대 중앙부 정전척 (14A') 및 시료대 주변가동부 정전척 (16') 을 갖는 구성을 구비하고 있다. 이러한 점에서 알 수 있는 바와 같이, 시료대 중앙부 (11A) 는 상술한 제 4 실시형태에서, 시료대 중앙부 (11) 와 시료대 주변고정부 (12) 를 일체로 한 것에 상당하고, 시료대 중앙부 정전척 (14A') 은 상술한 제 4 실시형태에서, 시료대 중앙부 정전척 (14') 과 시료대 주변고정부 정전척 (15') 을 조합시킨 것에 상당한다.
시료대 주변가동부 (13) 는 도 10 에 나타낸 바와 같이, 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 에 의하여 시료대의 중앙에서 반경방향으로 방사형으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 시료대 중앙부 정전척 (14A') 과 시료대 주변가동부 정전척 (16') 은 각각 서로 독립된 구동장치로, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 및 시료대 주변가동부 정전척 구동장치 (26') 에 의하여 구동된다. 이러한 점에서 알 수 있듯이, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 는 상술한 제 4 실시형태에서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24') 와 시료대 주변고정부 정전척 구동장치 (25') 를 조합시킨 것에 상당한다.
바꾸어 말하면, 본 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대는 상술한 제 2 실시형태에서 진공척 기구 대신에 정전척 기구를 사용한 것이다.
이러한 구성을 구비한 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면,반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이, 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의해 미미하게나마 단축되어 있는 경우에는, 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장시켜 마스크와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대 (10) 의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 정전척 (14A') 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11A) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 정전척 구동창치 (26') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 정전척 (16') 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 정전척 (14A') 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 정전척 (16') 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의하여 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 각각의 시료대 주변가동부 (13) 가 소정의 길이만큼 이동하면, 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 신장되어 미미하게나마 단축되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 정전척 (14A') 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한다.
본 실시형태에 있어서도, 시료 실리콘 기판 (21) 의 주변을 소정의 길이만큼 수축·팽창시키는 것은, 가동용 모터 (23) 에 가하는 동력 및/또는 시간을 제어함으로써 이루어진다. 또한, 시료 실리콘 기판 (21) 을 소정의 길이만큼 이동시킬 지의 여부는, 시료 실리콘 기판 (21) 상에 미리 붙여진 마크 (도시 생략) 를 모니터장치 (도시 생략) 로 모니터하여 판정함으로써 이루어진다.
이상에서는, 시료가 수축되어 있는 경우에 대하여 설명하였으나, 반대로 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의하여 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면, 그러한 경우에도 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 을 구동시키고, 그럼으로써 시료대 중앙부 정전척 (14A') 을 구동시켜 시료대 중앙부 (11A) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이어서, 시료대 주변가동부 정전구동장치 (26') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 주변가동부 정전척 (16') 을 구동시켜 시료대 주변가동부 (13) 에 대해서도 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 그 후, 시료대 중앙부 정전척 구동장치 (24A') 의 동작을 정지시켜 시료대 중앙부 정전척 (14A') 의 기능을 정지시킨다. 이렇게 하여 시료대 주변가동부 정전척 (16') 만으로 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의하여 개개의 시료대 주변가동부 (13) 를 반경방향 내측으로 방사형으로 이동시킨다. 그 결과, 각각의 시료대 주변가동부 (13) 가 소정의 길이만큼 이동하면, 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다. 이 상태에서 시료대 중앙부 정전척 (14A') 을 작동시켜 시료 실리콘 기판 (21) 전체를 흡착지지한다.
이상에서 기술한 바와 같이, 상기 제 5 실시형태에 관한 시료대에 의하면, 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우, 또한 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원시킬 수 있어 마스크상의 패턴을 투영하였을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
또한, 상술한 제 5 실시형태에 대한 설명에 있어서, 시료대 중앙부 (11A) 중, 시료대 주변가동부 (13) 사이에 위치하는 부분과 그 이외의 중앙부분에서 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착하는 척 기구가 함께 제어되는 것으로서 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것이 아니라, 각각 독립적으로 제어되어 있어도 된다.
(제 6 실시형태)
다음으로, 도 11 및 도 12 를 참조하여 본 발명의 제 6 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대의 구성에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대는, 도 11 에 나타낸 바와 같이 시료대 (10) 가 세분화되어 있고, 각각에 시료대 정전척 (20') 이 형성된 구성을 구비하고 있다. 또한, 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 있어서는 각 부분이 동시에 시료대 (10) 의 중심에서 반경방향으로 방사형으로 이동하도록 각 부분에 가동용 모터 (23) 및 가동용 바아 (22) 가 설치되어 있고, 시료대 (10) 중앙의 한군데만 고정되어 있다. 또, 도 12 에 나타낸 바와 같이 시료대 정전척 (20') 은 모두 공통되는 시료대 정전척 구동장치 (30') 에 의하여 구동된다.
이러한 점에서 알 수 있듯이, 본 실시형태에 관한 패턴노광장치용 시료대는, 상술한 제 3 실시형태에서 진공척 기구 대신에 정전척 기구를 사용한 것이다.
이러한 구성을 구비하는 본 실시형태에 의한 패턴노광장치용 시료대에 의하면, 반도체집적회로 제조공정 중의 실리콘기판 (21) 이, 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의하여, 미미하게나마 단축되어 있는 경우에는 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 신장시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대 (10) 의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 정전척 구동장치 (30') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 정전척 (20') 을 구동시켜 시료대 (10) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이렇게 하여 시료대 정전척 (20') 전체에서 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착지지한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의하여 세분된 시료대 (10) 의 각 부분을 반경방향 외측으로 방사형으로 이동시킨다. 결과적으로 시료대 (10) 의 각 부분이 소정의 길이만큼 이동하면, 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 신장되어 미미하게나마 단축되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 시료대 (10) 의 각 부분은 중심으로부터의 거리에 따라서 이동량이 다르도록, 가동용 바아 (22) 의 이동량에 대해 각각 다른 비율로 이동하도록 되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 이 목적을 위해 가동용 모터 (23) 에 의해 환봉형 가동용 바아 (22) 가 회전하고, 가동용 바아 (22) 의 주위에 새겨져 있는 웜 기어 (도시 생략) 와 시료대 (10) 의 각 부분의 기어 (도시 생략) 가 서로 맞물려, 시료대 (10) 의 각 부분이 이동하는 구조가 채택되고 있고, 각 부분에서의 기어의 비율이 시료대 (10) 의 중심으로부터의 거리에 따라서 변화하도록 되어 있다.
이상에서는 시료가 수축되어 있는 경우에 대하여 설명했으나, 반대로 반도체집적회로 공정 중의 실리콘기판 (21) 이 열변화 또는 내부응력을 갖는 박막형성에 의하여 미미하게나마 신장되어 있는 경우도 있을 수 있다. 본 실시형태에 의하면, 그러한 경우에도, 다음에 나타내는 순서에 따라 필요한 만큼 단축시켜 마스크 (도시 생략) 와 정합시킬 수 있다.
먼저, 시료대 (10) 의 중심축과 시료 실리콘 기판 (21) 의 중심축을 일치시킨 상태에서, 시료대 정전척 구동장치 (30') 를 동작시키고, 그럼으로써 시료대 정전척 (20') 을 구동시켜 시료대 (10) 에 대해 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한다. 이렇게 하여 시료대 정전척 (20') 에 의하여 시료 실리콘 기판 (21) 을 흡착한 상태에서, 가동용 모터 (23) 를 작동시키고, 가동용 바아 (22) 에 의하여 세분화된 시료대 (10) 의 각 부분을 반경방향 내측으로 방사형으로 이동시킨다. 시료대 (10) 의 각 부분이 소정의 길이만큼 이동하면, 시료 실리콘 기판 (21) 전체가 균일하게 단축되어 미미하게나마 신장되어 있던 실리콘기판 (21) 을 본래의 크기로 복원시킬 수 있다.
이상에서 기술한 바와 같이, 상기 제 6 실시형태에 관한 시료대에 의하면, 실리콘기판 (21) 이 신장되어 있는 경우, 또는 단축되어 있는 경우에도 본래의 크기로 복원시킬 수 있어 마스크 상의 패턴을 투영시켰을 때 치수의 편차를 없앨 수 있다.
또한, 본 본명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에서 다양하게 변경할 수 있는 것은 물론이다. 예를 들어, 상술한 실시형태에서는 시료기판이 실리콘기판 경우인 예에 대하여 설명하엿으나, 다른 기판에도 적용할 수 있는 것은 물론이다. 또한, 노광장치는 X 선 노광장치 이외의 것이어도 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 마스크상에 형성되어 있는 회로패턴을 시료상에 전사하는 노광장치용 시료대에 있어서, 배율편차 측정수단 또는 위치편차 계측수단의 정밀도가 열화되지 않고, 또한 마스크 자체 또는 마스크 지지기판의 파손을 초래하지 않으며, 또한 마스크 패턴에 대해 시료상의 패턴이 커져 있는 경우뿐만 아니라 시료상의 패턴이 작은 경우에도 단시간에 시료 실리콘 기판을 신축시킬 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (10)

  1. 마스크상에 형성되어 있는 회로패턴을 시료상에 전사하는 노광장치에 사용되며 상기 시료를 탑재하는 노광장치용 시료대로서, 상기 시료대는
    중앙부와 이 중앙부를 둘러싼 주변부로 분할되어 있으며,
    상기 시료를 흡착한 상태에서 상기 주변부의 적어도 일부를 상기 시료대의 반경방향으로 이동시키는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  2. 마스크상에 형성되어 있는 회로패턴을 시료상에 전사하는 노광장치에 사용되며 상기 시료를 탑재하는 노광장치용 시료대로서, 상기 시료대는
    중앙부와 이 중앙부를 둘러싼 주변부로 분할되어 있으며,
    상기 중앙부와 상기 주변부의 각각에 대해 상기 시료의 시료 실리콘 기판을 흡착하기 위한 척 기구를 구비하며,
    상기 주변부의 일부 혹은 전부를 상기 시료대의 반경방향으로 이동시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 시료기판이 시료 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 주변부는 고정된 주변고정부와 상기 반경방향으로 이동할 수 있는 주변가동부로 분할되어 있으며,
    상기 시료대는 상기 시료기판을 흡착하는 척 기구를 상기 주변부 고정부와 상기 중앙부에서 각각 독립적으로 제어하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 주변부는 고정된 주변고정부와 상기 반경방향으로 이동할 수 있는 주변가동부로 분할되어 있으며,
    상기 주변고정부는 상기 중앙부와 일체화되어 있고,
    상기 시료대는 상기 시료기판을 흡착하는 척 기구를 상기 중앙부와 상기 주변고정부에서 동시에 제어하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 주변부는 고정된 주변고정부와 상기 반경방향으로 이동할 수 있는 주변가동부로 분할되어 있으며,
    상기 주변고정부는 상기 중앙부와 일체화되어 있고,
    상기 시료대는 상기 시료기판을 흡착하는 척 기구를 상기 중앙부와 상기 주변부에서 각각 독립적으로 제어하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 주변부는 고정된 주변고정부와, 상기 반경방향으로 이동할 수 있도록 방사형으로 설치된 복수개의 주변가동부로 구성되어 있으며,
    상기 시료대는 상기 복수개의 주변가동부에서의 상기 시료기판 흡착용 척 기구의 전부를 동시에 제어함과 동시에, 상기 복수개의 주변가동부의 이동량이 상기 시료대의 중심으로부터의 거리에 대응하여 이동하도록 제어하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 노광장치는 X 선 노광장치인 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 척 기구는 상기 시료기판을 진공 흡착하는 진공척 기구인 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
  10. 제 2 항에 있어서, 상기 척 기구는 상기 시료기판을 정전 흡착하는 정전척 기구인 것을 특징으로 하는 패턴노광장치용 시료대.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19949019C2 (de) * 1999-10-11 2001-12-13 Leica Microsystems Messgerät und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf Substraten verschiedener Dicke
JP2001223186A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Lintec Corp 転写テープマウント装置および転写テープマウント方法
JP4403531B2 (ja) * 2000-03-07 2010-01-27 Toto株式会社 静電チャックユニットの製造方法
US7786607B2 (en) 2004-02-19 2010-08-31 Asml Holding N.V. Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment
JP2007311374A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Nikon Corp 基板ホルダ、露光装置及びデバイスの製造方法
US9657337B2 (en) 2006-12-29 2017-05-23 Honeywell International Inc. Reaction buffer for microarray
US9583364B2 (en) 2012-12-31 2017-02-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression
DE102016101842A1 (de) * 2016-02-03 2017-08-03 Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik Vakuumspannvorrichtung zum Aufspannen von Werkstücken, Messvorrichtungen und Verfahren zum Prüfen von Werkstücken, insbesondere Wafern
CN107611076B (zh) * 2017-09-05 2019-11-15 苏州威格尔纳米科技有限公司 一种衬底吸附平台
CN109738481A (zh) * 2018-11-27 2019-05-10 武汉嘉仪通科技有限公司 一种薄膜材料的赛贝克系数测量装置及方法
CN109300834A (zh) * 2018-12-10 2019-02-01 长江存储科技有限责任公司 一种真空吸盘

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63260023A (ja) 1987-04-16 1988-10-27 Sharp Corp X線露光装置
JPH01218020A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Canon Inc 薄板状物体の平面矯正装置
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
EP0463853B1 (en) * 1990-06-29 1998-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum chuck
JP3168018B2 (ja) * 1991-03-22 2001-05-21 キヤノン株式会社 基板吸着保持方法
JP3244894B2 (ja) * 1993-11-30 2002-01-07 キヤノン株式会社 マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法
US5540126A (en) * 1994-05-26 1996-07-30 Piramoon Technologies Automatic lay-up machine for composite fiber tape

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Publication number Publication date
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