KR100224463B1 - 도포장치 및 그 제어방법 - Google Patents

도포장치 및 그 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100224463B1
KR100224463B1 KR1019960012023A KR19960012023A KR100224463B1 KR 100224463 B1 KR100224463 B1 KR 100224463B1 KR 1019960012023 A KR1019960012023 A KR 1019960012023A KR 19960012023 A KR19960012023 A KR 19960012023A KR 100224463 B1 KR100224463 B1 KR 100224463B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
waste liquid
exhaust
storage means
storage
Prior art date
Application number
KR1019960012023A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960039199A (ko
Inventor
요시오 기무라
사토시 모리타
유지 마츠야마
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경 엘렉트론주식회사 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR960039199A publication Critical patent/KR960039199A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100224463B1 publication Critical patent/KR100224463B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

본 발명은 피처리체를 스핀척에 얹어서 피처리체 표면에 처리액을 도포하는 스피너형의 도포장치에 관한 것으로서, 컵(DC)내에서 기액분리를 실시하지 않고 컵으로부터 공통의 드레인관(122a)(122b)을 통하여 폐액과 배기가스가 함께 저장수단(124a)(124b)에 보내어지고, 그 저장수단에서 폐액과 배기가수의 분리가 실시되며, 이에 따라 컵내에서 폐액이 고체화하거나 막히는 일이 없어지고, 또 본 장치의 저장수단에서는 항상 소정량의 저장액이 저장되어 있기 때문에 폐액의 액면에 미스트를 흡수시킬 수 있으며, 또한 저장수단내에서의 폐액의 고체화를 방지할 수 있으며, 또 장치가 정지하고 있을 때에도 열림정도 조정이 가능한 배기댐퍼에 의해 최소한의 배기가 실시되기 때문에 저장수단내에서 저장액을 응고시키는 일 없이 기화한 저장액을 적절히 배기할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

도포장치 및 그 제어방법
제1도는 종래의 도포장치의 개략적인 단면도.
제2도는 본 발명의 관련되는 도포장치의 한 실시예의 개략적인 구성을 나타내는 구성도.
제3도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 폐액저장탱크의 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제4도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 드레인관의 다른 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제5도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 배기댐퍼의 실시의 한 형대를 나타내는 설명도.
제5a도는 공기흐름제한부품의 대략 평면도.
제5b도는 배기댐퍼의 대략 단면도.
제6도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 배기댐퍼의 다른 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제7도는 본 발명에 관련되는 도포장치를 편입한 도포·현상처리장치를 나타내는 개략적인 사시도.
제8도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 드레인관 구조의 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제9도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 드레인관 구조의 다른 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제10도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 드레인관 구조의 또한 다른 실시의 한 형태를 나타내는 대략 단면도.
제11도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 와류(渦流)발생 수단의 실시의 한 형태를 나타내는 개략적인 단면도.
제12도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 와류발생수단의 실시의 한 형태를 나타내는 설명도이며,
제12a도는 일부투시약식도.
제12b도는 평면도.
제13도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 와류발생수단의 다른 실시의 한 형태를 나타내는 설명도.
제13a도는 일부투시약식도.
제13b도는 평면도.
제14도는 본 발명에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 와류발생수단의 다른 실시의 한 형태를 나타내는 설명도이며,
제14a도는 일부투시약식도.
제14b도는 평면도.
제15도는 본 발명에 관련되는 도포장치의 저장수단내에 소정량의 저장액을 저장하기 위한 다른 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
122a , 122b : 드레인관 124a, 124b : 탱크
136,136' : 배기댐퍼 144 : 저장액
150 : 폐액구 DC : 컵
본 발명은 도포장치에 관련된 것으로, 특히 피처리체를 스핀척에 얹어서 피처리체 표면에 처리액을 도포하는 스피너형의 도포장치에 관한 것이다.
제1도를 참조하면서 종래의 레지스트도포장치를 설명한다. 이 레지스터도포장치는 고리상컵(200)의 내측 중심부에 스핀척(202)을 배치하고, 이 스핀척(202)상에 반도체웨이퍼(W)를 얹고, 윗쪽에서 레지스트노즐(204)을 통하여 레지스트액을 웨이퍼(W)의 표면상에 적하하고 스핀척(202)을 회전시켜서 그것과 일체로 반도체웨이퍼(W)를 회전시키고 레지스트액을 원심력에 의해 확산시켜서 웨이퍼표면 전체에 균일하게 도포하도록 하고 있다.
이 레지스트도포공정시에 반도체궤이퍼(W)로부터 주변으로 비산한 레지스트액은 실선(R)으로 나타내는 바와 같이 컵(드레인컵)(200)의 상부 내벽에 닿아서 컵(200)의 바닥으로 인도되고, 폐액구(200a)로부터 배관(206)을 통하여 도시하지 않는 폐액탱크에 보내어진다. 또 컵(200)내에는 중간늘어뜨림벽(201)과 중간직립벽(203)으로 형성된 래버린스(labyrinth)구조의 배기로(200b)가 설치되어 있다. 이 배기로(200b)는 미스트트랩으르서의 기능을 갖는 것으로, 배기가스는 점선(G)으로 나타내는 바와 같이 이 배기로(200b)에 있어서 레지스트액의 미스트가 제거되고 컵내주측의 배기실(200c)에 인도되어 배기실(200c)의 배기구(200d)로부터 배관(208)을 통하여 도시하지 않는 배기펌프에 보내어진다.
이상 설명한 바와 같이 종래의 장치에서는 드레인컵(200)내에서 레지스트액과 배기가스를 분리하여 각각 별개의 배출구(200a)(200d)로부터 배출하도록 하고 있다. 그러나 배기가스와 함께 배기로(200b)에 인도된 레지스트액의 미스트는 그 중간늘어뜨림벽(201), 중간직립벽(203)의 벽면에 부착하여 건조고체화하고 배기로(미스트트랩)(200b)가 레지스트에서 막혀 버리는 문제가 있었다. 이 때문에 배기로(미스트트랩)(200b)를 신나 등의 용매로 빈번히 세정하지 않으면 안되어 관리의 점에서도 작업의 점에서도 번잡했다.
또 종래의 장치에서는 배기계에 대해서는 ON, OFF제어뿐이며 처리중에 항상 배기를 실시하고 있으면 피처리체의 주변부가 중심부에 비교하여 빨리 굳어져서 막두께 균일성이 악화하는 문제가 있었다. 또한 비처리중에 항상 배기를 실시하고 있으면 배기계에 있어서 레지스트액 등의 처리액이 건조하여 응고하고 처리를 재개하기 전에 장치틀 세정하지 않으면 안되는 문제가 있었다. 이에 대하여 비처리중에 배기를 정지해 버리면 배기계에 기화한 용제가 충만하여 악취의 원인이 되고, 또 기화한 용제는 인화하기 쉽기 때문에 처리의 재개시에 주의를 요하는 문제도 있었다. 특히 장기간에 걸쳐서 장치를 정지하지 않으면 안되는 경우에는 상기 문제는 보다 심각했다.
본 발명은 이러한 종래의 도포장치의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 피처리체로부터 비산하는 처리액을 회수하는 드레인컵내에서의 처리액의 고체화 또는 막힘을 없애서 관리성을 개선하는 것이 가능한 신규이며, 또한 개량된 도포장치를 제공하는 것이다.
또 본 발명의 다른 목적은 값이 싸며, 또한 조작이 용이한 배기댐퍼를 채용하여 장치의 배기량을 가조정함으로써 피처리체의 막두게의 균일성을 향상시키고, 또한 피처리체의 처리를 실시하고 있지 않은 사이에 장치의 배기계에 있어서의 처리액의 응고를 방지하는 동시에 배기계내에 기화한 처리액이 충만하는 것을 방지하는 것이 가능한 신규이며, 또한 개량된 도포장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제 1 관점에 따르면 용기와, 이용기내에 배치되어 승강 및 회전 자유로운 회전재치대와, 이 회전재치대상에 재치된 피처리체 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 상기 회전재치대를 회전시킴으로써 피처리체 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단을 구비한 도포장치가 제공된다. 이 도포장치는 피처리체로부터 비산하여 용기의 내부에 모인 도포액을 폐액으로 하여 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 배츨수단으로부터의 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 저장수단으로부터 폐액 및 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 저장수단에 소정량의 폐액이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 도포장치에 있어서, 배출수단은 저장수단에 있어서 최대량이 저장된 폐액의 액면보다도 높은 위치에 개구를 갖고, 기액분리수단은 상기 개구보다도 높은 위치에 설치된 배기구와, 그 개구보다도 낮은 위치에 설치된 폐액구로 구성할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 관련되는 도포장치에서는 컵내에서 기액분리가 실시되지 않고 컵으로부터 공통의 배출수단을 통하여 폐액과 배기가스가 함께 저장수단으로 보내어지고, 저장수단에서 기액분리수단에 의해 폐액과 배기가스의 분리가 실시된다. 이에 따라 컵내에서 폐액이 고체화하거나 막히는 일이 없어진다. 또 종래의 장치와 같이 저장수단이 비게 되는 일은 없고 본 발명에 관련되는 도포장치의 저장수단에서는 소정량의 폐액이 저장되어 있기 때문에 폐액의 액면에 기액혼합류를 충돌시킴으로써 효과적으로 미스트의 제거를 실시할 수 있으며, 또한 저장수단내에서의 폐액의 고체화를 방지할 수 있다.
또 상기 배출수단의 개구는 테이퍼를 갖도록 구성해도 좋다. 또 상기 배출수단의 개구는 적어도 그 일부가 저장수단의 내벽면에 접하도록, 또는 적어도 그 개구의 일부와 저장수단의 내벽면을 연이어 통하는 소편(小片)을 구비하도록, 또는 적어도 저장수단에 저장된 폐액이 액면에까지 연장되는 스트립편을 구비하도록 구성해도 좋다. 또 상기 배출수단에 적어도 상기 개구 부근에 있어서 와류를 발생하는 와류발생수단을 설치해도 좋다. 이러한 구성에 따르면 미스트를 그다지 발생시키는 일 없이 폐액을 저장수단에 저장시켜서 폐액하는 것이 가능하게 된다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제 2 관점에 따르면 용기와, 이 용기내에 배치되어 승강 및 회전 자유로운 회전재치대와, 이 회전재치대상에 재치된 피처리체 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 회전재치대를 회전시킴으로써 피처리체 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단과, 피처리체로부터 비산하여 용기의 내부에 모인 도포액을 폐액으로 하여 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 배출수단으로부터의 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 저장수단으로부터 폐액 및 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 저장수단에 소정량의 폐액이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단을 구비한 도포장치가 제공된다. 그리고 이 도포장치는 기액분리수단에 의해 분리된 배기가스를 배기하는 배기계에 배기댐퍼를 설치하고 배기량의 조정을 이 배기댐퍼의 열림정도 조정에 의해 실시하도록 한 것을 특징으로 하고 있다.
매스프로콘트틀러 등의 값이 비싼 액량제어장치를 이용하는 일 없이 값이 싸고, 또한 조작이 용이한 배기댐퍼에 의해 배기턍의 조정이 가능하게 된다.
또한 상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 다른 관점에 따르면 용기와, 이 용기내에 배치되어 승강 및 회전 자유로운 회전재치대와, 이 회전재치대상에 재치된 피처리체 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 회전재치대를 회전시킴으로써 피처리체 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단과, 피처리체로부터 비산하여 용기의 내부에 모인 도포액을 폐액으로 하여 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 배출수단으로부터의 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 저장수단으로 폐액 및 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 저장수단에 소정량의 폐액이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단과 기액분리수단에 의해 분리된 배기가스를 배기하는 배기계에 설치된 열림정도 조정 가능한 배기댐퍼를 구비한 도포장치의 제어방법이 제공된다.
그리고 도포장치의 배기를 제어할 때에 피처리체의 처리를 실시하고 있지 않을 때에는 배기댐퍼의 열림정도를 좁혀서 저장수단에 저장된 폐액이나 용제가 응고하지 않을 정도의 유량으로 배기가 실시된다. 이러한 구성에 따르면 장치를 정지하고 있는 경우에도 최소한의 배기가 실시되고 있기 때문에 저장수단내에 기화한 폐액이나 용제가 꽉 차는 일이 없고 악취를 방지하며 인화의 위험성도 경감할 수 있고, 또한 배기를 실시해도 폐액이나 용제가 응고하기 않기 때문에 장치를 세정하는 일 없이 즉시 처리를 재개할수 있다.
또 도포장치의 배기를 제어할 때에 피처리제 표면에 도포된 도포막의 막두께를 결정하는 단계에서 배기댐퍼의 열림정도를 좁혀서 배기유량이 작아진다. 이 결과 막두게의 결정에도 통상배기를 실시함으로써 피처리체의 주변부가 중심부에 비교하여 빨리 응고하는 현상을 경감하는 것이 가능하게 되고 피처리체 표면에 형성되는 도포막의 막두께를 균일화할 수 있다.
이하에 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명에 관련되는 도포장치의 가장 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명에 관련되는 도포장치를 레지스트도포유닛(COT)에 적용한 실시의 한 형태의 개략적 구성을 나타내는 설명도이다. 이 레지스트도포유닛(COT)에서는 유닛바닥의 중앙부에 드레인컵으로서 기능하는 고리상컵(DC)이 설치되고, 그 내측에 스핀척(102)이 배치되어 있다. 스핀척(102)은 진공흡착에 의하여 반드체웨이퍼(W)를 고정지지한 상태에서 구동모터(104)의 회전구동력으로 회전하도록 구성되어 있다. 구동모터(104)는 유닛바닥판(106)에 승강이동 가능하게 배치되고, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지는 캡상의 플랜지부품(108)을 통하여, 예를 들면 에어실린더로 이루어기는 승강구동수단(110) 및 승강가이드수단(112)에 곁합되어 있다.
레지스트도포시에는 도시한 바와 같이 플랜기부품(108)의 하단(108a)이 개구(106a)의 외주 부근에서 유닛바닥판(106)에 밀착하여 유닛 나부가 밀폐되게 되어 있다. 스핀척(102)과 도시하지 않는 웨이퍼반송기구의 사이에서 반도체웨이퍼(W)의 수수가 실시될 때에는 승강구동수단(110)이 구동모터(104) 또는 스핀척(102)을 윗쪽으로 들어올리기 때문에 플랜지부품(108)의 하단이 유닛바닥판(106)으로부터 뜨게 되어 있다.
또 스핀척(102)에 재치된 피처리체(W)의 처리면의 대략 중앙에 대향하는 윗쪽 위치에는 도포액공급노즐(114)이 설치되어 있다. 이 도포액공급노즐(114)은 도시하지 않는 탱크에 접속되어 있으며 처리시에는 소정량의 도포액(예를 들면 신나 등의 용체를 포함하는 레지스트액)을 탱크로부터 꺼내어 피처리체(W)의 처리면의 대략 중앙에 적하할 수 있게 구성되어 있다.
컵(DC)의 안은 외주벽면, 내주벽면 및 바닥면에 의하여 1개의 방이 형성되어 있으며, 바닥면에는 2개의 드레인구(120a)(120b)가 설치되어 있다.
또한 도시한 예에서는 2개의 드레인구를 나타냈지만, 드레인구는 1개이어도 복수이어도 상관없는 것은 말할 것도 없다. 이들 드레인구(120a)(120b)는 드레인관(122a)(122b) 등으로 이루어지는 배출수단을 통하여 탱크(124a)(124b) 등으로 이루어지는 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단(124)에 접속되어 있다. 드레인관(122a)(122b)의 하단부(122c)(122b)는 제3도에 나타내는 바와 같이 탱크(124a)(124b)의 도중까지 돌출해 있으며, 그 선단부로부터 폐액이 된 레지스트액을 탱크(124a)(124b)내어 저장되는 폐액(레지스트액)이나 용게(이하 저장액이라 한다)(144)의 액면에 적하할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 따르면 제3도에 나타내는 바와 같이 예를 들면 드레인관(122a)(122b)의 탱크(124a)(124b)에 돌출하는 부분의 하단부(123a)(123b)는 테이퍼상으로 구성되어 있으며 액흐름이 양호하게 분산되도록 구성되어 있다. 또한 본 실시 형태에 따르면 탱크(124a)(124b)는 동일구성이기 때문에 제3도에는 123a만 도시한다. 또한 탱크(124a)(124b)는 제3도에 확대하여 나타내는 바와 같이 밀폐용기이며, 그 바닥면에 폐액구(126a)(126b)가 설치되어 있다. 폐액구(126a)(126b)는 각각 배관(128a)(128b), 밸브(130), 폐액처리부(도시하기 않음) 등으로 이루어지는 폐액계(131)에 접속되어 있다. 또한 도시한 예에서는 폐액의 저장수단으로부터 2개의 탱크(124a)(124b)만을 나타냈지만, 이들을 중간탱크로서 구성하고 하류에 별도로 대용량의 폐액저장탱크를 설처하는 것도 가능하다.
또 폐액구(126a)(126b)에는 천장부가 폐쇄판(盲板)으로 구성되고 주외에 다수의 구멍이 뚫린 덮개(127a)(127b)가 설치되어 있다. 처리중에 어떠한 불가항력에 의해 피처리체가 파손되면 파손편이 드레인관(122a)(122b)을 통하여 탱크(124a)(124b)에 낙하해오는 일이 있는데 본 실시 형태에 따르면 폐액구(126a)(126b)에는 덮개(127a)(127b)가 설치되어 있기 때문에 파손편이 폐액관에 떨어지는 일이 없다.
또 탱크(124a)(124b)에는 탱크내에 저장되는 폐액의 액면을 검출하기 위한 액면센서(HH)(H)(L)가 각각 소정의 높이위치에 설치되어 있다. 이들 액면센서(HH)(H)(L)는 각각 제어기(132)에 접속되어 있으며 제어기(132)는 액면센서(HH)(H)(L)로부터의 신호에 따라서 저장량 조정수단으로서의 밸브(130)를 개폐함으로써 항상 탱크내에 소정량(센서(L)의 액면 이상 센서(H)이하의 범위내의 양)의 저장액이 저장되도록 액면의 조정을 실시할 수 있다. 이 액면의 높이는 예를 들면 레지스트액의 종류, 배기량의 정도 등에 따라 가장 적합하게 기액분리상태가 얻어지도록 설정한다. 또한 센서(HH)는 오버플로우방지용센서이며, 예를 들면 저장액의 높이가 센서(HH)를 넘은 경우에는 저장액의 높이가 정상상태로 회복하기까기 장치를 정지하도록 설정할 수 있다.
또한 탱크(124a)(124b)의 상면에는 배기구(134a)(134b)가 설치되어 있다. 이들 배기구(134a)(134b)는 후술하는 배기댐퍼(136)를 통하여 배기펌프(138) 등으로 이루어지는 배기계에 접속되어 있으며 드레인관(122a)(122b)을 통하여 탱크(124a)(124b)에 보내어진 기액혼합류중의 배가스를 배기하는 것이 가능하다. 또한 도시하고 있지는 않지만 배기구(134a)(134b)에 교환 가능한 메슈필터 등의 미스트트랩을 설치하고 배기펌프에 대한 미스트의 돌아들어감을 방지하는 것도 가능하다.
또한 본 실시 형태에 따르면 탱크(124a)(124b)의 상부에 용제, 예를 들면 신나 등을 분무하는 세정기구(140a)(140b)가 설치된다. 이 세정기구(140a)(140b)는 제3도에 나타내는 바와 같이 선단부에 용제를 분무하는 구멍(142a)(142b)이 다수 설치된 노즐상의 것으로, 필요에 따라서 탱크내에 용제를 분무하는 탱크(124a)(124b)내에 있어서 레지스트액 등의 처리액을 세정하는 것이 가능하다. 또한 이 세정기구(140a)(140b)는 단순히 탱크(124a)(124b)내의 세정을 실시할 뿐만 아니라 탱크(124a)(124b)내에 저장되는 저장액이 소정량 이하가 된 경우(즉 액면센서(L)에 의해 경고가 발해진 경우)에 탱크(124a)(124b)내에 용제를 저장액으로서 공급하기 위해서도 사용된다.
또 드레인관(122a)(122b)내의 세정에 관해서는 제4도에 나타내는 드레인관(122a')의 구성과 같이 드레인관(122a)의 내벽면 상부에 다수의 용제분출구(144a)를 설치하고 용제공급계(146a)로부터 공급되는 신나 등의 용제를 필요에 따라서 흘리는 구성을 채용하는 것도 가능하다. 물론 이 드레인관(122a')에 설치된 용제공급계(146a)를 상기한 세정기구(140a)와 동일하게 탱크(124a)(124b)내에 저장되는 저장액이 소정량 이하가 된 경우(즉 액면센서(L)에 의해 경고가 발해진 경우)에 탱크(124a)(124b)내어 용제를 저장액으로서 공급하기 위해 사용하는 것도 가능하다.
다시 제3도를 참조하면 드레인관(122a)(122b)의 배기구(134a)(134b)의 높이위치관계에 대해서는 후자가 전자보다도 높은 위치가 되도록 설치한다. 이러한 구성에 의해 드레인관(122a)(122b)에 의해 탱크(124a)(124b)내에 도입된 기액혼합류중 폐액의 액체와 미스트부분이 제거된 기체만을 배기구(134a)(134b)로부터 배기계를 통하여 배기하는 것이 가능하다. 또 이미 설명한 바와 같이 탱크(124a)(124b)의 폐액구(126a)(126b)는 드레인관(122a)(122b)의 하단부(123a)(123b)보다도 낮은 위치가 되도록 설치되기 때문에 드레인관(122a)(122b)에 의해 탱크(124a)(124b)내에 도입된 기액혼합류중 폐액부분만을 폐액구(126a)(126b)로 부터 폐액계(131)를 통하여 폐액하는 것이 가능하다. 이와 같이 본 실시형태에 따르면 탱크(124a)(124b)에 있어서, 기액혼합류가 효과적으로 기액분리되고 각각 다른 계통으로서 구성된 배기계 또는 폐액계(131)로부터 장치 외부로 배출된다.
또 본 실시 형태에 따르면 드레인관(122a)(122b)으로부터 탱크(124a)(124b)내에 소정량 저장된 저장액속에 연속적으로 흘러들기 때문에 탱크내에 있어서 폐액이 고체화하는 사태를 방지할 수 있다. 그리고 드레인관(122a)(122b)으로부터 탱크(124a)(124b)내에 도입되는 프로세스에 발생한 미스트상의 액방울에 대해서도 탱크(124a)(124b)내의 저장액의 액면에 충돌하여 액면에 흡착용해된 상태가 되고 미스트의 제거를 포함한 기액의 분리가 효과적으로 실시된다. 또 필요하면 탱크(124a)(124b)내에 저장되는 저장액부분을 가열하기 위한 히터나 온도조정된 액체 등을 이용한 가열장치를 설치하하고 점도를 내리거나 하여 폐액의 고체화를 보다 효과적으로 방지하는 것도 가능하다.
다음으로 제2도 및 제5도를 참조하면서 본 실시 형태를 관련되는 도포장치의 배기계에 대하여 설명한다. 이 배기계에는 제5a도, 제5b도에 상세하게 나타내는 바와 같이 타원형상의 공기흐름제한부품(137)에 의해 배기계를 유통하는 배기량을 제한할 수 있는 배기댐퍼(136)가 설치되어 있다.
이 배기댐퍼(136)는 제어기(132)로부터의 신호에 따라서 전체 열림으로부터 전체 닫힘의 사이에 있어서 자유롭게 열림정도 조정을 실시할 수 있는 것이다. 또 도시한 예에서는 공기흐름제한부품(137)이 타원형상(제5a도 참조)을 하고 있기 때문에 제5b도에 나타내는 바와 같이 공기흐름제한부품(137)은 전체 닫힘상태에서는 공기흐름방향에 대하여 경사하여 배기관(139)의 내벽에 접하기 때문에 공기흐름방향에 대하여 수직방향으로 배기관의 내벽에 접하는 구조를 갖고 있었던 종래의 배기댐퍼에 비교하여 밀폐성을 향상시킬 수 있다.
또 본 실시 형태에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 배기댐퍼로서는 제5도에 나타내는 것에 한정되지 않고, 예를 들면 제6도에 나타내는 바와 같은 구조의 배기댐퍼(136')를 사용하는 것도 가능하다. 이 배기댐퍼(136')는 단차이로 배치된 2개의 공기흐름제한날개(137a)(137b)를 구비하고 있으며, 각 날개(137a)(137b)는 전체 닫힘상태에서는 배기관(139')의 내벽에 각 날개(137a)(137b)에 대응하여 설치된 단부(139a)(139b)에 접하는 것이 가능하며, 이러한 구성에 의해 밀폐성의 향상이 꾀해지고 있다.
본 실시 형태에 관련되는 도포장치에 적용 가능한 배기댐퍼는 상기한 바와 같이 구성되어 있기 때문에 매스프로콘트롤러 등과 같은 값이 비싼 장치를 사용하지 않아도 이하에 설명하는 모드로 운전하는 것이 가능하다.
(a) 아이들링모드
본 실시 형태에 관련되는 도포장치에서는 탱크(124a)(124b)내에 항상 일정량의 저장액(144)이 저장되어 있다. 그러나 장치에서 처리가 실시되고 있지 않은 경우, 특히 장기휴가나 생산량 조정 등의 이유로 장기간에 걸쳐서 장치를 정지하지 않으면 안되는 경우에는 아이들링모드로 도포장치를 구동할 수 있다. 이 아이들링모드에서는 배기댐퍼(136)가 탱크(124a)(124b)내에 저장되어 있는 저장액(144)이 건조응고하지 않을 정도의 유량으로 배기가 실시되도록 열림정도가 조정된다. 이 열림정도에 대해서는 탱크(124a)(124b)의 용량, 저장액(144)의 종류, 장치의 정지기간 등을 감안하여 설정할 수 있다. 이와 같이 장치에서 처리가 실시되고 있지 않은 사이에 아이들링모드로 배기를 실시함으로써 탱크(124a)(124b)내에 증발기화한 저장액(144)이 꽉 차는 일 없이 배기하는 것이 가능하다. 또 그 배기도 최소한 실시되기 때문에 탱크(124a)(124b)내에서 저장액(144)이 응고하는 일이 없다. 또한 예를 들면 장기간에 걸친 장치의 정기중에 저장액(144)이 소정량을 밑돈 경우에는 세정기구(140a) 등을 통하여 적절히 용제를 보충하도록 구성하는 것도 가능하다.
(b) 막두께 조정모드
이미 설명한 바와 같이 처리중에 항상 통상배기도드로 배기를 실시하고 있으면 노즐(114)로부터 적하된 도포액은 드레인구(120a)(120b)에 가까운 웨이퍼의 주변영역이 그 중심영역보다도 빨리 건조하여 도포막의 막두께가 불균일해질 염려가 있다. 그래서 본 실시 형태에 따르면 도포액이 적하된 후 일시적으르 배기댐퍼(136)의 열림정도를 좁히고 배기당을 작게 함으로써 도포막을 웨이퍼표면 전체에 걸쳐서 균일하게 건조시키고 도포막의 막두께를 균일화하는 것이 가능하다. 그리고 도포막의 막두께가 결정된 후에는 배기댐퍼(136)를 다시 개방하여 통상배기모드로 되돌아간다. 또한 배기댐퍼(136)를 일시적으로 좁히는 막두게 조정모도를 실시하는 시간, 또 막두께 조정모드에서의 배기량에 대해서는 적하되는 도포액의 양, 피처리체의 치수, 배기계의 용량 등을 감안하여 곁정할 수 있다.
다음으로 상기한 장치의 동작에 대하여 설명한다. 우선 승강구동수단(110)에 의해 스핀척(102)을 컵(DC)으로부터 상승시켜서 도시하지 않는 반송아암으로부터 피처리체, 예를 들면 반도체웨이퍼(W)를 수수하고 스핀척(102)에 진공흡착시킨다. 계속해서 스핀척(102)을 강하시켜서 스핀척(102)을 유닛의 바닥판(106)에 밀착시킨다. 다음으로 노즐(114)로부터 도포액인 레지스트액을 웨이퍼(W)의 중앙부에 소정량 적하한다. 이 사이 배기계는 통상배기모드로 운전되고 있다.
그리고 구동모터(104)를 구동하여 회전구동력을 스핀척(102)에 부여함으로써 수핀척(102)에 재치된 웨이퍼(W)상의 레지스트액이 원심력에 의해 끌어당겨져서 웨이퍼(W)의 표면을 코팅하고, 이에 따라 소정의 막두께의 도포막인 레지스트층이 형성된다. 그 때 본 실시 형태에 따르면 배기댐퍼(136)의 열림정도가 조정되고 배기계를 막두께 조정모드로 운전함으로써 균일한 레지스트층을 형성할 수 있다. 레지스트층이 형성된 후는 배기계는 다시 통상배기모드로 운전된다. 그 후 스핀척(102)의 회전을 멈추고 다시 승강구동수단(110)에 의해 스핀척(102)을 상승시켜서 도시하지 않는 반송아암에 웨이퍼(W)를 수수하고 새로운 웨이퍼(W)를 스핀척(102)에 반송한다.
또한 도포처리중에 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하여 불필요하게 되어 폐액이 된 레지스트액은 액방울이나 미스트상이 되어 컵(DC)에 의해 멈추어지거나 컵(DC)내에 형성되는 배기류에 의하여 반송되어 바닥부에 모여서 컵(DC)의 바닥부에 설치된 드레인구(120a)(120b)로부터 배기가스 컵(DC)의 바닥부의 드레인구(120a)(120b)로부터의 배기에 의하여 컵(DC)내에 유입된 외부로부터의 공기나 레지스트액소거의 용제가 기화한 상기 등으로 이루어지는 혼합기체)와 함께 흡인되고 드레인관(122a)(122b)을 통하여 탱크(124a)(124b)에 보내어진다. 그 때 본 실시의 형태에 따르면 드레인관(122a)(122b)으로부터 연속적으로 탱크(124a)(124b)에 기액혼합류가 보내어지기 때문에 탱크(124a)(124b)내에 있어서 폐액이 고체화하는 사태를 방지할 수 있다. 그리고 드레인관(122a)(122b)으로부터 탱크(124a)(124b)내로 도입되는 프로세스에서 발생한 미스트상의 액방울에 대해서도 탱크(124a ) (124b)내의 저장액의 액면에 충돌하여 액면에 흡착용해된 상태가 되어 미스트의 제거를 포함한 기액의 분리가 효과적으로 실시된다. 그리고 기액분리된 기액혼합류중 폐액은 폐액구(126a)(126b)로부터 폐액계(131)를 통하여 폐액처리부에 실시되고 미스트가 제거된 배기가스는 배기계를 통하여 배기구(134a)(134b)로부터 배기된다.
또 상기 도포장치에 었어서, 장치에서 처리가 실시되고 있지 않은 경우, 특히 장기휴가나 생산량 조정 등의 이류로 장기간에 걸쳐서 장치를 정지하지 않으면 안되는 경우에는 아이들링모드로 도포장치를 구동할 수 있다.
이 아이들링모드로 배기를 실시함으로써 탱크(124a)(124b)내에 증발기화한 저장액(144)을 꽉 채우는 일 없이 배기하는 것이 가능하다. 또 그 배기도 최소한 실시되기 때문에 탱크(124a)(124b)내에서 저장액(144)이 응고하는 일도 없다.
상기한 도포장치는 단독의 장치로서도 사용할 수 있지만, 예를 들면 제7도에 나타내는 LCD기판의 도프·현상처리장치에 편입하여 사용할 수 있다. 제7도에 있어서 71은 캐리어스테이지이며, 이 캐리어스테이지에는 처리전의 기판이 복수장 수납되는 캐리어(C1) 및 처리후의 기판이 수납되는 캐리어(C2)가 재치된다. 72는 반출입핀셋, 73, 74는 기판반송용의 메인아암, 75는 수수대이다.
메인아암(73) 또는 (74)의 반송로의 양측에는 브러시세정장치(81), 제트수세부(82), 도포장치(83), 어드히죤처리부(84), 냉각처리부(85) 및 가열처리부(86), 현상처리부(87)가 설치되어 있으며, 도포·현상처리장치의 우단부측에는 반출입핀셋(91), 수수대(92)를 통하여 노광장치(93)가 연결되어 있다.
상기와 같이 구성되는 도포·현상처리장치에 있어서, 카세트(C1)내에 수용된 미처리의 기판은 반출입핀셋(72)에 의하여 꺼내어진 후 메인아암(73)에 수수되고 브러시세정부(81)내로 반송된다. 이 브러시세정부(81)에서 플랜지세정된 기판은 필요에 따라서 계속해서 체트수세정부(82)에서 고압제트수에 의해 세정된다. 이 후 기판은 어드히죤처리부(84)에서 소수화처리가 실시되고 냉각처리부(85)에서 냉각된 후 도포장치(83)에서 포토레지스트막, 즉 감광막이 도포형성된다. 그리고 이 후 노광장치(93)에서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고 노광후의 기판은 현상처리부(87)내에 반송되고 본 발명에 의해 탈기된 현상액에 의해 현상된 후에 린스액에 의해 현상액을 씻어 흘려서 현상처리를 종료한다.
이상 본 발명에 관련되는 도포장치의 가장 적합한 실시 형태에 대하여 첨부도면을 참조하면서 설명했지만, 본 발명은 상기 예에 한정되지 않는다. 당업자이며 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주내에 있어서 각종 변경예 및 수정예를 생각할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다.
예를 들면 드레인관(122a)(122b)의 하단부(123a)(123b)의 구성에 대해서도 단순히 테이퍼상으로 구성할 뿐만 아니라 제8도에 나타내는 바와 같이 적어도 그 하단부(123a)의 일부와 탱크(124a)의 내벽면을 연이어 통하는 소편(125)내에 저장되는 저장액9144)의 액면에까지 연장되는 스트립편91270을 설치하거나, 또는 제10도에 나타내는 바와 같이 드레인관(122a)(122b)의 하단부(123a)(123b)의 일부를 단순히 탱크(124a)(124b)에 구성함으로써 드레인관(122a)(122b)을 통하여 기액혼합류를 연속적으로, 또는 원활하게 탱크(124a)(124b)내에 저장액(144)에 도입하는 것도 가능하다.
또한 드레인관(122a)(122b)의 하단부(123a)(123b)의 구성에 대해서는 제11도~제13도에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 드레인관(122a)(122b)의 탱크(124a)(124b)에 돌출하는 부분의 하단부 내측에는 나선홈(140) 또는 나선돌기를 설치하는 것이 가능하다.
예를 들면 게 11 도에 나타내는 예에서는 드레인관(122a')의 탱크(도시하지 않음)에 돌출하는 부분의 하단부 내측에는 나선홈(140)이 절개되어 있으며, 컵(DC)의 드레인구(120a)로부터 유출하는 기액혼합류를 상기 나선홈(140)을 따라서 흘림으로써 와류로 할 수 있다. 이와 같이 하단부내를 흐르는 기액혼합류를 와류로 함으로써 드레인관(122a')내에 폐액이 체류하기 어려워지고 드레인관(122a')의 막힘을 방지할 수 있으며, 또한 기액혼합류를 탱크(124a)(124b)내에 저장된 저장액의 액면에 의해 확실하고, 또한 원활하게 충돌시킬 수 있다. 이 결과 폐액의 액면에서의 미스트의 분리가 촉진되고, 또한 폐액의 액면을 흔들어 교반하기 때문에 탱크(124a)(124b)내에서 저장액이 고체화하는 것을 방지할 수 있다. 또 와류에 의한 원심력에 의하여 드레인관(122a')내에 있어서, 어느 정도 기액분리를 실시할 수도있다. 또한 드레인관(122a')의 내부에 절개되는 나선홈(140)은 상기와 같이 적어도 하단부 부근에 설치해도 좋고 드레인관(122a')의 전체 길이에 걸쳐서 설치하도록 해도 좋다. 상기의 경우 나선홈(140)이 형성되는 와류형성부를 드레인관(122a)(122b)을 별개체로 하여 구성하고 적당한 이음매를 통하여 착탈 자유롭게 구성하는 것도 가능하다.
또한 상기 실시예에 있어서는 드레인관(122a)(122b)내의 하단부 부근에 나선홈(140)을 형성함으로써 와류를 형성했지만 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들면 제12도∼제14도에 나타내는 바와 같이 드레인관(122a)(122b)내의 내벽면에 나선상의 돌기를 설치하는 것도 가능하다. 또한 제12도~제14도에 있어서 제12a도, 제13a도, 제14a도는 상기 각 실시예에 관련되는 드레인관(122a)(122b)의 일부를 투시한 대략 약식도이며 제12b도, 제13b도, 제14b도는 상기 각 실시예에 관련되는 드레인관(122a)(122b)의 평면도이다.
우선 제12도에 나타내는 실시 형태를 설명하면 제12도에는 1중 (1개)의 띠모양으로 형성된 나선상 돌기(146)가 드레인관(122a)내에 배치된 구성이 나타내어져 있다. 이러한 구성에 따르면 드레인관(122a)내에 도입된 기액혼합류가 나선상 돌기(146)를 따라서 흐르기 때문에 아래쪽을 향하는 와류가 형성된다. 또 제13도에는 2중(2개)의 띠모양으로 형성된 나선상 돌기(148a)(148b)가 드레인관(122a)내에 배치된 다른 실시 형태가 나타내어져 있다. 이러한 구성에 따르면 2중의 나선상 돌기(148a)(148b)에 의해 와류의 형성이 더욱 촉진된다. 드레인관내에 배치되는 나선상 돌기는 반드시 제12도 및 제13도에 나타내는 바와 같이 연속해 있지 않아도 좋다. 예를 들면 제14도에 나타내는 바와 같이 연속해 있지 않아도 좋다. 예를 들면 제14도에 나타내는 바와 같이 나선의 일부분을 이루는 복수의 돌기편(150a)(150b)을 비스듬히 배치함으로써 연속한 나선상 돌기의 대체로서 작용시키고 와류를 형성하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한 제2도 및 제3도에 나타내는 실시예에서는 탱크(124a)(124b)에 소정량의 저장액(144)을 저장하기 위해 전기적인 액면센서(HH)(H)(L)를 설치했지만 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않고 제15도에 나타내는 바와 같이 기계적인 구성에 의해 소정량의 저장액(144)을 저장하도록 구성해도 좋다. 이러한 구성에 따르면 폐액구(150)가 탱크(124a)내에 L만큼 돌출해 있으며, 따라서 저장액(144)은 탱크(124a)내에 높이(L) 이상은 저장되지 않도록 구성되어 있다. 또한 본 실시형태에서도 폐액구(150)에는 제2도에 127a 로 나타내는 것과 동일구성이 되는 덮개(152)가 설치되어 있으며, 웨이퍼(W)의 파손편이 폐액계에 들어가지 않도록 구성되어 있다. 다만 이러한 구성에서는 비게 될 염려가 있기 때문에 최저의 저장량을 끊임 없이 확보하고 싶은 경우에는 별도로 기계적 또는 전기적인 센서를 설치할 필요가 있다. 따라서 본 실시 형태는 탱크(124a)내에 저장된 저장액(144)의 기화응고의 염려가 비교적 적은 현상장치에 대하여 가장 적합하게 적용하는 것이 가능하다.
이상 본 발명에 관련되는 도포장치의 가장 적합한 실시 형태에 대하여 설명했지만 상기한 실시 형태에 있어서의 각부의 구조, 형상 등은 한 예이며 여러 가지 변경 및 수정이 가능한 것은 말할 것도 없다. 예를 들면 상기 실시예는 반도체웨이퍼에 레지스트도포장치에 적용한 예에 대하여 설명했지만 본 발명은 ICD기판 등외의 피처리체에 대하여 도포액을 도포하는 장치나 현상장치에 대해서도 적용 가능하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면 컵내에서 기액분리가 실시되지 않고 컵으로부터 공통의 배출수단을 통하여 폐액과 배기가스가 함께 저장수단에 보내어지고 저장수단에서 기액분리수단에 의해 폐액과 배기가스의 분리가 실시된다. 이에 따라 컵내에서 폐액이 고체화하거나 막히는 일이 없어진다. 또 종래의 장치와 같이 저장수단이 비게 되는 일이 없고 본 발명에 관련되는 도포장치의 저장수단에서는 항상 소정량의 폐액이 저장되어 있기 때문에 저장액의 액면에 기액혼합류를 충돌시킴으로써 효과적으로 폐액의 미스트의 제거를 실시할 수 있고, 또한 저장수단내에서의 폐액의 고체화를 방지할 수 있다.
또 본 발명에 따르면 기액분리수단에 의해 분리된 배기가스를 배기하는 배기계에 배기댐퍼틀 설치하고 배기량의 조정을 이 배기댐퍼의 열림정도 조정에 의해 실시하도록 하고 있기 때문에 매스프로콘트롤러 등의 값이 비싼 유량제어장치를 이용하는 일 없이 값이 싸며 조작이 용이한 배기댐퍼에 의해 배기량의 조정이 가능하게 된다.
예를 들면 피처리체의 처리를 실시하고 있지 않을 때에는 배기댐퍼의 열림정도를 좁혀서 저장수단에 저장된 폐액과 용제가 응고하지 않을 정도의 유량으로 배기를 실시하는 것이 가능하게 되고 장치를 정지하고 있는 경우에도 저장수단내에 기화한 폐액이나 용제가 꽉 차는 일이 없고 악취를 방지하며 인화의 위험성도 경감할 수 있고, 또한 배기를 실시해도 폐액이나 용제가 응고하지 않기 때문에 장치를 세정하는 일 없이 즉시 처리를 재개할 수 있다.
또 도포장치의 배기를 제어할 때에 피처리체 표면에 도포된 도포막의 막두께를 결정하는 단계에서 배기댐퍼의 열림정도를 좁혀서 배기유량을 작게 할 수 있게 때문에 종래와 같이 막두께의 결정시에도 통상배기를 실시함으로써 피처리체의 주변부가 중심부에 비교하여 빨리 응고하는 현상을 경감하고 피처리체 표면에 형성되는 도포막의 막두께를 균일화할 수 있다.

Claims (10)

  1. 용기와 상기 용기내에 배치되고, 승강 및 회전이 자유로운 회전재치대와, 상기 회전재치대상에 재치된 피처리체의 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 상기 회전재치대를 회전시킴으로써 상기 피처리체의 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단과, 상기 피처리체로부터 비산하여 상기 용기의 내부에 모인 상기 도포액을 폐액으로 하여 상기 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 상기 배출수단으로부터의 상기 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에서 상기 폐액 및 상기 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 상기 저장수단에 폐액 및 용제 또는 이들 중 하나의 소정량이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배출수단은 상기 저장수단에 있어서 최대량이 저장된 상기 폐액의 액면보다도 높은 위치에 개구를 갖고, 상기 기액분리수단은 상기 개구보다도 높은 위치에 설치된 배기구와 상기 개구보다도 낮은 위치에 설치된 폐액구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배출수단의 개구는 테이퍼를 갖는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 배출수단의 개구는 적어도 그 이리부가 상기 저장수단의 내벽면에 접해 있는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배출수단의 개구는 적어도 그 개구의 일부와 상기 저장수단의 내벽면을 연이어 통하는 소편을 구비하는 것을 특징으로 하고 있는 도포장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 배출수단의 개구는 적어도 상기 저장수단에 저장된 폐액 및 용제 또는 이들 중 하나의 액면에까지 연장되는 스트립편을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 배출수단은 적어도 상기 개구 부근에 있어서 와류를 발생하는 와류발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포장치.
  8. 용기와 상기 용기내에 배치되고, 승강 및 회전이 자유로운 회전재치대와, 상기 회전재치대상에 재치된 피처리체의 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 상기 회전재치대를 회전시킴으로써 피처리체의 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단과, 상기 피처리체로부터 비산하여 상기 용기의 내부에 모인 상기 도포액을 폐액으로 하여 상기 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 상기 배출수단으로부터의 상기 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에서 상기 폐액 및 상기 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 상기 저장수단에 폐액 및 용제 또는 이들 중 하나의 소정량이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단을 구비하고, 상기 기액분리수단에 의해 분리된 배기가스를 배기계에 배기댐퍼를 설치하고 배기량의 조정을 상기 배기댐퍼의 열림정도 조정에 의해 실시하도록 한 것을 특징으로 하는 도포장치.
  9. 용기와 상기 용기내에 배치되고, 승강 및 회전이 자유로운 회전재치대와, 상기 회전재치대상에 재치된 피처리체의 표면에 소정의 도포액을 공급하면서 상기 회전재치대를 회전시킴으로써 상기 피처리체의 표면에 소정의 도포막을 형성하는 도포막 형성수단과, 상기 피처리체로부터 비산하여 상기 용기의 내부에 모인 상기 도포액을 폐액으로 하여 상기 용기로부터 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 상기 배출수단으로부터의 상기 폐액을 일시적으로 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에서 상기 폐액 및 상기 배기가스를 분리하는 기액분리수단과, 상기 저장수단에 폐액 및 용제 또는 이들 중 하나의 소정량이 저장되어 있도록 폐액의 저장량을 조정하는 저장량 조정수단과, 상기 기액분리수단에 의해 분리된 배기가스를 배기하는 배기계에 설치된 열림정도 조정 가능한 배기댐퍼를 구비한 도포장치의 제어방법이며, 피처리체의 처리를 실시하고 있지 않을 때에는 상기 배기댐퍼의 열리정도를 좁혀서 상기 저장수단에 저장된 폐액 및 용제 또는 이들 중 하나의 소정량이 응고하지 않을 정도의 유량으로 배기를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포장치의 제어방법.
  10. 제9항에 있어서, 피처리체 표면에 도포된 도포막의 막두께를 결정하는 단계에서 상기 배기댐퍼의 열림정도를 좁혀서 배기유량을 작게 하는 것을 특징으로 하는 도포장치의 제어방법.
KR1019960012023A 1995-04-19 1996-04-19 도포장치 및 그 제어방법 KR100224463B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-119335 1995-04-19
JP11933595 1995-04-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960039199A KR960039199A (ko) 1996-11-21
KR100224463B1 true KR100224463B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=14758939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960012023A KR100224463B1 (ko) 1995-04-19 1996-04-19 도포장치 및 그 제어방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5711809A (ko)
KR (1) KR100224463B1 (ko)
TW (1) TW306011B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200462370Y1 (ko) * 2007-08-13 2012-09-07 주식회사 케이씨텍 기액분리장치
KR20180052526A (ko) * 2016-11-10 2018-05-18 사이언테크 코포레이션 액체처리장치
KR20190025780A (ko) * 2017-09-01 2019-03-12 세메스 주식회사 기판처리장치

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
US5769945A (en) * 1996-06-21 1998-06-23 Micron Technology, Inc. Spin coating bowl exhaust system
US6129042A (en) * 1996-11-08 2000-10-10 Coburn Optical Industries, Inc. Process and machine for coating ophthalmic lenses
US6107608A (en) 1997-03-24 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Temperature controlled spin chuck
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
FR2780665B1 (fr) * 1998-07-03 2000-09-15 Oreal Procede et dispositif pour appliquer un revetement tel qu'une peinture ou un vernis
US6167935B1 (en) * 1998-09-14 2001-01-02 James E. Heider Labeling machine
JP3330335B2 (ja) * 1998-11-04 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置およびエージング処理装置
US6302960B1 (en) 1998-11-23 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Photoresist coater
KR100798769B1 (ko) * 2000-09-25 2008-01-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리장치
JP4531998B2 (ja) * 2001-02-21 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
JP3713447B2 (ja) * 2001-04-05 2005-11-09 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
US20030037800A1 (en) * 2001-08-27 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Method for removing contamination particles from substrate processing chambers
US20030037801A1 (en) * 2001-08-27 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Method for increasing the efficiency of substrate processing chamber contamination detection
US6779226B2 (en) * 2001-08-27 2004-08-24 Applied Materials, Inc. Factory interface particle removal platform
JP2004000921A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Seiko Epson Corp 膜体形成装置、レンズの製造方法、カラーフィルタの製造方法および有機ｅｌ装置の製造方法
JP2003338499A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
US7837803B2 (en) * 2003-03-20 2010-11-23 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-shaped articles
US7531040B2 (en) * 2003-10-02 2009-05-12 Asml Holdings N.V. Resist recovery method
SG116641A1 (en) * 2004-04-26 2005-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for recycling ultraviolet curing resin, and method for manufacturing optical recording medium using that recycling method.
KR20180072867A (ko) 2004-06-10 2018-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR100632945B1 (ko) * 2004-07-01 2006-10-12 삼성전자주식회사 상승기류를 억제할 수 있는 스핀 공정 설비 및 스핀 공정설비의 배기량 제어 방법
US7798764B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
US20070298158A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Marion Keith Martin Testing bonding materials in a disc production line
US8845454B2 (en) 2008-11-21 2014-09-30 Nike, Inc. Golf club or other ball striking device having stiffened face portion
KR102102240B1 (ko) * 2012-12-28 2020-04-20 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 처리 장치와 그 배기 전환 장치 및 배기 전환 유닛과 전환 밸브 박스
US10354858B2 (en) * 2013-12-31 2019-07-16 Texas Instruments Incorporated Process for forming PZT or PLZT thinfilms with low defectivity
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2527318B2 (ja) * 1986-12-25 1996-08-21 関東化学 株式会社 レジスト組成物を回収、再使用するための方法および装置
JPH0216633A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Nec Corp ソフトウェア使用権登録方式
JPH02101732A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Fujitsu Ltd レジストコータ
JP2982439B2 (ja) * 1991-10-29 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 処理液塗布装置及び処理液塗布方法
US5358740A (en) * 1992-06-24 1994-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200462370Y1 (ko) * 2007-08-13 2012-09-07 주식회사 케이씨텍 기액분리장치
KR20180052526A (ko) * 2016-11-10 2018-05-18 사이언테크 코포레이션 액체처리장치
KR102001309B1 (ko) * 2016-11-10 2019-07-17 사이언테크 코포레이션 액체처리장치
KR20190025780A (ko) * 2017-09-01 2019-03-12 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102385267B1 (ko) * 2017-09-01 2022-04-13 세메스 주식회사 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5711809A (en) 1998-01-27
US5908657A (en) 1999-06-01
TW306011B (ko) 1997-05-21
KR960039199A (ko) 1996-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100224463B1 (ko) 도포장치 및 그 제어방법
US4197000A (en) Positive developing method and apparatus
US5689749A (en) Apparatus for developing a resist-coated substrate
US5985031A (en) Spin coating spindle and chuck assembly
US5861061A (en) Spin coating bowl
KR940003373B1 (ko) 기판의 표면을 처리하기 위한 장치
US5769945A (en) Spin coating bowl exhaust system
KR100249309B1 (ko) 반도체 제조용 포토 레지스트 코팅 장치
JPH07132262A (ja) 浸漬式の液処理装置
US4899686A (en) Coating device
JP4531998B2 (ja) 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
US6140253A (en) Spin coating bowl
JP3260624B2 (ja) 塗布装置およびその制御方法
US6723168B2 (en) Spin-coater with self-cleaning cup and method of using
JP6537398B2 (ja) 基板処理装置
JP2893151B2 (ja) 処理装置及びその洗浄方法
JPH0226668A (ja) 塗布装置
JPS63152123A (ja) 浸漬式の液処理装置
JP6119293B2 (ja) 回転塗布装置および回転塗布装置の洗浄方法
JPH0684785A (ja) 浸漬式の液処理装置
JP2558490B2 (ja) 現像装置
JP2001252607A (ja) スピン塗布装置
JP2724870B2 (ja) 処理装置
JPH11169773A (ja) 塗布膜形成方法および塗布装置
JPH0441976Y2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120621

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee