KR100239618B1

KR100239618B1 - 슬롯형 새도우 마스크

Info

Publication number: KR100239618B1
Application number: KR1019970009321A
Authority: KR
Inventors: 노부미쯔 아이바라
Original assignee: 가네꼬 히사시; 닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date: 1996-03-19
Filing date: 1997-03-19
Publication date: 2000-01-15
Also published as: JPH09259785A; US5877586A; KR970067504A

Abstract

슬롯형 새도우 마스크가 제공되는데 이것은 "스트립 손실"의 문제를 해결하게 해줌으로써 품질이 개선된다. 이 새도우 마스크는 슬롯을 가지며 전자 빔을 마스크에 선택적으로 통과시키는 플레이트를 포함한다. 상기 슬롯은 본체의 직사각형 슬롯 영역에 위치한다. 각각의 슬롯은 수직으로 연장된 형태를 취한다. 상기 슬롯은 수평적으로는 특정의 수평 피치 수직적으로는 특정의 수직 피치로 배열된다. 상기 슬롯은 제 1 내지 제 m 열의 형태를 취하는데 여기서 m은 자연정수이다. 제 1 슬롯 열에 포함된 슬롯들의 일부와 제 m 슬롯에 포함된 슬롯들의 일부는 제 1 폭을 갖는다. 제 2 슬롯 열에 포함된 슬롯들의 일부와 제 m-1 슬롯에 포함된 슬롯의 일부는 제 2 폭을 갖는다. 나머지 슬롯들은 제 3 폭을 갖는다. 제 1 폭은 제 3 폭보다 작으며 제 2 폭은 제 3 폭보다 크다.

Description

슬롯형 새도우 마스크

본 발명은 새도우 마스크에 관하며, 특히 칼러 음극선관(CRT)에 사용되는 슬롯형 새도우 마스크에 관한다.

도 2는 새도우 마스크형 칼라 CRT의 통상적인 구성을 개략적으로 도시한다.

도 2에 도시된 바와 같이 새도우-마스크형 칼러 CRT는 유리 밸브(glass valve)(12)를 갖는다. 이 밸브(12)의 앞부분은 전면 패널(13)을 형성하며 그 위에 영상이 표시된다. 상기 밸브(12)내에 있는 패널(13)의 내부 표면상에는 인 스크린(14)이 형성되어 있다. 스크린(14)은 패널(13)의 표면을 따라 연장한다. 스크린(14)의 전체에는 적(R), 녹(G), 청(B)에 대한 다수의 인 물질 스트립이 수직 수평으로 배열되어 있다. 스트린 각각은 일반적으로 수직적으로 확정하는 모양 즉 수직적으로 연장하는 스트립으로 되어 있다.

상기 전면 패널(13)으로부터 떨어져서 또한 상기 밸브(12)의 인 스크린(14)에 마주하여 새도우 마스크(15)가 고정되어 있다. 마스크(15)는 전자 빔이 마스크(15)를 통해 인 스크린(14)에 선택적으로 도착하게 하는 다수의 슬롯을 구비한다. 밸브(12)의 목 부분에는 R, G, B용 전자 빔을 발생하여 방출하는 전자총(16)이 수평적으로 일직선이 되도록 배열된다. 환언하면, 상기 전자총(16)은 일직선 구조로 되어 있다.

밸브(12)의 복부분 근처에서 밸브(12)의 주위에 편향 요크(18)가 설치되어 전자 빔(17)을 각각 수평 및 수직적으로 편향시킨다.

대응하는 전자총(16)으로부터 방출되는 R, G, B용 전자빔(17)은 편향 요크(18)에 의해 발생된 수평 및 수직 평향 자계에 의해 편향되어 전면 패널(13)의 수평 및 수직 방향 X와 Y를 따라 인 스크린(14) 전체에 주사된다. 새도우 마스크(15)의 슬롯을 통과하는 빔(17)은 스크린(14)상에서 인 물질의 대응하는 스트립을 때려서 그것들을 자극하고 이에 의해 칼러 영상을 전면 패널(13)상에 표시한다.

CRT 또는 영상 장치의 기본적인 성능(즉, 콘트라스트, 밝음 등등)을 향상시키기 위해 전면 패널(13)의 내부 표면상에 블랙 매트릭스막(도시되지 않음)을 설치한다. 이 블랙 매트릭스막은 인 스크린(14)과 통합되도록 형성된다. 상세히 설명하면, R, G, B 칼러용 인 픽셀은 전면 패널(13)을 따라 평면에 규칙적으로 배열되어 있다. 동일한 평면상에 있는 인 픽셀로부터의 나머지 노출된 영역을 덮기 위해 그라파이트와 같은 블랙 물질을 코팅한다.

인 픽셀로부터 방사된 광을 효과적으로 반사시키기 위해 스크린(14)을 따라 연장하도록 스크린(14)로부터 떨어져서 밸브(12)에 금속막(도시되지 않음)을 또한 설치한다. 이 금속막은 새도우 마스크(15)와 마주한다.

도 2에 도시된 종래의 새도우 마스크(15)는 통상적으로 도 1에 도시된 바와 같은 구성을 갖는다.

도 1에 도시된 바와 같이, 새도우 마스크(15)는 전자총(16)에서 방출된 전자 빔(17)이 마스크(15)를 통해 인 스크린(14)에 선택적으로 도착하도록 다수의 슬롯(23)을 포함한다. 이 슬롯(23)들 모두는 동일한 거칠기의 직사각형 모양이며, 직사각형 슬롯 영역에 규칙적으로 배열되어 전면 패널(13)상에 수평 및 수직 방향 X, Y의 모자이크를 형성한다.

수직적으로 인접하는 슬롯(23)들 사이에 새도우 마스크(15)의 기계적인 강도를 유지하기 위해 브릿지 영역(24)이 각각 형성된다. 이 브릿지 영역은 전자-빔 정지 영역(electron-beam stopping area)으로 작용한다.

슬롯(23)들은 Y 방향을 따라 수직적으로 확장되어 있다. 슬롯(23) 각각은 동일한 길이 H를 갖는다. 슬롯(23) 각각은 동일한 폭 Ls를 가지며 단지 슬롯들은 슬롯 영역의 가장자리에 위치한다. 폭 Ls는 규칙적으로 변경될 수 있다.

슬롯(23)은 직사각형 영역에 수평적으로 특정한 수평 피치 P_H수직적으로는 특정한 수직 피치 P_V로 배열된다. 슬롯(23)은 수직 방향 Y를 따라 연장하는 슬롯 열로 구성된다. 슬롯(23)들중 수평적으로 인접하는 두 개의 슬롯은 특정한 값(예를 들어, 슬롯(23)의 길이 H의 절반)으로 수직적으로 이동된다.

슬롯(23)은 다음과 같은 방법으로 형성된다.

인 스크린 측면상에 있는 금속판의 표면상에 패턴화된 포토레지스트 막을 형성하고 그런 다음 상기 금속판을 포토레지스트막을 사용하여 선택적으로 에칭한다. 상기 인 스크린에 대해 상기 금속판의 반대측 표면상에 다른 패턴화된 포토레지스트 막을 형성하고 그런 다음 상기 금속판을 포토레지스트 막을 사용하여 선택적으로 에칭하여 이에 의해 상기 판에 관통 구멍을 형성한다. 상기 관통 구멍은 각각 슬롯(23)으로서 작용한다.

인 스크린(14)은 다음과 같은 공정으로 전면 패널(13)의 내부 표면에 형성된다.

전면 패널(13)의 내부 표면상에 포토레지스트 막을 형성하고 그런 다음 밸브(12)가 전면 패널(13)에 마주하도록 새도우 마스크(15)를 고정시킨다. 다음, 전면 패널(13)의 내부 표면은 R, G, B 칼러용 광에 세 번 노출시켜 생성한다. 그래서, 블랙 매트릭스가 형성된 포토레지스트의 비노출된 영역은 선택적으로 제거되고 이에 의해 패턴화된 포토레지스트 막이 형성된다.

계속해서, 패턴화된 포토레지스트 막위에 블랙 매트릭스 막을 코팅하고 그런 다음 나머지 포토레지스트 막을 생성한다. 그런 다음, 포토레지스트 막의 나머지 노출된 영역과 그 위에 형성된 블랙 매트릭스 막을 선택적으로 제거한다. 그래서, 블랙 매트릭스 막은 상기 영역에 선택적으로 남겨지고 R, G, B 칼러용 인 픽셀은 형성되지 않는다.

또한, 전면 패널(14)의 내부 표면상에 R, G, B 칼러용 특정 인 물질을 포토 레지스트 물질과 함께 코팅하고 그런 다음, 새도우 마스크(15)를 통하는 광에 노출 시킨다. 그런 다음 노출된 인 물질은 생성된다. 그래서, R, G, B 칼러용 인 픽셀은 패널(14)의 내부 표면상에 형성된다. 인 물질을 코팅하는 공정과 생성하는 공정은 R, G, B 칼러에 대해 3번 반복한다.

결과적으로, R, G, B 칼러용 인 픽셀과 블랙 매트릭스는 패널(14)의 내부 표면상에 형성된다.

새도우 마스크(15)가 비록 슬롯(23)을 가질지라도 얻어진 블랙 매트릭스는 수직적으로 연장하는 스트립의 패턴을 갖는다(도시되지는 않음). 이것은 새도우 마스크(15)의 슬롯(23)의 길이 H가 브릿지(24)의 폭 Bw보다 크기 때문이며 또한 연속적으로 각각의 슬롯 열에서 인접하는 슬롯(23)을 통과하는 광에 노출되는 블랙 매트릭스 막의 노출된 영역이 서로 결합하여 하나의 스트립을 형성하기 때문이다.

이러한 이유로, 인 스크린(14)을 형성하는 노출 공정은 새도우 마스크(15)의 슬롯(23)에 의해 영향을 받는다. 도 1에 도시된 종래의 새도우 마스크에서, 새도우 마스크(15)의 각각의 슬롯 열에 상응하는 인 스크린(14)의 영역은 첫 번째 슬롯 열과 마지막번째 슬롯 열만을 제외하고 대응하는 슬롯 열에 포함된 슬롯(23)을 통과하는 주요 광빔 뿐만 아니라 인접하는 두 개의 슬롯 열에 포함된 슬롯(23)을 통과하는 부가적인 광빔에도 노출된다.

그렇지만, 새도우 마스크(15)의 첫 번째 또는 마지막 슬롯열에 대응하는 인 스크린(14)의 영역은 대응하는 슬롯 열에 포함된 슬롯(23)을 통과하는 주요 광빔과 함계 제 2 또는 그 다음의 마지막번 째 슬롯 열에 포함된 슬롯(23)을 통과하는 부가적인 광빔에만 노출된다.

이러한 인 스크린(14)의 노출에 있어서의 결점으로 인해 인 스크린(14)상에 원하지 않는 블랙 영역 또는 스트립을 남겨지게 된다. 환언하면, 원하는 인 픽셀 또는 스트립이 스크린(14)상에 형성되지 않는다. 이 원하지 않는 블랙 영역을 "스트립 손실"이라 칭하기로 한다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 "스트립 손실"의 문제를 해결하여 품질을 향상시키는 슬롯형 새도움 마스크를 제공하는 것이다.

위에서 설명되지 않은 상기 목적이나 다른 목적은 다음과 같은 서술로부터 당 분야에 익숙한 기술인들에게는 명백하게 될 것이다.

본 발명의 제 1면에 따른 새도우 마스크는 전자 빔을 마스크를 통해 선택적으로 통과시키는 슬롯을 포함하는 판형 본체를 포함한다. 슬롯은 상기 본체의 직사각형 슬롯 영역에 설치된다. 슬롯 각각은 수직으로 확장된 모양을 취한다.

슬롯은 특정한 수평 피치와 특정한 수직 피치로 배열된다. 슬롯은 제 1 내지 제 m 슬롯 열을 형성하며 여기서 m은 자연 정수이다.

제 1 슬롯 열에 포함된 스롯의 일부와 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 제 1 폭을 갖는다. 제 2 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부와 제 m-1 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 제 2 폭을 갖는다. 나머지 슬롯은 제 3 폭을 갖는다.

제 1 폭은 제 3 폭보다 작으며 제 2 폭은 제 3 폭보다 크다.

제 1 면에 따른 새도우 마스크에서, 제 1 슬롯 열과 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 나머지 슬롯의 제 3 폭보다 작은 제 1 폭을 갖는다. 제 2 슬롯과 제 m-1 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 나머지 슬롯의 제 3 폭보다 큰 제 2 폭을 갖는다.

그러므로, 새도우 마스크의 제 1 및 제 m (즉 마지막) 슬롯 열을 통과하는 광은 나머지 슬롯의 경우에 비해 부족하고 결과적으로 전면 패널상에 원하지 않는 블랙 스트립이 생긴다. 환언하면, "스트립 손실"이라는 현상 때문에 제 1 슬롯 열과 제 m 슬롯 열에 의해 블랙 스트립이 형성되지 않는다.

한편, 새도우 마스크의 제 2 슬롯 열과 제 m-1 (즉 마지막번째의 전 것) 슬롯 열을 통과하는 광빔은 나머지 슬롯의 경우에 비해 과도하다. 이 과도한 노출은 새도우 마스크의 제 1 및 제 m (즉 마지막) 슬롯 열을 통해 발생된 부족한 노출을 캔슬한다.

따라서, 새도우 마스크의 제 2 슬롯 열과 제 m-1 (즉 마지막번째의 전 것) 슬롯 열을 통과하는 광빔은 나머지 슬롯의 경우와 유사한 적절한 노출이 생성한다. 이것은 전면 패널상에 블랙 스트립이 형성되지 않으며 결과적으로 "스트립 손실" 현상은 방지될 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 새도우 마스크의 질을 개선시킬 수 있다.

제 1 면에 따른 새도우 마스크의 양호한 실시예에서, 제 1 폭은 제 3 폭의 34 내지 65% 범위에 있으며 제 2 폭은 제 3 폭의 110 내지 130% 범위에 있다.

제 1 면에 따른 새도우 마스크의 다른 양호한 실시예에서, 제 1 및 제 2 길이를 갖는 슬롯의 일부는 직사각형 슬롯 영역의 4개의 코너의 근처에 선택적으로 위치한다. 상기 근처 각각은 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8)로부터의 범위에서 수직길이를 갖는다.

본 발명의 제 2 면에 따른 새도우 마스크는 전자빔을 마스크로 선택적으로 통과시키는 슬롯을 갖는 판형 본체를 포함한다. 이 슬롯은 본체의 직사각형 슬롯 영역에 위치한다. 슬롯 각각은 수직적으로 확장된 형태를 취한다.

슬롯은 특정한 수평 피치와 특정한 수직 피치로 배열된다. 슬롯은 제 1 내지 제 m 슬롯 열을 형성하며, 여기서 m은 자연 정수이다.

제 1 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부와 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 제 1 폭을 갖는다. 나머지 슬롯은 제 2 폭을 갖는다.

제 1 폭은 제 2 폭보다 크다.

제 2 면에 따른 새도우 마스크에서, 제 1 슬롯 열과 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 나머지 슬롯의 제 1 폭보다 더 큰 제 1 폭을 갖는다. 그러므로, 새도우 마스크의 제 1 슬롯 열과 제 m (즉 마지막) 슬롯 열을 통과하는 광빔은 나머지 슬롯의 경우에 비해 과도하게 된다.

이 과도한 노출은 제 1 및 제 m 슬롯 열에 대한 부가적인 광빔에 의해 야기되는 부족한 노출을 캔슬한다.

따라서, 새도우 마스크의 제 1 및 제 m 슬롯 열을 통과하는 광빔은 나머지 슬롯의 경우와 유사한 적절한 노출을 생성하게 된다. 이것은 전면 패널에 블랙 스트립이 형성되지 않고 결과적으로 "스트립 손실"현상이 방지될 수 있다는 것을 의 미한다. 이것은 새도우 마스크의 질을 개선할 수 있게 해준다.

제 2 면에 따른 새도우 마스크의 양호한 실시예에서, 제 1 폭은 상기 제 2 폭의 100 내지 130% 범위에 있다.

제 2 면에 따른 새도우 마스크의 다른 양호한 실시예에서, 제 1 길이를 갖는 슬롯의 일부는 슬롯 영역의 4개의 코너의 근처에 선택적으로 위치하게 된다. 상기 근처 각각은 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8) 범위에서 수직 길이를 갖는다.

본 발명의 제 3 면에 따른 새도우 마스크는 전자 빔을 마스크에 선택적으로 통과시키는 슬롯을 갖는 판형 본체를 포함한다. 슬롯은 본체의 직사각형 슬롯 영역에 위치하게 된다. 슬롯 각각은 수직적으로 확장된 형태를 취한다.

제 1 스롯 열에 포함된 슬롯의 일부와 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 제 1 폭을 갖는다. 나머지 슬롯은 제 2 폭을 갖는다.

제 1 폭은 제 2 폭보다 작다.

제 3 면에 따른 새도우 마스크에서, 제 1 슬롯 열과 제 m 슬롯 열에 포함된 슬롯의 일부는 나머지 슬롯의 제 1 폭보다 작은 제 1 폭을 갖는다. 그러므로, 새도우 마스크의 제 1 슬롯 열과 제 m (즉 마지막) 슬롯 열을 통과하는 광빔은 나머지 슬롯의 경우에 비해 부족하며 결과적으로 전면 패널상에 원하지 않는 블랙 스트립이 생긴다. 환언하면, "스트립 손실" 현상이 발생한다.

따라서, "스트립 손실" 현상 때문에 제 1 슬롯 열과 제 m 슬롯 열에 의해 블랙 스트립이 형성되지 않는다.

제 3 면에 따른 새도우 마스크의 양호한 실시예에서, 제 1 폭은 제 2 폭의 35 내지 65% 범위에 있다.

제 3 면에 따른 새도우 마스크의 다른 양호한 실시예에서, 제 1 길이는 갖는 슬롯의 일부는 슬롯 영역의 4개의 코너 근처에 선택적으로 위치하게 된다. 상기 근처 각각은 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8)의 범위에서 수직 길이를 갖는다.

제1도는 칼러 CRT의 종래의 새도우 마스크에 대한 개략적이고 확대된 부분 평면도.

제2도는 종래의 새도우-마스크형 칼러 CRT의 개략적인 단면도.

제3도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 칼러 CRT의 새도우 마스크의 개략적이고 확장된 부분 평면도.

제4도는 제3도의 제 1 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 폭과 슬롯 열의 관계를 나타내는 그래프.

제5도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 칼러 CRT의 새도우 마스크의 개략적이고 확장된 부분 평면도.

제6도는 제5도의 제 2 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 폭과 슬롯 열의 관계를 나타내는 그래프.

제7도는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 칼러 CRT의 새도우 마스크의 개략적이고 확장된 부분 평면도.

제8도는 제7도의 제 3 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 폭과 슬롯 열의 관계를 나타내는 그래프.

제9도는 제3, 5, 7도의 제 1, 제 2, 제 3 실시예에 따른 새도우 마스크의 개략적인 평면도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 마스크 본체 2a, 2b, 2c : 슬롯

4 : 직사각형 슬롯 영역 C₁내지 C_m: 슬롯 열

본 발명의 양호한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 후술한다.

[제 1 실시예]

도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 실시예에 따른 칼러 CRT용 새도우 마스크는 직사각형 판으로 형성된 마스크 본체(1)와 상기 마스크 본체(1)에 형성된 다수의 슬롯(2a, 2b, 2c)을 포함한다. 슬롯(2a, 2b, 2c)은 CRT의 전자총에서 방출된 전자 빔이 상기 마스크를 통해 인 스크린에 선택적으로 도착하도록 한다.

도 9에 도시된 바와 같이, 슬롯(2a, 2b, 2c)은 직사각형 슬롯 영역(4)에 규칙적으로 배열되어 CRT의 전면 패널상에 수평 및 수직 방향 X, Y로 모자이크를 형성한다. 영역(4)은 수평 길이 A와 수직 길이 B를 가지며 A는 B보다 더 길다(즉 A〉B).

도 3에 도시된 바와 같이, 슬롯(2a, 2b, 2c)은 수직 방향 Y을 따라 연장하는 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m을 구성하며 여기서 m은 자연정수이다. 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m은 수평 방향 X에서 고정된 수평 피치 P_H에서 배열된다. 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯(2a, 2b, 2c)은 수직 방향 Y에서 수직 피치 Pv에서 배열된다.

임의의 수직으로 인접하는 슬롯(2a, 2b, 2c) 사이에서 상기 마스크의 기계적인 강도를 유지하기 위해 브릿지 영역(3)이 각각 형성된다. 브릿지 영역(3)은 전자-빔 정지 영역으로서 작용한다.

슬롯 열 C₁내지 C_m의 수직으로 인접하는 두 개에 포함된 슬롯(2a, 2b, 2c)은 특정한 값(예를 들어 슬롯 2a, 2b, 2c의 길이 H의 절반)으로 수직으로 이동한다.

슬롯 2a, 2b, 2c 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치해 있는 것들만 제외하고 수직으로 확장된 형태의 길이 H를 갖는다.

제 3 내지 제 m-2 슬롯 열 C₃내지 C_m-2에 포함된 슬롯 2a 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치한 슬롯 2a를 제외하고는 규치적인 폭 Ls를 갖는다. 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에 포함된 슬롯 2b 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치한 슬롯 2b를 제외하고는 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 작은 폭 L₂를 갖는다. 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯 2c 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치한 슬롯 2c를 제외하고는 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 큰 폭 L₁을 갖는다.

도 4는 도 3의 제 1 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 열 C₁내지 C_m과 관련된 슬롯 폭의 변화를 나타낸다. 도 4에서 분명한 바와 같이, 슬롯 폭은 제 3 내지 제 m-2 슬롯 열 C₃내지 C_m-2에서의 슬롯 폭 Ls에서 유지되고 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에서 Ls로부터 L₂로 슬롯 폭이 증가하여 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에서 L₂로부터 L₁으로 슬롯 폭이 감소한다.

도 3 및 도 4의 제 1 실시예에 따른 새도우 마스크에서 위에서 언급한 바와 같이, 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯 2c는 제 3 내지 제 m-2 슬롯 열 C₃내지 C_m-2에 포함된 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 작은 폭 L₁을 갖는다. 또한, 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에 포함된 슬롯은 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 큰 폭 Ls을 갖는다.

그러므로, 새도우 마스크의 제 1 및 제 m (즉 마지막) 슬롯 열 C₁내지 C_m의 슬롯 2c를 통과하는 광빔은 규칙적인 슬롯 2a의 경우에 비해 부족하며 결과적으로 전면 패널상에 원하는 블랙 스트립이 생기지 않는다. 환언하면, "스트립 손실" 현상으로 인하여 제 1과 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에 의해 블랙 스트립이 형성되지 않는다.

한편, 새도우 마스크의 제 2와 제 m-1(즉 마지막번째의 전 것) 슬롯 열 C₂와 C_m-1에서 슬롯 2b를 통과하는 광빔은 규칙적인 슬롯 2a의 경우에 비해 과도하다. 이 과도한 노출은 새도우 마스크의 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁및 C_m을 통해 발생하는 부족한 노출을 캔슬한다.

따라서, 새도우 마스크의 제 2와 제 m-1 열 C₂와 C_m-1에서 슬롯 2b를 통과하는 방빔은 규칙적인 슬롯 2a의 경우와 유사한 적절한 노출을 생성한다. 이것은 전면 패널상에 블랙 스트립이 형성되지 않아 결과적으로 "스트립 손실"이 방지될 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 새도우 마스크의 질을 개선시킬 수 있다.

양호하게 폭 L₂는 규칙적인 폭 Ls의 110 내지 130%의 범위에 있으며 폭 L₁은 규칙적인 폭 Ls의 35 내지 65%의 범위에 있다.

폭 L₂가 규칙적인 폭 Ls의 110% 보다 작으면 슬롯 2c를 통한 노출의 감소로 인하여 충분하게 보상할 수가 없다. 폭 L₂가 규칙적인 폭 Ls의 130%보다 크면, 슬롯 2c를 통하는 노출의 감소에 대한 보상이 과도하게 되어 슬롯 2b에 대응하는 전면 패널상의 영역을 과도하게 노출하게 된다.

폭 L₁가 규칙적인 폭 Ls의 35%보다 작으면 슬롯 2c에 대응하는 전면 패널상의 영역의 노출은 부족하게 된다. 폭 L₁가 규칙적인 폭 Ls의 65%보다 작으면 슬롯 2c에 대응하는 전면 패널상의 영역에 원하지 않는 스트립이 형성된다.

또한, 길이 L₂와 L₁을 갖는 슬롯 2b와 2c는 도 9에 도시된 바와 같이 슬롯 영역(4)의 4개의 코너 5a, 5b, 5c, 5d의 근처에 선택적으로 위치하는 것이 양호하다. 이것은 전면 패널상의 영역에서의 노출 부족이 노출 광원으로부터 노출되는 영역의 거리가 점점 더 멀어질수록 증가하기 때문이다. 따라서, 상기 근처는 슬롯 영역(4)의 수직 길이 B의 (1/4) 내지 (1/8)의 범위에 이르는 수직 길이 B1과 B2를 가지기 때문이다.

B1과 B2가(1/4) 내지 (1/8)의 범위에 있으면, "스트립 손실"은 CRT의 표시 성능의 저하없이 방지될 수 있으며, 이것은 본 발명의 발명자의 검사를 통해 확인되었다.

[제 2 실시예]

도 5는 제 2 실시예에 따른 칼러 CRT의 새도우 마스크를 도시하며 슬롯 폭만을 제외하고는 도 3과 도 4의 제 1 실시예에서의 구성과 동일하다. 따라서, 동일한 구성과 관련된 설명은 설명의 편의상 도 5와 도 6에서 대응하는 동일한 참조부호 또는 문자를 붙이고 그 설명은 생략한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 슬롯 2a와 2b는 수직 방향 Y를 따라 연장하는 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m을 구성한다. 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯 2a와 2b는 수직 방향 Y에서 고정된 수직 피치 Pv로 배열된다.

제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에 포함된 슬롯 2a 각각은 슬롯 2a가 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치한다는 것외에는 규칙적으로 폭 Ls를 갖는다.

제 1 내지 제 m (즉 마지막) 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯 2d 각각은 슬롯 2d가 슬롯 영역(4)의 가장자리에 위치한다는 것외에는 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 큰 폭 L₃를 갖는다.

도 6은 도 5에 도시된 제 2 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 열 C₁내지 C_m과 관련된 슬롯 폭의 변화를 나타낸다.

도 6에서 분명하게 알수 있는 바와 같이, 슬롯 폭은 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에서의 폭 Ls 유지되며 제 1과 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에서 Ls로부터 L₃까지 슬롯 폭이 감소한다.

도 5 및 도 6의 제 2 실시예에 대응하는 새도우 마스크에서 위에서 언급한 바와 같이, 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에 포함된 슬롯 2d는 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에 포함된 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 더 큰 폭 L₃를 갖는다. 그러므로, 제 1과 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에 대응하는 전면 패널상의 영역에서 발생되는 부족한 노출은 보상될 수 있다.

따라서, 제 1과 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에 포함된 슬롯 2d를 통과하는 광빔은 규칙적인 슬롯 2a의 경우와 유사한 적절한 노출을 생성하게 된다. 이것은 전면 패널상에 블랙 스트립이 생성되지 않고 결과적으로 "스트립 손실" 현상이 방지될 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 새도우 마스크의 질을 개선시킬 수 있다.

양호하게, 폭 L₃는 규칙적인 폭 Ls의 110 내지 130%의 범위에 있다.

폭 L₃가 규칙적인 폭 Ls의 110%보다 작으면 슬롯 2d를 통하는 노출 부족에 대한 보상이 충분하지 못하게 된다. 폭 L₃가 규칙적인 폭 Ls의 130%보다 크면 슬롯 2d를 통한 노출 부족에 대한 보상이 과도하게 되고 이에 의해 슬롯 2d에 대응하는 전면 패널상의 영역을 과도하게 노출하게 된다.

또한, 길이 L₃를 갖는 슬롯 2d는 도 9에 도시된 슬롯 영역(4)의 4개의 코너 5a, 5b, 5c, 5d의 근처에서 선택적으로 위치하는 것이 양호하다. 이것은 제 1 실시예에서 처럼 동일한 이유 때문이다.

[제 3 실시예]

도 7은 제 3 실시예에 따른 칼러 CRT용 새도우 마스크를 도시하며 슬롯 폭을 제외하고는 도 3과 도 4의 제 1 실시예의 구성과 동일하다. 따라서, 동일한 구성과 관련된 설명은 설명의 편의상 도 7과 도 8의 대응하는 소자에 동일한 참조번호 및 문자를 붙여서 그 설명을 생략한다.

도 7에 도시된 바와 같이, 슬롯 2a와 2e는 수직 방향 Y를 따라 연장하는 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_M을 구성한다. 제 1 내지 제 m 슬롯 열 C₁내지 C_m에 포함된 슬롯 2a 및 2e는 수직 방향 Y에서 고정된 수직 피치 Pv로 배열된다.

제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에 포함된 슬롯 2a 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 슬롯 2a가 위치한다는 것외에는 규칙적인 폭 Ls를 갖는다.

제 1 및 제 m (즉 마지막) 슬롯 열 C₁과 C_m에 포함된 슬롯 2e 각각은 슬롯 영역(4)의 가장자리에 슬롯 2e가 위치한다는 것외에는 슬롯 2a의 규칙적인 폭 Ls보다 작은 폭 L₄를 갖는다.

도 8은 도 7은 제 3 실시예에 따른 새도우 마스크에서 슬롯 열 C₁내지 C_m과 관련된 슬롯의 변화를 나타낸다.

도 8에서 분명한 바와 같이, 슬롯 폭은 제 2 내지 제 m-1 슬롯 열 C₂내지 C_m-1에서 유지되고 슬롯 폭은 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에서 Ls로부터 L₄까지 감소한다.

도 8의 제 3 실시예에 따른 새도우 마스크에서, 위에서 언급한 바와 같이, 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에 포함된 슬롯 2e가 제 2 및 제 m-2 슬롯 열 C₂과 C_m-2의 규칙적인 폭 Ls보다 작은 폭 L₄를 갖는다. 그러므로, 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁과 C_M에 대응하는 패널상의 영역에서 발생되는 노출은 감소될 수 있다.

따라서, 제 1 및 제 m 슬롯 열 C₁과 C_m에서 슬롯 2d를 통과하는 광빔은 규칙적인 슬롯 2a에서처럼 어떠한 블랙 매트릭스를 생성하지 않는다. 이것은 전면 패널상에 블랙 스트립이 형성되지 않고 결과적으로 "스트립 손실" 현상이 방지될 수 있다는 것을 의미한다. 이것은 새도우 마스크의 질을 개선시킬 수 있다.

양호하게, 폭 L₄는 규칙적인 폭 Ls의 35 내지 65%의 범위에 있다.

폭 L₄가 규칙적인 폭 Ls의 35%보다 더 작으면 제 2 및 제 m-1 슬롯 열 C₂및 C_m-1에서 슬롯 2a를 통과하는 노출 부족에 대한 보상은 충분하지 않게 된다. 폭 L₃가 규칙적인 폭 Ls의 65%보다 크다면 원하지 않는 블랙 스트립이 형성된다.

또한 폭 L₄를 갖는 슬롯 2e가 도 9에 도시된 슬롯 영역(4)의 4개의 코너 5a, 5b, 5c, 5d의 근처에 선택적으로 위치하는 것이 양호하다. 이것은 제 1 실시예에서와 같은 이유때문이다.

제 1 내지 제 3 실시예에 따른 새도우 마스크는 패턴화된 레지스트막의 관통 슬롯을 만들어서 슬롯 2b, 2c, 2d, 2e를 더 작게 혹은 더 크게 형성함으로써 실현 할 수 있으며 또는 패턴화된 레지스트막의 관통 구멍의 크기를 변화시킴이 없이 새도우 마스크의 양측상에 슬롯 2b, 2c, 2d, 2e를 형성하는 에칭 패턴을 벗어남으로써 실현될 수 있다.

본 발명의 양호한 형태를 서술하였지만 당분야 익숙한 기술인 본 발명의 정신을 벗어남이 없이 변형할 수 있음을 이해해야 한다. 그러므로, 본 발명의 범주는 다음과 같은 클레임에 의해서만 결정된다.

Claims

전자 빔을 마스크에 선택적을 통과시키는 슬롯을 갖는 판형태의 본체를 포함하며, 상기 슬롯은 상기 본체의 직사각형 슬롯 영역에 위치하며, 상기 슬롯 각각은 수직적으로 확장된 모양을 취하며, 상기 슬롯은 수평적으로 특정한 수평 피치와 수직적으로 특정한 수직 피치로 배열되며, 상기 슬롯은 제 1 내지 제 m 슬롯 열을 형성하며, 여기서 m는 자연 정수인, 음극선관용 새도우 마스크에 있어서, 상기 제 1 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부와 상기 제 m 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부는 제 1 폭을 가지며, 상기 제 2 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부와 상기 제 m-1 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부는 제 2 폭을 가지며, 상기 나머지 슬롯은 제 3 폭을 가지며, 상기 제 1 폭은 상기 제 3 폭보다 작으며 상기 제 2 폭은 상기 제 3 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제1항에 있어서, 상기 제 1 폭은 상기 제 3 폭의 35 내지 65%의 범위에 있으며, 상기 제 2 폭은 상기 제 3 폭의 110 내지 130%에 있는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 길이를 갖는 상기 슬롯의 상기 일부는 상기 슬롯 영역의 4개의 코너의 근처에 선택적으로 위치하며, 상기 근처 각각은 상기 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8)의 범위에서 수직 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
전자 빔을 마스크에 선택적으로 통과시키는 슬롯을 갖는 판형태의 본체를 포함하며, 상기 슬롯 각각은 수직적으로 확장된 형태를 취하며, 상기 슬롯은 수평적으로 특정한 수평 피치로 배열되며, 상기 슬롯은 수직적으로 특정한 수직 피치로 배열되며, 상기 슬롯은 제 1 내지 제 m 슬롯 열을 형성하며 여기서 m은 자연 정수인, 음극선관용 새도우 마스크에 있어서, 상기 제 1 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부와 상기 제 m 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부는 제 1 폭을 가지며, 상기 나머지 슬롯은 제 2 폭으 가지며, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제4항에 있어서, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭의 110 내지 130% 범위에 있는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제4항에 있어서, 상기 제 1 길이를 갖는 상기 슬롯의 상기 일부는 상기 슬롯 영역의 4개의 코너에 근처에 선택적으로 위치하며, 상기 근처 각각은 상기 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8)의 범위에서 수직 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
전자 빔을 마스크에 선택적으로 토과시키는 슬롯을 갖는 판형태의 본체를 포함하며, 상기 슬롯 각각은 수직적으로 확장된 형태를 취하며, 상기 슬롯은 수평적으로 특정한 수평 피치로 배열되며, 상기 슬롯은 수직적으로 특정한 수직 피치로 배열되며, 상기 슬롯은 제 1 내지 제 m 슬롯 열을 형성하며, 여기서 m은 자연 정수인, 음극선관용 새도우 마스크에 있어서, 상기 제 1 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부와 상기 제 m 슬롯 열에 포함된 상기 슬롯의 일부는 제 1 폭을 가지며, 상기 나머지 슬롯은 제 2 폭을 가지며, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭보다 더 작은 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제7항에 있어서, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭의 34 내지 65%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.
제7항에 있어서, 상기 제 1 길이를 갖는 상기 슬롯의 일부는 상기 슬롯 영역의 4개의 코너의 근처에 선택적으로 위치하며, 상기 근처 각각은 상기 슬롯 영역의 수직 길이의 (1/4) 내지 (1/8)의 범위에서 수직 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크.