KR100219887B1 - 아스코르브산 유도체의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
아스코르브산 유도체의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염은 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 함유하는 산성 수용액을 활성탄과 같은 다공성 흡착제로 처리한 후, 흡착제를 예컨대 유기산의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 함유하는 염기성 수용액으로 처리하여 목적하는 아스코르브산 유도체의 염을 용리시킴으로써 고수율로 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 화장품, 식품, 의약품 등의 분야에서, 예컨대, 한정한 아스코르브산 유도체로서 널리 사용되는 마그네슘 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 나트륨 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 등과 같은 아스코르브산 - 2 - 포스페이트염 및 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염의 제조방법에 관한 것이다.
화장품, 식품 등의 분야에서, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트와 아스코르브산 - 2 - 술포네이트는 보통 금속염의 형태로 사용된다. 특히 화장품의 분야에 사용될 때는, 고품질이 요구된다. 그에 따라, 아스코르브산 유도체의 금속염의 여러 가지 제조 방법 및 정제 방법이 공개되어 왔다.
예를 들면, 일본국 특허 공개 제 59 - 106494 호에 아스코르브산 포스페이트 또는 그의 염의 수용액을 활성탄, 규조토, 산 클레이등으로 착색 성분을 흡착하여 탈색시키고, 이 용액을 저급 알콜, 케톤 등으로 부터 결정화하여 목적하는 화합물울 수득하는 것을 포함하는 방법이 기술되어 있다.
일본국 특허 공개 제 59 - 51293 호에는 컬럼중에 충전된 활성탄상에서 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 산성 수용액을 흡착하고, 포스페이트를 수용성 유기 용매 (예. 메탄올) 또는 염기성 물질 (예. 수산화나트륨) 의 수용액과 같은 수성 용매로 용리하여 동일 물질로 정제한 후, 포스페이트의 Mg 염을 수득하는 것을 포함하는 방법이 기술되어 있다.
일본국 특허 공개 제 62 - 30791 호 (= 미국 특허 제 4,724,262 호) 에는 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 약염기성 또는 중성에 가까운 염기성 이온 교환 수지 컬럼으로 처리하여 포스페이트를 흡착시킨 후, 미네랄산 또는 무기염 (중성) 으로 용리하는 것을 포함하는 방법을 기술하고 있다.
상기의 방법 중 일본국 특허 공개 제 59 - 51293 호에서, 피흡착제를 염기성 물질의 수용액으로 용리하나, 목적하는 금속염을 직접 수득하는 발명적 아이디어는 전혀 기술되어 있지 않다.
한편, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염의 제조 방법도 보고되었으며 (예, 일본국 특허 공고 제 43 - 9219, 59 - 4438 호, 일본국 특허 공개 제 1 - 199590 (= 미국 특허 제 5,212,079 호), 일본국 특허 공개 제 3- 204891호(= 미국 특허 제 5,118,817호), 아스코르브산 -2- 술포네이트의 금속염의 제조 방법도 또한 보고되었다(예, 일본국 특허 공고 제 57-42344 (미국 특허 제 4.070,377 및 4.071,534호), 일본국 특허 공개 제 50 - 59363, 51 - 11757 호, 등)
이들 모든 참고 문헌에 기술된 제조 방법에서는, 인산화 또는 술폰화 → 탈이온화 → 염 형성 → 분리의 단계들 및 활성탄을 사용한 정제가 일반적으로 행해지며, 이온 교환 수지, 킬레이트 수지 등을 탈이온화 또는 염형성 후에 첨가하여 고품질의 제품을 수득한다.
아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 화장품 분야에서 사용하는 경우, 무색, 무향 및 높은 용해성, 안정성 및 순도를 갖는 고품질의 염이 요구된다. 고품질을 확실히 얻기 위해, 염이 비교적 간단한 화합물일지라도, 복잡한 제조 또는 정제 방법을 사용할 수밖에 없다.
즉, 반응 수율이 반응 방법과 반응 조건을 향상시킴으로써 증가하더라도, 여전히 예컨대, 반응 후 탈이온화, 정제 및 염 형성 단계들이 복잡해지고, 반응 시간이 길어져서, 수율의 감소를 야기하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 전기투석에 의한 제조 방법이 공개되었으나(일본국 특허 공개 제 63 - 77890호), 이것은 특별한 전기투석 장치와 고도의 기술을 필요로 하며, 비용이 많이 든다. 더구나, 전기 투석에 의한 단순한 정제로는 충분한 순도를 수득할 수 없기 때문에, 이와 함께 이온 교환 수지로 양이온을 제거한 후 염을 형성하는 것을 포함하는 종래의 방법을 함께 사용할 필요가 있다. 따라서, 이 문제점은 아직 충분히 해결되지 못했다.
본 발명은 간단하고 쉬운 조작으로 고수율로 고품질의 제품을 수득할 수 있게 하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트염 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염을 제조하는 효과적인 방법을 제공하려고 한다.
본 발명은 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 함유하는 산성 수용액을 다공성 흡착제로 처리하여 상기의 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 흡착시키고, 흡착제를 유기산의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알루미늄 또는 아연염, 또는 시클로알킬 암모늄 이온 및 시클릭 암모늄 이온으로 구성되는 군으로부터 선택한 치환된 암모늄 이온의 염기성 수용액으로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염을 용리하는 것을 포함하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 함유하는 수용액을 다공성 흡착제로 처리하여 상기의 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 흡착시키고, 홉착제를 금속 이온 또는 치환 또는 비치환된 암모늄 이온으로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 용리하는 것을 포함하는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염의 제조 방법을 제공한다.
상기 기술된 문제를 해결하기 위해, 본 발명인들을 아스코르브산 - 2 - 포스페이트염 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염의 제조 방법 특히 공정 중 사후 처리 단계를 연구하였으며, 결국 종래 방법중의 탈이온화, 정제 및 염형성의 단계를 단순화 하는 매우 효율적인 제조방법을 발견하였다. 그리하여, 본 발명은 완성된 것이다.
상세하게는, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 (이제부터 이들 화합물을 몇몇 경우에 출발 물질 로 약 한다) 를 함유하는 산성 수용액 (이제부터 산성 수용액을 흡착용 출발 용액 으로 약한다) 을 다공성 흡착제로 처리하는 경우, 출발 물질은 흡착되지만 흡착하기 위한 출발 용액 중에 존재하는 무기 물질 및 기타의 불순물과 같은 부산물은 흡착되지 않아 제거할수있다. 그 후 목적하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 술포네이트염을 형성하는데 필요단 금속 이온이나 치환 또는 비치환된 암모늄 이온을 함유하는 염기성 용리액을 사용하여 용리를 행하는 경우, 착색 성분과 같은 불순물의 용리없이 고품질의 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염을 용출할 수 있다.
흡착용 출발 용액은 종래의 방법, 예컨대, 일본국 특허 공개 제 1 - 199590 호 (= 미국 특허 제 5,212,079 호), 일본국 특허 공개 제 3 - 204891 호(= 미국 특허 제 5,118,817 호), 일본국 특허 공고 제 57 - 52344 호 (= 미국 특허 제 4,070,377 호) 등에 공개되어 있는 임의의 방법 및 필요하다면 기타의 방법, 또는 필요하다면 반응용액을 여과하고, 잔류물에 염산, 황산 또는 아세트산과 같은 산을 첨가하여 수득한 반응 용액으로 부터 용매를 증류 제거하여 제조할 수 있다. 흡착용 출발용액은 또한 선택적인 방법에 의해 수득하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 염산, 황산 또는 아세트산과 같은 산 중에 용해시켜 제조할 수 있다. 흡착용 출발 용액은 아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트가 유리형태로 존재할 수 있을 정도로 산성이면 충분하다. 흡착용 출발용액의 pH 는 바람직하게는 3 이하이다.
흡착 처리는 홉착제를 사용하는 종래의 방법으로 행할 수 있다. 간단하고, 효율적이며 바람직한 흡착 방법은, 예컨대, 컬럼을 흡착제로 충전하고 흡착용 출발 용액을 흡착을 실행하기 위해 컬럼을 통과시키는 컬럼 처리이다. 물론, 흡착제를 흡착용 출발 용액에 첨가하고 흡착하기 위해 교반하는 배치 (batch) 처리도 사용할 수 있다.
사용할 다공성 흡착제로서, 컬럼 크로마토그래피 등의 분야에서 일반적으로 사용하는 충전을 예로 들 수 있으며, 다공성 흡착제가 표면적이 넓고, 출발물질을 흡착하며 물과 용매의 불용성인 다공성 분말이거나 다공성이며 과립상인 고체인 한 어떠한 다공성 흡착제라도 사용할 수 있다. 활성탄, 규조토, 실리카겔 등과 같은 무기성 다공성 물질 ; 덱스트린, 아가로스 등과 같은 천연 중합체; 및 폴리아크릴아미드, 친수성 비닐 중합체, 폴리스티렌 등과 같은 합성 중합체를 예로 들수 있다. 이들 다공성 흡착제중에, 과립상 활성탄 또는 분쇄상 활성탄과 같은 활성탄을 특히 바람직하게 사용한다.
흡착제의 양, 흡착용 출발용액의 농도, 흡착온도, 칼럼의 형태, 흡착용 출발용액의 통과율 등과 같은 홉착조건은 바람직하게는, 가능한 한 비흡착된 출발 물질을 줄일 수 있도록 적절하게 결정한다. 바람직한 흡착 조건의 예는 다음과 같다. 흡착제의 양은 출발 물질의 양만큼, 약 1 ∼ 약 500 배, 바람직하게는 약 2 ∼ 약 100 배, 특히 바람직하게는 약 5 ∼ 약 40 배이다. 흡착용 출발 용액은 무기 물질과 같이 그속에 함유된 물질이 용해되는 한 어떠한 농도로도 사용할 수 있으며, 바람직하게는 5%이하의 농도인 묽은 용액이다. 흡착 온도는 바람직하게는 실온에서 약 - 10℃ 의 범위인 비교적 낮은 온도이다. 통과율은 임의로 결정할 수 있다.
흡착 후, 컬럼을 통과한 용액은 주로 무기 물질을 함유하며 무기 물질의 제거 정도는 전기 전도성으로 검사할 수 있다. 만약 제거가 충분치 않다면, 무기 물질을 흡착 후 염산, 황산, 아세트산 등의 묽은 용액을 컬럼에 통과시켜 완전히 제거할 수 있다.
다음에는, 출발 물질을 염으로 만들면서 홉착제 위에 흡착된 출발 물질을 용리하는 방법을 아래에 설명한다.
아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염을 제조하는 경우, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염을 용리하기 위해 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 흡착하는 흡착제를 유기산의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알루미늄 또는 아연염, 또는 시클로알킬 암모늄 이온 및 시클릭 암모늄 이온으로 구성되는 군으로부터 선택한 치환된 암모늄 이온의 염기성 수용액으로 처리한다.
예컨대 직접 마그네슘 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 형태와 같이 목적하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 염을 직접 용리하는 경우, 마그네슘 이온을 함유하는 염기성 수용액을 용리액으로서 사용한다. 이러한 용리액의 특정예로는 금속이온을 함유하는 용리액, 예컨대, 유기산의 임의의 알칼리 금속염을 함유하는 수용액 (예. 아세트산 리튬, 탄산 리튬, 아세트산 나트륨, 탄산 나트륨, 아세트산 칼륨, 탄산 칼륨 등), 유기산의 임의의 알칼리 토금속염을 함유하는 수용액 (예. 아세트산 마그네슘, 아세트산 칼슘 등), 빚 아세트산 알루미늄, 탄산 아연 등과 같이 임의의 금속염을 함유하는 수용액; 및 예컨대, 탄소수 3 ∼ 8 인 시클로알킬아민 (예. 시클로프로필아민, 시클로헥실아민, 시클로옥틸아민, 등) 과 시클릭아민 (예. 모르폴린, 피페리딘, 피페라진, 등) 과 같은 임의의 아민을 함유하는 수용액과 같이 치환된 암모늄 이온을 함유하는 염기성 수용액이 있다.
이들 용리액의 둘 이상의 혼합물을 사용하여, 대응하는 혼합염을 수득할 수 있다.
용리액은 대개 수용액이지만, 필요하다면 물과 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아세톤 등과 같은 수용성 용매의 혼합물의 용액을 사용할 수 있다. 용리액의 농도, 사용한 용리액의 부피, 용리 온도, 칼럼의 형태, 용리액의 통과율 등과 같은 용리 조건을 바람직하게는 출발물질이 고수율로 급속히 용리되도록 적절히 결정한다. 바람직한 용리 조건의 예는 다음과 같다. 임의적이지만, 용리액의 농도는 바람직하게는 10%이하이다. 필요하다면, 용리액의 농도에 단계적 변화를 주면서 사용할 수 있다. 용리 온도는 생성되는 용리물의 품질에 영향을 주지 않는한 어떠한 온도일 수 있다. 바람직하게는 약 0℃ ∼ 약 60℃, 특히 바람직하게는 실온 ∼ 약 40℃이다. 용리액의 통과율은 중요하지는 않으며 조작 시간의 면에서 결정할 수 있는데, 예컨대 통과율이 흡착시 사용한 유동율과 동일할 때, 조작의 단순화와 같은 잇점이 있다. 용리액은 희망하는 성분을 함유하는 용액이므로, 용리액의 검사는 중요하다. 검사는 용리액의 흡수력 및 굴절률의 연속 측정으로 쉽게 행할 수 있다. 이 점에서, 컬럼 방법은 배치 방법보다 바람직하다.
아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 제조하는 경우, 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 흡착하는 다공성 흡착제를 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 용리하기 위해 금속 이온 또는 치된 또는 비치환된 암모늄 이온을 함유하는 염기성 수용액으로 처리한다.
더욱 상세하게는, 용리액으로서, 목적하는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염의 염 부분에 대응하는 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 함유하는 염기성 수용액을 사용한다 (예를 들면, 흡착된 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 용리시켜 직접 마그네슘 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 생산하는 경우 마그네슘 이온을 함유하는 수용액을 사용한다) 이러한 용리액의 특정예로는, 금속 이온을 함유하는 용리액, 예컨대, 유기산의 임의의 알칼리 금속염을 함유하는 수용액 (예. 아세트산 리튬, 아세트산 나트륨, 탄산 나트륨, 아세트산 칼륨, 탄산 칼륨, 등.), 임의의 알칼리 금속포스페이트를 함유하는 수용액(예. 인산나트륨, 인산 칼륨, 등), 임의의 알칼리 금속 수산화물을 함유하는 수용액 (예. 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 등), 유기산의 임의의 알칼리 토금속염을 함유하는 수용액 (예. 아세트산 마그네슘, 아세트산 칼슘, 등), 및 아세트산 알루미늄, 탄산 아연 등과 같은 임의의 금속염을 함유하는 수용액; 및 예컨대, 수성 암모니아와 같이 치환 또는 비치환된 암모늄 이온을 함유하는 염기성 수용액 및 메틸아민, 에틸아민, 탄소수 3 ∼ 8 의 시클로알킬아민 (예. 시클로프로필아민, 시클로헥실아민, 시클로옥틸아민, 등) 및 시클릭 아민 (예. 모르폴린, 피페리딘,
피페라진, 등) 이 있다.
이들 용리액의 둘 이상의 혼합물을 사용하여, 대응하는 혼합염을 수득할 수 있다.
용리액은 대개 수용액이지만, 필요하다면 또한 물과 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아세톤 등과 같은 수용성 용매의 혼합물의 용액을 사용할 수 있다. 용리액의 농도, 사용할 용리액의 부피, 용리 온도, 컬럼의 형태, 용리액의 통과율 등과 같은 용리 조건은 바람직하게는 출발 물질을 고수율로 급속히 용리할 수 있도록 적절히 결정한다. 바람직한 용리 조건의 예는 다음과 같다. 임의적이지만, 용리액의 농도는 바람직하게는 10 % 이하이다. 필요하다면, 용리액의 농도를 단계적으로 변화시키면서 사용할 수 있다. 용리 온도는 생성되는 용리액의 품질에 영향을 주지 않는 한 어떤 온도일 수 있지만, 바람직하게는 약 0℃ ∼ 60℃, 특히 바람직하게는 실온 ∼ 약 40℃ 이다. 용리액의 통과율은 중요하지는 않으며 조작시간의 면에서 결정할 수 있는데, 예컨대, 통과율이 흡착시 사용한 유동율과 동일할 때, 조작의 단순화와 같은 잇점이 있다. 용리액은 목적하는 성분을 함유하므로, 용리액의 검사는 중요하다. 검사는 용리액의 흡수력 및 굴절률의 연속 측정으로 쉽게 행할 수 있다. 이 점에서, 컬럼 방법이 배치 방법보다 바람직하다.
상기 서술한 어떠한 용리 단계에서도, 반응 단계에서 제조되는 착색 성분과 같은 불순물은 흡착된 채로 있어 용리되지 않으므로 분리할 수 있다. 그러므로, 고품질의 아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염의 용액을 수득할 수 있다. 이 용액으로 부터 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염을 분리하기 위해, 목적하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 또는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염을 용해할 수 없는 용매, 예컨대, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아세톤 등과 같은 수용성 용매를 필요하다면, 용액을 농축시킨 후에 수득한 용액에 첨가하여 불용성 물질로서 아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염을 침전시키고, 불용성 물질은 여과, 원심 분리 등과 같은 방법으로 분리한다.
그러므로, 본 발명에 따라서, 정제 도중 아스코르브산 - 2 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염의 착색 및 질의 저하는 가능한 한 방지할 수 있다.
예컨대, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 마그네슘 염으로 만들 때, 종래의 방법은 염형성제로서 물에 난용성인 산화 마그네슘을 사용하기 때문에, 최종 제품이 과도의 산화 마그네슘으로 오염되어 질의 저하가 온다는 점에서 불리하다. 본 발명에서는, 수용성 마그네슘을 마그네슘 염에 대응하는 염형성제로서 사용하기 때문에, 상기의 난점은 극복된다.
또한, 본 발명의 방법에 따라, 탈이온와, 정제 및 염 형성의 종래의 단계를 종래의 컬럼 크로마토그래피 조작이라는 하나의 조작으로 모을 수 있으며, 고품질의 아스코르브산 - 2 - 포스페이트나 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염을 매우 간단한 공정으로 쉽게 수득할 수 있다.
본 발명의 방법에 의해 수득한 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 염의 전형적인 특정예로는 마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 칼륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 시클로헥실암모늅 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 마그네슘 칼륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트, 마그네슘 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 등이 있다. L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 염은 이들 화합물에만 제한되지 한는다.
본 발명의 방법에 의해 수득한 아스코르브산 - 2 - 술포네이트 염의 전형적인 특정예로는 마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 칼륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 시클로헥실암모늄 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 마그네슘 칼륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 마그네슘 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트, 등이 있다. 물론, 아스코르브산-2-술포네이트 염은 이들 퐈합물에 제한되지는 않는다.
실시예를 참고로 하여 본 발명을 더욱 상세히 하기에 예시하였으며, 이는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것이다.
(실시예 1)
52.8g의 L - 아스코르브산, 965ml의 물 및 37ml의 피리딘으로 구성되는 용액을 0 ∼ 5℃ 로 냉각하고, 71 g 의 포스포릴 클로라이드를 pH 는 50 % 수산화 칼륨 수용액으로 12.7 ± 0.2 로 유지하면서 약 2시간 동한 교반하며 점적 참가한다. 점적 첨가를 완결한 후에, 생성 혼합물을 동일 온도에서 약 30분간 교반한다. 반응이 완결된 후, 피리딘은 약 40 ℃ 에서 감압하에 증류 제거하고, 잔류물의 pH 는 농축 염산으로 약 1 로 조절한 후 물로 희석하여 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 농도를 약 2%로 조절하여 흡착용 출발 용액을 제조한다. 흡착용 출발 용액을 0 ∼ 5 ℃ 로 냉각하고 0 ∼ 5℃ 로 냉각된 활성탄 컬럼[컬럼의 충전 부분의 길이가 20cm가 되도록 습윤공정에 의해 활성탄 (Ryujo Shirasagi, Takeda Chemical Industries, Ltd. 제조)으로 충전시켜 컬럼의 충전된 부분의 길이가 20cm가 되도록한 직경 10 cm, 길이 30 cm 인 컬럼] 에 유동율 SV = 1 에서 통과시켜 흡착을 행한다. 그 후, 0.5 % 염산 수용액을 용액의 전기 전도성이 20ms 이하가 될 때까지 상기와 같은 동일 조건하에 컬럼을 통과시킨다. 다음으로, 2 % 아세트산 마그네슘 수용액을 실온에서 유동율 SV = l 로 컬럼에 퉁과시켜 목적하는 성분 (마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트) 을 용리한다. 이렇게 수득한 용리액의 흡수력을 검사하고 0.1 % 이상의 목적 성분을 함유하는 부분을 유용한 부분으로서 여기에서 분리한다. 유용한 부분을 농축시켜 목적하는 성분의 농도를 약 10%로 조절한 후, 아세톤을 잔류물의 2배의 부피로 교반하면서 첨가하여 마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 침전시킨다. 침전된 결정을 여과시켜 수집한 후 실온에서 공기 주입으로 건조시켜 65g의 마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 수득한다. 수득한 마그네슘 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트는 98 % 의 양호한 순도 (탈수물의 경우) 를 가지며 흡수력은 0.01 이하 (360 nm, C = 1 %) 로 양호하다.
(실시예 2)
2 % 아세트산 마그네슘 수용액 대신 용리액으로서 3 % 아세트산 칼륨 수용액을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1 에 기술된 것과 정확히 동일한 방법으로 처리를 행하여 54g 의 칼륨 L-아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 수득한다. 수득한 칼륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트는 97%의 양호한 순도(탈수물의 경우)를 가지며 흡수력은 0.01 이하 (430 nm, C = 1 %) 로 양호하다.
(실시예 3)
2 % 아세트산 마그네슘 수용액 대신 용리액으로서 2 % 탄산 나트륨 수용액을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1 에 기술된 것과 정확히 동일한 방법으로 처리를 행하여 71g 의나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 수득한다. 수득한 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트는 97 % 의 양호한 순도 (탈수물의 경우) 를 가지며 흡수력은 0.01 이하 (430 nm, C = 1 %) 로 양호하다.
(실시예 4)
2 % 아세트산 마그네슘 수용액 대신 용리액으로서 2 % 시클로헥실아민 수용액을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1 에 기술된 것과 정확히 동일한 방법으로 컬럼 처리를 행하여 트리시클로엑실암모늅 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트 용액을 수득한다. 이 용액을 감압하에 농축시키고 잔류물을 에탄올로 부터 3회 재결정하여 52g의 트리시클로헥실암모늄 L - 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 수득한다. 결정은 99.5 % 의 양호한 순도를 가지며 흡수력은 0.01 이하 (430 nm, C = 1 %) 로 양호하다.
(실시예 5)
10 g 의 5,6 - 이소프로필리덴 - L - 아스코르브산, 20 ml 의 디메틸포름아미드 및 4 ml 의 피리딘으로 구성되는 용액에 디메틸포름아미드 중의 14g의 피리딘-삼산화황 착물 용액40ml를 실온에서 교반하면서 점적 첨가한다. 생성된 혼합물을 24시간 교반한 후, 60ml의 물을 반응 용액에 첨가하고 용매를 감압하에 증류제거한다. 잔류물의 pH 는 농축 염산으로 약 1로 조절한후 물로 희석하여 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 농도를 약 2 % 로 조절하며, 희석액을 1 시간 실온에서 고반하여 흡착용 출발 용액율 수득한다. 흡착용 출발 용액을 0 ∼ 5 ℃ 로 냉각하고 0 ∼ 5 ℃ 로 냉각된 활성탄의 컬럼[컬럼의 충전부분의 길이가 20cm가 되도록 습윤공정에 의해 활성탄(Ryujo Shirasagi, Takeda Chemical Industries, Ltd. 제조) 으로 충전시켜 컬럼의 충전된 부분의 길이가 20cm가 되도록 한 직경 10cm, 길이 30cm 인 칼럼]에 유동율 SV = 1에서 통과시켜 흡착을 행한다. 그후, 0.5% 염산 수용액을 용액의 전기전도성이 20ms 이하가 될때까지 상기와 같은 동일 조건하에 컬럼에 통과시킨다. 다음으로, 1 % 수산화 나트륨 수용액을 실온에서 유동율 SV = 1 에서 컬럼에 퉁과시켜 목적하는 성분 (나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트) 을 용리시킨다. 이렇게 수득한 용리액의 흡수력을 검사하고 0.1% 이상의 목적성분을 함유하는 부분을 유용한 성분으로서 여기로 부터 분리한다. 유용한 부분을 농축시켜 목적 성분의 농도를 약 10%로 조절한후, 잔류물의 3 배의 부피의 아세톤을 교반하면서 첨가하여 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 침전시킨다. 침전된 결정을 어과하여 수집하고 실온에서 공기 주입으로 건조시켜 16g의 나트륨 L-아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 수득한다. 수득한 나트륨 L - 아스코르브산 - 2 - 술포네이트는 95%의 양호한 순도(탈수물의 경우)를 가지며 흡수력은 0.01 이하 (430 nm, C = 1 %) 로 양호하다.
본 발명의 방법에 따라, 고품질의 아스코르브산 - 2 - 포스페이트염 및 고품질의 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염을 고수율로 쉽게 수득할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 방법으로 아스코르브산 - 2 - 포스페이이트염 및 아스코르브산 - 2 - 술포네이트염을 산업적인 규모로 제조할수 있다.
Claims (12)
- 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 함유하는 산성 수용액을 다공흡착제로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 포스페이트를 흡착시키고,흡착제를 유기산의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알루미늄 또는 아연염, 또는 시클로알킬 암모늄 이온 및 시클릭 암모늄 이온으로 구성되는 군으로 부터 선택한 치환된 암모늄 이온의 염기성 수용액으로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염을 용리하는 것을 포함함을 특징으로 하는 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염 또는 치환된 암모늄염의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 다공성 흡착제가 활성탄인 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 염기성 수용액 중의 유기산의 알칼리 금속염이 아새트산 나트륨, 아세트산 칼륨, 아세트산 리튬, 탄산 나트륨 또는 탄산칼륨인 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 염기성 수용액 중의 알칼리 토금속염이 아세트산 마그네슘 또는 아세트산 칼슘인 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 염기성 수용액 중의 시클로알킬 암모늄 이온이 시클로헥실암모늅 이온인 제조 방법.
- 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 함유하는 산성 수용액을 다공성 흡착제로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 술포네이트를 흡착시키고,흡착제를 금속 이온 또는 치된 또는 비치환된 암모늄 이온으로 처리하여 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염을 용리하는 것을 포함함을 특징으로 하는 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염 또는 치환 또는 비치환된 암모늄염의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 다공성 흡착제가 활성탄인 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 염기성 수용액이 아세트산 리튬, 아세트산 나트륨, 탄산 나트륨, 인산 나트륨, 아세트산 칼륨, 탄산 칼륨, 인산 칼륨, 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 또는 수산화 칼륨을 함유하는 제조 방법
- 제 6 항에 있어서, 염기성 수용액이 아세트산 마그네슘, 아세트산 칼슘, 아세트산 알루미늄 또는 탄산 아연을 함유하는 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 염기성 수용액이 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, 시클로헥실아민 또는 모르폴린율 함유하는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 아스코르브산 - 2 - 포스페이트의 금속염이 마그네슘 아스코르브산 - 2 - 포스페이트인 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 아스코르브산 - 2 - 술포네이트의 금속염이 나트륨 아스코르브산 - 2 - 술포네이트인 제조 방법.
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