TWI407266B - 光學補償單方向性之主光罩扭曲器 - Google Patents

光學補償單方向性之主光罩扭曲器 Download PDF

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Description

光學補償單方向性之主光罩扭曲器
本發明大體而言係關於微影術，且更明確而言，係關於微影聚焦控制裝置及方法。
本申請案主張2008年12月31申請之美國臨時申請案第61/141,951號之優先權，該案之揭示內容的全文在此係以引用的方式併入本文中。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向，亦被稱作「y方向」)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行於或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在藉由微影術來製造器件時，輻射光束至基板上之聚焦控制具有至上的重要性。聚焦控制之誤差之一關鍵來源為基板(例如，晶圓)之固有不均勻度。若基板之局域拓撲經映射及已知，則可藉由根據基板之經映射拓撲在垂直方向(「z方向」)上調整圖案化器件而在掃描方向上部分地補償此不均勻度。然而，此對於校正在非掃描方向(「x方向」)上之聚焦誤差無意義。亦可圍繞平行於及垂直於掃描方向之軸線來旋轉圖案化器件，但此僅部分地校正在x及y方向上之聚焦誤差。由於此等原因，在x方向上之聚焦控制為主要難題。在其他情況下，甚至圖案化器件自身之固有不均勻度亦可將誤差引入至聚焦控制中。
本發明之實施例係關於一種微影裝置之圖案化器件處置器。本發明之一實施例提供微影裝置，其包括支撐具有圖案之圖案化器件的支撐結構。圖案化器件經建構及配置以將圖案之至少一部分賦予至入射輻射光束。支撐結構包括經建構及配置以扭曲圖案化器件之扭曲器。微影裝置包括安置於圖案化器件與基板位置之間的投影系統，其能夠將輻射光束自圖案化器件投影至位於基板位置處之基板上。
本發明之一實施例提供一種製造方法，其包括映射基板之拓撲、以與基板之經映射拓撲有關的方式來扭曲圖案化器件。該方法包括將輻射光束引導至圖案化器件上、將圖案之一部分賦予至輻射光束，及將輻射光束自圖案化器件投影至基板上。
本發明之一實施例提供一種含有程式指令之電腦可讀媒體，程式指令在藉由基於處理器之控制系統執行時使系統根據一方法來控制微影裝置。該方法包含映射基板之拓撲、藉由微影裝置之扭曲器以與基板之經映射拓撲有關的方式來扭曲微影裝置之圖案化器件、將輻射光束引導至圖案化器件上，及藉由微影裝置之投影系統而將輻射光束自圖案化器件投影至基板上。
本發明之一實施例提供一種用於在微影裝置中固持具有圖案之給定可扭曲圖案化器件之支撐結構。支撐結構包含扭曲器，扭曲器經組態以基於基板之經映射拓撲而在第一方向上扭曲圖案化器件，以用於在圖案化器件將圖案之至少一部分賦予至入射輻射光束時校正由經圖案化之基板之拓撲引起之一聚焦誤差。支撐結構經組態以在相反於第一方向之第二方向上光學地補償圖案化器件之扭曲。
以上概述闡明本發明之許多而非所有態樣。藉由結合參看圖式來閱讀本發明之各種「實施例」之描述，本發明之其他態樣對於熟習本發明所屬技術者而言應係顯而易見的。在闡明以下實施例時，藉由實例而非藉由限制來說明本發明。在諸圖中，相同參考數字指代類似元件。
現將參考如在隨附圖式中所說明的本發明之少數較佳實施例來詳細地描述本發明。在以下描述中，闡明眾多特定細節，以便提供對本發明之透徹理解。然而，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在無此等特定細節中之一些或所有細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，尚未詳細地描述熟知的製程步驟，以便不會不必要地使本發明變得不明確。
同樣地，展示系統之實施例的圖式係半圖解且示意性的，且未按比例繪製。為了呈現之清晰性起見而誇示一些尺寸。
類似地，儘管圖式中之視圖通常為了描述之簡易性起見而展示類似定向，但諸圖中之此描繪在極大程度上係任意的。可在不同於如所說明之定向的定向上操作所說明之裝置。此外，在多個實施例經揭示及描述成具有一些共同特徵的情況下，為了其說明、描述及理解之清晰性及簡易性起見，通常將藉由相同參考數字來描述彼此類似及相同之特徵。
圖1A及圖1B分別示意性地描繪微影裝置100及微影裝置100'。微影裝置100及微影裝置100'各自包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、主光罩或動態圖案化器件)MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台)WT，其經組態以固持基板(例如，塗布抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，投影系統PS經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射性的，且在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射性的。
照明系統IL可包括用於引導、成形或控制輻射B的各種類型之光學組件，諸如，折射性、反射性、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置100及100'之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS而處於所要位置。
術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中形成圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於在目標部分C中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可係透射性的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射性的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括主光罩、光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣所反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可包含任何類型之投影系統，包括折射性、反射性、反射折射性、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射或適合於諸如浸漬液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)WT之類型。在此等「多平台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置100、100'可為單獨實體。在此等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置100或100'之一部分，且輻射光束B藉助於包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD(圖1B)而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為汞燈時，輻射源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD(圖1B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(圖1B)，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
參看圖1A，輻射光束B係入射於經固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA圖案化。在微影裝置100中，輻射光束B係自圖案化器件(例如，光罩)MA被反射。在自圖案化器件(例如，光罩)MA被反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器IF1以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA與基板W。
參看圖1B，輻射光束B係入射於經固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1B中被明確地描繪)以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相反)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，在X及/或Y方向上移位基板台WT，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持大體上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要來更新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如本文中所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，EUV源經組態以產生用於EUV微影術之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2所示，微影裝置LA形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元或叢集)之一部分，微影單元LC亦包括用以對基板執行預曝光製程及後曝光製程之裝置。在一實例中，微影單元或叢集可包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程裝置之間移動基板，且接著將基板傳送至微影裝置之裝載盤LB。常常被集體地稱作軌道之此等器件係在軌道控制單元TCU之控制下，軌道控制單元TCU自身係藉由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
圖3展示通常具有300毫米直徑之晶圓10的示意圖。在一實施例中，晶圓10經再分為場域(field)20，為了清晰性起見而僅展示其中之一些場域。在一實施例中，在晶圓處，場域20為26毫米乘32毫米。微影裝置可具有縮減因數四，其意謂圖案化器件上之對應場域比晶圓上之場域20大四倍。在其他實施例中，微影裝置可具有不同縮減因數、無縮減因數，或圖案化器件上之場域可小於晶圓上之對應場域。在一實施例中，在每一場域中在y方向上掃描曝光隙縫30。
由於晶圓係固有地不均勻的，因此隨著在y方向上掃描光束而誘發聚焦誤差。為了慮及晶圓10之固有不均勻度，微影裝置可包括感測器以映射晶圓之拓撲。此等感測器在此項技術中係已知的，且能夠將拓撲映射降至奈米尺度。可回應於晶圓之經局域映射拓撲來垂直地位移主光罩(在z方向上)。「局域」可意謂直接在曝光隙縫30之當前位置處、曝光隙縫正佔用的每一場域20之平均值，或給定區域中之某一其他平均拓撲。此垂直位移相當良好地起作用以校正在y方向上之聚焦誤差，但不校正在交叉掃描方向或x方向上之聚焦誤差。為此，可使主光罩傾斜(圍繞x軸、y軸或甚至z軸)。此傾斜有助於補償某一聚焦誤差，但其僅為「第一級」校正。
較高級校正可來自投影系統(例如，補償或可調整透鏡可使光束之波前失真以偏移晶圓之局域拓撲)、主光罩自身(可根據晶圓10之局域拓撲來向上或向下扭曲主光罩)或補償投影系統與可扭曲主光罩之組合。理論上，補償投影系統與可扭曲主光罩系統之若干組合可校正在x方向上之聚焦誤差，但實務上，財務及工程關注對實際上對於在製造中之使用係可行的事項強加限制。將更詳細地論述此等關注及解決此等關注之解決方案。
用以扭曲圖案化器件之一方式係在圖案化器件邊緣處施加相等且相反之力，以便產生扭曲力矩。圖4展示藉由已知圖案化器件處置器(為了簡單性起見而未圖示)之支撐件50所支撐的通用圖案化器件40。支撐件50可對應於如圖1A及圖1B所示的支撐結構MT之一部分。一對相等且相反之力(藉由箭頭表示)60係在正好在經施加成平行於圖案化器件40之中性軸線70之前的時間點予以展示。力60可藉由扭曲器(未圖示)供應。在一實施例中，力60可施加於圖案化器件40之頂部(或底部)邊緣與中性軸線70之間的中途。
若將壓力60施加於中性軸線70上方(如圖4所示)，則將產生導致圖案化器件40中之正(中心向下)曲率之扭曲力矩，如圖5所示。為了清晰性起見而極大地誇示所展示曲率。若將力施加於中性軸線70下方，則可產生負曲率(中心向上)(未圖示)。
在另一實施例中，可施加拉力(與壓力相反)。若將拉力施加於中性軸線70上方，則將產生導致負曲率(與圖5所示之曲率反向)之扭曲力矩。若將拉力施加於中性軸線70下方，則產生正曲率(未圖示)。
在圖4及圖5中，扭曲圍繞大體上平行於y軸(掃描方向)之軸線而發生。以此方式，沿著x軸(交叉掃描方向)來扭曲圖案化器件40。此允許比回應於在圖案化器件40之下的局域不均勻晶圓表面而僅僅使圖案化器件傾斜的情況的校正更高級的校正。
如所提到，扭曲器可將壓力或拉力施加至圖案化器件40，以便誘發曲率。相對容易地施加壓力。另一方面，較難以施加拉力(拉動圖案化器件)。由於典型微影裝置中之圖案化器件通常僅經暫時地附接，因此根據本發明之一例示性實施例，可使用薄夾具(例如，真空夾具或靜電夾具)或黏性表面來施加拉力。在給定圖案化器件之尺寸及為扭曲圖案化器件所必要之力之量值的情況下，根據本發明之一例示性實施例，實務上可較有效且價廉得多地實施壓力。
由於較易於施加壓力，因此必須產生正曲率及負曲率兩者(以便慮及晶圓中之不均勻度)使問題更困難。若使用單方向性(例如，僅推型線性致動器)線性致動器，則可使一列致動器80定位於中性軸線70上方，且可使一列致動器85定位於中性軸線70下方，如圖6所示。若使用較複雜的雙方向性線性致動器(例如，推/拉型致動器)，則單列推/拉致動器可實現雙方向性扭曲，但每一致動器將必須致動一槓桿以將(例如)在中性平面上方之拉動作用轉換為在中性平面下方之推動作用(未圖示)。對扭曲器之每一複雜化均可使彼設計較不理想，因為需要使扭曲器為緊密的輕型器件，以便避免危及支撐結構之動力學。依據本發明之一實施例，理想地，需要使扭曲器具有快速回應時間，以便週期性地改變圖案化器件之曲率，例如，自一經曝光場域至下一經曝光場域。
理想地，根據本發明之一實施例，期望扭曲器僅將純力施加至圖案化器件。在一實施例中，術語「純力」指代扭曲器不將明顯剛度添加至圖案化器件或支撐圖案化器件之支撐結構的情形。實現此情形之一方式係將陣列致動器140及150耦接至扭曲器120之反應框架130，如圖7之平面圖所示。在本發明之所說明實施例中，反應框架130經展示成僅運動地耦接至支撐結構110。在操作中，在圖案化器件160之相反邊緣面上的來自致動器140及150之相等且相反之力在反應框架130內部彼此大體上抵消。
機械剛性致動器(例如，壓電轉導器)可將反應框架130之失真轉移至圖案化器件160，且因此係不良的。純力致動器之實例為勞侖茲(Lorentz)致動器及磁阻致動器。在本發明之一實施例中，最簡單且最緊密之磁阻致動器(電磁體)將以最小功率耗散來提供所需力。然而，此致動器係單方向性的，因此，可沿著圖案化器件160之每一面來安置其兩列，以便提供正曲率及負曲率兩者。
為了避免在圖案化器件160之每一面上具有兩列致動器之額外成本及複雜性，在本發明之一實施例中，可組合單方向性扭曲器(亦即，僅能夠達成正曲率或負曲率)與光學補償元件以實現較複雜的扭曲器可達成之相同聚焦控制。使此情形成為可能的係將圖案化器件160之單方向性扭曲轉變為接著經投影至晶圓10上之光束之波前的雙方向性扭曲。根據本發明之一實施例，此示意性地展示於圖8中。在圖8之左側，展示三個實際圖案化器件形狀。參考數字210表示平坦圖案化器件，參考數字240展示適度扭曲圖案化器件，且參考數字270展示經扭曲成最大偏轉之圖案化器件。注意，圖案化器件僅係在一方向上(在此情況下係向下)扭曲。在圖8之右側，如在晶圓處所經歷的扭曲波前之投影展示於230、260及290處。
在圖8中，光學補償元件200為「固定」光學補償元件。「固定」元件將恆定補償扭曲(量值及方向)施加至入射光束。在所展示實例中，扭曲器產生正曲率(在圖8之左側)，而光學補償元件200產生固定量值之負曲率。離開未扭曲圖案化器件210之波前220傳遞通過光學補償元件200且在晶圓處經扭曲成形狀230。注意，形狀230具有與扭曲器能夠產生之任何曲率相反的曲率(例如，負曲率)。以此方式，在本發明之一實施例中，可達成波前之雙方向性扭曲。
若扭曲器產生與藉由光學補償元件200所產生之固定校正相等(但相反)之量值的適度彎曲圖案化器件240，則波前250將經扭曲成使得其在晶圓上之投影260將係平坦的。此將對應於曝光隙縫係在局域平坦晶圓之上的情形。當扭曲器處於其最大偏轉270時，傳遞通過補償元件之波前280將經扭曲成使得晶圓10經歷適度扭曲波前290。
自圖8可瞭解，扭曲器可經組態成用於在第一方向上之單方向性扭曲。在所說明實施例中，該方向係向下(見240及270)。光學補償元件200經組態以在與第一方向不同且有關之方向上扭曲光束之波前。在所說明實施例中，該方向係相反於第一方向(見260及290)。
在一實施例中，光學補償元件200可併入有投影系統(例如，如圖1A及圖1B所示之投影系統PS)。在一實施例中，固定光學補償元件包含經拋光成大體上圓柱形狀之透鏡。在另一實施例中，固定光學補償元件可包含經拋光成大體上圓柱形狀之鏡面。固定補償將包括在晶圓10係平坦時之時間的扭曲，其中通常無扭曲將係理想的。為了慮及此情形，使用在圖案化器件240處之適度扭曲以藉由光學補償元件200而將其在晶圓處轉變為大體上平坦波前260。
在依據本發明之另一實施例中，光學補償元件200可係可調整的，與固定相反。在此情況下，扭曲可係不必要的，因為可調整光學補償元件可產生變化量值之正曲率及負曲率兩者。
然而，併入有可調整補償元件會引起必須解決之許多難題。第一，重要的係扭曲器之回應時間大體上不短於可調整光學系統之回應時間。藉由實例，如圖8所示之系統之回應時間可為大約小於50ms。此意謂：若在無扭曲器之情況下使用可調整補償元件(例如，可調整透明平坦板或平坦鏡面)，且元件之回應時間遠大於50ms，則隨著曝光隙縫移動至具有不同曲率的晶圓之新區，微影製程將停止，直至可調整系統可進行回應為止。第二，可調整光學補償元件亦可能比固定光學補償元件昂貴得多，尤其係在其經設計以極快地調整或在極精細步驟中調整的情況下。另一方面，緩慢可調整光學補償元件或僅在兩個固定狀態(例如，恆定扭曲或大體上平坦)之間操作之光學補償元件可優於永久固定光學補償元件，因為其將允許微影裝置之使用者進行根本不將主光罩扭曲用於特定製程配方或將扭曲用於其他製程配方之選擇。
存在滿足上述難題之若干可調整光學補償元件設計。在依據本發明之一實施例中，可調整光學補償元件在其自由狀態下為大體上平坦光學元件。可使用至少一力致動器而使大體上平坦光學元件扭曲成大體上圓柱形狀。合適力致動器包括(例如)低摩擦氣壓缸，其中藉由活塞所施加之力係與輸入壓力大體上成比例。在一實施例中，大體上平坦光學元件為透明平坦板。在另一實施例中，大體上平坦光學元件為大體上平坦鏡面。
在依據本發明之一實施例中，可變化藉由力致動器所產生之力之量值。在一實施例中，當藉由力致動器所產生之力為大體上零時，可調整光學補償元件將處於其自由狀態下，此意謂其大體上平坦(亦即，具有大體上零曲率)。在依據本發明之一實施例中，藉由致動器所產生之力之量值將在可調整光學補償元件中產生不同量值之曲率。在可調整元件中所產生之曲率可與經施加力成比例。在一實施例中，不僅可變化力之量值，而且可變化其方向。反向經施加力之方向會反向可調整光學補償元件中之經產生曲率之方向。
圖15示意性地展示可調整光學補償元件1510。可調整補償元件1510經展示成處於其自由狀態下，亦即，大體上平坦。耦接至元件1510的係至少一力致動器1520，力致動器1520經組態以將具有量值及方向之給定力施加至元件1510。在所說明實施例中，力致動器大體上不產生力。
圖16示意性地展示經曝露至來自致動器1520之中等力的光學補償元件1510。元件1510呈具有中等曲率之大體上圓柱形狀。圖17示意性地展示經曝露至來自致動器1520之最大力的光學補償元件1510。在此情況下，元件1510呈具有最大曲率之大體上圓柱形狀。
當至少一力致動器1520反向經施加力之方向時，在元件1510中所產生之曲率之方向亦反向。此將產生與圖16及圖17所說明之量值類似的量值之曲率，但曲率之方向將反向。以此方式，可調整光學補償元件1510之曲率可在任一方向上自零曲率變化至中等或最大曲率(亦即，曲率向上或向下)。
描繪圖15至圖17中之可調整光學補償元件並不暗示僅三個量值之曲率係可能的。此描繪係為了解釋之簡易性起見而進行，而非藉由限制而進行。相反地，在元件1510中所產生之曲率之量值可在零偏轉與全偏轉之間無限地變化(藉由變化經施加力之量值)。此外，可藉由反向來自致動器1520之經施加力之方向來反向曲率之方向。以此方式，可根據特定微影製程配方之要求來控制可調整光學補償元件1510之曲率。
單方向性扭曲之一主要優勢係簡化圖案化器件扭曲器之機電學。此將使扭曲器更小且更輕，藉此最小化其對支撐結構動力學之負面影響，且因此最大化效能。
支撐結構動力學要求係能夠在小於1奈米內以六個自由度來定位圖案化器件、能夠在小於1奈米內維持支撐結構相對於晶圓之位置及亦能夠快速(例如，高達150個晶圓/小時之處理)。
另外，無論何時支撐結構經控制以校正晶圓不均勻度時，均可激發共振模式。為了慮及此情形，可篩選命令支撐結構精細校正(例如，使用短衝程定位器)之輸入信號以避免共振模式。若共振模式低，則犧牲控制之頻寬；因此，效能受損害。由於此原因，高共振模式係理想的。亦重要的係具有自一支撐結構至下一支撐結構之動態再現性。由於所有此等原因，迫使吾人使用「簡單」設計。
單方向性扭曲亦比使用雙方向性扭曲器(需要額外致動器或零件)或使用可調整光學補償系統(其可非常昂貴)價廉。
另外，當前微影裝置已經慮及在投影系統中圖案化器件之重力下垂，例如，其使用經拋光以消除重力下垂之透鏡。對應於(例如)扭曲圖案化器件之中列數偏轉量值(及相反方向)之新「下垂剖面」(sag profile)將僅經替代地拋光。因此，可以極小困難及代價而將單方向性扭曲器添加至當前系統。
返回參看圖9，在一實施例中，彈簧片310延伸於支撐結構300(其可包括夾盤)與支撐圖案化器件330之夾具320之間。術語「彈簧片」為描述如下結構之通用術語：該結構在其自己的平面(在圖9所示之實施例中的x-y平面)中係大體上剛性，但容易地允許平面外移動(例如，z方向)。彈簧片310約束在x-y平面中之移動，但允許沿著z軸之變形。夾具320可大體上薄且由能夠變形至圖案化器件330之局域拓撲之材料形成。夾具320可為機械夾具、真空夾具及/或靜電夾具。
線性致動器陣列可自反應框架340延伸。在所展示實施例中，將一列線性致動器350定位於圖案化器件330之中性軸線上方以用於正曲率，且將一列線性致動器360定位於圖案化器件330之中性軸線下方以用於負曲率。在此實施例中，可能需要在x方向上弱化彈簧片310中之一或兩者以允許當扭曲圖案化器件330時之自由度。
線性致動器350及360可為勞侖茲線性致動器、磁阻線性致動器或壓電線性致動器。必須考慮線性致動器之選擇的衝程、熱耗散及剛度。一般而言，線性壓電致動器可引入過多剛度以具有實際用途，除非特別地小心。
在圖9所示之實施例中，圖案化器件330可經受某一壓縮。因此，可發生雙折射，因為通常用作圖案化器件之許多材料(諸如，石英及熔融矽石)具有隨著應力而變化之折射率。
在圖10所示之實施例中，使用剪切壓電致動器370以代替如在圖8所示之實施例中所使用的線性致動器及力框架。在此實施例中，剪切壓電致動器370之向外偏轉產生向下扭曲圖案化器件330之扭矩。若可反向剪切壓電致動器370之偏轉，則可產生相反曲率。在此實施例中，可能不需要弱化彈簧片310來允許在x方向上之額外自由度。又，剪切壓電致動器370之剛度並非顯著問題，因為其不接觸圖案化器件330。然而，由於扭曲可減小可用於y加速之力，因此重要的係確保在圖案化器件330與支撐結構300之間不能發生滑動。此極其重要，因為通常僅量測支撐結構300自身之位置(例如，藉由光學編碼器)。換言之，假定圖案化器件之位置相對於支撐結構300之已知位置係恆定的。若因滑動而違反此假定，則微影製程之最終產物將係不可用的。
可添加支撐結構之可移除部分400，以便容納另一組夾具430、彈簧片420及剪切壓電致動器410。如圖11所示的經由頂部及底部之扭曲導致在圖案化器件330中所誘發之大體上純扭矩。以此方式，可大體上減少雙折射。另外，使夾持力加倍，從而導致在y加速期間的減小之滑動可能性。在圖11所示之裝置中，可能必須撤回上部夾具430，以便裝載或卸載圖案化器件。
為了使支撐結構屏蔽於扭曲扭矩，可將剪切壓電致動器連接至力框架440，力框架440可運動地耦接至支撐結構300，如圖12所示。以此方式，支撐結構300大體上將不經歷扭曲力矩。在此實施例中，頂部剪切壓電致動器410可附接至力框架440之可移動部分450。此係使得可使上部夾具430滑出圖案化器件330以用於裝載及卸載。為了裝載或卸載圖案化器件，可移動部分450向外滑動(未圖示)，從而提供對圖案化器件330之不受阻擋之接取。
可藉由添加光學編碼器500、501、502及503以量測壓電致動器之精確位置來克服壓電致動器之固有磁滯。然而，重要資訊實際上為可扭曲圖案化器件330之位置。幸運地，在壓電座標500至503與可扭曲圖案化器件330上之位置之間存在線性關係。此關係係藉由圖案化器件、夾具及力框架440之剛度判定。可校準此關係以使四個編碼器信號與相關圖案化器件參數有關：在x方向上之擴展、在x方向上之平移，及曲率。以此方式，可自已知壓電座標推斷可扭曲圖案化器件330之位置。
剪切壓電致動器具有大約5ms之快速反應時間，使得其足夠快速以更新在不均勻晶圓10之場域之間所需要的扭曲量。致動器足夠快速，使得甚至可在場域內(「場域內(intrafield)」)更新扭曲。
圖13中揭示製造在微影裝置中利用圖案化器件扭曲器之器件之方法。在區塊1200中，該方法包括提供微影裝置，微影裝置包括具有圖案之圖案化器件、經組態以支撐圖案化器件之支撐結構、經組態以扭曲圖案化器件之扭曲器、基板及投影系統。在區塊1210中，使用感測器來映射基板之拓撲。使用感測器來映射基板在此項技術中係已知的。在一實施例中，基板可為晶圓。在區塊1220中，藉由扭曲器以與基板之經映射拓撲有關之方式來扭曲圖案化器件。支撐結構可經組態以在掃描方向上移動，且可圍繞大體上平行於掃描方向之軸線來進行在區塊1220中之扭曲。在區塊1220中，可在第一方向上進行扭曲，且投影系統可包括光學補償元件，光學補償元件經組態以在相反於第一方向之第二方向上扭曲光束之波前。光學補償元件可為固定光學補償元件，例如，經拋光成大體上圓柱形狀之透鏡。在區塊1230中，將輻射光束引導至圖案化器件上。在區塊1240中，將圖案之一部分賦予至輻射光束。在區塊1250中，藉由投影系統而將輻射光束自圖案化器件投影至基板上。
該方法可進一步包含停止輻射光束之區塊1260、相對於基板而將支撐結構掃描至基板之場域之區塊1270、映射場域之拓撲之區塊1280，及以與場域之經映射拓撲有關之方式來扭曲圖案化器件之區塊1290。以此方式，扭曲器可自基板之一場域至另一場域來更新圖案化器件之扭曲。在另一實施例中，扭曲器可在給定場域內更新圖案化器件之扭曲。
本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體或電腦可讀媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。此程式或電腦可讀媒體可儲存於與微影裝置相關聯之控制系統或電腦系統中。在一實施例中，程式或電腦可讀媒體可儲存於如圖2所示之監督控制系統SCS中。
圖14中示意性地展示微影裝置1300之實施例。微影裝置1300具有用於支撐具有圖案之圖案化器件之支撐結構1310。支撐結構1310包括能夠扭曲圖案化器件之扭曲器1320。扭曲器1320可包括一反應框架及一或多個致動器。致動器可為線性致動器或剪切致動器，例如，剪切壓電致動器。在一實施例中，微影裝置1300包括輻射源1350。在另一實施例(未圖示)中，可使用外部輻射源。輻射源產生輻射光束。投影系統1330定位於支撐結構1310與基板1340之間。基板1340可藉由基板台(未圖示)支撐。支撐結構1310及基板台中之任一者或兩者可相對於投影系統而移動。
微影裝置1300包括用於映射基板1340之一部分之拓撲的感測器1350；該映射表示為箭頭1355。在一實施例中，映射基板1340之場域。接著，可將經映射拓撲輸入至扭曲器1320。經映射拓撲至扭曲器之輸入表示為箭頭1325。扭曲器又可以與基板1340之拓撲有關之方式來扭曲圖案化器件。輻射源1350(或外部輻射源)接著產生入射於圖案化器件上之輻射光束。將圖案之一部分賦予至輻射光束，輻射光束接著藉由投影系統1330而投影至基板1340上。投影系統1330可包括光學補償元件1360，光學補償元件1360可在將輻射光束投影至基板1340上之前扭曲其波前。在一實施例中，光學補償元件1360為固定補償元件。
在將基板1340之整個場域曝光至輻射光束之後，可停止光束，直至支撐結構移動至新場域為止，且藉由感測器1350來映射新場域之拓撲，感測器1350又更新扭曲器1320以按與新場域之拓撲有關之方式來重組態圖案化器件。可重複此過程，直至曝光基板之整個目標區為止。以此方式，與現有方法相比較，可極大地改良對固有不均勻基板之聚焦控制。
儘管在本文中可對微影裝置在IC之製造中之使用進行特定參考，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情況下，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」包含所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情況允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射性、反射性、磁性、電磁及靜電光學組件。
以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離以下所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
10．．．晶圓
20．．．場域
30．．．曝光隙縫
40．．．通用圖案化器件
50．．．支撐件
60．．．力
70．．．中性軸線
80．．．致動器
85．．．致動器
100．．．微影裝置
100'．．．微影裝置
110．．．支撐結構
120．．．扭曲器
130．．．反應框架
140．．．陣列致動器
150．．．陣列致動器
160．．．圖案化器件
200．．．光學補償元件
210．．．平坦圖案化器件
220．．．波前
230．．．扭曲波前之投影/形狀
240．．．適度扭曲圖案化器件/適度彎曲圖案化器件
250．．．波前
260．．．扭曲波前之投影/大體上平坦波前
270．．．經扭曲成最大偏轉之圖案化器件
280．．．波前
290．．．扭曲波前之投影/適度扭曲波前
300．．．支撐結構
310．．．彈簧片
320．．．夾具
330．．．圖案化器件
340．．．反應框架
350．．．線性致動器
360．．．線性致動器
370．．．剪切壓電致動器
400．．．可移除部分
410．．．剪切壓電致動器
420．．．彈簧片
430．．．夾具
440．．．力框架
450．．．可移動部分
500．．．光學編碼器/壓電座標
501．．．光學編碼器/壓電座標
502．．．光學編碼器/壓電座標
503．．．光學編碼器/壓電座標
1300．．．微影裝置
1310．．．支撐結構
1320．．．扭曲器
1325．．．經映射拓撲至扭曲器之輸入
1330．．．投影系統
1340．．．基板
1350．．．輻射源
1355．．．映射
1360．．．光學補償元件
1510．．．可調整光學補償元件
1520．．．力致動器
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BK．．．烘烤板
C．．．目標部分
CH．．．冷卻板
CO．．．聚光器
DE．．．顯影器
I/O1．．．輸入/輸出埠
I/O2．．．輸入/輸出埠
IF．．．位置感測器
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
LA．．．微影裝置
LACU．．．微影控制單元
LB．．．裝載盤
LC．．．微影單元
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
RO．．．基板處置器或機器人
SC．．．旋塗器
SCS．．．監督控制系統
SO．．．輻射源
TCU．．．軌道控制單元
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1A及圖1B分別描繪依據本發明之一實施例的反射性微影裝置及透射性微影裝置；
圖2為依據本發明之一實施例的微影單元的示意圖；
圖3為依據本發明之一實施例的晶圓的示意圖；
圖4為依據本發明之一實施例的圖案化器件的側視圖；
圖5為依據本發明之一實施例的處於扭曲組態中之圖3之圖案化器件的側視圖；
圖6為依據本發明之一實施例的具有線性致動器陣列之圖案化器件的側視圖；
圖7為依據本發明之一實施例的具有反應框架及致動器之支撐結構的俯視平面圖；
圖8為說明依據本發明之一實施例的光學補償元件的示意圖；
圖9為依據本發明之一實施例的藉由線性致動器而扭曲之圖案化器件的側視圖；
圖10為依據本發明之一實施例的藉由剪切致動器而扭曲之圖案化器件的側視圖；
圖11為依據本發明之一實施例的藉由額外剪切致動器而扭曲之圖案化器件的側視圖；
圖12為依據本發明之一實施例的藉由耦接至反應框架之剪切致動器而扭曲之圖案化器件的側視圖；
圖13為依據本發明之一實施例的製造方法的流程圖；
圖14為依據本發明之一實施例的微影裝置的示意圖；
圖15為說明依據本發明之一實施例的處於第一組態中之可調整光學補償元件的示意圖；
圖16為說明依據本發明之一實施例的處於第二組態中之可調整光學補償元件的示意圖；及
圖17為說明依據本發明之一實施例的處於第三組態中之可調整光學補償元件的示意圖。
300．．．支撐結構
310．．．彈簧片
320．．．夾具
330．．．圖案化器件
340．．．反應框架
350．．．線性致動器
360．．．線性致動器

Claims (30)

  1. 一種包括一圖案化器件處置器之微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以將一圖案賦予至一輻射光束，該支撐結構包括經組態且經配置以藉由施加實質上平行於該圖案化器件之一中性軸線(neutral axis)之一力以扭曲該圖案化器件之一扭曲器(bender)；及一投影系統，其安置於該圖案化器件與一基板位置之間，該投影系統能夠將該輻射光束投影至位於該基板位置處之一基板上。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該支撐結構經組態以在一掃描方向上移動，且該扭曲器經組態以圍繞實質上平行於該掃描方向之一軸線來扭曲該圖案化器件。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該扭曲器經組態及配置以回應於該基板之一部分之一經映射拓撲來扭曲該圖案化器件。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該基板之該經映射部分對應於該基板之一場域。
  5. 如請求項3之微影裝置，其中該扭曲器經組態成用於在一第一方向上之單方向性扭曲。
  6. 如請求項5之微影裝置，其中該投影系統包括一光學補償元件，該光學補償元件經組態以在與該第一方向不同且有關之一方向上扭曲該光束之一波前。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該光學補償元件包含選自 由一透鏡及一鏡面組成之群組的至少一元件，且經拋光成一實質上圓柱形狀。
  8. 如請求項6之微影裝置，其中該光學補償元件在其自由狀態下為選自由一透明平坦板及一平坦鏡面組成之群組的一實質上平坦光學元件，且經組態以使用一力致動器而扭曲成一實質上圓柱形狀。
  9. 如請求項8之微影裝置，其中可變化藉由該致動器所產生之力之一量值以在該光學補償元件中產生不同量值之曲率。
  10. 如請求項9之微影裝置，其中當將該力變化至實質上零時，該經產生曲率實質上為零。
  11. 如請求項9之微影裝置，其中藉由該致動器所產生之該力之方向係可控制的。
  12. 如請求項6之微影裝置，其中該光學補償元件能夠扭曲該光束之該波前以實質上抵消該圖案化器件之一扭曲幅度及一扭曲形狀，使得該光束在傳遞通過該光學補償元件之後具有一實質上平坦波前。
  13. 如請求項3之微影裝置，其中該扭曲器包括運動地耦接至該支撐結構之一反應框架。
  14. 如請求項13之微影裝置，其中該扭曲器包括自該反應框架延伸之一線性致動器陣列，其中該線性致動器陣列包括選自由勞侖茲致動器、磁阻致動器及壓電致動器組成之群組的線性致動器。
  15. 如請求項1之微影裝置，其中該圖案化器件具有一中心 及一圖案，且該扭曲器經進一步組態與配置以扭曲該圖案化器件，使得所產生的扭曲力矩基於該力被施加的一相對於該中性軸線之位置而導致該圖案化器件之該中心向下移動或向上移動。
  16. 如請求項15之微影裝置，其中該扭曲器進一步包含：延伸自一反應框架的一或多個第一致動器，其中該一或多個第一致動器係定位於該圖案化器件之該中性軸線上方，以藉由將該圖案化器件之該中心向下移動對該圖案化器件提供一所欲之正曲率。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該扭曲器進一步包含：延伸自該反應框架的一或多個第二致動器，其中該一或多個第二致動器係定位於該圖案化器件之該中性軸線下方，以藉由將該圖案化器件之該中心向上移動而對該圖案化器件提供一所欲之負曲率。
  18. 如請求項17之微影裝置，其中該一或多個第一及第二致動器包含線性致動器，該線性致動器包括勞侖茲致動器、磁阻致動器及壓電致動器。
  19. 如請求項17之微影裝置，其中一第一彈簧片延伸於該支撐結構與支撐該圖案化器件之一第一夾具之間，且其中一第二彈簧片延伸於該支撐結構與支撐該圖案化器件之一第二夾具之間。
  20. 一種製造方法，其包含：映射一基板之一拓撲；以與該基板之該經映射拓撲有關的一方式來扭曲一圖案化器件；將一輻射光束引導至該圖案化器件上；將圖案化之 一部分賦予至該輻射光束；及將該輻射光束自該圖案化器件投影至該基板上。
  21. 如請求項20之方法，其進一步包含：停止該輻射光束；相對於該基板而將支撐結構掃描至該基板之一場域；映射該場域之一拓撲；及回應於該場域之該經映射拓撲來扭曲該圖案化器件；其中該支撐結構經組態以在一掃描方向上移動，且扭曲圍繞實質上平行於該掃描方向之一軸線而發生；且其中該扭曲係在一第一方向上進行，且投影系統包括一光學補償元件，該光學補償元件經組態以在相反於該第一方向之一第二方向上扭曲該光束之一波前。
  22. 一種含有程式指令之電腦可讀媒體，該程式指令在藉由一基於處理器之控制系統執行時使該系統根據一方法來控制一微影裝置，該方法包含：映射一基板之一拓撲；藉由該微影裝置之一扭曲器以與該基板之該經映射拓撲有關的一方式來扭曲該微影裝置之一圖案化器件；將一輻射光束引導至該圖案化器件上；及藉由該微影裝置之一投影系統而將該輻射光束自該圖案化器件投影至該基板上。
  23. 如請求項22之電腦可讀媒體，該等程式指令進一步包含：停止該輻射光束；相對於該基板而將該微影裝置之一支撐結構掃描至該基板之一場域；映射該場域之一拓撲；及回應於該場域之該經映射拓撲來扭曲該圖案化器件；其中該支撐結構經組態以在一掃描方向上移動，且 扭曲圍繞實質上平行於該掃描方向之一軸線而發生；且其中該扭曲係在一第一方向上進行，且該投影系統包括一光學補償元件，該光學補償元件經組態以在相反於該第一方向之一第二方向上扭曲該光束之一波前。
  24. 一種經建構且經配置以在一微影裝置中固持一可扭曲圖案化器件之支撐結構，該支撐結構包含：一扭曲器，其經組態且經配置以基於一基板之一經映射拓撲藉由施加實質上平行於該圖案化器件之一中性軸線之一力而在一第一方向上扭曲該圖案化器件，以用於在該圖案化器件將圖案賦予至一入射輻射光束時校正由經圖案化之該基板之一拓撲引起之一聚焦誤差，其中該支撐結構經組態以在相反於該第一方向之一第二方向上光學地補償該圖案化器件之該扭曲。
  25. 如請求項24之支撐結構，其進一步包含一光學補償元件，該光學補償元件經組態以光學地校正該聚焦誤差，其中藉由基於該基板之該經映射拓撲圍繞一掃描軸線來扭曲該圖案化器件而在一交叉掃描方向上提供一聚焦控制。
  26. 一種圖案化器件處置器，包含：一支撐結構，其經組態以固持一具有一中心及一圖案之圖案化器件，其中該支撐結構包括經組態且經配置以藉由施加實質上平行於該圖案化器件之一中性軸線之一力以扭曲該圖案化器件之一扭曲器，且其中該扭曲器包含： 延伸自一反應框架的一或多個第一致動器，其中該一或多個第一致動器係定位於該圖案化器件之該中性軸線上方，以藉由將該圖案化器件之該中心向下移動對該圖案化器件提供一所欲之正曲率，及延伸自該反應框架的一或多個第二致動器，其中該一或多個第二致動器係定位於該圖案化器件之該中性軸線下方，以藉由將該圖案化器件之該中心向上移動而對該圖案化器件提供一所欲之負曲率。
  27. 如請求項26之圖案化器件處置器，其中該一或多個第一及第二致動器包含線性致動器，該線性致動器包括勞侖茲致動器、磁阻致動器及壓電致動器。
  28. 如請求項26之圖案化器件處置器，其中一第一彈簧片延伸於該支撐結構與支撐該圖案化器件之一第一夾具之間，且其中一第二彈簧片延伸於該支撐結構與支撐該圖案化器件之一第二夾具之間。
  29. 如請求項26之圖案化器件處置器，其中該扭曲器經組態以基於一基板之一經映射拓撲而在一第一方向上扭曲該圖案化器件，以回應於該圖案化器件將該圖案之至少一部分賦予至一入射輻射光束而校正由經圖案化之該基板之一拓撲引起之一聚焦誤差。
  30. 如請求項29之圖案化器件處置器，其中該支撐結構經組態以在相反於該第一方向之一第二方向上光學地補償該圖案化器件之該扭曲。
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