CN1233847A - 图形曝光装置用的试样台 - Google Patents

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Abstract

一种曝光装置用的试样台将在掩模上形成的电路图形复制在试样上,没有放大倍数偏差、检测部件和位置偏移计量部件而引起的精度降低,另外,也不会使掩模本身或掩模支持的基片受到损伤。即使在掩模图形小的情况下,也可以在短时间内,将试样硅基片伸长或缩短。图形曝光装置用的试样台,被分为中央部和周围部,分别设有吸附试样硅基片21的吸盘机构,周围的一部分或全部可以从试样台的中心沿半径方向移动。

Description

图形曝光装置用的试样台
本发明涉及用于制造半导体装置的集成电路和LCD(光耦合器件)的图形曝光装置用的试样台，尤其涉及X射线曝光装置试样台。
近年来，由于半导体集成电路的高密度化和高速化水平的提高，对半导体集成电路各元件尺寸微细化的努力正在继续。还有，随着元件尺寸的微细化，在各种工艺中形成的半导体元件相互叠合是否适宜是很重要的。通常，叠合精度的要求值是元件尺寸的1/4到1/3，在近年来开发中所采用的0.25或0.18μm规格的图形中，精度必须是50或80nm。
用于制造半导体集成电路的硅基片，在制造过程中，由于受到热变化或形成有内部应力的薄膜，会稍微缩短(收缩)或伸长(膨胀)。例如：直径6英寸的硅基片上形成0.2μm厚的氮化硅膜时，缩短4ppm，即长度为20mm的图形只缩短80nm。该缩短的80nm与所述的叠合精度一样，是不可忽视的。因此，在以下曝光工艺的图形复制中，必须将这部分进行补正后曝光。
另外，用CVD方法，在硅基片上形成1.0μm厚的氧化硅膜的情况下，伸长5ppm，即长度为20mm的图形只伸长100nm。该伸长的100nm为所述叠合精度一样同等程度以上，其大的程度是不可忽视的。因此，在以下曝光工艺的图形复制中，必须将这部分校正后进行曝光。
对此，在使用紫外线进行掩膜图形的缩小复制的曝光装置中，调整光学组合透镜的间隔，可以由给定的值稍微变化复制的放大倍数，就能在所述的曝光工艺中很容易进行校正。
但是，在使用紫外线曝光中，不能对应的微细图形的形成中，以同步加速器放射光(S0R)为光源的X射线曝光中，由于没有X射线有效实用的透镜，一般使用等倍的掩膜，但是不能改变图形复制的放大倍数。
在特开昭63-260023号公报(以下称已有技术1)中，着眼于掩模支持基片(熔融石英)和试样基片(硅)的膨胀系统不同，在使掩模支持基片和试样基片双方的温度变化之后，在曝光工艺中进行校正。(以下称已有技术1)
另外，在A.C.chen et al.,Proc.SPIE Vol.2437,PP.140-150(1955)(以下称已有技术2)中，对掩模支持基片加外力，将掩模基片强制伸长之后，在曝光工艺中进行校正。
所述已有技术1和2存在如下所述的问题。
首先，在先行技术1中，伴随掩模基片和试样基片的温度变化的装置自身的变动因素，即：放大倍数不吻合，测定部件和位置偏移而使测定部件的精度降低。另外，在该已有技术1中，还存在的问题是：温度变化到稳定为止需要10分钟至数10分钟的时间，不能在短时间内变更测定校正量。
另一方面，在已有技术2中，由于必须要对掩模基片反复增加外力，这样，就会使掩模的基片容易疲劳，容易使掩模自体或掩模区支持基片产生破损。并且，由于增加外力只限于将掩模在伸长方向伸长，因此，对于掩模图形也只限于试样上的图形为变大的情况。相反，也存在试样上的图形小的情况就不能适应这样的问题。
这样，对应硅基片的伸缩时，为了在短时间内进行调整，与利用温度变化的方法相比，使用外力的方法是有利的，但是对掩模基片增加外力的方法，容易使掩模或掩模支持基片产生破损。
因此，发明的目的是，为解决这些已有技术中存在的问题，将外力加在试样基片上，由此，在试样基片上构成的图形可以准确地与掩模图形匹配，特别是提供X射线曝光装置中有效的曝光装置用的试样台。
本发明作为解决所述存在的问题的技术手段，提供如下所示的图形曝光装置用的试样台。
即，本发明的图形曝光装置用的试样台，装有试样并利用曝光装置将在掩模上形成的电路图形复制在试样上，其特征是试样台分为中央部和包围该中央部的周围部，设有移动部件，在吸附试样的状态下，至少周围部的一部分可以沿试样台的半径方向移动。
以下对附图及其符号作简单说明。
图1是本发明实施例的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图2是图1所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
图3是本发明实施例2的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图4是图3所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
图5是本发明实施例3的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图6是图5所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
图7是本发明实施例4的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图8是图7所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
图9是本发明实施例5的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图10是图9所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
图11是本发明实施例6的图形曝光装置用的试样台主要部分构成的简略透视图。
图12是图11所示的图形曝光装置用的试样台全部构成简略剖视图。
在上述附图中，10-试样台、11、11A-试样台中央部、12-试样台周围固定部、13-试样台周围可动部、14、14A-试样台中央部真空吸盘、14’、14A’-试样台中央部静电吸盘、15-试样台周围固定部真空吸盘、15’-试样台周围固定部静电吸盘、16-试样台周围可动部真空吸盘、16’-试样台周围可动部静电吸盘、20-试样台真空吸盘、20’-试样台静电吸盘、21-试样硅基片、22-可动用杆、23-可动用马达、24、24A-试样台中央部真空吸盘驱动装置、24’、24A’-试样台中央部静电吸盘驱动装置、25-试样台周围固定部真空吸盘驱动装置、25’-试样台周围固定部静电吸盘驱动装置、26-试样台周围可动部真空吸盘驱动装置、26’-试样台周围可动部静电吸盘驱动装置、30-试样台真空吸盘驱动装置、30’-试样台静电吸盘驱动装置
以下参照附图详细说明有关本发明的实施例。
实施例1
图1及图2所示为本发明实施例1中的图形曝光装置用的试样台主要部分的构成及整体构成。
本实施例的图形曝光装置用的试样台，如图1所示，试样台分为试样台中央部11、试样台周围固定部12和多个试样台周围可动部13。分别用于真空吸附固定试样硅基片21的吸盘，即由试样台中央部真空吸盘14、试样台周围固定部真空吸盘15以及试样台周围可动部真空吸盘16组成。
试样台固定部12和多个试样台周围可动部13设在试样台中央部11的外周，换句话说，即试样台中央部11由试样台周围固定部12以及试样台周围可动部13包围着。多个试样台周围可动部13，如图1所示，沿周围方向呈放射状地等角间隔配置。
另外，试样台周围可动部13，如图2所示那样，通过可动用马达23及可动用杆22，可以由试样台的中央部沿半径方向移动。还有，试样台中央部真空吸盘14与试样台周围固定部真空吸盘15和试样台周围可动部真空吸盘16分别是相互独立驱动的装置，它们分别由试样台中央部真空吸盘驱动装置24，试样台周围固定部真空吸盘驱动装置25以及试样台周围可动部真空吸盘驱动装置26驱动。
使用具有这种构成的本实施例的图形曝光装置用的试样台，半导体集成电路制造工艺中的硅基片，由于热变化或形成有内部应力的薄膜，在稍微缩短(收缩)的情况，按如下的顺序，进行所必要的伸长(膨胀)，以取得掩模(图中未示)的匹配。
首先，使试样台的中心轴与试样硅基片21的中心轴一致，以这种状态，使试样台中央真空吸盘驱动装置24动作，由此，驱动试样台中央部真空吸盘14，对着试样台中央部11吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部真空吸盘驱动装置26动作，由此驱动试样台周围可动部真空吸盘16，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部真空吸盘驱动装置24的动作，试样台中央部真空吸盘14的吸附功能也停止。这样，只以试样台周围可动部真空吸盘16保持着吸咐试样硅基片21。在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动用杆22将每个试样台周围可动部13沿半径方向的外侧呈放射状地移动。如果将试样台周围可动部13只移动了给定的长度，使试样硅基片21的整体均的一地伸长，就可以使稍微缩短的试样硅基片21恢复到原来的大小。在这种状态下，使试样台中央部真空吸盘14以及试样台周围固定部真空吸盘15动作，保持吸附着整个试样硅基片21。
在本实施例中，将试样硅基片21的周围只按给定的长度收缩、膨胀的过程是由加在可动用马达23的动力以及或者控制时间来进行的。另外，试样硅基片21的周围是否能按给定的长度收缩、膨胀，要用监测装置(图中未示)对事先在试样硅基片21上做好的标记(图中未示)进行监测后进行判定。
以上说明了有关试样收缩的情况，相反，在半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，也有时由于热变化或形成有内部应力的薄膜而使其稍微伸长，在本实施例中，也可以按如下顺序，进行必要的缩短，与掩模取得匹配。
首先，使试样台的中心轴与试样硅基片21的中心轴一致，以这种状态，使试样台中央真空吸盘驱动装置24动作，由此，驱动试样台中央部真空吸盘14，对着试样台中央部11吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部真空吸盘驱动装置26动作，由此驱动试样台周围可动部真空吸盘16，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部真空吸盘驱动装置24的动作，试样台中央部真空吸盘14的吸附功能也停止。这样，只以试样台周围可动部真空吸盘16保持着吸咐试样硅基片21。在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动用杆22分别将每个试样台周围可动部13沿半径方向的内侧呈放射状地移动。各试样台周围可动部13只按给定的长度移动，试样硅基片21被均匀地缩短，使稍微伸长的硅基片21能恢复到原来的大小。在这种状态下，使试样台中央部真空吸盘14以及试样台固定部真空吸盘15动作，保持吸附着整个试样硅基处21。
如上所述，采用该第一实施例的试样台，不论硅基片21伸长还是缩短，都可以使其恢复到原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
实施例2
下面，参照图3及图4说明本发明实施例2的图形曝光装置用的试样台。
本实施例中的图形曝光装置用的试样台，如图3所示，分为试样台中央部11和包围它的试样台可动部13，分别用于真空吸附固定试样硅基片21的吸盘，即由试样台中央部真空吸盘14A以试样台周围可动部真空吸盘16构成。由此可以理解，试样台中央部11A，相当于所述实施例1中，试样台中央部11与试样台周围固定部12形成整体。另外，试样台中央部真空吸盘14A，相当于在所述实施例1中，试样台中央部真空吸盘14和试样台周围固定部真空吸盘15组合的吸盘。
另外，试样台周围可动部13，如图4所示，通过可动用马达23以及可动用杆22，可以从试样台的中央，沿半径方向呈放射状地移动。试样台中央部真空吸盘14A和试样台周围可动部真空吸盘16分别有相互独立的驱动装置，通过试样台中央部真空吸盘驱动装置24A以及试样台周围可动部吸盘驱动装置26被驱动。由此可以理解，试样台中央部真空吸盘驱动装置24A，相当于所述实施例1中的试样台中央部真空吸盘驱动装置24和试样台周围固定部真空吸盘驱动装置25组合的驱动装置。
以具有这种构成的本实施例的图形曝光装置用的试样台，半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，由于热变化或形成有内部应力的薄膜而稍微缩短的情况，按如下顺序，进行必要的伸长，与掩模(图中未示)可以匹配。
首先，使试样台的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部真空吸盘驱动装置24A动作，由此驱动试样台中央部吸盘14A，对着试样台中央部11A吸附试样硅基片21。接着，使试样台周围可动部真空吸盘驱动装置26动作，由此驱动试样台周围可动部真空吸盘16，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部真空吸盘驱动装置24A的动作，试样台中央部真空吸盘14A的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部真空吸盘16保持着吸附试样硅基片21，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动杆22将每个试样台周围可动部13对着半径方向外侧呈放射状移动。只将各试样台周围可动部13移动给定的长度。使整个试样硅基片21均匀地伸长，这样就可以使稍微缩短的硅基片21恢复到原来的大小，以这种状态，使试样台中央部真空吸盘14A动作保持吸附试样硅基片21。
在本实施例中，试样硅基片21的周围只按给定的长度收缩、膨胀的状态，也可以对可动马达23增加动力或控制时间来进行调整。另外，对于试样硅基片21的周围是否能按给定的长度收缩、膨胀，可以用监测装置(图中未示)对事先在试样硅基片21上做好的标记(图中未示)进行监测后进行判定。
以上说明了有关试样收缩的情况，相反，在半导体集成电路制造工艺中的硅基片21由于热变化或形成有内部应力的薄膜，也有时稍微伸长，在这种状态下，以本实施例，按如下顺序，也可以进行必要的缩短，与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部真空吸盘驱动装置24A动作，由此驱动试样台中央部吸盘14A，对着试样台中央部11A吸附试样硅基片21。接着，使试样台周围可动部真空吸盘驱动装置26动作，由此驱动试样台周围可动部真空吸盘16，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部真空吸盘驱动装置24A的动作，试样台中央部真空吸盘14A的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部真空吸盘16保持着吸附试样硅基片21，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动杆22将每个试样台周围可动部13移动给定的长度，使试样硅基片21整体均匀地缩短，可以使稍微伸长的试样硅基片21恢复原来的大小，在这种状态下，使试样台中央部真空吸盘14A动作，保持吸附整个试样硅基片21。
如上所述，采用该实施例2的试样台，不论硅基片21伸长还是缩短，都可以使其恢复到原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
另外，在所述实施例2的说明中，试样台中央部11A中，以位于试样台周围可动部之间的部分和其以外的中央部分吸附硅基片21的吸盘机构是一起控制的，但也不仅限于此，也可以分别独立地进行控制。
实施例3
以下参照图5及图6说明本发明实施例3的图形曝光装置用试样台的构成。
本实施例的图形曝光装置用的试样台，如图5所示，试样台10被细分解，分别设有试样台真空吸盘20，另外，在本实施例的图形曝光装置用的试样台，如图6所示，各部分可以同时从中心沿半径方向呈放射状地移动，在各部分设有可动用马达23及可动用杆22，只有试样台10的中央的一处被固定。另外，如图6所示，试样台真空吸盘20都是由共用的试样台真空吸盘驱动装置30驱动。
具有这种构成的本实施例的图形曝光装置用的试样台，在半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，由于热变化或形成有内部应力的薄膜而稍微缩短的情况，按如下所示的顺序，进行必要的伸长，可以与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台真空吸盘驱动装置30动作，由此驱动试样台真空吸盘20，对着试样台10吸附试样硅基片21。这样，试样台真空吸盘20整体保持吸附试样硅基片21，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22将细分的试样台10的各部分对着半径方向的外侧呈放射状移动。只将试样台的各部分移动给定的长度，使试样硅基片21整体均匀地伸长，使稍微缩短的硅基片21能恢复到原来的大小。
在本实施例中，使试样台的各部分，对应从中心的距离，移动量不同，可动用杆22的移动量分别以各自不同的比率移动。另外，在本实施例中，为达到这一目的，通过可动用马达23转动圆棒状的可动用杆22，在可动用杆22周围刻制的蜗轮(图中未示)与试样台的各部分的齿轮(图中未示)啮合，试样台各部分采用这种移动构造，其各部分的齿轮的比例，对应从试样台中心的距离而变化。
以上只说明了试样收缩的情况，相反，半导体集成电路工艺中的硅基片21，也有时由于热变化和形成有内部应力的薄膜而稍微伸长的情况，即使有这种情况，在本实施例中，按照以下的顺序，进行必要的缩短，可与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台真空吸盘驱动装置30动作，由此驱动试样台真空吸盘20，对着试样台10吸附试样硅基片21。这样，通过试样台真空吸盘20保持吸附试样硅基片21，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22，将细分的试样台10的各部分对着半径方向的内侧呈放射状移动。试样台10的各部分按给定的长度移动的话，使试样硅基片21整体均匀地缩短，使稍微伸长的硅基片21能恢复到原来的大小。
如以上所述，采用该实施例3的试样台，不论硅基片21伸长还是缩短，都可以使其恢复到原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
实施例4
下面参照图7及图8说明本发明实施例4的图形曝光装置用试样台。
本实施例的图形曝光装置用试样台，如图7所示，试样台分为试样台中央部11，包围它的试样台周围固定部12以及多个试样台周围可动部13，分别用于静电吸附试样硅基片21而固定的吸盘。即，设有试样台中央部静电吸盘14’，试样台周围固定部静电吸盘15’以及试样台周围可动部静电吸盘16’。另外，试样台周围可动部13，如图8所示，通过可动用马达23及可动用杆22，可以从试样台的中央沿半径方向呈放射状地移动。另外，试样台中央部静电吸盘14’，试样台周围固定部静电吸盘15’和试样台周围可动部静电吸盘16’分别是相互独立的驱动装置，通过试样台中央静电吸盘驱动装置24’，试样台周围固定静电吸盘驱动装置25’及试样台周围可动部静电吸盘驱动装置26’驱动。
由所述的构成可以理解，本实施例的图形曝光装置用的试样台，不是使用所述实施例1中的真空吸盘机构，使用了静电吸盘机构。
具有这样构成的的本实施例的图形曝光装置用的试样台，由于半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，受到热变化或形成有内部应力的薄膜，而稍微缩短的情况，按如下顺序，进行必要的伸长，可以与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘驱动装置24’动作，由此驱动试样台中央部静电吸盘14’，对着试样台中央部11吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部静电吸盘驱动装置26’动作，由此，驱动试样台周围可动静电吸盘16’，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21，然后，停止试样台中央部静电吸盘驱动装置24’的动作，试样台中央部静电吸盘14’的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部真空吸盘16’，保持吸附试样硅基片21的状态，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22，将试样台周围可动部13沿半径方向外侧呈放射状移动。其结果是将试样台周围的可动部13只移动给定的长度，就使试样硅基片21整体均匀地伸长，可以使稍微缩短的硅基片21恢复到原来的大小。在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘14’，试样台周围可动部静电吸盘15’动作，保持吸附整个试样硅基片21。
在本实施例中，将试样台硅基片21的周围只按给定的长度收缩或膨胀。可以通过对可动用马达23加动力或控制时间来进行。另外，试样硅基片21的周围是否按给定的长度收缩、膨胀，要用监测装置(图中未示)对事先在试样硅基片21的上面做好的标记(图中未示)进行监测后进行判定。
以上说明了有关试样收缩的情况，相反，在半导体集成电路工艺中的硅基片21，有时也由于热变化或形成有内部应力的薄膜，而稍微伸长的情况，在本实施例中，在这种情况下也可按照以下的顺序，进行必要的缩短，与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘驱动装置24’动作，由此驱动试样台中央部静电吸盘14’，对着试样台中央部11吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部静电吸盘驱动装置26’动作，由此，驱动试样台周围可动静电吸盘16’，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21，然后，停止试样台中央部静电吸盘驱动装置24’的动作，试样台中央部静电吸盘14’的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部真空吸盘16’，保持吸附试样硅基片21的状态，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22，将试样台周围可动部13对着半径方向内侧，呈放射状移动。其结果是将试样台周围各可动部13只移动给定的长度，就使试样硅基片21整体均匀地缩短，这样，可以使稍微伸长的硅基片21恢复到原来的大小。在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘14’，及试样台周围可动部静电吸盘15’动作，保持吸附整个试样硅基片21。
如上所述，采用该实施例4的试样台，不论硅基片21伸长还是缩短，都可以使其恢复到原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
实施例5
下面，参照图9及图10，说明有关本发明实施例5的图形曝光装置用的试样台。
本实施例中的图形曝光装置用的试样台，如图9所示，试样台分为试样台中央部11A和包围中央部11A的试样台可动部13，分别用于吸附固定静电吸附试样硅基片21的吸盘，即由试样台中央部静电吸盘14A’及试样台周围可动部静电吸盘16’构成。由此可以理解，试样台中央部11A相当于将所述实施例4中的试样台中央部11与试样台周围固定部12形成整体，而试样台中央部静电吸盘14A’相当于将所述实施例4中的试样台中央部静电14’与试样台周围固定部静电吸盘15’组合为整体的吸盘。
试样台周围可动部13，如图10所示，通过可动用马达23及可动用杆22，可以从试样台的中央沿半径方向呈放射状地移动。另外，试样台中央静电吸盘14A’和试样台周围可动部静电吸盘16’，分别是使用相互独立的驱动装置。通过试样台中央部静电吸盘驱动装置24A’及试样台周围可动部驱动装置26’驱动。由此可以理解，试样台中央部静电驱动装置24A’相当于所述实施例4中的试样台中央部静电吸盘驱动装置24’与试样台周围固定部静电吸盘驱动装置25’组合的驱动装置。
换句话说，本实施例的图形曝光装置用的试样台，使用静电吸盘装置，替代所述实施例2中的真空吸盘机构。
具有这种构成的本实施例中的图形曝光装置用的试样台，在半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，由于热变化或形成有内部应力的薄膜，在稍微缩短的情况下，可以按如下顺序，进行必要的伸长，与掩模取得匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘驱动装置24A’动作，由此驱动试样台中央部静电吸盘14A’，对着试样台中央部11A吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部静电吸盘驱动装置26’动作，由此驱动试样台周围可动部静电吸盘16’，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部静电驱动装置24’的动作，试样台中央部静电吸盘14’的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部静电吸盘16’保持着吸附试样硅基片21的状态。在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动杆22，将每个试样台周围可动部13对着半径方向外侧呈放射状移动。只将各试样台周围可动部13移动给定的长度。使试样硅基片21均匀地伸长，使稍微缩短的硅基片21恢复到原来的大小，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘14A’动作，保持吸附试样硅基片21的吸附状态。
在本实施例中，将试样硅基片21的周边只按给定的长度收缩和膨胀，可以通过对可动马达23增加动力及/或控制时间来进行。另外，试样硅基片21是否只移动了给定的长度，以监测装置(图中未示)对事先在试样硅基片21上做好的标记(图中未示)进行监测后进行判定。
以上说明了试样收缩的情况，相反，在半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，有时也由于热变化或形成有内部应力的薄膜，而稍微伸长的情况，本实施例中，这种情况也可以按下面的顺序，进行必要的缩短，与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘驱动装置24A’动作，由此驱动试样台中央部静电吸盘14A’，对着试样台中央部11A吸附试样硅基片21。然后，使试样台周围可动部静电吸盘驱动装置26’动作，由此驱动试样台周围可动部静电吸盘16’，对着试样台周围可动部13吸附试样硅基片21。然后，停止试样台中央部静电驱动装置24’A的动作，试样台中央部静电吸盘14’的功能也停止。这样，只通过试样台周围可动部静电吸盘16’保持着吸附试样硅基片21的状态。在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可动杆22将各试样台周围可动部13对着半径方向内侧，呈放射状地移动，其结果是将试样台周围各可动部13移动给定的长度，使试样台硅基片21整体均匀地缩短，这样可以使稍微伸长的试样硅基片21恢复原来的大小，在这种状态下，使试样台中央部静电吸盘14A’动作，保持吸附试样硅基片21整体的状态。
如上所述，采用该实施例5的试样台，不论硅基片21伸长还是缩短，都可以使其恢复到原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
另外，在所述实施例5的说明中，试样台中央部11A中，位于试样台周围可动部13之间的部分和除此之外的中央部分吸附试样台硅基片21的吸盘机构，是一起控制的，但也不仅限于此，也可以分别独立地进行控制。
实施例6
以下参照图11及图12说明本发明实施例6的图形曝光装置用试样台的构成。
本实施例的图形曝光装置用的试样台，如图11所示，试样台10被细分，分别设有试样台静电吸盘20’，另外，在本实施例的图形曝光装置用的试样台，各部分同时设有从试样台10中心沿半径方向呈放射状地移动的可动用马达23及可动用杆22，只有试样台10中央的一处固定。另外，如图12所示，试样台静电吸盘20’由共用的试样台静电吸盘驱动装置30’驱动。
由此可以理解，本实施例的图形曝光装置用的试样台，使用静电吸盘机构，替代所述实施例3中的真空吸盘机构。
具有这种构成的本发明实施例图形曝光装置用的试样台，半导体集成电路制造工艺中的硅基片21，由于热变化或形成有内部应力的薄膜而稍微缩短的情况，按如下的顺序，进行必要的伸长，可以与掩模(图中未示)取得匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台真空吸盘驱动装置30’动作，由此驱动试样台真空吸盘20’，对着试样台10吸附试样硅基片21。这样，试样台静电吸盘20’的整体保持吸附试样硅基片21的状态，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22将细分的试样台10的各部分对着半径方向的外侧呈放射状移动，其结果，试样台10的各部分移动给定的长度，试样硅基片21整体被均匀地伸长，可以使稍微缩短的硅基片21能恢复到原来的大小。
在本实施例中，使试样台10的各部分，对应从中心的距离，移动量不同，可动用杆22的移动量分别以各自不同的比率移动。另外，在本实施例中，为达此目的，通过可动用马达23转动圆棒状的可动用杆22，在可动用杆22周围刻制的蜗轮(图中未示)与试样台的各部分的齿轮(图中未示)啮合，试样台各部分采用这种移动构造，其各部分的齿轮的比例，对应从试样台中心的距离而变化。
以上说明了试样收缩的情况，相反，半导体集成电路工艺中的硅基片21，有时由于热变化和形成有内部应力的薄膜而稍微伸长的情况，在这种情况下，可按如下的顺序，进行必要的缩短，取得与掩模(图中未示)的匹配。
首先，使试样台10的中心轴和试样硅基片21的中心轴一致，在这种状态下，使试样台真空吸盘驱动装置30’动作，由此驱动试样台真空吸盘20’，对着试样台10吸附试样硅基片21。这样，以试样台真空吸盘20’的整体吸附试样硅基片21的状态，在这种状态下，使可动用马达23动作，通过可用杆22，将细分的试样台10的各部分对向半径方向的内侧呈放射状移动，试样台10的各部分只移动了给定的长度，使试样硅基片21整体均匀地缩短，可以使稍微伸长的硅基片21能恢复到原来的大小。
如以上所述，采用该实施例6的试样台，无论硅基片21是伸长还是缩短，都可以恢复成原来的大小，掩模上的图形投影时的尺寸，也不会产生偏移。
本发明不局限于所述的实施例，只要不脱离本发明的要旨的范围，可以有种种变化。例如：在所述的实施例中，说明了试样基片是硅基片的情况，但也适用于其他的基片。另外，曝光装置也可以使用X射线以外的曝光装置。
如上所述，本发明中，将掩模上形成的电路图形复制在试样上的曝光装置用的试样台中，没有放大倍数、测定部件和位置偏移等计测部件精度的降低，另外，也不会使掩模本身或掩模支持的基片破损。而且，无论掩模图试样上的图形是变大还是变小，都可以获得在短时间将试样硅基片伸缩的效果。

Claims (10)

1．一种图形曝光装置用的试样台，装有试样并使用曝光装置，将在掩模上形成的电路图形复制到试样上，其特征是，所述试样台被分为中央部和包围中央部的周围部，设有移动部件，在吸附所述试样的状态下，所述周围部中至少有一部可以沿所述试样台的半径方向移动。
2．一种图形曝光装置用的试样台，装有试样，使用曝光装置，将在掩模上形成的电路图形复制到试样上，其特征是，所述试样台被分为中央部和包围中央部的周围部，设有吸盘机构，分别对着所述中央部和所述各周围部，吸附所述试样的试样硅基片；设有移动部件，使所述周围部的一部或全部沿所述试样台的半径方向移动。
3．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是所述试样基片是试样硅基片。
4．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是，所述周围部被分为被固定的周围固定部和能沿所述半径方向移动的周围可动部；所述试样台设有控制部件，在该周围固定部和所述中央部分别独立控制所述吸附试样基片的吸盘机构。
5．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是，所述周围部被分为被固定的周围固定部和能沿所述半径方向移动的周围可动部；该周围固定部与所述中央部形成整体；所述试样台设有控制部件，在所述中央部和所述周围部同时控制吸附所述试样基片的吸盘机构。
6．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是，所述周围部被分为被固定的周围固定部和能沿所述半径方向移动的周围可动部；该周围固定部与所述中央部形成整体；所述试样台设有控制部件，在所述中央部和所述周围固定部，分别独立控制吸附所述试样基片的吸盘机构。
7．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是，所述周围部由被固定的周围固定部和能呈放射状地沿所述半径方向移动的多个周围可动部构成，所述试样台设有控制部件，能同时控制多个在周围可动部的所有吸附所述试样基片用的吸盘机构，同时控制所述多个周围可动部的移动量，对应从所述试样台的中心的距离而移动。
8．如权利要求2所述图形曝光装置用的试样台，其特征是所述曝光装置是X射线曝光装置。
9．如权利要求2所述的图形曝光装置用的试样台，其特征是所述吸盘机构是真空吸附所述试样基片的真空吸盘机构。
10．如权利要求2所述图形曝光装置用的试样台，其特征是所述吸盘机构是静电吸附所述试样基片的静电吸盘机构。
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