KR100217701B1 - 광디바이스모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

광디바이스모듈 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100217701B1
KR100217701B1 KR1019940036617A KR19940036617A KR100217701B1 KR 100217701 B1 KR100217701 B1 KR 100217701B1 KR 1019940036617 A KR1019940036617 A KR 1019940036617A KR 19940036617 A KR19940036617 A KR 19940036617A KR 100217701 B1 KR100217701 B1 KR 100217701B1
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구라우치 노리타카
스미토모덴키고교 가부시키가이샤
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    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/44Mechanical structures for providing tensile strength and external protection for fibres, e.g. optical transmission cables
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Abstract

본 발명은, 모듈본체를 효과적으로 기계적 충격이나 열, 습기 등으로부터 보호할 수 있는 광디바이스모듈, 및, 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한것으로서, 그 구성에 있어서는, 광디바이스와, 이 광디바이스의 한쪽의 단부에 접하되고, 제1광파이버를 유지하고 있는 제1파이버커넥터와, 광디바이스의 다른쪽의 단부에 접합되고 제2광파이버를 유지하고 있는 제2광파이버커넥터를 가진 모듈본체, 및, 모듈본체를 피포하도록 에폭시수지나 우레탄수지와 같은 제1수지로부터 일체성형된 피포체를 구비한 것을 특징으로 하고 모듈본체의 거의 전체가 일체성형된 에폭시수지에 의해 피포되므로 외부로부터의 열이나 습기, 충격으로부터 유효하게 보호되는 것이다.

Description

광디바이스모듈 및 그 제조방법
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 광디바이스모듈을 표시한 단면도.
제2도는 제1도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시한 도면으로서, 모듈본체의 분해사시도.
제3도는 제1도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시한 도면으로서, 완성된 모듈본체를 표시한 사시도.
제4도는 제1도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시한 도면이고, 모듈본체가 브리지형상으로 매달린 상태를 표시하고 있다.
제5도는 제1도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시한 도면이고, 모듈본체가 성형장치의 금형내에 배치된 상태를 표시하고 있다.
제6도는 본 발명의 제2실시예에 의한 광디바이스 모듈을 표시한 단면도.
제7도는 본 발명의 제3실시예에 의한 광디바이스 모듈을 표시한 단면도.
제8도는 본 발명의 제4실시예에 의한 광디바이스 모듈을 표시한 단면도.
제9도는 제8도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시한 도면으로서, 모듈본체가 성형장치의 금형내에서 지지봉에 의해 지지되고 있는 상태를 표시하고 있다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100,200,300,400 : 광디바이스모듈 10 : 도파로기판(광디바이스)
12 : 광도파로 14 : 제1파이버커넥터
16 : 제1광파이버 18 : 제2파이버커넥터
20 : 제2광파이버 38,40 : 보호부츠
42 : 접착제 44 : 모듈본체
46,48 : 클램프부재(지지부재) 50 : 겔형상수지(제2수지)
52 : 금형 54 : 피포체(제1수지)
60 : 피포체 62 : 지지봉
64 : 구멍
본 발명은 광파이버통신망 등에 사용되는 광디바이스 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
광디바이스모듈은 광디바이스, 일반적으로는 광도파로가 표면에 형성된 도파로 기판과, 이 도파로기판의 양단부에 접합된 파이버커넥터로 이루어진 것이고, 파이버커넥터에 의해 유지되고 있는 각 광파이버가 도파로기판상의 대응의 광도파로에 광결합되도록 구성되어 있다. 여기서, 광디바이스에는, 도파로기판 그 자체, 도파로기판에 각종 광부품 등을 부가한 것, 혹은 도파로기판의 도파로형성면을 수지 등에 의해 커버한 것등이 포함된다.
이와같은 광디바이스모듈에 있어서는, 도파로기판과 파이버커넥터와의 접합부가 노출되어 있으면, 열이나 습기 등에 의해 접합부의 접착제의 접착강도가 열화하고, 광결합부에 있어서 광손실이나 광반사의 중대등이 발생한다. 또, 접합부가 노출되고 있으면, 충격에 대해서도 약하다.
그래서, 종래에 있어서는 도파로기판 및 파이버커넥터를 하우징내에 수납하는 동시에,하우징내에 젤리형상의 수지를 완충재로서 충전하도록 하고 있다. 이와 같은 기술로서는 예를 들면 일본국 특개평 5-27139호 공보에 기재한 것이나, 일본국 특개평 5-45531호 공보에 기재한 것이 알려져 있다.
그러나, 상기한 바와 같은 종래기술에 있어서의 하우징은, 2개의 동형의 절반체로 이루어진 2피스형이기 때문에, 밀폐성에 문제가 있고, 외부의 열이나 습기 등의 영향을 받을 가능성이 있다.
또, 2피스형 하우징의 경우, 젤리형상 수지를 하우징내에 틈새없이 충전하는 것은 곤란했다.
따라서, 본 발명의 목적은, 모듈본체를 효과적으로 기계적 충격이나 열, 습기 등으로부터 보호할수 있는 광디바이스모듈 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1발명에 의한 광디바이스모듈은, 광디바이스와, 이 광디바이스의 한쪽의 단부에 접합되고 제1광파이버를 유지하고 있는 제1파이버커넥터와, 광디바이스의 다른 쪽의 단부에 접합되고 제2광파이버를 유지하고 있는 제2 광파이버커넥터를 가진 모듈본체, 및 모듈본체를 피포하도록 에폭시수지나 우레탄수지와 같은 제1수지로부터 최외층의 피포체를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같은 광디바이스모듈에 있어서는, 피포체와 모듈본체와의 사이에, 실리콘수지나 우레탄수지와 같은 겔형상 제2수지를 개재시키는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 제10발명에 의하면, 상기 구성의 광디바이스모듈의 제조방법은, 모듈본체를 성형장치의 금형내에 배치하는 공정과, 적어도 제1및 제2파이버커넥터와, 이들 파이버커넥터 및 광디바이스의 접합부가 금형의 내벽면으로 부터 격리하도록, 모듈본체를 지지하는 공정과, 모듈본체가 배치된 금형내에 용융된 상기 제1수지를 주입하여 경화시키고, 최외층의 피포체를 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
피포체와 모듈본체와의 사이에 제2수지를 개재시킬 경우에는, 금형내에 상기 모듈본체를 배치하기 전에, 모듈본체에 겔형상의 제2수지를 도포한다.
상기 구성의 광디바이스 모듈에 있어서는, 모듈본체의 거의 전체가 일체성형되고 제1수지에 의해 피포되므로, 외부로부터의 열이나 습기, 충격으로부터 유효하게 보호될수 있다. 특히, 피포체와 모듈본체와의 사이에 겔형상의 제2수지를 개재시킴으로써, 이 겔형상 수지가 완충재로서 기능하는 동시에, 파이버커넥터와 광디바이스와의 사이의 접착재의 열팽창이나 열수축에 의한 파이버커넥터의 움직임을 허용할 수 있다.
이하, 도면과 함께 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명한다.
또한, 도면중 동일 또는 상당부분에는 동일부호를 붙이기로 한다.
제1도는 제1실시예에 관한 광디바이스 모듈(100)의 단면도이다. 또, 제2도~제5도는 제1도의 광디바이스모듈의 제조순서를 표시하고 있고, 이 순서를 설명함으로써 그 구조를 명확히 한다. 이들 도면에 있어서, 부호(10)은 광디바이스모듈(100)에 있어서의 광디바이스로서의 도파로기판이고, 그 표면에는 14 분기형 광도파로(12)가 형성되고 있다. 이와 같은 도파로기판(10)은, 일반적으로는 실리콘제의 기판의 표면에 화염 가수분해에 의한 SiO2미립자를 퇴적하는 방법(FHD: 화염퇴적법)을 사용해서 만들어진다.
광도파로(12)의 단부면이 위치되는 도파로기판(10)의 단부면은 각각 제1광파이버(16)의 단부를 유지하는 제1파이버커넥터(14)와, 제2광파이버(20)의 단부를 유지하는 제2파이버커넥터(18)가 집착되도록 형성되어 있다.
제1광파이버(16)는, 1 개의 베어파이버(16a)의 외주에 실리콘수지등(도시하지않음)에 의해 1차피복하고, 또 그 외주에 나일론(16b) 등에 의해 2차피복한 것이다. 또, 제2도에 명시한 바와 같이, 제1파이버커넥터(14)는 1개의 V홈(24)이 표면에 형성된 V홈기판(22)과, 이 V홈기판(22)의 표면상에 접착되는 압압판(26)으로 구성되어 있다. 이 V홈기판(22)의 V홈(24)에는, 베어파이버(16a)가 노출된 광파이버(16)의 단부가 세트되고, 압압판 (16)을 접착제(28)에 의해 V홈기판(22)위에 접착함으로써, 광파이버(16)는 파이버커넥터(14)에 의해 끼워진다.
제2광파이버(20)는 테이프형내지는 리본형으로 불리는 것이다. 즉, 이 광파이버(20)는 1차 피복된 복수개(이 실시예에서는 4개)의 베어파이버(20a)를 가지고 잇고, 이들 베어파이버(20a)는 서로 평행하게 배열되고, 나일론(20b)등에 의해서 2차 피복되어 평면형상으로 묶여 있다. 제2파이버 커넥터(18)는 제1파이버커넥터(14)와 마찬가지로 V홈기판(30)과, 압압판(32)으로 구성되어 있다. V홈기판(30)의 표면상에는 4개의 V홈(34)이 서로 평행하게 형성되어 있다. 각 V홈(34)에는, 베어파이버(20a)가 노출된 광파이버(20)의 대응의 단부가 세트되고, 압압판(32)을 접착제(36)에 의해 V홈기판(30)위에 접착함으로써, 제2광파이버(20)는 제2파이버커넥터(18)에 의해 끼워진다.
또한, 제2도 및 제3도에 표시한 바와 같이 광파이버(16)(20)에 파이버커넥터(14),(18)를 장차하기 전에 최종제품에 설치되는 고무제 보호부츠(38),(40)를 미리 각 광파이버(16),(20)에 장착해두는 것이 바람직하다. 또, V홈기판(22),(30)은, 예를들면 실리콘제의 기판에 연삭가공 혹은 에칭가공을 하므로써 형성될 수 있는 것이다.
다음에 제3도에 표시한 바와같이 제1 및 제2 파이버커넥터(14),(18)는, 도파로기판(10)의 대응의 단부면에, 접착제 바람직하게는 자외선경화형 접착제(42)에 의해 접합된다. 이때 광파이버(16),(20)의 각 베어파이버(16a),(20a)의 단부면이 광도파로(12)의 대응의 단부면에 광결합하도록 제1 및 제2파이버커넥터(14),(18)는 도파기로판(10)에 대해서 위치결정된다.
이와 같이 해서 도파로기판(10)과 파이버커넥터(14),(18)로 이루어진 모듈본체(44)가 제작되면, 제4도에 표시한 바와같이, 제1 및 제2광파이버(16),(20)의 적소를 1쌍의 클램프 부재(지지부재)(46,),(48)에 의해 클램프한다. 그리고, 한쪽의 클램프부재(46) 또는 (48)로부터 다른쪽의 클램프부재(48) 또는 (46)이 떨어지도록 이들 클램프부재(46),(48)의 한쪽 또는 양쪽을 이동시켜서, 광파이버(16),(20)에 소정의 장력을 가하고, 양클램프부재(46),(48)사이에서 모듈본체(44)를 브리지형상으로 매단다.
이후, 적당한 점성을 가진 겔형상내지는 젤리혀상의 수지(50)를 모듈본체(44)의 전체에 틈새없이 도포한다. 이 수지(50)는 모듈본체(44)에의 도포가 가능하도록 유동성을 가지고, 또한 도포후에는 모듈본체(44)로부터 적하하지 않도록 적당한 점착성 또는 밀착성을 가지고 있지 않으면 안된다. 또, 이 수지(50)는 시일성, 내열성 및 내습성을 가진 것이 바람직하다. 이러한 수진(50)로서는, 실리콘수지(예를들면, 일본국, 신에쯔실리콘회사제의 상품명 실리콘겔)이나 우레탄수지(예를들면, 니혼벨 혹스회사제의 상품명 벨, 우레탄)을 사용할 수 있다.
다음에, 제5도에 표시한 바와같이, 수지(50)가 도포된 모듈본체(44)를 클램프부재(46),(48)사이에서 매단 상태 그대로, 성형장치의 금형(52)내에 배치한다. 이때 모듈본체(44)는 금형(52)의 내벽면으로부터 격리된 상태에서 금형(52)내의 공간의 거의 중앙에 배치된다. 이후, 적당한 수지(54)를 금형(52)내에 주입하여 경화시킨다. 이 수지(54)는 경화후에 정형성(定形成)을 가지고, 내열성 및 내습성을 가진 것이 아니면 안된다. 이와 같은 수지(52)로서는, 열경화형 에폭시수지(예를들면, 에폭시테크놀로지회사제의 상품명 에포텍)이 바람직하고, 이와 같은 열경화성 수지를 사용한 경우에는, 트랜스퍼 성형법에 따라서 성형되는 것이 유효하다. 혹은 또, 자외선 경화 수지(예를들면, 일본국, 다이킹회사제의 상품명 옵트다인UV)나 실리콘 수지(예를들면, 일본국, 신에쯔실리콘회사제의 상품명 실리콘겔) 우레탄수지(예를들면, 니혼벨혹스회사제의 상품명 벨우레탄등의 사용하는 것도 가능하다.
수지(54)가 경화하면, 금형(52)을 분리하고, 클램프부재(46),(48)를 광파이버(16),(20)로부터 분리한다. 경화된 수지(54), 즉 피포체(54)의 양단부에는, 상기한 보호부츠(38),(40)를 장착하기 위한 부츠장착부(56),(58) (제1도가)형성되어 있고, 이 부츠장착부(56),(58)에 보호부츠(38),(40)를 끼워장착함으로써, 제1도에 표시한 광디바이스 모듈(100)이 완성한다.
이와 같애 해서 제조된 광디바이스모듈(100)에 있어서는, 모듈 본체(44)를 둘러싸는 피포체(54)가 에폭시수지등으로부터 성형되므로, 그 외관형성은 항상 일정한 것이 된다. 또 모듈본체(44)가 성형수지(54)에 의해 둘러싸여 있기 때문에, 외부환경으로부터 완전히 차단된다. 따라서, 모듈본체(44)는 외부의 열이나, 습기, 충격등으로부터 유효하게 보호된다. 또, 모듈본체(44)와 피포체(54)와의 사이에는 겔형상수지(50)가 개제되어 있으므로, 이 수지(50)에 의해서도 모듈본체(44)가 외부환경으로부터 보호된다.
또, 모듈본체(44)는 겔형상수지(50)에 침지되고, 피포체(54)의 내부에서 부동(浮動)지지된 상태가 된다. 수지(50)는 적당한 점성을 가지고 있으므로, 광디바이스모듈(100)에 외부로부터 충격을 가해도, 그 충격은 겔형상수지(50)에 의해 흡수된다. 따라서, 이 겔형상수지(50)는 완충재로서 기능한다. 도, 광디바이스모듈(100)에 열이 가해지고, 모듈본체(44)의 접합부의 접착제(42)가 열팽창이나 열수축을 일으켜도, 겔형상수지(50)는 파이버커넥터(14),(18)의 움직임을 허용할 수 있다.
제6도에는 본 발명의 제2실시예에 따라서 제조된 광디바이스모듈(200)이 표시되어 있다. 이 제2실시예의 광디바이스 모듈(200)은 겔형상수지(50)가 모듈본체(44)의 전체에 도포되어 있지 않은 점에서 제 1실시예의 것과는 다르다. 이 경우, 겔형상수지(50)는, 제1 및 제2파이버커넥터(14),(18)의 전체와, 이들 파이버커넥터(14),(18)에 인접하는 도파로기판(10)의 일부에 도포되어 있다. 외부로부터의 기계적충격이나, 열, 습기에 대해서 영향을 받는 것은, 파이버커넥터(14),(18)와 도파로기판(10)과의 사이의 접합부, 및 파이버커넥터(14),(18)이므로, 적어도 이들을 겔형상수지(50)에 의해서 보호하면, 제1실시예와 실질적으로 마찬가지의 효과를 얻을 수 잇다.
또, 겔형상수지(50)로서 우레탄수지를 사용하는 경우, 겔형상 그대로에서 사용하는 것도 가능하나, 경화시킨 후에도 우레탄 수지는 탄성이 뛰어나기 때문에, 모듈본체(44)를 보호하는 완충재로서 사용할 수 있다. 그래서, 제7도에 표시한 광디바이스모듈(300)과 같이, 모듈본체(44)의 외주에 우레탄수지로 이루어진 피포체(60)를 직접형성하도록 해도 된다.
제8도는 본 발명의 제4실시예에 따라서 제조된 광디바이스모듈(400)이다
제1실시예의 광디바이스모듈(100)을 제조할 경우, 클램프부재(44),(46)를 사용해서 모듈본체(44)를 매달기지지 하도록하고 있었다. 그런, 이 제4실시예의 광디바이스모듈(400)의 경우, 클램프부재를 사용하지 않고, 모듈본체(44)의 도파로기판(10)의 하면을 적어도 1개의 지지봉에 의해 지지하도록 했다.
보다 상세하게 설명하면, 제1 및 제2파이버케넉터(14),(18)를 도파로기판(10)에 접착한 후, 도파로기판(10)의 하면의 중앙부를 남기고, 모듈본체(44)에 겔형상수지(50)를 도포한다. 이후, 제9도에 표시한 바와같이, 성형장치의 금형(52)의 바닥면으로부터 돌출하는 지지봉(62)의 상단부면에 도파로기판(10)의 중앙부를 재치한다. 그리고 금형(52)내에 에폭시수지등의 용융수지(54)를 주입하고, 경화시킨다
이와같이 해서 작성된 것이, 제8도에 표시한 광디바이스모듈(400)이다. 제8도에 있어서, 부호(64)로 표시되는 구멍은, 지지봉(62)을 제거함으로써 형성된 것이고, 이 구멍(64)을 이용해서 여러 가지의 계측, 예를들면 광디바이스모듈(400)내의 온도를 측정하는 등을 행할 수 있다. 또한, 이 구멍(64)의 상단부를 둘러싸는 피포체(54)의 부분(66)은 도파로기판(10)의 하면에 밀착되므로, 이 구멍(64)을 통해서 물들이 파이버커넥터(14),(18)에까지 칩임하는 일은 없다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상사하게 설명했으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는 것은 말할 나위도 없다. 예를들면 본 발명에 의한 광디바이스모듈의 피포체를 구성하는 수지나 겔형상수지로서는 상기한 것에 한정되지 않고, 다른 적당한 수지를 사용하는 것이 가능한다. 또, 광디바이스는 도파로기판의 광도파로 형성면에 광부품을 부가한 것이어도 된다.
이상 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면, 모듈본체의 거의 전체가 일체성형된 에폭시수지등의 수지에의해 피포되므로, 외부로부터의 열이나 습기, 기계적충격으로부터 유효하게 보호된다.
특히, 피포체와 모듈본체와의 사이에 실리콘수지등의 겔형상수지를 개제시킨 경우, 이 겔형상수지가 완충재로서 기능하고, 기계적충격을 흡수하고, 모듈본체를 보호할 수 있다. 또, 파이퍼버넥터와 광디바이스와의 사이의 접착재가 열팽창이나 열수축해도, 겔형상수지는 파이버커넥트의 움직임을 허용할 수 있으므로, 모듈본체에 무리한 힘이 작용하는 일도 없다.
또, 본발명의 방법에 의하면, 겔형상수지를 모듈본체에 도포한후, 피포체를 트랜스퍼성형등에 의해 제작하므로, 모듈본체를 겔형상수지에 틈새없이 침지시키는 것을 간단히 할 수 있다.

Claims (19)

  1. 제1 및 제2단부를 가진 광디바이스와, 상기 광디바이스의 제1단부에 접합되고 제1광파이버를 유지하고있는 제1파이버커넥터와, 상기 광디바이스의 제2단부에 접합되고 제2광파이버를 유지하고 있는 제2파이버커넥터를 가진 모듈본체 및 상기 모듈본체의 모두를 피포(被包)하도록 제1수지로부터 일체성형된 최외층의 피포체를 구비하고, 상기 피포체와 상기 모듈본체와의 사이에 개재된 겔형성의 제2수지를 구비한 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2수지는 적어도 상기 제1 및 제2파이버커넥터와 이들 광파이버커넥터 및 상기 광디바이스의 접합부와의 주위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2수지는 실리콘수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2수지는 우레탄수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  5. 제1항~제4항이 어느한 항에 있어서, 상기 제1수지는 에폭수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  6. 제1항~제4항이 어느한 항에 있어서, 상기 제1수지는 우레탄수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈.
  7. 제1항~제4항이 어느한 항에 있어서, 상기 광디바이스는, 표면에 광도파로가 형성된 도파로기판인 것을 특징으로하는 광디바이스모듈.
  8. 제1항~제4항이 어느한 항에 있어서, 상기 제1 및 2파이버커넥터는 상기 광디바이스에 접착제에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로하는 광디바이스모듈.
  9. 제1 및 제2단부를 가진 광디바이스, 상기 광디바이스의 제1단부에 접합되고 제1광파이버를 유지하고 있는 제1파이버커넥터 및 상기 광디바이스의 제2단부에 접합되고 제2광파이버를 유지하고 있는 제2파이버커넥터를 가진 모듈본체와 상기 모듈본체의 모두를 피포하도록 제1수지로부터 일체성형된 최외층의 피포체와, 상기 피포체와 상기모듈본체사이에 개재된 겔형상의 제2수지를 구비한 광디바이스 모듈의 제조방법에 있어서, 상기 모듈본체에 겔형상의 상기 제2수지를 도포하는 공정과, 상기 모듈본체를 성형장치의 금형내에 배치하는 공정과, 적어도 상기 제1 및 제2파이버커넥터와, 이들 파이버커넥터 및 상기 광디바이스 사이의 접합부가 상기 금형의 내벽면으로부터 격리하도록, 상기 모듈본체를 지지하는 공정과, 상기 모듈본체가 배치된 상기 금형내에 용융된 상기 제1수지를 주입하여 경화시키고, 상기 최외층의 피포체를 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2광파이버를 각각 지지부재에 의해 꽉잡고, 상기 모듈본체를 상기 지지부재의 사이에서 브리지형상으로 매단 상태에서 지지하도록 한 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 금형의 바닥면으로부터 위쪽으로 돌출된 지지봉의 상단부면에 상기 모듈본체의 상기 광디바이스를 재치함으로써, 상기 모듈본체를 지지하도록 한 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 금형내에 상기 모듈본체를 배치하기 전에, 상기 모듈본체에 겔형상의 제2수지를 도포하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2수지는 실리콘수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2수지는 우레탄수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  15. 제9항~제14항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1수지는 에폭수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  16. 제9항~제14항의 어느한항에 있어서, 상기 제1수지는 우레탄수지인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 피포체는, 트랜스퍼 성형법에 의해 제1수지로 제작되는 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  18. 제9항~제14항에 어느 한 항에 있어서, 상기 광디바이스는, 표면에 광도파로가 형성된 도파로기판인 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
  19. 제9항~제14항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2파이버커넥터는 상기 광디바이스에 접착제에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 광디바이스모듈 제조방법.
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