KR100239185B1 - 포지티브형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 p-비닐페놀 또는 이의 유도체와 스티렌의 공중합체를 함유하는 알칼리-가용성 수지와, 용해억제제 및 광-유도 산 전구물질로 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 내열성, 막두께 보존율, 접착력 및 형상과 같은 여러 성능을 우수하게 유지하면서 원자외선 리도그래피에 있어 감도와 해상도가 뛰어나다.

Description

포지티브형 포토레지스트 조성물
본 발명은 원자외선 (엑시머 레이저 등을 포함함)을 사용한 리도그래피에 사용하기 적합한 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근, 집적회로의 집적수준이 향상됨으로 인해 미크론 이하의 패턴 형성이 요구되고 있다. 특히, 광원으로 엑시머 레이저를 사용한 엑시머 레이저 리도그래피는 64 및 256메가디램의 제조가 가능케 됨에 따라 이에 대한 관심이 집중되고 있다. 종래의 g선 및 I선과 같은 수은등의 광선에서 예를 들어, 248nm 의 파장을 갖는 레이저로 광원을 변경함에 따라 레지스트에는 종래의 내열성, 막두께 보존율, 형상과 같은 여러 성능 이외에, 다음과 같은 성능이 요구된다 :
(1) 상기 단파장 광원에 대한 고감도.
(2) 고해상도.
상술한 점을 감안하여, 산촉매와 화학증폭 효과를 이용한 소위 화학증폭형 레지스트가 제안되었다. 이러한 형태의 레지스트에서는, 광조사에 의해 광-유도 산 전구물질로부터 산이 발생되고, 이 산의 촉매작용에 의해 반응이 일어나, 노광부와 미노광부의 현상액에 대한 용해도에 차이가 생기게 된다. 이러한 작용에 의해 포지티브형 (또는 네기티브형) 포토레지스트가 얻어진다.
이러한 화학증폭형 레지스트에 사용되는 알칼리-가용성 수지로는 종래에 일본국 특허출원공개 (평성) 2-209977 호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 폴리(p-히드록시스티렌-p-t-부톡시카르보닐옥시스티렌)이 사용되었다. 하지만, 이러한 형태의 수지는 다음의 이유로 인해 64 및 256메가디램의 제조시 요구되는 각종 성능을 만족시키지는 못한다 :
(1) 상기한 수지는 실리콘 기판과의 접착력이 불량하여 현상시 형성된 포지티브형 패턴이 쉽게 박리된다.
(2) 상기한 수지에는 광조사시 발생된 산의 작용에 의해 t-부톡시카르보닐기가 이탈될 때에 다량의 카르보늄 이온이 발생되어 포지티브형에서 네가티브형으로의 반전이 일어나기 쉽고 ; 그리고
(3) 상기한 수지는 고해상도의 포지티브형 패턴을 제공하지 못한다.
본 발명의 목적은 내열성, 막두께 보존율, 형상과 같은 여러 성능을 유지하면서 감도와 해상도가 뛰어난 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명은 p-비닐페놀 또는 이의 유도체와 스티렌과의 공중합체를 함유하는 알칼리-가용성 수지와, 용해억제제 및 광-유도 산 전구물질로 이루어진 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
일반적으로는, p-비닐페놀 또는 이의 유도체와 스티렌의 공중합체의 중량 평균분자량은 1,000 내지 6,000이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000 이다. 본 발명에 사용되는 p-비닐페놀/스티렌 공중합체는 4-아세톡시스티렌과 스티렌의 혼합물을 라디칼 또는 이온 중합시켜 얻은 공중합체를 알칼리 조건하에서 가수분해시켜 용이하게 제조할 수 있다. 상기 가수분해에 의한 중합체 형성에 있어서, p-비닐페놀과 스티렌의 몰비는 50 : 50 내지 95 : 5 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 65 : 35 내지 85 : 15 이다. p-비닐페놀/스티렌 공중합체의 중량 평균분자량은 1,000 내지 5,000 이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 4,000 이다.
상기한 p-비닐페놀 유도체로는, p-비닐페놀의 히드록시기 일부가 t-부톡시카르보닐옥시기로 치환된 부분적으로 p-t-부톡시카르보닐옥시화된 스티렌이 바람직하다. 부분적으로 p-t-부톡시카르보닐옥시화된 스티렌과 스티렌의 공중합체는, 예를 들어 아세톤 또는 테트라히드로푸란과 같은 친수성 유기용매 중에서, 탄산칼륨과 같은 알칼리 존재하에 상기 p-비닐페놀/스티렌 공중합체와 같은 이탄산 디-t-부틸을 반응시켜 제조할 수 있다. 상기한 반응은 크라운 에테르와 같은 상전이 촉매 존재하에서 실시하는 것이 바람직하다.
p-비닐페놀 또는 이의 유도체와 스티렌의 공중합체는, 하기 일반식 (Ia) 또는 (Ib)로 표시되는 기 :
(단, 상기 식에서, m, n 및 p는 (m+p) : n이 50 : 50에서 95 : 5이고, p : (m+p)는 1 : 50에서 45 : 50를 충족시키는 정수이다.)를 갖는 것이 바람직하고, 이들중 더욱 바람직한 공중합체로는, 상기 식중 m, n 및 p 는 (m+p) : n 이 65 : 35에서 85 : 15이고, p : (m+p) 가 1 : 20에서 30 : 50를 충족시키는, 상기 식으로 표시되는 공중합체이다.
광-유도 산 전구물질로는, 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 에스테르 :
(단, 상기 식에서, R10은 임의의 치환된 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R11은 임의의 치환된 알킬 또는 아릴기를 나타낸다.) ;
하기 일반식 (Ⅳ)로 표시되는 디술폰 화합물 :
(단, 상기 식에서 R12 및 R13은 각기 독립하여 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.) ; 및
하기 일반식 (V) 로 표시되는 에스테르와 같은 것을 예로 들수 있다.
(단, 상기 식에서, R14는 임의의 치환된 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R15는 수소원자, 알킬기, 알콕시기 또는 알킬카르보닐옥시기를 나타낸다.)
상기 일반식 (Ⅲ) 중에서, R10으로 표시되는 아릴렌기로는 단일고리형 및 두고리형 아릴렌기가 포함되고, 이들 중에서 페닐렌, 나프탈렌과 같은 것이 바람직하다. 아릴렌기상에 존재하는 바람직한 치환기로는 할로겐원자, 니트로기, 아세틸아미노기와 같은 것을 예로 들수 있다.
R10으로 표시되는 알킬렌기로는 직쇄 및 측쇄 알킬렌기가 포함되고, 이들 중에는 탄소수가 1 내지 6 개인 알킬렌기가 바람직하고, 에틸렌, 프로필렌과 같은 것이 특히 바람직하다. 알킬렌기상에 존재하는 바람직한 치환기로는 할로겐원자, 저급알콕시기, 단일고리형 아릴기와 같은 것을 예로 들수 있다.
R10으로 표시되는 알네닐렌기로는 탄소수가 2 내지 4 개인 알케닐렌기가 포함되고, 이들 중에서 비닐리덴과 같은 것이 바람직하다. 알케닐렌기상에 존재하는 바람직한 치환기로는 단일고리형 아릴기와 같은 것을 예로들 수 있다.
R11로 표시되는 알킬기로는 직쇄, 측쇄 및 고리형 알킬기가 포함되고, 이들 중에서 탄소수가 1 내지 8 개인 직쇄 알킬기를 예로 들수 있다. 알킬기상에 존재하는 치환기로는 할로겐원자, 저급 알콕시와 같은 것을 예로 들 수 있다.
R11로 표시되는 아릴기로는 단일고리형 및 두고리형 아릴기가 포함되고, 이들중에서 단일고리형 아릴기가 바람직하고, 페닐기와 같은 것이 특히 바람직하다. 아릴기상에 존재하는 바람직한 치환기로는 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자와 같은 것을 예로들 수 있다.
상기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 에스테르의 바람직한 예는 다음과 같다.
상기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 에스테르는, 문헌(G. F. Jaubert, Ber., 28, 360(1985), D. E. Ames 등, J. Chem. Soc., 3518(1955) 또는 M. A. Stolberg 등, J. Amer. Chem. Soc., 79, 2615(1957))에 기재된 방법에 따라 제조할 수 있는
상기 일반실 (Ⅲa) :
(단, 상기 식에서 R10은 상기에서 정의된 바와 같다)으로 표시되는 고리형 N-히드록시이미드 화합물과,
일반식 R11-SO2C1 (단, 상기 식에서, R11은 상기에서 정의된 바와 같다)으로 표시되는 염화술포닐을 염기성 조건하에서 반응시켜 제조할 수 있다(참조, L. Bauer 등, J. Org. Chem., 24, 1293(1959)).
상기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 에스테르는 단독으로 혹은 2종 이상의 화합물이 혼합된 형태로 사용될 수 있다.
상기 일반식 (Ⅳ)로 표시되는 디술폰 화합물은 문헌 [일본국 특허공개 평성 1-284554호 공보, J. Org. Chem., 31, 3418(1966), J. Chem. Soc. 93, 1524(1908), Ber., 49, 2593(1916) 등]에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다. 상기 문헌에 기재된 방법으로는, 황산수용액 중에서 황산코발트(Ⅲ)를 사용하여 술핀산으로부터 디술폰 화합물을 제조하는 방법, 크산토겐산 에틸을 사용하여 염화술포닐로부터 디술폰 화합물을 제조하는 방법, 술핀산과 염화술포닐을 염기성 조건하에서 반응시켜 디술폰 화합물을 제조하는 방법과 같은 것을 예로 들수 있다.
상기 일반식 (Ⅳ) 로 표시되는 디술폰 화합물의 바람직한 예는 다음과 같다 :
상기 일반식 (Ⅴ)로 표시되는 에스테르는, 일본국 특허공개 평성 2-245756 호 공보에 기재된 방법에 따라, 상응하는 페놀 화합물과 염화술포닐을 염기성 조건하에서 반응시켜 제조할 수 있다.
상기 일반식 (Ⅴ) 로 표시되는 에스테르의 바람직한 예는 다음과 같다 :
용해억제제로는, 유럽특허출원 제 0564997A2 호에 기재된 바와 같이, t-부톡시카르보닐옥시기가 치환된 벤젠고리를 갖는 화합물을 들수 있다.
이 화합물의 예로는 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 화합물 :
(단, 상기 식에서 R1 내지 R9 는 각기 수소원자, 알킬기, t-부톡시카르보닐옥시기 또는 히드록시기를 나타내고, 또한 R1 내지 R4 중의 적어도 하나는 t-부톡시카르보닐옥시기이고, 그리고 R5 내지 R9 중의 적어도 하나는 t-부톡시카르보닐옥시이다.)을 들수 있다.
이들 용해억제제 중에서 바람직한 예는 다음과 같다 :
이들 용해억제제는 단독으로 혹은 2종 이상의 화합물이 혼합된 혼합물 형태로 사용될 수있다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에서, 각 성분은 알칼리-가용성 수지가 30 내지 90 중량%, 용해억제제가 2 내지 50 중량%, 광-유도 산 전구물질이 0.1 내지 20 중량%의 양으로 첨가 사용되고, 바람직하게는 알칼리-가용성 수지가 50 내지 85중량% 용해억제제가 12 내지 40 중량%, 광-유도 산 전구물질이 1 내지 15 중량의 양으로 첨가 사용될 수 있다. 필요에 따라서는, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 감광제, 염료, 접착개선제와 같은 당해 기술분야에서 통상 사용되는 첨가제를 함유할 수 있다.
포토레지스트액은 대개 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물의 농도가 전체액중의 1 내지 50 중량%가 되도록 용매에 혼합하여 제조할 수 있다. 이 경우에 사용되는 용매로는, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸 피루베이트, 2-헵탄온, 시클로헥산온, 메틸이소부틸 케톤, 크실렌 등을 들수 있다. 이들 용매는 단독으로 혹은 2종 이상의 혼합용매 형태로 사용될 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 것일뿐, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예에서, 모든 부는 달리 언급이 없는한에는 중량부를 의미한다.
[참고예 1]
N-히드록시숙신이미드 3.5g을 5% 탄산나트륨수용액 45g에 용해시키고, 이 용액에 염화벤젠술포닐 6.0g을 실온에서 적가하였다. 적가가 완료된 후, 반응혼합물을 실온에서 2시간 교반시켰다. 이어서, 이 반응 혼합물을 물 300㎖에 넣고, 석출된 결정 생성물을 여과하여 수집하였다. 이러한 결정생성물은 세정액이 중성에 도달할 때까지 수세시킨 다음, 아세톤/물 혼합액으로 재결정하여 N-히드록시숙신이미드 벤젠술포네이트를 얻었다.
[참고예 2]
"LYNCUR CST-70"(공중합체 중, p-히드록시스티렌과 스티렌의 몰비 7 : 3, 중량 평균분자량 2,900, 일본국 마루젠 석유화학사제) 11.5g과 테트라히드로푸란 100g을 혼합한 혼합물에 디-t-부틸디카보네이트(일본국, 와꼬준야꾸사제) 1.53g, 탄산칼륨 1.16g 및 18-크라운-6(크라운에테르, 일본국 와꼬준야꾸사제) 0.05g을 가하였다. 첨가가 완료된후, 생성된 혼합물을 실온에서 24시간 반응시켰다. 반응혼합물을 여과하고, 여과물을 농축시켰다. 농축시킨 후, 잔류물에 에틸 아세테이트 200g을 가하였다. 이러한 수득된 에틸아세테이트 용액을 증류수 200 ㎖로 5회 세정하였다. 세정액을 농축시킨 후, 잔류물에 디글라임(디에틸렌글리콜 디메틸에테르) 200㎖를 가하였다. 수득된 디글라임액을 농축시켜 소량의 잔류하는 물과 에틸 아세테이트를 제거하였다. 이로써 수지 A의 디글라임액(고형분 농도는 33중량% 임)을 얻었다. 수득된 수지 A에서는 수지원료(LYNCUR CST-70) 내의 전체 히드록시중 10%가 t-부톡시-카르보닐옥시기로 보호되었다.
[참고예 3]
LYNCUR CST-70 11.5g과 테트라히드로푸란 100g을 혼합한 혼합물에 디-t-부틸디카보네이트 3.06g, 탄산칼륨 2.32g 및 18-크라운-6 0.05g을 가하였다. 첨가가 완료된 후, 생성된 혼합물을 실온에서 24시간 반응시켰다. 반응혼합물을 여과하고, 여과물을 농축시켰다. 농축시킨후, 잔류물에 에틸 아세테이트 200g을 가하였다. 이러한 수득된 에틸아세테이트 용액을 증류수 200㎖로 5회 세정하였다. 세정액을 농축시킨 후, 잔류물에 디글라임 200㎖를 가하였다. 이러한 수득된 디글라임액을 농축시켜 소량의 잔류하는 물과 에틸 아세테이트를 제거하였다. 이렇게 하여 수지 B의 디글라임액(고형분 농도는 33중량% 임)을 얻었다. 수득된 수지 B에서는 수지원료 내의 전체 히드록시중 20% 가 t-부톡시-카르보닐시기로 보호되었다.
[실시예 1]
디글라임 50부에 수지 A-13.5부, 하기 구조식으로 표시되는 용해억제제 4.1부 및 참고예 1에서 수득한 N-히드록시숙신이미드 벤젠술포네이트 (광-유도 산 전구물질) 2.0부를 용해하였다. 이 용액을 공극이 0.2㎛인 테프론제 여과기로 여과시켜 레지스트 용액을 얻었다.
통상의 방법으로 세정한 실리콘 웨이퍼 상에 회전도포기를 사용하여 두께가 0.7㎛되도록 레지스트 용액을 도포하였다. 이어서, 실리콘 웨이퍼를 100℃의 핫 플레이트 상에서 1분간 예비-베이크 한 후, 예비-베이크한 도포막을 소정 패턴을 갖는 레티클(reticle)을 통하여 노광파장이 248nm인 KrF 엑시머 레이저 스테퍼(일본국 니콘사제, NSR-1755, EX8A, NA=0.45)를 사용하여 노광시켰다. 노광시킨 후, 상기 웨이퍼를 80℃의 핫 플레이트 상에서 90초 동안 가열시키고, 2.38%의 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액으로 현상시켜 포지티브형 패턴을 얻었다. 패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 70mJ/㎠ 의 감도로 0.30㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 2]
수지 A를 수지 B로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 1을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 94mJ/㎠ 의 감도로 0.30㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 3]
N-히드록시숙신이미드 벤젠술포네이트를 N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트 1.5부로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 2를 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 70mJ/㎠ 의 감도로 0.30㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 4]
N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트를 N-히드록시숙신이미드 클로로메탄 술포네이트로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 3을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 15mJ/㎠ 의 감도로 0.40 ㎛ 의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 5]
N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트를 디페닐 디술폰으로 대체하는점을 제외하고는 실시예 3을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 60mJ/㎠ 의 감도로 0.50㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 6]
N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트를 피로갈롤 트리메탄술포네이트로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 3을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 178mJ/㎠ 의 감도로 0.45㎛ 의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 7]
N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트를 플로로글루신 트리메탄술포네이트로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 3을 그대로 답습 실시하여 포지티브령 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 200mJ/㎠ 의 감도로 0.50㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 8]
N-히드록시숙신이미드 2-프로판술포네이트를 갈산에틸의 트리메탄술폰산에스테르로 대체하는 점을 제외하고는 실시예 3을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 240mJ/㎠ 의 감도로 0.50㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.
[실시예 9]
수지 A를 MARUKA LYNCUR CST-70(일본국 마루젠 석유화학사제이고, 중량 평균분자량은 2,300임)을 대체하는 점을 제외하고는 실시예 1을 그대로 답습 실시하여 포지티브형 패턴을 얻었다.
패턴 박리는 전혀 발견되지 않았다. 형성된 패턴을 전자현미경을 사용하여 관찰한 결과, 85mJ/㎠ 의 감도로 0.50㎛ 의 라인 앤드 스페이스 패턴이 양호한 형상으로 해상된 것이 확인되었다.

Claims (4)

  1. p-비닐페놀 또는 p-t-부톡시카르보닐옥시스티렌과 스티렌의 공중합체를 함유하는 알칼리-가용성 수지 50 내지 85 중량%와, 용해억제제 12 내지 40 중량% 및 광-유도 산 전구물질 1 내지 15 중량%로 이루어지며, 상기한 p-비닐페놀 또는 p-t-부톡시카르보닐옥시스티렌과 스티렌의 공중합체는 하기 일반식 (Ia) 또는 (Ib)로 표시되는 기를 가지며,
    (단 상기 식에서 m, n 및 p는 (m+p) : n 이 50 : 50에서 95 : 5이고, p : (m+p)는 1 : 50에서 45 : 50를 충족시키는 수이다) ;
    상기한 용해억제제는 하기 일반식 (II)으로 표시되는 화합물인 것을 특징
    으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기 식에서, R1내지 R9는 각기 수소원자, t-부톡시카르보닐옥시기를 나타내고, 또한 R1내지 R4중의 적어도 하나는 t-부톡시카르보닐옥시기이고, 그리고 R5내지 R9중의 적어도 하나는 t-부톡시카르보닐옥시기이다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식 (III)으로 표시되는 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기 식에서, R10은 임의로 치환된 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R11은 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기를 나타낸다.)
  3. 제1항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식 (IV)로 표시
    되는 디술폰 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기 식에서, R12및 R13은 각기 수소원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식(V)로 표시되
    는 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기 식에서 R14는 임의로 치환된 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R15 는 수소원자, 알킬기, 알콕시기 또는 알킬카르보닐옥시기를 나타낸다.)
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