KR100272988B1 - 감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지 - Google Patents

감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100272988B1
KR100272988B1 KR1019970027152A KR19970027152A KR100272988B1 KR 100272988 B1 KR100272988 B1 KR 100272988B1 KR 1019970027152 A KR1019970027152 A KR 1019970027152A KR 19970027152 A KR19970027152 A KR 19970027152A KR 100272988 B1 KR100272988 B1 KR 100272988B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
die receiving
cavity
receiving surface
inner sidewall
Prior art date
Application number
KR1019970027152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990003304A (ko
Inventor
케네스 알프레드 버드
피터 제프리 브로프만
쥬니어 프란시스 에프. 카포
제이슨 리 프란켈
수레쉬 다모다다스 카다키아
사라 호프스미스 니커보커
스코트 안토니 시코스키
Original Assignee
포만 제프리 엘
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포만 제프리 엘, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 포만 제프리 엘
Publication of KR19990003304A publication Critical patent/KR19990003304A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100272988B1 publication Critical patent/KR100272988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/642Capacitive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

하나 이상의 다이 수용 공동(die-receiving cavity)이 내부에 형성된 기판을 포함하는 전자 부픔 패키지로서, 상기 공동은 다이 수용 표면과 층계형 윤곽(terraced contour)을 가진 내부 측벽에 의해 정의되고, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하며, 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 상기 내부 측벽이 연장되어 있으며, 하나 이상의 커패시터가 완전히 상기 공동 내에 배치되어 상기 내부 측벽의 층계 중의 하나의 층에 장착되는 전자 부풍 패키지가 개시되어 있다.

Description

감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지
본 발명은 일반적으로 기판 위에 감결합 커패시터(decoupling capacitors)를 배치하는 것에 관한 것이다.
전자 부품 패키지에는 전형적으로 집적 회로 칩이 장착되는 기판이 이용된다. 어떠한 집적 회로 칩은 상대적으로 큰 용량의 감결합 커패시턴스를 필요로 한다. 마이크로프로세서와 같은 집적 회로 칩은 약 100nf(nanofarads) 정도의 감결합 커패시턴스를 필요로 한다. 전형적으로, 이러한 칩은 기판에 장작되는데, 칩은 기존 내에 형성된 공동(cavity) 내에 배치된다. 이러한 기판을 “공동 기판(cavity substrate)”이라 한다. 공동 기판에 감결합 커패시턴스를 제공하기 위한 종래의 기술로는 기판에 매립되는 커패시터 층을 이용하는 방법이 있다. 이러한 층을 관련 기술 분야에서는 “얇은 테입(thin tape)” 층이라 한다. 이러한 층이 “녹색 상태(green state)”일 때, 즉 형성은 되었지만 열처리는 되지 않았을 때(formed but not fired), 층들은 전형적으로 약 1.0에서 3.0 mils 사이의 두께가 된다. 이러한 층은 각각의 측면에 강한 금속화(heavy metaligation)을 필요로 한다. 따라서, “얍은 테입”층이 전극으로서의 역할을 하기 위해서는 층이 매우 얇고 각각의 측면에 많은 양의 금속이 요구되기 때문에, 제조가 어렵고 비용이 많이 든다. 또다른 종래의 기술은 표면 장착 커패시터(surface mounted capacitor)를 이용하는 것이다. 표면 장착 커패시터는 “얇은 테입 층”보다는 매우 비용이 적게 든다. 하지만, 전형적으로, 표면 장착 커패시터는 기판의 윤곽에 관한 제약에 맞지 않다. 예를 들어, 어떠한 구성에서는 표면 장착 커패시터가 표면 위로 튀어 나와 기판과 칩의 지오메트리 사이에 매우 큰 기하학적인 차이(significant geometrical differences between the substrate and the geometry of the chip)를 만들게 된다. 이때문에 좀더 긴 핀이나 특벌한 소켓 고정용 평면을 이용하여 칩을 꼭 맞추어야 한다.
종래의 한 전자 부품 패키지가 미국 특허 제5,210,683(“‘683 특허”)에 개시되어 있다. ‘683 특허는 기판 내의 각각의 공동에 커패시터를 배치하는 것에 관하여 설명하고 있다. 각각의 공동은 단지 하나의 커패시터만을 수용하도록 기판 내에 특별히 형성된다. 그러나, ‘683 특허에서 설명하고 있는 것과 같이 복수의 공동을 가지고 있는 기판을 제조하는데는 비용이 많이 든다. 미국 특허 제5,081,563호는 기판의 공동 내부에 칩을 배치하는 것에 관하여 설명하고 있다. 그리고나서 박막 구상(thin film structure)는 상부 위에 배치되어 칩을 그밖의 다른 부품들에 접속되도록 한다. 그러나, 이러한 기법도 또한 박막 구조를 요구하기 때문에 구현하기에는 비용이 많이 든다.
감결합 커패시턴스를 공동 기판에 결합시키기 위해서는 고려해야 할 그 밖의 중요한 요소들이 있다. 이러한 요소 중의 하나는 칩에 대한 커패시터의 위치이다. 예를 들어, 커패시터는 칩과 가능한 한 인접하여 있을 때 최적의 성능을 얻을 수 있다. 또하나의 요소는 기판에 장착되어질 실제 칩의 지오메트리와 최종의 기판 설계와의 호환성이다. 또하나의 요소는 커패시터를 배치하기 위한 기판 상의 이용 가능한 공간이다. 전형적으로, 기판에 대형의 집적 회로 칩이 장착되는 경우에 이러한 여유 공간이 제한된다.
따라서, 선행 기술의 이러한 문제점 및 결합을 감안하여, 본 발명의 목적은 감결합 커패시터가 내부에 결합되는 새롭고 개선된 전자 부품 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은 감결합 커패시터를 포함하는 기판을 이용하고 종래의 전자 부품 패키지보다 제조가 상대적으로 덜 복잡한 새롭고 개선된 전자 부품 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은 감결합 커패시터를 포함하는 기판을 이용하고 집적 회로를 수용하기 위한 최대의 공간을 제공하는 새롭고 개선된 전자 부품 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은 감결합 커패시터를 포함하는 기판을 이용하고 종래의 전자 부품 패키지보다 제조하는데 상대적으로 비용이 적게 드는 새롭고 개선된 전자 부품 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 그밖의 목적 및 장점들은 본 명세서로부터 일부는 명백해질 것이고 일부는 분명해질 것이다.
제1도는 본 발명에 따른 기판의 평면도.
제2도는 제1도의 선 2-2를 따른 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 전자 부품 패키지 12 : 기판
14 : 공동(cavity) 16 : 다이 수용 표면(die-receiving surface)
18 : 내부 측벽 20 : 디이(die)
22 : 외부 표면 30 : 벽
62 : 덮개 또는 뚜껑 64 : 감결합 커패시터(decoupling capacitor)
상술한 목적 및 그밖의 목적들을 달성하기 위해 관련 기술 분야의 당업자에게는 명백하게 이해되겠지만, 본 발명의 일면에 의하면, 전기 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동(die-receiving cavity)이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽(terraced contour)을 가지는 내부 측벽(inner sidewall)에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 및 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 기판에 장착되는 하나 이상의 커패시터를 포함하는 전자 부품 패키지가 개시되어 있다.
본 발명의 또다른 면에 의하면, 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 내부 측벽의 상기 층계 중의 하나의 층에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 상기 내부 측벽의 상기 층계 중의 다른 하나의 층에 부착되고 완전히 상기 공동 내에 배치되는 덮개 - 상기 덮개는 상기 커패시터와 상기 다이 수용 표면 사이에 배치되며 상기 다이 수용 표면 위에서 확장된다 - 를 포함하는 전자 부품 패키지가 개시되어 있다.
본 발명의 또다른 면에 의하면, 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기관은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 다이 수용 표면에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 상기 기판에 부착되며 완전히 상기 공동 내에 배치되는 덮개 - 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면과 커패시터 위에서 확장된다 - 를 포함하는 전자 부품 패키지가 개시되어 있다. 본 발명의 또다른 면에 의하면, 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 내부 측벽의 상기 층계 중의 하나의 층에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 층계 중의 다른 하나의 층에 부착되는 덮개 - 상기 커패시터는 상기 덮개와 다이 수용 표면 사이에 있고, 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면과 커패시터 위에서 확장된다 - 를 포함하는 전자 부품 패키지가 개시되어 있다.
본 발멍의 또다른 면에 의하면, 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면파 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 내부 측벽의 상기 층계 중의 하나의 층에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 층계 중의 다른 하나의 층에 부착되는 덮개 - 상기 커패시터는 상기 덮개와 다이 수용 표면 사이에 있고, 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면과 커패시터 위에서 확장된다 - 를 포함하는 전자 부품 패키지가 개시되어 있다.
본 발명의 특징들은 신규한 것으로 여겨지며, 특히 본 발명의 특징적인 요소들이 첨부된 청구항에 기재되어 있다. 도면은 예시를 위한 것일 뿐이며, 비율에 따라 도시된 것이 아니다. 그러나, 발명 그 자체는 그 구성과 동작 방법 모두에 있어서 첨부된 도면과 함께 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예를 설명하는데 있어서, 본 발명의 유사한 특징들을 참조하는 데에는 유사한 번호를 이용하여 도면의 제1도 및 제2도를 참조하기로 한다.
제1도 및 제2도를 참조하면, 본 발명의 전자 부품 패키지(10)는 다층 기판(multi-layered substrate, 12)를 포함하며 그 내부에 공동(14)를 형성한다. 공동(14)는 다이 수용 표면(die-recieving surface, 16)과 내부 측벽(18)에 의해 정의된다. 표면(16)은 다이(20)을 수용하고, 거의 수직인 벽(19)에 바로 인접된다. 본 명세서에서 사용하는 용어 “다이(die)”는 완성된 웨이퍼로부터 절단되거나 다이싱된(diced) 집적회로 칩을 의미하는 것이다. 기판(12)는 또한 공동(14)의 둘레(23)을 둘러 싸거나 또는 둘레(23)에 인접하는 외주 표면(22)를 포함한다.
내부 측벽(18)은 층계형 또는 “계단형” 윤곽(terraced or “staircase” contour)으로 이루어지며, 다이 수용 표면(16)과 기판 외부 표면(22)의 사이에서 연장되는 복수개의 평층, 단 또는 층(a plurality of shelves, steps, or terraces, 24, 26, 28)을 정의한다. 각각의 층(24, 26 ,28)은 실질적으로 평탄하며, 수직 벽부(30, 32, 34)에 각각 인접한다. 각각의 층은 기판(12)의 층들 중의 하나의 층의 일부를 포함한다. 이는 이하에서 상세히 설명할 것이다
금속 배선 핀(metal wiring pins, 36)은 외부 표면(22)로부터 수직적으로 연장되어 회로 보드(미도시)의 대응하는 구멍(openings)으로 삽입된다. 배선 핀(36)이 이용되었지만, 이외에도 볼(balls), 컬럼(columns), 솔더(solders) 등과 같은 다른 형태의 입출력 부착물(I/O attachment)이 이용될 수 있다. 배선 본딩 패드(wire bonding pads, 38a, 38c, 38e, 38g와 38b, 38d, 38f, 38h)는 층(24 및 26)에 각각 부착된다. 배선(40)은 다이(20)을 금속 본딩 패드(38a 내지 38h)에 접속시킨다. 패드(38a 내지 38h)는 핀(36), 접지 평면, 또는 전압 평면에 접속될 수 있다. 다이(20)은 또한 배선 본딩 패드가 필요없는 플립 칩일 수도 있다.
제2도를 참조하면, 기판(12)는 복수 개의 수평으로 쌓아 올린, 절연층, 신호층, 기준 전압 층들을 포함한다. 그러나, 층의 기능은 이들외에 다른 것일 수도 있다. 신호 층은 배선 금속화(wiring metalizatiom)을 포함한다. 인접한 신호 층은 하나 이상의 절연 층에 의해 분리된다. 층(40, 42, 50)은 금속화된 재분포 층(metalized redistribution layers)이다. 층(44 및 52)는 전기적 접지 층이다. 층(48 및 54)는 전원 전압 층이다. 층(56)은 선정된 재분포 층들을 전기적으로 접촉시키는 수직적의 도전성 관통 비아 컬럼(through-via columns, 미도시)을 포함한다. 금속 층(60)은 층(40) 위에 놓여 열 확산자(heat spreader)로서의 역할을 한다. 전자 부품 패키지(10)는 11개의 층을 포함하는 것으로 도시되어 있지만(10개의 기판 층과 층(60)), 진자 부품 패키지(10)는 적게는 2개의 층부터 많게는 200개의 층까지 포함할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
제2도를 다시 참조하면, 공동(14)는 기판(12)를 형성하는 층들의 일부에 의해 정의된다. 다이 수용 표면(16)은 전기적 접지 층(44)의 일부를 포함한다. 공동(14)는 층 또는 평층(24, 26, 28)이 층(48, 52, 54)의 일부에 의해 각각 형성되는 방식으로 형성된다. 이는 층(46, 48, 50, 52, 54, 56, 및 58)을 선정된 길이로 절단한 후에 기판(12)와 공동(14)를 형성하기 위해 그것들을 함께 부착함으로써 이루어진다.
바람직한 실시예에서, 뚜껑 또는 덮개(62, 제2도 참조)는 층 또는 평층(28)에 밀착되어 부착되고 다이(20) 위에 놓여 밀폐되거나 밀폐되지 않은 봉인(seal)을 생성한다. 제2도에 도시된 바와 같이, 뚜껑(62)는 분리된 감결합 커패시터(64)와 다이(20)의 사이에 있다. 바람직하게는, 뚜껑(62)는 플래이트된 코바(Plated KoverTM) 또는 알루미나 세라믹으로부터 제조된다. 감전압 커패시터(64)는 또한 뚜껑(62)의 내부의 배선 본드 패드들의 사이에 배치될 수도 있다. 커패시터(64)는 또한 다이(20)에 인접한 표면(16)에 장착될 수 있다. 본 발명에 따라, 개별 감결합 커패시터(discrete decoupling capacitors, 64)는 공동의 내부 측벽(18)의 층 또는 평층(28)에 부착된다.
이러한 구성으로 인해 감결합 커패시터(64)가 다이(20)에 아주 가까이 배치될 수 있게 된다. 또한 제2도에 도시된 바와 같이, 이러한 구성으로 인해 커패시터(64)가 기판(12)의 외부 표면(22)을 넘어서 튀어 나오는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 커패시터(64)는 회로 보드 또는 카드 상에 전자 부품 패키지(10)을 배치하는 것을 방해할 가능성은 없다. 또한, 세라믹 기판 층을 통하여 커패시터(64)를 다이(20)에 접속하기 때문에 박막 구조의 필요성이 제거된다.
따라서, 본 발명에 따른 전자 부품 패키지(10)는 다음과 같은 이유로 전술한 목적들을 달성한다.
a) 패키지(10)은 다이와 감결합 커패시터를 수용하기 위해 단지 하나의 기판 공동을 필요로 하기 때문에 종래의 전자 부품 패키지보다 제조가 상대적으로 덜 복잡하다.
b) 패키지(10)의 설계가 단순하기 때문에 패키지(10)은 종래의 전자 부품 패키지보다 높은 수율로 생산될 수 있다.
c) 패키지(10)은 상기에서 언급한 이유로 제조하기에 비용이 상대적으로 적게든다.
d) 패키지(10)은 집적 회로 칩을 수용하기 위해 상대적으로 큰 이용 가능한 공간을 제공한다.
e) 패키지(10)은 모듈 감결합 커패시터가 기판 외부 표면(22)의 밑에 있기 때문에 회로 보드 또는 카드와 충돌할 가능성이 거의 없어진다.
비록 본 발명이 바람직한 실시예와 관련하여 특정하게 서술되어 있지만, 전술한 설명에 따라, 본 기술 분야의 숙련자에게는 많은 대안, 수정 및 변화들이 있을 수도 있다는 것을 명백히 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 이하에 첨부된 청구 범위는 본 발명의 진정한 범위와 정신 내에서 이러한 대안, 수정 및 변화들을 포함한다는 것이 잘 이해될 것이다.

Claims (14)

  1. 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동(die-receiving cavity)이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽(terraced contour)을 가지는 내부 측벽(inner sidewall)에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장된다 -, 및 완전히 상기 공동 내에 배치되고, 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이의 상기 내부 측벽상에 장착되는 하나 이상의 커패시터를 포함하는 전자 부품 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 내부 측벽의 층계형 윤곽에 장착되는 전자 부품 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 기판에 부착되는 덮개를 더 포함하며, 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면 위에서 확장되고 상기 하나 이상의 커패시터로부터 분리되는 전자 부품 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 층계형 윤곽에 장착되고 상기 덮개는 상기 커패시터 및 상기 다이 수용 표면 사이에 있는 전자 부품 패키지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 덮개는 상기 하나 이상의 커패시터가 장착되는 층계형 윤곽에 부착되는 전자 부품 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 복수 층의 세라믹 기판인 전자 부품 패키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 복수 층의 세라믹 기판은 평행하게 쌓은 복수개의 신호 층 및 절연 층을 포함하며, 상기 각 신호 층은 전기적 전도성이 있는 패턴을 포함하는 전자 부품 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판 외부 표면에 부착되는 복수 개의 전기적 전도성이 있는 핀(electrically conductive pins)을 더 포함하는 전자 부품 패키지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 층계형 윤곽에 장착되는 복수 개의 전기적 전도성이 있는 배선 본딩 패드를 더 포함하는 전자 부품 패키지.
  10. 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장됨 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 내부 측벽의 상기 층계형 윤곽에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 상기 내부 측벽의 상기 층계형 윤곽에 부착되고 완전히 상기 공동 내에 배치되는 덮개 - 상기 덮개는 상기 커패시터와 상기 다이 수용 표면 사이에 배치되며 상기 다이 수용 표면 위에서 확장됨 -를 포함하는 잔자 부품 패키지.
  11. 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장됨 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고, 상기 다이 수용 표면과 상기 기판 외부 표면 사이의 상기 내부 측벽상에 직접 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 상기 기판에 부착되며 완전히 상기 공동 내에 배치되는 덮개 - 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면과 상기 하나 이상의 커패시터 위에서 확장됨 - 를 포함하는 전자 부품 패키지.
  12. 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인정하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장됨 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고, 상기 다이 수용 표면과 상기 기판 외부 표면 사이의 상기 내부 측벽의 상기 층계형 윤곽에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 완전히 상기 공동 내에 배치되고 상기 층계형 윤곽에 부착되는 덮개 - 상기 하나 이상의 커패시터는 상기 덮개와 상기 다이 수용 표면 사이에 있고, 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면과 상기 하나 이상의 커패시터 위에서 확장됨 - 를 포함하는 전자 부품 패키지.
  13. 전자 부품 패키지에 있어서, 하나 이상의 다이 수용 공동이 내부에 형성되어 있는 기판 - 상기 공동은 다이 수용 표면 및 층계형 윤곽을 가지는 내부 측벽에 의해 정의되며, 상기 기판은 상기 공동의 둘레에 인접하는 외부 표면을 포함하고, 상기 내부 측벽은 상기 다이 수용 표면과 상기 기판의 외부 표면 사이에 연장됨 -, 완전히 상기 공동 내에 배치되고, 상기 층계형 윤곽에 장착되는 하나 이상의 커패시터, 및 상기 하나 이상의 커패시터 및 상기 다이 수용 표면 사이의 상기 공동 내에 완전히 배치되고 상기 기판에 부착되는 덮개 - 상기 덮개는 상기 다이 수용 표면 위에서 확장됨 -를 포함하는 전자 부품 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 상기 덮개는 상기 하나 이상의 커패시터가 장착되는 상기 층계형 윤곽에 부착되는 전자 부품 패키지.
KR1019970027152A 1996-08-21 1997-06-25 감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지 KR100272988B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/701,029 1996-08-21
US08/701,029 US5831810A (en) 1996-08-21 1996-08-21 Electronic component package with decoupling capacitors completely within die receiving cavity of substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990003304A KR19990003304A (ko) 1999-01-15
KR100272988B1 true KR100272988B1 (ko) 2000-11-15

Family

ID=24815784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970027152A KR100272988B1 (ko) 1996-08-21 1997-06-25 감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5831810A (ko)
EP (1) EP0825648A3 (ko)
JP (1) JP3207139B2 (ko)
KR (1) KR100272988B1 (ko)
TW (1) TW435059B (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476486B1 (en) * 1997-10-30 2002-11-05 Agilent Technologies, Inc. Ball grid array package with supplemental electronic component
US6137671A (en) * 1998-01-29 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded energy storage device
JP3214490B2 (ja) 1999-01-06 2001-10-02 日本電気株式会社 パケット交換ネットワーク
US6179951B1 (en) 1999-03-05 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method of protecting a non-planar feature using compressive pads and apparatus thereof
JP3368870B2 (ja) * 1999-06-25 2003-01-20 日本電気株式会社 パッケージ基板及びこれを備えた半導体装置
JP4251418B2 (ja) * 1999-10-06 2009-04-08 Okiセミコンダクタ株式会社 Icパッケージ
US6370013B1 (en) 1999-11-30 2002-04-09 Kyocera Corporation Electric element incorporating wiring board
US6228682B1 (en) 1999-12-21 2001-05-08 International Business Machines Corporation Multi-cavity substrate structure for discrete devices
US6487083B1 (en) * 2000-08-10 2002-11-26 Nortel Networks Ltd. Multilayer circuit board
DE10107839A1 (de) * 2001-02-16 2002-09-05 Philips Corp Intellectual Pty Anordnung mit einem auf einem Träger montierten integrierten Schaltkreis und einer Stromversorgungsbaugruppenanordnung
US6806568B2 (en) * 2001-07-20 2004-10-19 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Decoupling capacitor for integrated circuit package and electrical components using the decoupling capacitor and associated methods
US6757152B2 (en) * 2001-09-05 2004-06-29 Avx Corporation Cascade capacitor
US6936917B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Molex Incorporated Power delivery connector for integrated circuits utilizing integrated capacitors
US6674646B1 (en) * 2001-10-05 2004-01-06 Skyworks Solutions, Inc. Voltage regulation for semiconductor dies and related structure
US7714432B2 (en) * 2002-07-26 2010-05-11 Intel Corporation Ceramic/organic hybrid substrate
JP2004063664A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Murata Mfg Co Ltd キャビティ付き多層セラミック基板
US20040217451A1 (en) * 2002-11-14 2004-11-04 Sai-Mun Lee Semiconductor packaging structure
JP2006173270A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Tdk Corp チップ型電子部品
US20070060970A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Burdon Jeremy W Miniaturized co-fired electrical interconnects for implantable medical devices
US20070060969A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Burdon Jeremy W Implantable co-fired electrical feedthroughs
US9713258B2 (en) * 2006-04-27 2017-07-18 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip packaging
US8114708B2 (en) * 2008-09-30 2012-02-14 General Electric Company System and method for pre-patterned embedded chip build-up
US8654538B2 (en) * 2010-03-30 2014-02-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
KR102654491B1 (ko) * 2016-06-16 2024-04-04 주식회사 유텔 마이크로파 멀티칩 패키지 장치
CN106803500B (zh) * 2016-11-28 2019-02-22 深兰科技(上海)有限公司 裸芯片与印制电路板连接和保护结构及其制造方法
US11172581B2 (en) * 2017-06-29 2021-11-09 Intel Corporation Multi-planar circuit board having reduced z-height
CN108493168A (zh) * 2018-05-28 2018-09-04 北京中科格励微科技有限公司 一种电绝缘的多腔封装结构
CN112447606A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 天津大学青岛海洋技术研究院 一种应用于系统级封装的去耦电容放置方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4630172A (en) * 1983-03-09 1986-12-16 Printed Circuits International Semiconductor chip carrier package with a heat sink
JPS61247058A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Nec Corp コンデンサ付チツプキヤリア
US4705917A (en) * 1985-08-27 1987-11-10 Hughes Aircraft Company Microelectronic package
JPS63107204A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 Hitachi Ltd 高周波用半導体装置
JPS63186438A (ja) * 1987-01-28 1988-08-02 Nec Corp 集積回路装置
US5103283A (en) * 1989-01-17 1992-04-07 Hite Larry R Packaged integrated circuit with in-cavity decoupling capacitors
US5027191A (en) * 1989-05-11 1991-06-25 Westinghouse Electric Corp. Cavity-down chip carrier with pad grid array
US5006963A (en) * 1989-12-18 1991-04-09 Mcdonnell Douglas Corporation Selectable chip carrier
US5272590A (en) * 1990-02-12 1993-12-21 Hernandez Jorge M Integrated circuit package having an internal cavity for incorporating decoupling capacitor
US5081563A (en) * 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
US5210683A (en) * 1991-08-22 1993-05-11 Lsi Logic Corporation Recessed chip capacitor wells with cleaning channels on integrated circuit packages
US5403784A (en) * 1991-09-03 1995-04-04 Microelectronics And Computer Technology Corporation Process for manufacturing a stacked multiple leadframe semiconductor package using an alignment template
AU6156996A (en) * 1995-06-07 1996-12-30 Panda Project, The High performance semiconductor die carrier

Also Published As

Publication number Publication date
EP0825648A3 (en) 1999-07-28
JPH1092966A (ja) 1998-04-10
EP0825648A2 (en) 1998-02-25
JP3207139B2 (ja) 2001-09-10
KR19990003304A (ko) 1999-01-15
US5831810A (en) 1998-11-03
TW435059B (en) 2001-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272988B1 (ko) 감결합 커패시터가 완전히 기판의 다이 수용 공동 내에 포함된 전자 부품 패키지
US6256206B1 (en) Electronic circuit for an active implantable medical device and method of manufacture
US5384488A (en) Configuration and method for positioning semiconductor device bond pads using additional process layers
EP0892434B1 (en) RF IC package
US5272590A (en) Integrated circuit package having an internal cavity for incorporating decoupling capacitor
US5668406A (en) Semiconductor device having shielding structure made of electrically conductive paste
US5886406A (en) Power-ground plane for a C4 flip-chip substrate
US4630096A (en) High density IC module assembly
US8148806B2 (en) Multiple chips bonded to packaging structure with low noise and multiple selectable functions
US5521434A (en) Semiconductor chip and electronic module with integrated surface interconnects/components
US7102220B2 (en) Multiple cavity/compartment package
US5701033A (en) Semiconductor device
KR19990029590A (ko) 리드 프레임을 기초로 한 수직 상호접속 팩키지및 그 제조방법
US6340839B1 (en) Hybrid integrated circuit
US7245505B2 (en) Laminated electronic component
JP3512331B2 (ja) 半導体装置のプラスチックパッケージ
US6608380B2 (en) Semiconductor chip package having one or more sealing screws
US6476470B1 (en) Integrated circuit packaging
JP2001148457A (ja) 高周波用半導体装置
JP4251418B2 (ja) Icパッケージ
EP0588651A1 (en) Ceramic microwave packages
JPH1093012A (ja) 高周波集積回路装置
JP3640463B2 (ja) Mmicパッケージ
US20020027011A1 (en) Multi-chip module made of a low temperature co-fired ceramic and mounting method thereof
JP3529323B2 (ja) 高周波ユニット及び高周波ユニットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030613

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee