KR100244186B1

KR100244186B1 - 적층형자기헤드

Info

Publication number: KR100244186B1
Application number: KR1019920018263A
Authority: KR
Inventors: 송기창
Original assignee: 구자홍; 엘지전자주식회사
Priority date: 1992-10-06
Filing date: 1992-10-06
Publication date: 2000-02-01
Also published as: KR940009942A

Abstract

본 발명은 질소(N)를 함유하는 적층 자성막 사이에 질소에 기인하는 기포 발생 억제와 절연층의 열화를 방지하는데 적합한 자기헤드에 관한 것으로, Fe-M-N(M : Zr, Ta, Hf, Ti, V, Nb, W)계 자성박막과 절연막을 교대로 적층한 자기헤드에 있어서, 절연막을 질화물로 형성함을 특징으로 하는 적층형 자기헤드에 관한 기술이다.

Description

적층형 자기헤드

제1도는 종래의 적층형 자기헤드 구조도로서,

제1a도는 자기헤드 구조 사시도.

제1b도는 1a도의 "A"부를 나타낸 상세도.

제2도는 종래의 적층형 자기헤드의 제조공정 사시도.

제3도는 종래의 적층형 자기헤드 구조 단면도.

제4도는 본 발명의 적층형 자기헤드 구조 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 비자성 기판 2 : 자성막

4 : 글라스 11 : 질화물 절연막

12 : 질소 트랩층

본 발명은 적층형 자기헤드에 관한 것으로, 특히 질소(N)를 함유하는 적층자성막에서 질소에 기인하는 기포 발생 억제와 절연층의 열화를 방지하는데 적합하도록 한 것이다.

최근 자기 기록의 기술 추세는 기록 밀드의 고밀도화, 사용 주파수의 고주파화에 따라 기록 매체가 고 보자력화되고 있으며 이에 따른 자기헤드 기술 개발 추세는 고보자력 매체에 대응하는 고포화 자속 밀도 재료로서 샌더스트(Sendust)(Fe-Al-Si계), Somax(Fe-Ru-Ga-Si계), Co-Nb-Zr계 등의 비정질 재료, Fe-M-N(M : Zr, Ta, Hf, V, Mo, Ti, Nb, W 등)계, Fe-C계 개발 및 고주파 사용에 적합한 구조로서, MIG(Metal-In-Gap), TSS(Tilted Sputtered Sendust), 적층(multi layer) 개발이 연구되고 있다.

이런 고밀도 기록 및 고주파 사용에 적합한 적층헤드의 기본 구성은 제1a도의 에 도시된 바와 같이, 비자성 기판(1)에 권선홈과 트랙홈이 형성되고 트랙홈에 적층 자성막(5)이 형성된다.

여기서 적층 자성막(5)은 1b도에 도시된 바와 같이, 자성막(2)과 절연막(3)이 교대로 적층되어 형성된다.

상기와 같이 형성된 비자성 기판(1)과 또 다른 비자성 기판(1a)사이는 본딩 글라스(4)로 접합되어 있다.

그리고, 도면 부호 6은 헤드갭이다.

이와 같은 종래의 적층자기헤드의 제조방법은 제 2도에 도시된 바와 같다,

즉, 2a도에 도시된 바와같이 비자성 기판(1)에 제1b도에 도시된 바와 같이 자성막(2)과 절연막(3)을 교대로 스퍼터링법으로 적층하여 적측 자성막(5)을 형성한다.

이때, 자성막(2)으로는 센더스트, Sofmax Fe-M-N계 박막등으로 성막하고 절연막(3)으로는 SiO₂박막이 사용된다.

그리고, 적층 자성막(5)이 형성된 비자성 기판에 접합 글라스(7)층을 형성하여 비자성 기판을 1b도에 도시된 바와 같이 적층 본딩한다.

즉, 적층 자성막(5)과 비자성 기판(1)이 교대로 형성되게 한다.

그리고 이것을 제2c도에 도시된 바와같이 수직 방향으로 헤드 크기를 고려하여 슬라이싱(Slicing)함으로서 바(Bar)를 형성하고, 2d도에 도시된 바와 같이 트랙홈(8)을 형성하여, 2e도에 도시된 바와 같이 트랙홈(8)에 글라스를 몰딩한 다음 갭(10) 물질을 스퍼터링한다.

그리고 2f도에 도시된 바와 같이 권손홈(8)이 형성된 C-Bar와 상기한 I-Bar를 맞대로 열처리하여 글라스 본딩하고 2g도에 도시된 바와 같이 일정 크기의 단위편으로 절단함으로서 완성된 헤드칩을 얻게 된다.

그러나 상기한 적층자성막에서 Fe-M-N계 박막을 적응하여 적층헤드를 제조시에 금속 M과 화합물을 형성하는 질소에서 적정량 이상으로 박막에 함유되면 초과된 질소가 글라스 본딩시에 절연층인 SiO₂에 침입하여 절연층을 열화시킬 수 있고, 본딩 글라스에 기포를 발생시켜 결합력을 약화시키고 또한 헤드가 테이프면을 접촉하면서 자성분이 기포 사이에 누적되어 기록, 재생 출력의 저하 및 노이즈의 원인이 된다.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 적층 자성막 사이에 구성되는 절연막을 질화물로 하고 또한 질화물내에 질소와 친화도가 큰 원소를 소량 첨가하여 자성 박막에서 발생하는 질소가 효과적으로 트랩(trap)하도록 한 적층형 자기헤드를 제공하는데 그 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제조방법에 있어서는 종래의 방법(제 2도)가 같으나 절연막을 질화물로 하거나 바람직하게는 이 질화물에 질소와 친화도가 큰 원소를 첨가하여 형성한 질소트랩층을 형성하도록 한 것이다.

이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

즉, 종래의 적층 자성막은 제3도에 도시된 바와 같이 비자성 기판(1)에 자성막(2)과 절연막(3)으로 실리콘 산화막(SiO₂)을 사용하였으나 본 발명은 제4도에 도시된 바와 같이 절연막으로 질화물 절연막(11), 특히 Si질화물로 하거나 이 질화물에 질소 친화도가 큰 원소를 바람직하게는 크롬(Cr)을 1∼5at% 첨가시켜 질소트랩층(12)을 형성하므로서 발생되는 질소를 효과적으로 트랩(trap)하게 되어 헤드의 기록 재생효율을 높이고 제조 효율을 현저히 향상시키는 결과를 얻을 수 있다.

또한 자성막과 기판 사이의 본딩 글라스에서 기포 발생을 억제하여 헤드가 테이프와 접촉시 자성체 입자가 기포에 의해 형성된 미세한 구멍에 누적되는 것을 방지하여 헤드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에서는 Fe-Zr-N 연자성 박막을 적용한 적층헤드뿐만 아니라 기존의 Fe-M-N(M : Zr, Hf, Nb, Ta, Ti, V, W등)계 박막에 적용함은 물론이다.

Claims

Fe-M-N(M : Zr, Ta, Hf, Ti, V, W, Nb등)계 자성박막과 절연막을 교대 적층한 자기헤드에 있어서, 절연막을 질화물로 형성함을 특징으로 하는 적층형 자기헤드.
제1항에 있어서, 상기 질화물이 Si질화물임을 특징으로 하는 적층형 자기헤드.
제1항에 있어서, 상기 질화물 외에 상기 질화물에 크롬(Cr)을 첨가한 질소트랩막이 더 형성됨을 특징으로 하는 적층형 자기헤드.
제3항에 있어서, 상기 질소트랩막에는 크롬이 1∼5원소(at)% 첨가하여서 됨을 특징으로 하는 적층형 자기헤드.