KR100250586B1 - 저항율이 낮은 질화티탄 필름의 형성방법 - Google Patents

저항율이 낮은 질화티탄 필름의 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100250586B1
KR100250586B1 KR1019940700432A KR19940700432A KR100250586B1 KR 100250586 B1 KR100250586 B1 KR 100250586B1 KR 1019940700432 A KR1019940700432 A KR 1019940700432A KR 19940700432 A KR19940700432 A KR 19940700432A KR 100250586 B1 KR100250586 B1 KR 100250586B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon substrate
reaction chamber
gas
film
titanium nitride
Prior art date
Application number
KR1019940700432A
Other languages
English (en)
Inventor
씨. 이치만 에릭
에이. 섬머 브루스
제이. 철리 마이클
Original Assignee
히가시 데츠로
도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
터그널 야서
머티어리얼스 리써치 코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/746,667 external-priority patent/US5279857A/en
Application filed by 히가시 데츠로, 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤, 터그널 야서, 머티어리얼스 리써치 코퍼레이션 filed Critical 히가시 데츠로
Application granted granted Critical
Publication of KR100250586B1 publication Critical patent/KR100250586B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

화학 증기 침착에 의하여 규소 기재위에 저항성이 낮은 질화티탄 필름을 형성시키는 방법은 질화티탄 필름내에 동반된 염소원자와 화학적으로 반응하는 수소원자를 제공하기 위한 후침착(5) 암모니아 어닐을 포함한다. 질환티탄 필름은 반응실내에 규소 기재를 넣고, 반응실(10)내에서 규소 기재를 가열하고 반응실내에서 TiC4가스 및 NH3가스 둘 다를 규소 기재로 초기에 통과시켜 규소 기재의 표면위에 질화티탄을 침착시키고, 반응실내에서 TiCl4가스의 유동을 중지한 후 규소 기재로 NH3가스(15)를 지속 통과시켜 침착된 질화티탄 필름에 보유된 잔여의 염소원자와 반응시켜 제거함으로써 침착된다.

Description

[발명의 명칭]
저항율의 낮은 질화티탄 필름의 형성방법
[발명의 배경]
본 발명은 일반적으로 저압 화학 증착(low pressure chemical vapor deposition: LPCVD) 방법으로 질화티탄(TiN) 박막을 침착시킨 반도체 기판에 관한 것이며, 더욱 구체적으로, 이러한 TiN 필름의 저항율을 감소시키기 위하여 이러한 TiN 필름의 염소 함량을 감소시키는 방법에 관한 것이다.
[선행 기술 분야에 대한 설명]
반도체 산업에서 반도체 장치용 차단 금속으로서 질화티탄(TiN) 박막을 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 이러한 TiN 박막은 화학 증착(CVD) 기술을 사용하여 침착시킬 수 있다. 차단 금속으로서의 이러한 TiN 박막은 알루미늄 접촉층이 하부 반도체 재료, 즉, 가장 통상적으로는 규소와 직접 접촉하는 것을 방지하기 위해 알루미늄 접촉층 형성 전에 반도체 접촉 영역에 침착시킬 수 있다. 이러한 TiN 필름은 특히 서브마이크론의 접촉부 내에서 반도체 기판 표면 전체에 양호한 스텝피복을 제공한다. 또한, 이러한 TiN 필름은 살리사이드(salicide)에 대한 접촉 저항이 적고 누출이 적으며 하부 반도체 기판에 대한 접착력이 탁월하고 열안정성이 높다. 또한, 이러한 TiN 필름은 후속 텅스텐 필름에 대한 접착력이 우수하다.
싱글 웨이퍼 코울드 월 반응기(single-wafer cold wall reactor)에서 저압 CVD(LPCVD) 방법을 사용하여 규소 기판 위에 TiN 박막을 침착시키는 방법이 문헌[참조: Sherman, “Growth and Properties of LPCVD Titanium Nitride as a Diffusion Barrier for Silicon Device Technology”, J. Electrochem. Soc., Vol. 37, NO. 6, June 1990]에 기술되어 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 규소 기판 위에 면적 저항이 낮은 질화티탄 필름을 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 규소 기판 위에 염소 함량이 감소된 질화티탄 필름을 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 질화티탄 필름을 침착시키기 위해 통상 사용되는 유동 가스를 바꾸지 않고 수행할 수 있거나 장치를 거의 개조하지 않고 수행할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적 및 기타 목적은 계속되는 본 발명에 대한 설명에 의해 당해 분야의 숙련가들에게 보다 명백해질 것이다.
[발명의 요약]
간단히 설명하면, 본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 본 발명은 반응 챔버 안에 규소 기판을 넣고, 반응 챔버 안에서 규소 기판을 가열하고, 먼저 반응 챔버 안으로 규소 기판 위로 TiCl4가스와 NH3가스 둘 다를 통과시켜 규소 기판 표면 위에 질화티탄을 침착시킨 다음, TiCl4가스의 유동을 중단하고, 반응 챔버 안으로 규소 기판 위로 염소 원자와 반응성인 수소 함유 가스를 통과시킴으로써, 침착된 질환티탄 필름이 보유하는 잔류 염소 원자와 반응시켜 잔류 염소 원자를 제거하는 단계들을 포함함을 특징으로 하여, 화학 증착에 의해 규소 기판 위에 저항율이 낮은 질화티탄 필름을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
언급된 수소 함유 가스는 바람직하게는 NH3가스이다. 본 발명의 바람직한 양태에 있어서, TiCl4가스의 유동을 중단시킨 후에도 반응 챔버 안으로 규소 기판위로 NH3 가스의 초기 유동을 계속 제공함으로써, 질화티탄 성장 사이클 종료 시점에서 후침착 공정으로서 질화티탄 필름에 보유된 잔류 염소 원자와 수소 원자를 반응시킨다. 수소 원자는 염소 원자와 반응하여 질화티탄 필름 표면을 이탈하는 기체 성분을 형성한다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 후침착 아르곤 불활성 가스 어닐 단계와 후침착 암모니아(NH3가스) 어닐 단계 둘 모두에서 사용되는 온도 및 압력 범위에 걸친 침착된 질화티탄층의 면적 저항을 나타내는 3차원 플롯이다.
[바람직한 양태의 상세한 설명]
본 발명의 바람직한 양태에 있어서, 질화티탄 필름은 저압 화학 증착(LPCVD) 기술을 사용하여 규소 기판위에 침착시킨다. 규소 웨이퍼를 반응 챔버 안에 넣고 TiCl4가스와 NH3가스를 규소 웨이퍼 위로 통과시킨다. TiCl4가스와 NH3가스를 반응시켜 노출된 규소 웨이퍼 표면에 질화티탄(TiN) 필름을 침착시킨다.
그러나 TiCl4가스와 NH3가스로부터 침착된 LPCVD TiN 필름은 필름 속에 다량의 염소를 함유한다. 이 염소는 입자 경계 및 필름 계면에 밀집되어 있다. 결합되지 않고 잔류하는 염소 원자를 반응시켜 제거하기 위해 NH3가스를 사용하는 것이 필름의 염소 함량을 감소시키는 데 효과적이라는 것이 본 출원인에 의해 밝혀졌다. 본 출원인은 수소 원자가 염소 원자와 반응하여 질화티탄 필름으로부터 제거되는 HCl 가스를 형성할 수 있다고 생각한다.
결합되지 않고 잔류하는 염소 원자를 반응시켜 제거하기 위해 NH3가스를 사용하는 본 발명의 방법은 TiN 성장 사이클 종료시에 동일 반응계내에서 후침착 공정으로서 수행하는 것이 바람직하다. NH3가스의 사용은 단순 확산 메카니즘, 예를 들면, 불활성 가스 형태의 아르곤 또는 질소의 사용(이는 모든 이용 가능한 염소원자를 제거하지 못한다)과는 상이하다. 예를 들면, 제1도의 플롯은 후침착 아르곤 어닐 단계와 후침착 암모니아(NH3가스) 어닐 단계 둘 모두에서 사용되는 온도 및 압력 범위에 걸친 침착된 질화티탄층의 면적 저항을 나타내는 것이다. 제1도에 나타낸 바와 같이, 암모니아 어닐 단계를 수행하는 경우, 아르곤 어닐 단계에 비해 면적 저항이 계속 저하된다. 본 출원인의 생각으로는 불활성 대기하에서의 표준 후침착 어닐 처리가 필름을 통한 염소 원자의 확산을 단순히 활성화시키기는 하지만 이 확산 메카니즘이 결합된 염소 원자를 입자 경계로부터 반응적으로 분리시키지는 못한다.
동일 반응계 내에서의 암모니아 어닐 단계의 사용은 2개의 목적을 달성시킨다. 첫째는 질환티탄 필름의 염소 함량을 약 2내지 0.7%로 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 필름의 저항율도 감소시킬 수 있는 것이다. 둘째는 면적 저항의 균일성이 약 8내지 4%향상되는 것이다.
본 발명의 실시에서, 단일 웨이퍼 LPCVD TiN 반응기를 사용하는 것이 바람직하다. 어닐 단계 동안 반응기 안의 온도 범위는 약 600내지 700℃이며 650 내지 680℃의 온도 범위가 바람직하다. 반응기 안에 바람직한 압력 범위는 115 내지 300mTorr이다. 바람직한 가스 유량 범위는 TiCl4가스의 경우에는 10sccm이고 NH3가스의 경우에는 100sccm이며, 여기서 용어 “sccm”은 표준 ㎤/min을 의미한다. 반응 챔버의 가스 주입 매니폴드를 통과하는 유량을 평형화시키기 위해, 유량이 30sccm인 아르곤 가스 캐리어를 반응기 안으로의 주입 전에 TiCl4 가스 유로에 가한다. TiCl4가스와 NH3 가스를 반응 챔버 안으로 주입하기 전의 가스 매니폴드 속에서의 이들 가스의 혼합을 방비하기 위해 이들 가스를 2개의 상이한 주입 포트(port) 세트를 통해 주입한다.
바람직한 양태에 있어서, TiN 필름의 침착은 60초 동안 수행하고 이어서 암모니아 어닐을 60초 동안 수행한다. 어닐 기간이 길어질수록 저항율은 더욱 향상된다. 물론, 암모니아 어닐 기간은 온도에 부분적으로 의존한다. 650 내지 680℃ 범위내의 어닐 온도의 경우, 어닐 시간은 30 내지 90초로 다양할 수 있다. 저온에서 동일한 저항율을 얻기 위해서는 더욱 긴 어닐 시간이 필요하다. 침착 단계후 어닐 시간을 30 내지 45초로 단축시키기 위해 반응 챔버의 온도를 빠르게 상승시킬 수는 있지만, 종종, 침착 단계 및 어닐 단계를 동일 온도에서 수행할 수 있다.
침착 단계 동안 단순히 TiCl4가스에 비해 NH3가스의 %만을 증가시킴으로써 염소 원자가 질화티탄 필름 속에 보유되는 경향을 감소시킬 수 있다는 것이 본 출원인에 의해 이론화되어 있었다. 그러나, 본 출원인이 수행한 실험으로 이러한 사실을 입증하지는 못했다.
질화티탄 필름의 저항율을 감소시킴으로써 하부 규소와 상부 금속 접속 네트워크 간의 직렬 저항이 감소된다. 또한, 질화티탄 필름의 면적 저항을 더욱 균일하게 하여 반도체 웨이퍼 상의 작동 회로의 수율을 증가시킴으로써, 이러한 회로에 대한 제조비용을 절감시켰다.
필요한 경우, 암모니아 어닐 후침착 단계를 질화티탄 필름 침착 단계를 수행하는 LPCVD 반응 챔버와 다른 반응 챔버에서 수행할 수 있다. 이러한 방법은 필름 침착 단계 및 후침착 어닐 단계가 중앙에 위치하는 기판 운반 구획실(이는 산소를 함유하지 않는 제어된 진공 환경하에 있는 기판을 필름 침착 LPCVD 반응 챔버로 운반시키고, 이어서 필름 침착 LPCVD 반응 챔버로부터 후침착 암모니아 어닐 반응 챔버로 운반시키고, 이후에 후침착 암모니아 어닐 반응 챔버로부터 추가의 가공 및 저장을 위해 카세트 속으로 연속적으로 운반시킨다)을 갖는 클러스터 툴의 각각의 반응 챔버에서 수행되는 경우에 유용할 수 있다. 각각의 후어닐 반응 챔버의 온도는 필름 침착 LPCVD 반응 챔버의 온도와 동일하거나 상이할 수 있으며, 더 높거나 낮을 수 있다.
다른 방법으로는, 기판을 필름 형성 단계 후에 LPCVD 반응 챔버로부터 꺼내서 통상의 제어되지 않은 산소 함유 공기 대기 조건하에서 독립형 후어닐 반응 챔버(이는 LPCVD 반응 챔버로부터 물리적으로 분리되고 산소를 함유하지 않는 제어된 대기 및/또는 진공 기판 운반 구획실을 통해 서로 연결되지 않는다)로 운반할 수 있다. 상기 언급된 클러스터 툴 배열에서와 같이, 독립형 후어닐 반응 챔버의 온도는 필름 형성 LPCVD 반응 챔버의 온도와 상이할 수 있으며, 더 높거나 낮을 수 있다.

Claims (10)

  1. 반응 챔버 안에 규소 기판을 넣는 단계(a), 반응 챔버 안에서 규소 기판을 가열하는 단계(b), 반응 챔버 안에서 TiCl4가스와 NH3가스 둘 다를 규소 기판 위로 통과시켜 규소 기판 표면에 질화티탄을 침착시키는 단계(c)(이때, 침착된 필름은 염소 원자를 함유하고 면적 저항율이 있다) 및 반응 챔버 안으로 규소 기판 위로의 TiCl4가스의 유동을 중단하면서 NH3가스의 유동은 계속 진행하여 침착된 질화티탄 필름에 보유된 잔류 염소 원자와 반응시킴으로써 필름의 염소 함량을 감소시키고 필름 면적 저항율을 낮추는 단계(d)를 포함함을 특징으로 하여, 화학 증착법으로 규소 기판 위에 저항율이 낮은 질화티탄 필름을 형성시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계(c)와 단계(d) 동안 반응 챔버 안의 온도가 동일한 방법.
  3. 제1항에 있어서, 단계(d) 동안 반응 챔버 안의 온도 범위가 600내지 700℃인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 단계(d) 동안 반응 챔버 안의 압력 범위가 115 내지 300mTorr인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 반응 챔버 안에서 규소 기판 위로의 NH3가스의 유동이 TiCl4가스의 유동 중지 후 30 내지 90초 동안 계속되는 방법.
  6. 반응 챔버 안에 규소 기판을 넣는 단계(a), 반응 챔버 안에서 규소 기판을 가열하는 단계(b), 반응 챔버 안에서 TiCl4가스와 NH3가스 둘 다를 규소 기판 위로 통과시켜 규소 기판 표면에 질화티탄을 침착시키는 단계(c)(이때, 침착된 필름은 염소 원자를 함유하고 면적 저항율이 있다) 및 반응 챔버 안에서 TiCl4가스의 유동을 중단하면서 규소 기판 위로 염소와 반응성인 수호 함유 가스를 통과시켜 침착된 질화티탄 필름에 보유된 잔류 염소 원자와 반응시킴으로써 필름의 염소 함량을 감소시키고 필름 면적 저항율을 낮추는 단계(d)를 포함함을 특징으로 하여, 화학 증착법으로 규소 기판 위에 저항율이 낮은 질화티탄 필름을 형성시키는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 단계(a)와 단계(b)가 이들 단계 사이에서 기판을 꺼낼 필요없이 동일한 반응 챔버 안에서 수행되는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 단계(a)와 단계(b)가 상이한 반응 챔버 안에서 수행되고 기판이 상이한 반응 챔버들을 서로 연결시키는 진공으로 유지되는 유지된 운반실을 통해 상이한 반응 챔버들 사이로 운반되는 방법
  9. 제8항에 있어서, 상이한 반응 챔버들 사이로의 기판의 운반동안 운반실이 산소를 함유하지 않는 상태로 유지되는 방법
  10. 제1항에 있어서, 단계(a)와 단계(b)가 상이한 반응 챔버들 안에서 수행되고 기판이 공기 대기하에서 상이한 반응 챔버들 사이로 운반되는 방법
KR1019940700432A 1991-08-16 1992-08-13 저항율이 낮은 질화티탄 필름의 형성방법 KR100250586B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/746,667 US5279857A (en) 1991-08-16 1991-08-16 Process for forming low resistivity titanium nitride films
US7/746.667 1991-08-16
US7/833.023 1992-02-10
US07/833,023 US5308655A (en) 1991-08-16 1992-02-10 Processing for forming low resistivity titanium nitride films
PCT/US1992/006847 WO1993004214A1 (en) 1991-08-16 1992-08-13 Process for forming low resistivity titanium nitride films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100250586B1 true KR100250586B1 (ko) 2000-04-01

Family

ID=27114632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940700432A KR100250586B1 (ko) 1991-08-16 1992-08-13 저항율이 낮은 질화티탄 필름의 형성방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5308655A (ko)
EP (1) EP0599991B1 (ko)
JP (1) JP3315116B2 (ko)
KR (1) KR100250586B1 (ko)
AU (1) AU2485492A (ko)
CA (1) CA2114716A1 (ko)
DE (1) DE69206808T2 (ko)
TW (1) TW241311B (ko)
WO (1) WO1993004214A1 (ko)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3265042B2 (ja) * 1993-03-18 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
AU2764095A (en) * 1994-06-03 1996-01-04 Commissariat A L'energie Atomique Method and apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5975912A (en) 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
US5628829A (en) 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US6291343B1 (en) * 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
KR0148325B1 (ko) * 1995-03-04 1998-12-01 김주용 반도체 소자의 금속 배선 형성방법
US5610106A (en) * 1995-03-10 1997-03-11 Sony Corporation Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia
KR0164149B1 (ko) * 1995-03-28 1999-02-01 김주용 타이타늄 카보 나이트라이드층의 개질 방법
US5595784A (en) * 1995-08-01 1997-01-21 Kaim; Robert Titanium nitride and multilayers formed by chemical vapor deposition of titanium halides
US6537621B1 (en) 1996-10-01 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Method of forming a titanium film and a barrier film on a surface of a substrate through lamination
JP3374322B2 (ja) * 1996-10-01 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
US5925225A (en) * 1997-03-27 1999-07-20 Applied Materials, Inc. Method of producing smooth titanium nitride films having low resistivity
US5926737A (en) * 1997-08-19 1999-07-20 Tokyo Electron Limited Use of TiCl4 etchback process during integrated CVD-Ti/TiN wafer processing
JP2956693B1 (ja) * 1998-05-27 1999-10-04 日本電気株式会社 金属窒化膜形成方法
KR100331545B1 (ko) 1998-07-22 2002-04-06 윤종용 다단계 화학 기상 증착 방법에 의한 다층 질화티타늄막 형성방법및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US6364954B2 (en) 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US6221174B1 (en) 1999-02-11 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of performing titanium/titanium nitride integration
US6555183B2 (en) 1999-06-11 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of a titanium nitride film formed by chemical vapor deposition
US20030235652A1 (en) * 1999-11-17 2003-12-25 Satoshi Wakabayashi Precoat film forming method
TW484189B (en) * 1999-11-17 2002-04-21 Tokyo Electron Ltd Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method
JP2001210606A (ja) 2000-01-24 2001-08-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6436819B1 (en) 2000-02-01 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Nitrogen treatment of a metal nitride/metal stack
US6436820B1 (en) 2000-02-03 2002-08-20 Applied Materials, Inc Method for the CVD deposition of a low residual halogen content multi-layered titanium nitride film having a combined thickness greater than 1000 Å
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
US9076843B2 (en) 2001-05-22 2015-07-07 Novellus Systems, Inc. Method for producing ultra-thin tungsten layers with improved step coverage
KR100495921B1 (ko) * 2002-12-30 2005-06-17 주식회사 하이닉스반도체 스트레스 제거를 위한 반도체 소자의 제조 방법
JP4583764B2 (ja) * 2004-01-14 2010-11-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW200526806A (en) * 2004-01-15 2005-08-16 Tokyo Electron Ltd Film-forming method
US7966969B2 (en) 2004-09-22 2011-06-28 Asm International N.V. Deposition of TiN films in a batch reactor
US20060234502A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Vishwanath Bhat Method of forming titanium nitride layers
US7691757B2 (en) 2006-06-22 2010-04-06 Asm International N.V. Deposition of complex nitride films
US7629256B2 (en) * 2007-05-14 2009-12-08 Asm International N.V. In situ silicon and titanium nitride deposition
US7833906B2 (en) 2008-12-11 2010-11-16 Asm International N.V. Titanium silicon nitride deposition
US20100267230A1 (en) 2009-04-16 2010-10-21 Anand Chandrashekar Method for forming tungsten contacts and interconnects with small critical dimensions
US9159571B2 (en) 2009-04-16 2015-10-13 Lam Research Corporation Tungsten deposition process using germanium-containing reducing agent
US10256142B2 (en) 2009-08-04 2019-04-09 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
JP2011168881A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
WO2013148880A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill
US8853080B2 (en) 2012-09-09 2014-10-07 Novellus Systems, Inc. Method for depositing tungsten film with low roughness and low resistivity
US9153486B2 (en) 2013-04-12 2015-10-06 Lam Research Corporation CVD based metal/semiconductor OHMIC contact for high volume manufacturing applications
US9589808B2 (en) 2013-12-19 2017-03-07 Lam Research Corporation Method for depositing extremely low resistivity tungsten
US9997405B2 (en) 2014-09-30 2018-06-12 Lam Research Corporation Feature fill with nucleation inhibition
US9953984B2 (en) 2015-02-11 2018-04-24 Lam Research Corporation Tungsten for wordline applications
US9613818B2 (en) 2015-05-27 2017-04-04 Lam Research Corporation Deposition of low fluorine tungsten by sequential CVD process
US9978605B2 (en) 2015-05-27 2018-05-22 Lam Research Corporation Method of forming low resistivity fluorine free tungsten film without nucleation
US9754824B2 (en) 2015-05-27 2017-09-05 Lam Research Corporation Tungsten films having low fluorine content
JP2020530881A (ja) 2017-08-14 2020-10-29 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ３次元垂直ｎａｎｄワード線用の金属充填プロセス
JP2021523292A (ja) 2018-05-03 2021-09-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ３ｄ ｎａｎｄ構造内にタングステンおよび他の金属を堆積させる方法
US11424132B2 (en) * 2018-11-03 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling contact resistance in cobalt-titanium structures
JP2022513479A (ja) 2018-12-14 2022-02-08 ラム リサーチ コーポレーション ３ｄ ｎａｎｄ構造上の原子層堆積

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2865791A (en) * 1954-03-05 1958-12-23 Metallgesellschaft Ag Metal nitride coating process
US4524718A (en) * 1982-11-22 1985-06-25 Gordon Roy G Reactor for continuous coating of glass
US4803127A (en) * 1983-02-25 1989-02-07 Liburdi Engineering Limited Vapor deposition of metal compound coating utilizing metal sub-halides and coated metal article
US4570328A (en) * 1983-03-07 1986-02-18 Motorola, Inc. Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode

Also Published As

Publication number Publication date
US5308655A (en) 1994-05-03
EP0599991A1 (en) 1994-06-08
WO1993004214A1 (en) 1993-03-04
TW241311B (ko) 1995-02-21
DE69206808D1 (de) 1996-01-25
JP3315116B2 (ja) 2002-08-19
AU2485492A (en) 1993-03-16
JPH06510089A (ja) 1994-11-10
CA2114716A1 (en) 1993-03-04
DE69206808T2 (de) 1996-08-08
EP0599991B1 (en) 1995-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100250586B1 (ko) 저항율이 낮은 질화티탄 필름의 형성방법
US5279857A (en) Process for forming low resistivity titanium nitride films
US5399379A (en) Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal titanium nitride films of low bulk resistivity
US5192589A (en) Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity
US5188979A (en) Method for forming a nitride layer using preheated ammonia
US5723382A (en) Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug
US4766006A (en) Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide
US4540607A (en) Selective LPCVD tungsten deposition by the silicon reduction method
US5273775A (en) Process for selectively depositing copper aluminum alloy onto a substrate
JPS6345373A (ja) ケイ素高含有ケイ化タングステンを付着させる方法
JP2001026872A (ja) 有機銅の先駆物質ブレンド及び化学気相堆積による銅の堆積方法
US20080226822A1 (en) Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method
JP3110857B2 (ja) ＴｉＮ▲ｘ▼層を含む製品の作製方法
JPH0665212B2 (ja) 基板上にポリサイド構造を形成する方法
US5672385A (en) Titanium nitride film-MOCVD method incorporating use of tetrakisdialkylaminotitanium as a source gas
JP2000178735A (ja) タングステン膜の成膜方法
US6436820B1 (en) Method for the CVD deposition of a low residual halogen content multi-layered titanium nitride film having a combined thickness greater than 1000 Å
US5741547A (en) Method for depositing a film of titanium nitride
KR100510473B1 (ko) 원자층 증착법을 이용한 반도체소자의 커패시터 상부 전극 형성방법
EP0591086A2 (en) Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration
JP3200085B2 (ja) 高密度集積回路用導電層又は構造物の製法及び装置
JP3194256B2 (ja) 膜成長方法と膜成長装置
JP3176069B2 (ja) 一リン化チタン層の形成方法およびその使用
JP2001326192A (ja) 成膜方法及び装置
JPS63109172A (ja) メタルシリサイドの低圧化学蒸着

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111216

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term