KR100251832B1 - 은의 전해박리제 및 전해박리방법 - Google Patents

은의 전해박리제 및 전해박리방법 Download PDF

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나가시마 카쭈시게, 노미야마 아키히코
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Abstract

본 발명은, 욕수명이 길고, 고전류밀도에서의 은의 박리를 가능하게 하고, 본딩특성에 악영향을 미치지 않는, 또 구리를 피처리물로하는 경우에 전해박리후의 보관중인 소재의 변색, 부식을 방지하는 은의 전해박리제 및 전해박리방법의 개발을 과제로 한 것이며, 그 해결수단으로서, (a)주성분으로서의, 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인 으로부터의 1종 이상의 은의 박리성분과, (b)부성분으로서의 붕산계화합물과, 바람직하게는 (c)계면활성제와, 더 바람직하게는 (d)구리의 인히비터로서의 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 티오우라실, 기타의 1종이상을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제이며, 은도금된 구리내지 구리합금제 피처리물을 상기의 전해박리제의 욕에 침지하고, 피처리물을 양극으로서 박리제의 pH:7~14, 욕전류밀도:0.1~50A/d㎡ 및 욕온도:10~60℃의 조건에서 교반하에서 전해하는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

은의 전해박리제 및 전해박리방법
본 발명은, 은의 전해박리제 및 은의 전해박리방법에 관한 것이며, 특히 은도금피막의 불요부분을 전해박리하는데 호적한 은의 전해박리제 및 은의 전해박리방법에 관한 것이다. 본 발명은 또, 구리 또는 구리합금 등을 피처리물로 하는 경우에 전해박리후의 보관중인 소재의 변색 혹은 부식을 방지하는 것을 가능하게하는 은의 전해박리제 및 전해박리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전해박리제 및 전해박리방법은 은박리후의 본딩특성에 악영향을 미치지않는다.
반도체리드프레임이나 코넥터핀 등의 전자부품에 대해서는, 은의 부분도금이 행하여지는 일이 많다. 이때, 은도금불요부분에는 마스킹등의 처리가 실시되나, 은도금피막이 불요부분에도 불거져 나오는 경우가 있다. 그와 같은 경우에는, 불거져나온 은도금피막을 박리할 필요가 있다. 불요부분의 은도금피막을 박리하는 방법으로서, 전해박리법이 알려져 있다. 전해박리법은, 박리제(박리액)의 용속에 목적하는 은도금된 피처리물을 침지해서, 이 피처리물을 양극으로서 전해하므로서 은도금피막을 박리하는 방법이다.
종래, 은의 전해박리제로서는, 농황산에 질산나트륨을 첨가한 것, 시안화합물을 함유한 것, 티오황산나트륨을 주성분으로하는 것 등이 사용되었으나, 밑바탕소재(구리나 구리합금)를 에칭하고, 필요부분의 은까지 침식하거나, 독성이 높은 시안화합물을 사용하기 때문에 취급에 주의를 요하는 등의 문제점이 있었다.
그 때문에, 위험한 농황산이나 독성이 높은 시안화합물을 사용하지 않는 박리제로서 숙신산이미드 또는 프탈산이미드와 알카리금속수산화물을 주성분으로하는 것(일본국 특개평 2-104699호(동특공평 5-87598호))이나, 2-피롤리돈-5-카르복시산을 함유한 것 및 그것에 부가해서 당류를 더 함유한 것(동 특개평 6-41800호) 등, 분자속에 1개의 질소원자를 함유한 고리상산이미드를 주성분으로하는 박리제가 개발되어 있다. 또, 동특개평 2-175825호는, 바르비탈산, 우라실, 글루타르이미드 등의 -NH-를 가진 5원고리 또는 6원고리화합물을 기재하고 있다. 동 특개평 7-243100호는, 사슬형성제로서 히단트인 화합물을 사용하는 것을 제창하고 있다.
그러나, 분자속에 1개의 질소원자를 함유한 고리상산이미드를 주성분으로하는 화합물로 이루어진 박리제는, 알카리에 의해 가수분해를 야기하기 쉽고, 분해물이 욕속에 축적되면, 은도금표면의 부동태화(不 動態化)나 변색, 얼룩 등의 필요부분의 은도금면에 악영향을 미치고, 주성분의 소모량이 많고, 욕(浴)의 수명이 짧다고하는 문제가 있었다. 또, 고전류밀도의 조건에서 박리를 행하면, 은도금표면이 부동태화하거나, 얼룩지기 쉽다고 하는 문제도 있었다.
또, 반도체디바이스에서는, 다이ㆍ본딩이나 와이어ㆍ본딩이라고하는 본딩공정을 경유한다. 다이ㆍ본딩은, 반도체칩과 리드프레임을 에폭시수지로 접착하는 공정이며, 여기서 에폭시ㆍ블리드아웃이 발생하면, 다이패드가 유리물로 오염된 그랜드본딩불량이되어, 외부와의 도통(道通)을 취할 수 없게된다. 와이어ㆍ본딩은 반도체칩과 리드프레임인너리드를 Au, Al선 등으로 배선하는 공정이며, 인너리드부 Ag면이 오염되어 있거나, 표면상태가 매우 거친 경우, 외부와의 도통을 취할 수 없게된다. 따라서, 은박리후의 본딩특성에 악영향을 미치지 않은것이라야 되는 것임은 중요하다. 상술한 은박리제는 이와같은 요구를 만족시키는 것은 아니다.
그래서 본 발명은, 주성분의 가수분해가 발생되기 어렵고, 욕수명이 긴 동시에, 고전류밀도에서의 은의 박리를 가능하게하고, 또한 본딩특성에 악영향을 미치지 않는, 은의 전해박리제 및 전해박리방법을 개발하는 것을 제1의 과제로 하였다.
부가해서, 은의 전해박리제에 있어서, 피처리물이 구리 또는 구리합금 등의 경우에는, 소재의 약간의 용해가 일어나고, 소재표면이 활성화되므로서 전해박리후의 보관중에 변색 혹은 부식이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 그래서 본 발명은, 구리 또는 구리합금 등을 피처리물로하는 경우에 전해박리후의 보관중의 소재의 변색 혹은 부식을 방지하는 것을 가능하게 하는 은의 전해박리제 및 전해박리방법을 개발하는 것을 제2의 과제로 하였다.
본 발명자들은, 상기의 문제점을 해결하기 위해 예의 연구를 행한 결과, 고리내에 N원자를 2개이상 가진 함질소 고리상화합물 또는 그들의 유도체의 특정종류는, 전자의 분극상태가 N원자 1개의 경우와 다르고, 가수분해가 발생되기 어렵고, 그 때문에 욕수명이 길어지고, 또, 고전류밀도에서의 박리가 가능하고, 또 그곳에 붕산화합물을 첨가하므로서 본딩특성에의 악영향을 방지할 수 있는 것을 발견하였다. 이 지견에 기초해서, 본 발명은, 주성분으로서 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-필라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군에서 선택되는 은의 박리성분과, 부성분으로서 붕산계화합물을 함유한 은의 전해박리제를 제공한다. 계면활성제를 더첨가할 수 있다.
또, 은의 전해박리성분에 특정종류의 구리의 인히비터를 첨가하고, 이것을 소재표면에 흡착시키므로서 보관중의 소재의 변색 혹은 부식을 방지가능한 것을 발견하였다. 이 지견에 기초해서, 본 발명은 또, 구리의 인히비터로서, 벤조트리아졸, 벤조이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸인 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 또 함유한 상기의 은의 전해박리제를 제공한다.
또, 본 발명은, 표면이 은도금된 구리 내지 구리합금제 피처리물을 상기의 전해박리제용액에 침지하고, 이 피처리물을 양극으로서 전해하는 것을 특징으로 하는 은의 전해박리방법도 제공한다. 전해박리를 박리제의 pH:7~14, 욕전류밀도:0.1~A/d㎡ 및 욕온도:10~60℃의 조건하에서 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 박리제의 주성분은, 고리내에 N원자를 2개이상 가지므로서 전자의 분극상태가 N원자 1개의 경우와는 달리, 가수분해가 발생되기 어렵다. 그 때문에 욕수명이 길어지고, 또, 고전류밀도에서의 박리가 가능해지는 것으로 사료된다. 본 발명에 있어서는, 구리의 인히비터가 구리 또는 구리합금소재표면에 흡착되고, 그에 의해 소재의 약간의 용해가 일어나도, 소재표면의 활성화를 억제하고, 전해박리후의 보관중의 변색 또는 부식을 방지하는 것으로 사료된다.
본 발명의 은의 전해박리제의 주성분은, 고리내에 N원자를 2개이상 가진 함질소 고리상화합물 또는 그들의 유도체의 특정 종류이며, 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군에서 선택된다. 이들 주성분의 화학식을 참고로 식(1)로서 표시한다.
이들 주성분 욕속에서의 농도범위는, 5~200g/l, 바람직하게는 15~100g/l이다. 농도가 너무 낮으면 은의 부동태화가 발생되기 쉽고, 다른 한편 농도가 너무 높으면 박리제(박리액)의 퍼내기가 문제가 되기 때문에 바람직하지 않다.
부성분으로서, 기본적으로는 pH완충제로서, 4붕산칼륨, (오르토)붕산, 2붕산칼륨, 붕산나트륨, 5붕산나트륨와 같은 붕산염이나 2,4,5붕산염 등의 붕산화합물을 첨가할 수 있다. 붕산화합물의 농도범위는, 5~100g/l, 바람직하게는 10~50g/l이다. 농도가 너무 낮으면 pH완충성이 작고, 다른 한편 농도가 너무 높아도 효과는 포화되어, 바람직하지 않다. 이 부성분은 본딩특성에 크게 기여한다.
또, 필요에 따라서 계면활성제를 첨가한다. 계면활성제로서는, 아니온계, 카티온계 및 노니온계의 어느것 또는 그들을 혼합한 것을 사용하는 것이 가능하다. 계면활성제의 농도범위는, 0.1μ/1-10g/l, 바람직하게는 10㎍/1~1g/l이다. 농도가 낮으면 계면활성효과가 없고, 다른한편 농도가 너무 높아도 효과가 포화되어, 바람직하지 않다.
구리인히비터로서는, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸린 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 사용할 수 있다. 구리인히비터의 농도범위는, 1~1000mg/l, 바람직하게는 5~500g/l이다. 농도가 낮으면 변색방지효과가 없고, 다른한편 농도가 너무 높아도 그 이상의 효과가 없다. 이들 구리인히비터는, 다음식(2)와 같은 구조식을 가진다.
상기의 박리제를 사용해서, 소정의 조건으로 은의 전해박리를 행한다. 박리제는 pH가 7~14, 바람직하게는 7~12가 되도록, 수산화나트륨 등의 알카리금속수산화물 또는 알카리토류금속수산화물과 같은 pH조정제로 조정한다. pH가 너무 낮으면 박리속도가 느리고 은의 면이 얼룩지기 쉽고, 선택박리성이 나쁘다. 다른한편 pH가 너무 높아도 메릿이 없다.
또한, 본 발명은 피처리물로서, 구리 구리합금, 42합금과 같은 철-니켈합금, 스테인레스스틸, 니켈합금 등의 각종금속 밑바탕소재위에 은도금, 은랍 등에 의해서 은의 피막을 형성한 것을 박리대상으로 한다.
이와 같은, 표면에 은의 피막이 형성된 피처리물을, 상기와 같이 조정된 전해박리제의 욕에 침지하고, 이 피처리물을 양극으로서 전해한다. 음극의 재질은 특히 제한되지 않으나, 일반적으로 스테인레스스틸이 사용된다. 전류밀도는, 박리하는 은의 면적에 대해서 0.1~50A/d㎡, 바람직하게는 0.5~10A/d㎡로 한다. 전류밀도가 너무 낮으면 박리속도가 느리고, 다른 한편 전류밀도가 너무 높으면 은의 부동태화가 야기되기 용이하므로 바람직하지 않다. 또, 욕의 온도는 10~60℃, 바람직하게는 15~40℃에서 전해를 행한다. 욕의 온도가 낮으면 박리속도가 느리고, 다른한편 높으면 욕이 불안정하게 되므로 바람직하지 않다. 또한, 전해중에는 욕의 교반을 행하는 것이 바람직하고, 특히 전류밀도가 높은 경우에는 부동태화를 야기하지 않기 위해 교반속도는 빠른쪽이 좋다.
구리 또는 구리합금의 밑바탕소재위에 은도금, 은랍 등에 의해서 은의 피막을 형성한 것을 박리대상으로 하는 경우에는, 구리인히비터를 더 함유한 욕에 침지하고, 상술한 조건에서 이 피처리물을 양극으로서 전해한다. 은의 박리전해에 앞서서 혹은 그 뒤에, 구리인히비터용액에 피처리물을 침지하는 것도 효과적이다. 액속에 1초 이상 침지하면 구리의 변색방지효과는 충분히 있다.
피처리물의 은도금피막의 일부를 박리제욕에 의해 박리하는 경우, 박리하지 않아도 되는 필요부분의 은도금피막은 마스킹을 실시하거나, 박리해야될 부분만을 국소적으로 침지하는 방법을 채용할 수 있다. 또, 필요부분의 은도금피막이 충분히 두껍고, 박리해야될 불요부분과 같은 정도 박리되어도 지장없는 경우에는 전체를 침지해도 된다. 또, 리드프레임을 피처리물로 하는 경우에는, 패드부분 등의 필요부분의 은도금피막은 통상 전해박리시에 저전류밀도부분이 되어 그 주변의 불요부분의 은도금피막은 고전류부분이 되므로서, 필요부분의 은도금부분에 마스킹하는 일 없이 그대로 전해박리해도 불요부분의 은도금피막만을 가능하게 된다.
이하, 실시예 및 참고예 및 비교예에 의해서 본 발명을 더 상세히 설명한다.
[실시예 1]
표 1의 실시예 No.1~6에 표시한 바와 같은 조성의 박리제욕을 조제하였다.
구리를 소재로하는 리드프레임의 패트부분에 두께 5㎛의 부분 은도금을 행한 것(패드부분주변의 불요부분에도 은도금피막이 형성되어 있다)을 샘플로서, 상기의 각 박리제욕속에 침지하고, 표 1에 표시한 박리조건으로 전해박리를 행하였다. 즉, pH:8~11, 전류밀도:3.0~5.0A/d㎡, 욕온도:25℃, 교반속도:1.0m/초, 시간:30초로 전해를 행하여 불요부분의 은의 박리를 행하였다.
박리후의 샘플에 대해서 은표면외관 및 소재외관 및 자비(煮沸)후 소재외관을 현미경관찰(×100)에 의해 평가하였다. 동시에, 은박리막 두께를 형광X선에 의해 측정하였다. 또, 다이본딩과 와이어본딩을 행하고, 전자에 대해서는 에폭시블리드아웃의 발생유무를 조사하고, 후자에 대해서는 와이어본딩결과의 상태를 조사하였다.
또, 박리제의 건욕(建浴)후 42일 후에 마찬가지의 전해박리를 행하고, 상기와 마찬가지의 평가를 행하였다.
[결과]
온표면외관 및 소재외관 다같이 양호하였다. 자비후 소재외관은 다소의 변색을 표시했으나, 사용을 견딜 수 없을 정도는 아니였다. 은박리막 두께는 0.9~1.6㎛로 충분한 박리성능을 표시하였다. 본딩특성도 양호하였다. 건욕후 42일 후의 시험에 있어서도, 아주 동일한 결과를 얻었다. 이에 의해 아직 욕수명에는 도달되지 않았음을 알 수 있다.
[참고예]
표 1의 참고예 No.1~2에 표시한 바와 같이, 히단트인 단독의 욕 및 히단트인과 부성분의 pH완충제로서 붕산화합물이 아닌 리롤린산칼륨을 첨가한 욕을 사용해서 마찬가지로 은전해박리를 행하였다.
[결과]
히단트인 단독의 욕의 경우에는 은표면외관 및 소재외관 다같이 양호했으나, 자비후 소재외관은 변색을 표시하였다. 히단트인과 부성분의 pH완충제로서 피롤린산칼륨을 첨가한 욕의 경우에는, 은표면외관 및 소재외관 다같이 불량하였다. 본딩특성도 다같이 불량하였다. 이것은, 히단트인 등의 본 발명의 박리성분과 붕산화합물과의 조합의 중요성을 의미한다. 건욕후 42일후의 시험에 있어서도, 아주 동일한 결과였다.
[비교예]
표 1의 비교예 No.1~2에 표시한 바와같은 종래사용되고 있는 숙신산이미드를 주성분으로 하는 박리제욕 및 그것에 4붕산칼륨을 첨가한 욕을 조제하였다. 실시예와 마찬가지로 구리를 소재로하는 리드프레임의 패트부분에 두께 5㎛의 부분 은도금을 행한 것을 샘플로서, 상기의 박리제욕속에 침지해서, 표 1에 표시한 박리조건으로 전해박리를 행하였다. 즉, pH:9, 전류밀도:3.0A/d㎡, 욕온도:25℃, 교반속도:1.0m/초, 시간:30초에서 전해를 행하고 불요부분의 은의 박리를 행하였다.
[결과]
박리후의 샘플에 대해서 동일하게 평가하였다. 건욕초기의 시험에서는 은표면외관 및 소재외관 다같이 양호하였다. 그러나, 자비후 소재외관은 변색을 표시하였다. 은 박리막 두께는, 0.8㎛이였다. 건욕후 42일후의 시험에 있어서는, 은표면외관, 소재외관 모두 얼룩이 있고 불량하였다. 본딩특성도 불양하게 되었다. 또, 은박리막 두께는 0.4㎛으로 현저하게 저하되어 있고, 이미 욕수명을 경과하고 있음을 알 수 있었다.
[표 1]
[실시예11]
본 예는 구리의 인히비터를 첨가한 예이다. 표 2의 실시예 No.1~7에 표시한 바와 같은 조성의 욕을 조제하였다. 구리를 소재로하는 리드프레임의 패트부분에 두께 5㎛의 부분 은도금을 행한 것(패드부분주변의 불요부분에도 은도금피막이 형성되어 있다)을 샘플로서, 상기의 각 박리제욕속에 침지하고, 표 2에 표시한 박리조건으로 전해박리를 행하였다. 즉, pH:8~12, 전류밀도:3.0~5.0A/d㎡, 욕온도:25℃, 교반속도:1.0m/초, 시간:30초에서 전해를 행하여 불요부의 은의 박리를 행하였다. 박리후의 샘플에 대해서, 실시예 1의 경우와 마찬가지로 평가를 행하였다.
[결과]
전해박리후의 은표면외관 및 소재외관은 모두 양호하였다. 은박리막 두께는 0.9~1.6㎛으로 충분한 박리성능을 표시하였다. 전해박리후의 샘플을 자비순수에 10분간 침지한 후에도 아직, 은표면외관 및 소재외관은 모두 양호하였다. 본딩 특성도 양호하였다. 건욕후 42일 후의 시험에 있어서도, 아주 동일한 결과를 얻었다. 이에 의해 아직 욕수명에는 도달되지 않았음을 알 수 있다.
[참고예]
표 2의 참고예 No.1~2에 표시한 바와 같이, 히단트인 단독의 욕 및 히단트인과 부성분의 pH완충제로서 피롤린산칼륨 그리고 구리의 인히비터로서 벤조트리아졸을 첨가한 욕을 사용해서 마찬가지로 은전해박리를 행하였다.
[결과]
이미 설명한 바와 같이, 히단트인단독의 욕의 경우에는 은표면외관 및 소재외관 다같이 양호했으나, 자비후 소재외관은 변색을 표시하였다. 히단트인과 부성분의 pH완충제로서 피롤린산칼륨 그리고 구리의 인히비터로서 벤조트리아졸을 첨가한 욕의 경우에는 은표면외관 및 소재외관 모두 불량하였다. 본딩특성도 불량하였다. 이것은, 히단트인 등의 본 발명의 박리성분과 붕산화합물과 구리인히비터와의 조합의 중요성을 의미한다. 건욕후 42일후의 시험에 있어서도, 아주 동일한 결과였다.
[비교예]
표 2의 비교예 No.1~2에 표시한 바와 같은 숙신산이미드를 주성분으로하는 박리제욕 및 그것에 pH완충제로서 4붕산칼륨 및 구리인히비터로서 벤조트리아졸을 첨가한 욕을 조제하였다. 실시예와 마찬가지로 구리를 소재로하는 리드프레임의 패트부분에 두께 5㎛의 부분 은도금을 행한것을 샘플로서, 상기의 박리제욕속에 침지해서, 표 2에 표시한 박리조건에서 전해박리를 행하였다. 즉, pH:9, 전류밀도:3.0A/d㎡, 욕온도:25℃, 교반속도:1.0m/초, 시간:30초에서 전해를 행하고 불요부분의 은의 박리를 행하였다.
[결과]
박리후의 샘플에 대해서 마찬가지로 평가하였다. 건욕초기의 시험에서는 은표면외관 및 소재외관 모두 양호하였다. 자비후 소재외관은 숙신산이미드를 주성분으로 하는 박리제욕에서는 변색을 표시했으나, 그것에 4붕산칼륨 및 벤조트리아졸을 첨가한 욕의 경우에는 양호한 외관을 표시하였다. 은박리막두께는, 0.8㎛였다. 그러나, 건욕후 42일후의 시험에 있어서는, 은표면외관, 소재외관 모두 얼룩이 있어 불량하였다. 본딩특성도 불량하게 되었다. 또, 은박리막두께는 0.4㎛로 현저하게 저하되어 있고, 이미 욕수명은 경과되고 있음을 알 수 있었다.
[표 2]
본 발명에 의해, 은의 전해박리제의 수명을 종래에 비해 대폭으로 연장하는 것이 가능하다. 또, 고전류밀도에서의 은의 박리가 가능하다. 본딩특성에의 악영향을 방지할 수 있다. 본 발명에 의해, 구리 또는 구리합금 등을 피처리물로하는 은의 전해박리의 경우에, 전해박리후의 보관중의 소재의 변색 혹은 부식을 방지하는 것이 가능하다. 은의 전해박리제의 수명을 종래에 비해 대폭으로 연장하고, 또, 고전류밀도에서의 은의 박리를 가능하게 하면서, 구리 또는 구리합금 등 소재의 변색 혹은 부식을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)부성분으로서의 붕산계화합물을 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/l, 부성분으로서의 붕산계화합물의 농도범위:5~100g/l인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  2. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)부성분으로서의, 붕산계화합물과, 또 (c)계면활성제를 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/l, 부성분으로서의 붕산계화합물의 농도범위:5~100g/ℓ, 계면활성제의 농도범위:0.1㎍~10g/ℓ, 인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  3. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)부성분으로서의, 붕산계화합물과, (c)구리의 인히비터로서의 벤조트리아졸, 벤조이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸린 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 더 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/ℓ, 부성분으로서의 붕산계화합물의 농도범위:5~100g/ℓ, 그리고 구리인히비터의 농도범위:1~1000㎎/ℓ인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  4. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)부성분으로서의 붕산계화합물과, (c)계면활성제와, (d)구리의 인히비터로서의 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸린 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 더 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/ℓ, 부성분으로서의 붕산계화합물의 농도범위:5~100g/ℓ, 계면활성제의 농도범위:0.1㎍~10g/ℓ, 그리고 구리인히비터의 농도범위:1~1000㎎/ℓ인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  5. 표면이 은 도금된 구리 내지 구리합금제 피처리물을, 청구범위 제1항~제4항의 어느 한항에 기재된 전해박리제의 욕에 침지하고, 이 피처리물을 양극으로서 박리제의 pH:7~14, 욕전류밀도:0.1~50A/d㎡ 및 욕온도:10~60℃의 조건에서 교반하에서 전해박리를 실시하는 것을 특징으로 하는 은의 전해박리방법.
  6. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분을 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/l인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  7. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)계면활성제를 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위:5~200g/ℓ, 계면활성제의 농도범위:0.1㎍~10g/ℓ인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  8. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)구리의 인히비터로서의 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸린 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 더 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위: 5~200g/ℓ, 그리고 구리인 히비터의 농도범위: 1~1000㎎/ℓ인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  9. (a)주성분으로서의 히단트인, 5,5-디메틸히단트인, 시아누르산, 6-메틸-3-피리다존, 3-메틸-5-피라졸론 및 아란트인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 은의 박리성분과, (b)계면활성제와 (c)구리의 인히비터로서의 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 티오우라실, 티오바르비탈산, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 인다졸, 인돌, 이미다졸, 이미다졸린 또는 이들의 유도체로부터 선택된 1종 또는 그 이상을 더 함유하고,
    주성분으로서의 은의 박리성분의 욕속에서의 농도범위: 5~200g/ℓ, 계면활성제의 농도범위: 0.1㎍~10g/ℓ, 그리고 구리인히비터의 농도범위: 1~1000㎎/ℓ인 것을 특징으로 하는 은의 전해박리제.
  10. 표면이 은 도금된 구리 내지 구리합금제 피처리물을, 처리범위 제8항~제11항의 어느 한 항에 기재된 전해박리제의 욕에 침지하고, 이 피처리물을 양극으로서 박리제의 pH:7~14, 욕전류밀도: 0.1~50A/d㎡ 및 욕온도: 10~60℃의 조건에서 교반하에서 전해박리를 실시하는 것을 특징으로 하는 은의 전해박리방법.
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