KR100210226B1 - 신규의 실라시클로헥산 화합물, 이것을 함유하는 액정 조성물 및 이 조성물을 함유하는 액정소자 - Google Patents

신규의 실라시클로헥산 화합물, 이것을 함유하는 액정 조성물 및 이 조성물을 함유하는 액정소자 Download PDF

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Abstract

아래의 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물.
위의 식에서 R은 유기 잔기를 나타내고;중의 최소한 하나는 비치환 또는 치환된 트란스-1-실라-1,4-시클로헥실렌기 또는 트란스-4-실라-1,4-시클로헥실렌기를 나타내고 나머지는 트란스-1,4-시클로헥실렌기를 나타내며; L1과 L2는 독립하여 H, F, Cl 또는 CH3를 나타내고 ; X는 유기 잔기 또는 CN, F, Cl을 나타내고 ; 그리고 m 과 n 은 각각 0 또는 1 인데, 단 m + n = 1이다, 실라시클로헥산 화합물은 액정 조성물과 액정소자에 유용하다.

Description

신규의 실라시클로헥산 화합물, 이것을 함유하는 액정 조성물 및 이 조성물을 함유하는 액정소자
본 발명은 신규의 실라시클로헥산(silacyclohexane)화합물과 이 화합물을 함유하는 액정 조성물 및 이 조성물을 함유하는 소자에 관한 것이다.
액정 표시소자는 액정물질의 광학적 비등방성과 유전(誘電)비등방성을 이용하고 있는 것이다. 표시방식에 따라 트위스트 네마틱형(twisted nematic type : TN 형), 슈퍼트위스트 네마틱형(surer twisted nematic type : STN 형), 초복굴절형(super-birefringence type : SBE 형), 동적산란형(dymamic scattering type : DS 형), 게스트/호스트형(guest/host type), 정열상 변형형(a type of deformation of aligned phase : DAP 형), 폴리머 분산형(polymer dispersion type : PD 형) 및 광학 방식 간섭형(optical mode interference type : OMI 형)등의 것들율 비롯하여 여러가지 표시 방식이 있다. 이중에서 가장 보편적인 표시소자는 샤트-헬프리히 효과(Schadt-Helfrich effect)에 근거한 것으로서 트위스트 네마틱 구조를 가진 것이다.
이들 액정소자에 사용된 액정물질의 성질은 표시 방식에 따라 다소 달라지지만 액정 물질은 액정 작동온도 범위가 넓어야 하고 수분, 공기 광, 열, 전계(電界)등에 대하여 안정해야 할것이 보편적으로 요구되고 있다. 더욱이 액정물질은 점도가 낮아야 하고 셀 중에서 짧은 어드레스 시간, 낮은 임계 전압 및 높은 콘트라스트를 가져야 한다.
이들 조건을 모두 만족시킬 수 있는 액상 물질은 단일 화합물질로 사용했을 경우에 대해서는 아직까지 알려진바 없다. 실제로 몇가지 내지 10가지의 액상 화급물 또는 잠재성 액정 화합물을 혼합하여 혼합물 형태로 사용하고 있다. 이러한 목적으로 구성 성분들이 서로 용이하게 혼화되어야 하는 것이 중요하다.
이러한 구성 성분의 대표적인 것으로는 네마틱 -등방성 전이온도(TNI)가 비교적 높은 에스테르 화합물이 있다. 이들 에스테르 화합물에 포함되는 것은 아래의 구조식의 비시클로헥실카르복실산의 페닐 에스테르 구조를 가진 화합물들이다.
위의 식에서 R는 탄소원자수 1∼8의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 60-17777 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼8의 알킬기를 나타내고, R' 는 탄소원자수 8 이하의 알킬기 또는 알카노일옥시기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 60-17777 호 공보 참조).
위의 식에서 R과 R' 는 각각 탄소원자수 8이하의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 60-17777 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼ 15의 알킬기이고 X는 F, Cl 또는 Br 이다(일본국 특허 공고 제 61-26979 호 공보 참조).
위의 식에서 R는 탄소원자수 1∼ 의 직쇄상 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 62-54783 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 1-42260 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼10의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 1-50691 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 1-50694 호 공보 참조).
위의 식에서 R는 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기를 나타내고, X및 Y는 독립하여 H 또는 CH3를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 2-12211 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 CH2기의 하나 또는 두개가 0 또는 CH=CH로 치환되어도 종은 탄소 원자수 12 이하의 알킬기를 나타낸다(일본국 특허 공고 제 4-501275 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기를 나타내고, X는 R 또는 OR 을 나타낸다(일본국 특허 공고 제 2-10820 호 공보 참조).
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기이고 X는 F 또는 Cl이다(일본국 특허 공고 제 2-10820 호 공보 참조 ).
위의 식에서 R1과 R2는 각각 탄소원자수 1∼ 10의 알킬기이다 (일본국 특허 공고 제 60-17777 호 공보 참조).
액정 표시 소자가 근래에 그 유용성이 확대됨에 따라 액정물질에 요구되는 특성은 구동 시스템과 동작 모우드가 다양하게 발전함과 더불어 엄격해지고 있다. 특히 차량 탑재 수요에 부합하는 액정물질은 사용 조건의 관점에서 고온 영역까지 확대된 네마틱상(相)을 가져야 한다 . 네마틱상을 고온 영역까지 확대하자면 높은 네마틱 -등방성 전이온도 (TNI)를 가진 액정 화합물을 구성성분으로 하여 첨가하면 족하다. 높은 TNI값을 가진 공지의 성분의 예에 속하는 것으로는 4,4 -치환 터페닐 , 4,4'-치환 비페닐시클로헥산 , 4,4'-치환 시클로헥산비페닐 시클로헥산 등이 있다 . 그러나 이들 화합물은 혼합된 액정의 점도를 증가시켜 응답속도틀 저하시킨다.
본 발명의 목적은 비교적 높은 네마틱-등방성 전이온도(TNI)를 가지며 화합물을 함유한 혼합 액정 조성물의 점도를 증가시키지 않는 액정 물질로 작용하는 신규의 화합물을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 이제까지 결코 알려진바 없는 구조를 가지며 분자중에 실리콘 원자를 가진 실라시클로헥산환을 가진 신규의 화합물을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 위에 나온 화합물을 최소한 한가지를 함유하는 액정 조성물과 이 조성물을 함유하는 액정 표시소지를 제공함에 있다.
본 발명에 의하여 상기한 목적은 아래의 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물에 의해 달성할 수 있다.
위의 식에서 R은 탄소원자수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 3∼8의 분지쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10 의 모노 또는 디플루오로알킬기, 탄소원자수 2~7 의 알콕시알킬기 또는 탄소원자수 2∼8 의 알케닐기를 나타내고,
중의 최소한 하나는 1 위치 또는 4 위치의 실리콘이 H, F, Cl 또는 CH3의 치환기를 기진 트란스-1-실라-1,4-시클로헥실렌기 또는 트란스-4-실라-1,4-시클로헥실렌기를 나타내고 나머지는 트란스-1,4-시클로헥실렌기를 나타내며, L1과 L2는 독립히여 H, F, Cl 또는 CH3를 나타내고, X 는 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알콕시기, 탄소원자수 2∼7 의 알콕시알킬기, CN, F, Cl, CF3, CF2Cl, CHFCl, OCF3, OCF2Cl, OCHFCl, OCHF2,(O)1CY=CX1X2(여기서 1은 0또는 1이고, Y 및 X1은 독립하여 H, F 또는 Cl 을 나타내고, X2는 F 또는 Cl 을 나타냄)또는 O(CH2)r(CF2)6X3(여기서 r과 s는 각각 0, 1또는 2인데, 단 r + s = 2, 3 또는 4 이고, X3는 H, F 또는 Cl 을 나타내며, m 과 n 은 각각 0 또는 1 인데, 단 m + n = 1 임)을 나타낸다.
구조식(I)의 화합물로서는 아래의 구조식(II)와 (III)의 화합물들이 있다.
또한 본 발명은 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물을 함유하는 액정 조성물을 제공한다. 바람직하게는 실라시클로헥산 화합물의 함유량은 조성물에 대해 5 ∼ 30 wt.% 이다. 더욱이 본 발명은 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물을 함유하는 셀 구조를 가진 액정 표시 소자를 제공한다.
본 발명의 구조식(I)의 화합물들 중에서 X 가 알킬기 또는 알콕시기인 구조식(I)의 화합물들이 극성이 낮다. 이들 화합물을 액정 조성물의 구성 성분으로 사용하면 TNI값이 증대하고,이들 3환식 화합물은 높은 TNI성분으로 사용된 위에 나온 4환식 화합물에 비해 조성물의 점도를 증가시키지 않는다. X가 위에 나온 기들 이외의 기인 구조식(I)의 화합물은 TNI값을 증대시키는 효과가 있고 + 또는 - 의 유전 비등방성(dielectric anisotropy : △ε)을 가진다. 결과적으로 이들 화합물은 구동 전압을 저하시키고 빠른 응답속도를 나타내도록 한다. 액정으로 작용하는 본 발명의 신규의 화합물은 위에 나온 구조식(I)의 화합물들이다. 더욱 상세하게는 이들 화합물은 트란스-1-실라시클로헥산환 또는 트란스-4-실라시클로헥산환을 가진 신규의 환 구조를 가지는데, 이들 화합물의 예를 들면 아래의 구조식(IV)∼(XI)의 것들이 있다.
구조식(IV)-(XI)에 있어서 R은 탄소원자수 1~10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 3∼8 의 분자쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10 의 모노 또는 디플루오로알킬기, 탄소원자수 2∼7의 알콕시알킬기 또는 탄소원자수 2∼8의 알케닐기를 나타내고, X는 탄소원자수 1∼10의 직쇄상 알킬기,탄소원자수 1∼10의 직쇄상알콕시기, 탄소원자수 2∼7 의 알콕시알킬기, CN, F, Cl, CF3, CF2Cl, CHFCI, OCF3, OCF2Cl, OCHFCI, OCHF2,(O)1CY=CX1X2(여기서 1 은 0 또는 1 이고, Y 및 X1은 독립하여 H,F 또는 Cl을 나타내고, X2는 F 또는 Cl 을 나타냄)또는 O(CH2)r(CF2)sX3(여기서 r과 s는 각각 0,1또는 2인데, 단 r + s = 2,3 또는 4이고, X3는 H,F 또는 Cl을 나타냄), W, W1및 W2는 독립하여 H, F, Cl 또는 CH3를 나타내고, L1및 L2는 독립하여 H, F, Cl 또는 CH3를 나타낸다.
R 로 나타내어지는 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알킬기의 특수한 예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐 및 n-데실 등이 있다.
R로 나타내어지는 탄소원자수 3∼8 의 분지쇄상 알킬기의 예로서는 이소프로필, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, sec-부틸, 이소부틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 1-에틸펜틸, 1-멘틸헥실, 2-메틸헥실, 3-메틸헥실, 2-에틸헥실, 3-에틸헥실, 1-메틸헵틸, 2-메틸헵틸 및 3-메틸헵틸 등이 있다.
R 로 나타내어지는 탄소원자수 1∼10 의 모노 또는 디푿루오로알킬기의 특수한 예로서는 플루오로메틸, 1-플루오로에틸, 1-플루오로프로필, 1-플루오로부틸, 1-플루오로펜틸, 1-플루오로헥실, 1-플루오로헵틸, 1-플루오로옥틸, 1-플루오로노닐, 1-플루오로데실, 2-플루오로에틸, 2-플루오로프로필, 2-플루오로부틸, 2-플루오로펜틸, 2-플루오로헥실, 2-플루오로헵틸, 2-플루오로옥틸, 2-플루오로노닐, 2-플루오로데실, 3-플루오로프로필, 3-플루오로부틸, 3-풀루오로펜틸, 3-플루오로헥실, 3-플루오로헵틸, 3-플루오로옥틸, 3-플루오로노닐, 3-플루오로데실, 4-플루오로부틸, 4-플루오로펜틸, 4-플루오로헥실, 4-플루오로헵틸, 4-플루오로옥틸, 4-플루오로노닐, 4-플루오로데실, 5-플루오로펜틸, 5-플루오로헥실, 5-플루오로헵틸, 5-플루오로옥틸, 5-플루오로노닐, 5-플루오로데실, 6-풀루오로헥실, 6-플루오로헵틸, 6-플루오로노닐, 6-플루오로데실, 7-플루오로헵틸, 7-플루오로옥틸, 7-플루오로노닐, 7-플루오로데실, 8-플루오로옥틸, 8-플루오로노닐, 8-플루오로데실, 9-플루오로노닐, 9-플루오로데실, 10-플루오로데실, 디플루오로메틸, 1,1-디플루오로에틸, 1,1-디플루오로프로필, 1,1-디플루오로부틸, 1,1-디플루오로펜틸, 1,1-디플루오로헥실, 1,1-디플루오로헵틸, 1,1-디플루오로옥틸, 1,1-디플루오로노닐, 1,1-디플루오로데실, 2,2-디플루오로에틸, 2,2-디플루오로프로필, 2,2-디플루오로부틸, 2,2-디플루오로펜틸, 2,2-디플루오로헥실, 2,2-디플루오로헵틸, 2,2-디플루오로옥틸, 2,2-디플루오로노닐, 2,2-디플루오로데실, 3,3-디플루오로프로필, 3,3-디풀루오로부틸, 3,3-디플루오로펜틸, 3,3-디플루오로헥실, 3,3-디플루오로헵틸, 3,3-디풀루오로옥틸, 3,3-디플루오로노닐, 3,3-디풀루오로데실, 4,4-디플루오로부틸, 4,4-디플루오로펜틸, 4,4-디플루오로헥실, 4,4-디플루오로헵틸, 4,4-디플루오로옥틸, 4,4-디플루오로노닐, 4,4-디풀루오로데실, 5,5-디플루오로펜틸, 5,5-디풀루오로헥실, 5,5-디플루오로헵틸, 5,5-디플루오로옥틸, 5,5-디플루오로노닐, 5,5-디풀루오로데실, 6,6-디푿루오로헥실, 6,6-디플루오로헵틸, 6,6-디플루오로옥틸, 6,6-디플루오로노닐, 6,6-디플루오로데실, 7,7-디플루오로헵틸, 7,7-디플루오로옥틸, 7,7-디플루오로노닐, 7,7-디플루오로데실, 8,8-디플루오로옥틸, 8,8-디플루오로노닐, 8,8-디플루오로데실, 9,9-디플루오로노닐, 9,9-디플루오로데실, 및 10,10-디플루오로데실 등이 있다.
R 로 나타내어지는 탄소원자수 2∼ 7 의 알콕시알킬기의 예로서는 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로폭시메틸, 부톡시메틸, 펜톡시메틸, 헥실옥시메틸, 메툭시에틸, 에톡시에틸, 프로폭시에틸, 부톡시에틸, 펜톡시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로톡시프로필, 부톡시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로톡시부틸, 메톡시펜틸 및 에톡시펜틸 등이 있다.
R 로 나타내어지는 탄소원자수 2∼8 의 알케닐기의 특수한 예로서는 비닐, 1-프로페닐, 알릴, 1-부테닐, 이소프레닐, 1-펜테닐, 3-펜테닐, 4-펜테닐, 디메틸알릴, 1-헥세닐, 3-헥세닐, 5-헥세닐, 1-헵테닐, 3-헵테닐, 6-헵테닐 및 7-옥테닐 등이 있다.
X 로 나타내어지는 직쇄상 알킬기의 예는 R 에 대해 위에 나온 것들이다.
X 로 나타내어지는 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알록시기의 예로서는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, n-부톡시, n-펜톡시, n-헥실옥시, n-헵틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시 및 n-데실옥시 등이 있다.
탄소원자수 2-7 의 알콕시알킬기의 예로서는 메톡시메틸, 에톡시메틸, 프로톡시메틸, 부톡시메틸, 펜톡시메틸, 헥실옥시메틸, 메톡시에틸, 에톡시에틸, 프로톡시에틸, 부톡시에틸, 펜톡시에틸, 메톡시프로필, 에톡시프로필, 프로폭시프로필, 부톡시프로필, 메톡시부틸, 에톡시부틸, 프로폭시부틸, 메톡시펜틸, 에톡시펜틸 및 메톡시헥실 등이 있다.
구조식 (I)의 실라시클로헥산 화합물은 아래 구조식 (1)의 치환기 성분을 가진다.
이러한 치환기 성분의 특수한 예로서는 아래에 나온 구조식의 잔기들이 있다.
위의 식들에 있어서, Y, X1, X2, X3, 1, r 및 s는 각각 위에서 정의한 바와 같다.
바람직한 실라시클로헥산 화합물은 앞서 나온 것들중 아래에 나온 구조식 (IV), (VI), (VIII) 및 (X)의 것들이다.
R 로 나타낸 바람직한 기들로서는 n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실 및 n-헵틸등의 탄소원자수 2∼7 의 직쇄상 알킬기 ; 2-플루오로에틸, 2-플루오로프로필, 2-플루오로부틸, 2-플루오로펜틸, 2-플루오로헥실, 2-플루오로헵틸, 4-플루오로부틸, 4-플루오로펜틸, 4-플루오로헥실, 4-플루오로헵틸, 5-플루오로헵틸, 6-플루오로헥실, 7-플루오로헵틸, 2,2-디플루오로에틸, 2,2-디플루오로프로필, 2,2-디플루오로부틸, 2,2-디플루오로펜틸, 2,2-디플루오로헥실, 2,2-디플루오로헵틸, 4,4-디플루오로부틸, 4,4-디플루오로펜틸, 4,4-플루오로디헥실, 4,4-디플루오로헵틸, 5,5-디플루오로펜틸, 5,5-디플루오로헥실, 5,5-디플루오로헵틸, 6,6-디폴루오로헥실, 6,6-디플루오로헵틸 및 7,7-디플루오로헵틸 등의 탄소원자수 2∼7 의 모노 또는 디플루오로알킬 ; 이소프로필, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸 및 2-에틸헥실 등의 탄소원자수 3∼8 의 분지쇄상 알킬기 : 메톡시메틸, 메톡시에틸, 메톡시프로필, 메톡시펜틸, 에톡시메틸, 에톡시에틸, 프로폭시메틸 및 펜톡시메틸 등의 탄소원자수 2∼6 의 알콕시알킬기 ; 및 비닐기, 1-프로페닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-헥세닐기, 5-헥세닐기, 6-헵테닐기 및 7-옥테닐기 등의 탄소원자수 2∼8 의 알케닐기 등이 있다.
W 로 나타낸 바람직한 원자 또는 기는 H,F 또는 CH3이다.
아래의 구조식 (1)으로 나타낸 바람직한 기들은 아래에 나와 있는 것들이다.
이들 중에서 아래의 구조식의 치환기를 가진 화합물은 △ε의 값이 0에 가깝다.
더욱이 아래의 구조식의 치환기를 가진 화합물은 △ε의 값이 (-)이다.
이들 화합물은 DS모우드, DAP모우드 또는 GH모우드 표시 소자용으로 적합하다.
본 발명의 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물의 제조방법에 대하여 설명한다. 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물은 실라시클로헥산환의 실리콘 원자에 결합한 치환기의 종류에 따라 제조방법이 달라진다.
구조식에서 실라시클로헥산환의 실리콘 원자에 결합된 지란기가 각각 메틸기, 즉 W, W1및/또는 W2가 각각 메틸기인 아래의 구조식(IV)-(VII)의 메틸 실라시클로헥산 화합물에 있어서,
아래의 일반 구조식(2)의 카르복실산과 아래의 일반 구조식(3)의 페놀 화합물을 에스테르화 반응 또는 탈수 반응을 통해 축합반응시킨다.
위의 식에서, R,는 각각 앞서 정의한 바와 같고, X, L1, 및 L2도 각각 앞서 정의한 바와 같다.
에스테르화 반응으로서는, (1)탈수제를 사용하여 두가지 화합물을 축합시키는 방법과, (2)카르복실산을 먼저 산클로라이드로 전환시킨 다음 염기 존재하에 페놀 화합물과 반응시키는 방법이 있다.
방법(1)에 사용되는 탈수제의 예로서는 N,N'-디시클로헥실카르보디이미드 등의 디이미드류, 트리플루오로아세트산 무수물 등의 산 무수물, 카르보닐디이미다졸, 2-클로로티리디늄염, 3-클로로이소옥사졸륨염, 및 메틸 포스핀 등의 포스핀류와 2,2'-디피리딜 디술파이드의 조합등이 있다.
이 경우에 있어서, 반응에 대해 비활성인 용매중에서 0 ∼ 100℃ 의 온도에서 0.5 ∼ 10 시간의 조건에서 반응시키는 것이 바람직하다. 용매의 예로서는 사염화 탄소, 염화 메틸렌, 방향족 탄화수소류(예 : 벤젠, 톨루엔, 크실렌등), 및 에테르류(예 : 테트라히드로푸란)등이 있다.
방법(2)에서 카르복실산을 상응한 산 클로라이드로 전환시키는데 사용되는 시약으로서는 염화티오닐, 오염화인, 염화 옥살릴, 및 사염화 탄소와 포스핀류의 조합 등이 있다. 이 반응을 0 ∼ 100℃ 의 온도에서 통상적인 방법으로 진행시킨다. 이어서 산 클로라이드를 염기 존재하에 페놀 화합물과 반응시킨다. 염기의 예로서는 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, N,N-디메틸아닐린, 트리에틸아민, 테트라메틸우레아 등이 있다. 이 반응은 정상적인 온도와 압력 조건하에서 용이하게 진행된다. 더욱이 W, W1및/또는 W2가 각각 염소,플루오르 또는 수소(즉, 실라시클로헥산환의 실리콘 원자에 결합된 원자 또는 치환기가 염소, 플루오르 또는 수소)인 구조식(IV)∼(VII)의 화합물로서는 클로로실라시클로헥산, 플루오로실라시클로헥산 및 히드로실라시클로헥산 화합물이 있다. 이들 화합물의 제조를 위해서는 페닐기 또는 톤릴기 등의 아릴기가 실라시클로 헥산환의 각각의 실리콘원자에 결합해 있는 아릴실라시클로헥산 화합물을 클로로 실라시클로헥산, 플루오로실라시클로헥산 및 히드로실라시클로헥산 등의 화합물 제조용의 중간체로 사용한다. 아릴실라시클로헥산 화합물은 W, W1및/또는 W2가 각각 페닐기 또는 톨리기 등의 아릴기인 일반 구조식(IV)∼(VII)의 화합물들이다.
W, W1및/또는 W2가 각각 CH3인 구조식(IV)∼(VII)의 화합물과 마찬가지로 이들 아릴실라시클로헥산 중간 화합물은 상응한 카르복실산과 페놀 화합물 사이의 에스테르화 반응 또는 탈수 반응과 축합 반응을 통해 제조한다.
아릴실라시클로헥산 중간 화합물을 목적으로 하는 클로로실라시클로티산, 플루오로실라시클로헥산 또는 히드로실라시클로헥산 화합물로 전환시키는 반응은 전환반응에 참여하는 치환기로만 나타낸 아래의 반응식에 따라 실시한다.
위의 식에서 Ar 는 페닐기 또는 톨릴기를 나타낸다. 위의 반응식에서 알 수 있는 바와 같이 1 염화 요오드와 아릴실라시클로헥산 화합물을 반응시키면 할로 데실릴레이션(halo de-silylation)반응을 통해 클로로실라시클로헥산 화합물을 얻게 된다. 데실릴레이션 반응은 넓은 온도범위에서 일어난다. 바람직하게는 온도 범위를 0 ∼ 80℃, 보다 바람직하게는 10 ∼ 40℃ 로 한다.
수득한 클로로실라시클로헥산 화합물을 플루오르화 세슘, 플루오르화 구리(I), 플루오르화 안티몬, 플루오르화 칼슘, 플루오르화 테트라-n-부틸암모늄 등의 플루오르화물과 반응시키면 W, W1및/또는 W2가 각각 플루오르인 구조식(IV)-(VII)의 플루오로실라시클로헥산 화합물을 얻게된다.
클로로실라시클로헥산 또는 플루오로실라시클로헥산 화합물과 환원제를 에스테르를 환원시키지 아니하는 온화한 조건하에서 반응시키면 W, W1및/또는 W2가 수소인 구조식(IV)∼(VII)의 히드로실라시클로헥산 화합물을 얻는다. 환원제의 예로서는 수소화 나트륨, 수소화 칼슘, 트리알킬실란, 보란, 디알킬암모늄화합물 등의 금속 수소화물과, 리튬 알루미늄 하이드라이드, 소디움 보로하이드라이드, 리튬 보로하이드라이드, 포타슘 보로하이드라이드, 트리부틸암모늄 보로하이드라이드 등의 착수소화물(complex hydride)이 있다.
한정된 것은 아니지만 할로실라시클로헥산의 환원반응을 바람직하게는 -50∼100℃, 보다 바람직하게는 -20∼70℃ 에서 실시한다.
수득한 생성물이 입체 이성체 형태인 경우에는 트란스,트란스 이성체를 분리하여 재결정, 크로마토그래피 등의 공지의 정제방법으로 정제한다.
구조식(2)의 출발물질인 카르복실산은 신규의 중간체인데 그 제조방법에 대하여 설명한다.
구조식(2)의 카르복실산의 제조방법은 구조식(IV)-(VII)에서 W, W1및/또는 W2로 나타낸 치환기의 종류와 실라시클로헥산화합물의 종류에 따라 달라진다.
(A)치환기가 메틸기,즉 W, W1및/또는 W2= CH3인 구조식(2)의 카르복실산의 제조방법을 각기 상이한 종류의 실리콘 함유 카르복실산(a)-(d)에 대해 설명한다.
위의 식에서 R 은 구조식(I)에 대해 정의한 바와 같다.
이러한 종류의 실라시클로헥산 화합물은 아래의 구조식(a∼1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
구조식(a-1)의 실라시클로헥사논과 그 제조방법은 일본국 특허출원 제 6-78125 호 [1994 년 3 월 24 일 출원 ; 대응 미합중국 특허출원 제 408961 호 (1995 년 3 월 23 일 출원)], Journal of Organometal Chem., Vol. 133(1), pp. 7-17(1977) 및 Journal of Oranometal Chem. Vol. 37(4), pp. 2323-2327 (1972)에 개시 되어있다.
위의 구조식(a)의 화합물의 제조방법은 실라시클콘로헥사논 화합물과 유기금속 화합물의 커플링반응, 탈수반응 및 수소첨가 또는 가수소 분해 반응(hydrogenolysis), 보호기 제거, 페닐기의 수소첨가, 생성된 2 자 알코올의 산화, 상응한 알데히드로 전환하기 위한 Wittig 반응 및 알데히드의 산화에 의한 구조식(a)의 화합물의 제조 단계로 되어 있다.
이 반응순서는 아래의 반응식(a-2)에 나와 있다.
위의 반응식(a-2)에 임어서, X 는 t-부틸디메틸실리기, 알콕시메틸기(예 : 메톡시메틸기), 벤질기를 비롯한 보호기이고, M 은 유기금속 화합물에서 유도된 금속을 나타낸다.
(1)제 1 단계에서, 실라시클로헥사논을 유기금속 시약 또는 유기금속 화합물과 커플링 반응시킨다. 유기금속 시약의 예로서는 그리니아르 시약(Grignard reagent), 유기 아연 시약, 유기 리튬 시약, 유기 티타늄 시약 등이 있다. 이들 중의 어느 시약을 사용하더라도 반응은 고수율로 진행한다. 유기금속 시약의 종류에 따라 달라지겠지만 반응을 -70℃ ∼ 150℃ 의 온도 및 30 분 ∼5 시간의 조건하에서 실시한다. 더욱 상세하게는 유기리튬 시약의 경우에는 반응온도가 -70℃ ∼ 0℃ 의 범위이고, Mg, Ti 및 Zn 함유 시약의 경우는 실온 ∼ 150℃ 의 범위이다.
커플링 반응은 통상적으로 디에틸 에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르류와, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등의 탄화수소류를 비롯한 용매중에서 실시한다. 이들 용매를 단독 또는 혼합하여 사용해도 좋다. (2)이어서 생성된 알코올을 가수소 분해하여 시클로헥실페놀 화합물을 얻는다. 또는 알코올을 먼저 산촉매로 탈수한 다음 수득한 이중결압을 수소첨가하여 시클로헥실페놀 화합물을 얻는다. 기수소 분해 또는 수소첨가 반응을 0∼150℃, 바람직하게는 20∼100℃ 에서 대기압 ∼ 20kg/㎠ 의 압력하에서 실시한다.
가수소 분해 또는 수소첨가에 사용되는 촉매로서는 팔라듐, 백금, 로듐, 니켈, 루테늄 등의 굼글이 있다. 바람직하게는 이들 금속을 혼합물 또는 산화물 형태로 사용하는데, 예컨대 팔라듐-탄소, 팔라듐-황산 바륨, 팔라듐-규조토, 산화 백금, 백금-탄소, 로듐-탄소, 라네이 니켈, 산화 팔라듐, 니켈-규조토 등이 있다. 보다 바람직하게는 팔라듐 또는 니켈촉매를 사용한다.
탈수반응에 사용되는 산으로서는 염산, 황산, 질산, 과염소산 등의 무기산과 p-톨루엔 술폰산, 캠포르술폰산, 트리플루오로아세트산 등의 유기산이 있다. 생성되는 물을 신속히 제거하기 위해서 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 쿠멘, 헥산, 이소옥탄 등의 탄화수소 용매를 사용하여 공비(共沸)에 의해 반응이 보다 신속히 진행하도록 한다.
(3)이어서, 보호기(X)를 제거하여(실라시클로헥실)시클로헥실페놀 화합물을 얻는다. 보호기는 문헌 [예컨대, Theodore W. Greene and Peter G. M. Wuts, Protective Groups in Organic Synthesis, John Wiley Sons. INC] 에 기재된 공지방법으로 제거해도 좋다.
(4)생성된 페놀 화합물을 수소첨가하여 페닐기를 시클로헥산환으로 전환시킨다. 이 수소첨가 반응은 알루미나, 활성탄, 마그네시아, 분자체 등의 담체에 지지시킨 Pt, Rh, Ru 또는 Ni 등의 측매 존재하에 대기압 ∼ 250 atm 의 수소압하에서 0.5 ∼ 20시간 동안 실시한다. 이 반응을 통상적으로 물, 알코을(예 : 메탄올, 에탄올 등), 에스테르(예 : 에틸 아세테이트), 에테르(예 : 테트라히드로푸란), 탄화수소(예 : 시클로헥산, 이소옥탄 등)등의 용매중에서 실시한다. 촉매의 종류에 따라 응매의 종류, 수소압 및 온도가 크게 달라진다. 예컨대 Ni 촉매는 가격이 저렴하기는 하지만 고온, 고압을 필요로하므로 고가의 제조장치를 필요로 한다. 한편, Rh 촉매는 1∼5 atm의 비교적 저압 및 정상적인 온도에서 반응이 진행한다는 점에서는 유리하지만 저렴한 제조장지를 사용하더라도 극히 값이 비싸다.
(5)이어서, 과망간산염, 크롬산, 산소, 유기 과산화물 등의 산화제로 2 차 알코올을 산화 시킴으로써 시클로헥사논 화합물을 제조한다.
(6)시클로헥사논 화합물을 Wittig 반응시켜 시클로헥산카르보알데히드 화합물로 전환시킨다(일본국 특허출원 제 6-71825 호). 즉, 아래의 반응식(a-3)에 따라, 염기의 작용에 의해 알콕시메틸트리페닐포스포늄염으로부터 제조한 일리드 화합물과 시클로헥사논 화합물을 Wittig 반응시켜 알킬엔온 에테르를 제조한 다음, 산으로 가수분해하여 카르보알데히드 화합물을 얻는다.
위의 식에서 R'는 탄소원자수 1∼10,바람직하게는 1∼4의 알킬기이고, Q는 할로겐, 바람직하게는 Cl, Br또는 I이다.
이 반응식에 사용되는 알콕시메틸트리페닐포늄염의 예로서는, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 브로마이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 요오다이드, 에시메틸트리페닐포스포늄 클로라이드, 에톡시메틸트리페닐포스포늄 브로마이드, 에톡시메틸트리페닐포스포늄 요오다이드 등이 있다.
일리드 화합물 제조에 사용되는 염기로서는 n-부틸 리튬, s-부틸 리튬, t-부틸 리튬, 메틸 리튬, 페닐 리튬 등의 유기 리튬 화합물, 소디움 메톡시드, 소디움 에톡시드, 포타슘 t-부톡시드 등의 알콕시드, 딤실 소디움(dimsyl sodium)등이 있다. Wittig 반응을 테트라히드로푸란, 디에틸 에테르, 디-n-부틸 에테르, 1,4-디옥산 등의 에테르류 단독 또는 n-헥산, n-헵탄, 이소옥탄, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 쿠멘 등의 탄화수소류와 N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포릭 트리아미드 등의 비양성자성 극성 용매와의 혼합물 중에서 실시한다. 바람직한 반응조건은 0℃ ∼ 사용된 용매의 환류온도이다. 알킬렌을 에스테르 화합물의 가수분해에 사용되는 산촉매로서는 염산, 황산 등의 무기산과 아세트산, 트리플루오로아세트산, 클로로아에트산 등의 유기산이 있다. 가수분해 반응을 0 ∼ 80℃, 바람직하게는 10 ∼ 40℃ 의 온도에서 실시한다.
(7)최후로, 카르보알데히드 화합물을 산화하여 목적으로 하는 구조식(2)의 카르복실산을 얻는다. 또한 구조식(2)의 카르복실산을 아래의 반응식 (a-4)에 따라 구조식(a-1)의 시클로헥사논 화합물로부터 제조할 수도 있다.
이 반응식에서 출발물질인 실라시클로헥사논을 실라시클로헥실시클로헥사논으로 전환시킨다. 이 전환 반응은 일본국 특허출원 제 6-154219 호(1994년 6월 13일 출원)에 개시된 방법에 따라 실시한다.
이어서(a)의 단계(6)및(7)을 반복하여 목적의 카르복실산을 제조한다.
이러한 종류의 산 화합물은 아래의 구조식(b-1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
위의 식에서 x는 위에 나온 1-(a)에서 사용된 보호기이다.
이 치환된 실라시클로헥사논 화합물(b-1)은 (a)에 나온 방법으로 제조한다.
구조식(b)의 화합물은 유기금속 화합물과의 커플링 반응 ; 탈수 및 수소첨가 반응 또는 Wittig 반응과 수소첨가 반응에 의한 알킬실라시클로헥산 화합을 제조 ; 보호기 제거 ; 방향족환의 수소첨가 ; 수득한 2 차 알코올의 산화후 Wittig 반응 및 수득한 알데히드의 산화의 단계로 된 제조방법에 따라 제조한다.
이 반응식(b-2)는 아래에 나와 있다.
위의 식에서 R은 구조식(I)에서 정의한 바의 기로서 -CHaR'와 동일하고, X 는 (a)에서와 같은 보호기이다.
(1)실라시클로헥사논을 두가지 방법에 의해 알킬실라시클로헥산 화합물로 전환시킨다. 그 한가지 방법은 유기금속 화합물(R-M)과의 커플링 반응후 탈수 및 수소첨가 반응이고, 나머지 방법은 알킬화 반융과 수소첨가 반응이다. 탈수 및 수소첨가 반응조건과 시약은 (a)에서와 같다.
유기금글 화합물(R-M)과의 커플링 반응을(a)의 (6)에서와 동일한 방법으로 실시한다. 이 반응을 용매중에서 0 ∼ 100℃ 시간 실시한다.
용매의 예로서는 에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르류와, 벤젠, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 이소옥탄 등의 탄화수소류가 있다.
알킬화 반응을 위에 나온 (a)에서의 Wittig 반응과 마찬가지 조건하에서 실시한다.
(2)이어서, (a)의 (3)에서와 마찬가지 방법으로 위의 화합물로부터 보호기(X)를 제거하여 실라시클로헥실페놀 화합물을 얻는다.
(3)수득한 페놀화합물을(a)의 (4)와 마찬가지 방법으로 수소 첨가하여 페닐기를 시클로헥산환으로 전환시킨 다음(a)의 단계를 반복한다.
이러한 종류의 카르복실산은 아래의 구조식(c-1)의 실라시클로티사논 화합물로부터 제조한다.
이 출발 화합물은 위의 (a)에서와 마찬가지로 제조한다.
구조식(c)의 카르복실산은 화합물(c-1)을 사용하여 방향족환 또는 방향족기의 수소첨가 : Wittig 반응 ; 및 수득한 알데히드의 산화의 단계로 된 제조 방법에 따라 제조한다. 그 반응식(c-2)은 아래에 나와 있다.
방향족환의 수소첨가, Wittig 반응 및 알데히드의 산화는 각각 위에 나온 (a) 및 (b)와 마찬가지 방법으로 실시한다.
이러한 종류의 카르복실산은 아래의 구조식(d-1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
화합물(d)는 실라시클로헥사논 화합물(d-1)을 사용하여 케톤의 환원 ; 수득한 2차 알코올의 할로겐화 반응 ;수득한 화합물과 Mg 또는 Li등의 금속과의 커플링 반응에 이어 클로로실란과의 커플링 반응 ; 알릴화 반응 또는 비닐화반응 ; 실라시클로헥사논 화합물로의 전환 ; 및 산화에 의한 카르복실산(d)의 제조로 된 제조방법에 따라 제조한다. 그 반응식(d-2)은 아래와 같다.
위의 반응식(d-2)에서 Y는 Cl, Br등의 할로겐을 나타낸다.
(1)출발물질인 실라시클로헥사논 화합물을 공지의 방법, 예컨대 문헌[實驗化學講座, 제 4 판, 26 권, pp. 159∼266(1992), Maruzen 사 출판]에 기재된 방법에 따라 환원시킨다.
(2)수득한 2차 알코올을 염화 티오닐,오염화인 또는 삼브롬화인 등의 할로겐화제 단독 또는 포스핀류와의 병용에 의해 할로겐화 한다. 병용되는 할로겐화제의 예로서는 CCl4, N-브로모글신이미드, 브롬 등이 있고, 포스핀류의 예로서는 트리페닐포스핀, 트리알킬포스핀 등이 임다. 이 반응을 할로겐화 탄화 수소, 디메틸포름이미드, 테트라히드로푸란, 아세토니트릴 등의 용매중에서 0 ∼ 100℃,바람직하게는 5 - 80℃에서 0.5 ∼ 20시간 실시한다.
(3)수득한 할로겐화 화합물을 Li 또는 Mg존재하에 클로로실란과 커플링시킨다. 이 반응을 에틸 에테르, 테트라히드로프란 등의 에테르류 또는 벤젠, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 이소옥탄 등의 탄화수소류 등의 용매중에서 실시한다. 반응조건으로서는 금속과의 반응인 경우에는 20 ∼ 100℃, 클로로실란과의 커플링 반응인 경우에는 0 ∼ 100℃로 하여 두가지 경우에 대해 모두 0.5 ∼ 10시간 동안 반응시킨다.
(4)수득한 커플링된 화합물을 위의 (d)의 (3)에서와 마찬가지로 마찬가지의 용매와 반응조건을 이용하여 Li 또는 Mg존재하에 염화 알릴 또는 브롬화 알릴등의 알릴화제로 알릴화한다. 또한 커플링된 화합물을 알릴화 반응의 경우와 마찬가지 방법으로 염화 비닐 또는 브롬화 비닐로 비닐화 한다.
(5)알릴화된 화합물을 일본국 특허출원 제 6-78125호(1994년 3월 24일 출원)의 명세서에 기제된 바와 마찬가지로 해서 실라시클로헥사논으로 전환시킨다. 비닐화된 화합물을 일본국 특허출원 제 7-72417 호(1995년 3월 6일 출원)의 명세서에 기재된 바와 마찬가지로 해서 실라시클로헥사논 화합물로 전환시킨다.
(6)이어서 실라시클로헥산을 (a)∼(c)에 나온 Wittig 반응을 통해 상응한 알데히드로 전환시킨 다음 산화하여 상응한 카르복실산을 얻는다.
(8)치환기가 F, Cl 또는 H, 즉 W, W1및/또는 W2= F, Cl 또는 H인 구조식(2)의 카르복실산의 제조방법을 각기 상이한 종류의 실라시클로헥산 화합물(a')∼(d')에 대해 설명한다.
아릴실라시클로헥산으로부터 클로로실라시클로헥산, 플루오로실라시클로헥산 및 히드로실라시클로헥산으로 전환시키는 방법에 대해서는 앞서 설명하였으므로 상이한 종류의 아릴실라시클로헥산 화합물의 제조방법에 대해 아래에 설명한다.
위의 식에서 Ar 은 아릴기이다.
이러한 종류의 카르복실산은 아래의 반응식(a'-1)에 따라 상응한 알데히드로부터 제조한다.
알데히드 화합물은 일본국 특허출원 제 6-182904 호(1994년 7월 12일 출원, 미공개)에 개시된 방법에 따라 제조한다. 알데히드의 산화에 대해서는 위에 나온(A)에서와 같다.
이러한 종류의 실라시클로헥산 화합물은 아래의 구조식(b'-1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
위의 식에서 X 는 (A)-(a)에서 정의한 바 있는 보호기이다.
이 치환된 실라시클로헥사논 화합물(b'-1)은 (A)-(a)에 나온 바와 마찬가지 방법으로 제조한다.
구조식(b')의 화합물은 유기금속 화합물과의 커풀링 반응 : 탈수 및 수소첨가 또는 Wittig 반응 및 수소첨가 ; 보호기 제거 : 페닐기의 수소첨가 : 수득한 2차 알코올의 산화후 Wittig 반응 및 수득한 알데히드의 산화의 단계로 된 제조방법에 따라 제조한다.
그 반응식(b'-2)은 아래와 나와 있다.
위의 식에서 R과 R1는 각각 앞서 정의한 바와 같고, X는 (a')에서와 같은 보호기이다.
이들 반응단계를 출발물질을 (b)의 경우와는 다른 것을 사용하는 외에는 (A)의 (b)에서와 마찬가지 방법으로 실시할 수 있다.
이러한 종류의 카르복실산은 아래의 구조식(c'-1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
이 출발 화합물은 (A)의 (a)에서와 같이해서 제조한다.
구조식(c')의 카르복실산은 화합물(c'-1)을 사용하여 위에 나온(A)의 (c)와 마찬가지 방법으로 제조하는데, 즉, 방향족환의 수소첨가 ; Wittig 반응 ; 수득한 알데히드의 산화의 단계로 된 제조방법에 따라 제조한다.
이러한 종류의 카르복실산은 아래의 구조식(d'-1)의 실라시클로헥사논 화합물로부터 제조한다.
화합물(d')은 실라시클로헥사논 화합물(d'-1)을 사용하고 위에 나온 (A)의 (d)에서 나온 제조방법과 마찬가지 방법으로 제조한다.
구조식(IV)∼(VII)의 실라시클로헥산 화합물의 제조방법은 출발물질인 구조식(2)의 카르복실산 제조방법과 더불어 위에서 설명하였다.
한편, 아래의 구조식(VIIl)∼(XI)의 실라시클로헥산 화합물을 카르복실산과 2차 알코올로 부터 마찬가지로 제조한다.
즉, 아래의 일반 구조식(4)의 카르복실산을 아래의 일반 구조식(5)의 2차 알코올과 반응시키면 구조식(VIIl)∼(XI)의 실라시클로글산 화합물을 제조하게 된다.
위의 식에서 X, L1, L2, R,는 각각 앞서 정의한 바와 같다.
구조식(IV)∼(VII)의 화합물에 대한 방법(1) 및 (2)에서 사용된 에스테르 반응 조건과 시약을 마찬가지로 사용해도 좋다.
구조식(5)의 2 차 알코올은 신규의 중간 화합물인데 그 제조방법에 대해 설명한다.
위에 나온 4-(4-실라시클로헥실)시클로헥실카르복실산과 마찬가지로 구조식(5)의 2차 알코올의 제조방법은 그 종류에 따라 달라진다.
(A') 치환기가 메틸기,즉 W, W1및/또는 W2= CH3인 구조식(5)의 2차 알코올의 제조방법을 각기 상이한 종류의 실리콘 함유 2자 알코올(a)~(d)에 대해 설명한다.
이 화합물은 위에 나온 (A)의 (a)에서의 상응한 산의 제조도중에 제조한다[반응식(a-2)참조].
이러한 종류의 알코올은 (A)의 (b)에서의 상응한 산의 제조도중에 제조한다[반응식(b-2)참조].
이러한 증류의 2 차 알코올은 아래의 구조식(c -1)의 실라시클로헥사논화합물로부터 방향족환의 수소첨가 및 케톤의 환원에 의해 제조한다.
그 반응식은 아래의 (c -2)로 나타낸 바와 같다.
방향족환의 수소첨가는 (A)에서와 마찬가지 방법으로 실시하고, 케톤은 위에 나온 공지의 방법에 따라 환원시킨다.
이 화합물은 (A)의 반응식(d-2)에 나온 케톤화합물을 사용하여 아래의 반응식(d -1)에 따라 제조한다.
이 환원 반응은 위에 나온 공지의 케톤 환원법으로 실시한다.
(B')치환기가 F, Cl 또는 H,즉 W, W1및/또는 W2F, Cl 또는 H 구조식(5)의 2차 알코올의 제조방법을 각기 상이한 종류의 실라시클로헥산 함유 알코올 화합물(a')-(d')에 대해 설명한다. 아릴실라시클로헥산의 클로로실라시클로헥산, 플루오로실라시클로헥산 및 히드로실라시클로헥산으로의 전환방법에 대해서는 위에서 이미 설명하였으므로 구조식(5)의 상이한 종류의 알코올 화합물의 제조방법을 아래에서 설명한다.
이 화합물은 실라시클로헥실시클로헥사논으로부터 아래의 반응식(a'-1)에 따라 환원하여 제조한다.
이 환원 반응은 위에 나온 바와 마찬가지 방법으로 실시한다. 출발 물질의 제조는 일본국 특허출원 제 6-154219 호(1994년 6월 13일 출원, 미공개)에 개시되어 있다.
이 화합물은 반응식(b'-2)에서 나온 바와 같은 상응한 카르복실산 제조도중에 제조한다.
이러한 종류의 2자 알코올은 아래의 구조식(c'-1)의 실라시클로헥사논화합물로부터 방향족환의 수소첨가 및 케톤의 환원에 의하여 제조한다.
수소첨가 및 환원반응은 (c -2)에서와 마찬가지 방법으로 실시한다.
이 화합물은 아래의 반응식(d -1)에 따라(A)의 반응식(d'-2)에 나온 케톤 화합물로부터 제조한다.
이 환원 반응은 위에 나온 바와 마찬가지 방법으로 실시한다.
본 발명의 실라시클로헥산 화합물을 공지의 액정 화합물과 조합하여 적절히 사용함으로써 액정 화합물을 제조한다. 이러한 목적에 적합한 액정 화합물로서는 아래의 일반 구조식(6)과(7)의 화합물들이 있다.
위의 구조식(6)및 (7)에 있어서, R' 는 위에 나온 구조식(I)에서 정의한 바와 같이 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알킬기,탄소원자수 3∼8의 분지쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10의 모노 또는 디플루오로알킬기, 탄소원자수 2∼7 의 알콕시알킬기 또는 탄소원자수 2∼8 의 알케닐기를 나타내고 ; X' 는 앞서 정의한바 있는 X와 동일한데 탄소원자수 1∼ 10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼ 10의 직쇄상 알콕시기, 탄소원자수 2∼ 7의 알콕시 알킬기, CN, F, Cl, CF3, CF2Cl, CHFCI, OCF3, OCF2Cl, OCHFCl, OCHF2, (O)1CY=CX1X2(여기서 1은 0또는 1이고, Y및 X1은 독립하여 H, F 또는 Cl을 나타내고, X2는 H, F 또는 Cl을 나타냄),또는 O(CH2)r(CF2)sX3(여기서 r과 s는 각각 0, 1또는 2인데, 단 r + s = 2, 3 또는 4이고, X3는 H, F 또는 Cl을 나타냄)을 나타내며, Y' 및 Z' 는 독립하여 H 또는 F를 나타내고 : M 및 H은 독립하여, (1)치환된 경우 F, Cl, Br, CN 및 탄소턴자수 1∼ 3 의 알킬기 등의 치환기 하나 이상을 가진 치환 또는 비치환된 트란스-1,4-시클로헥실렌기, (2)시클로헥산환의 서로 인접하지 아니한 CH2단위 하나 또는 CH2단위 두개가 0 또는 S로 치환되는 트란스-1,4-시클로헥실렌기, (3)1,4-시클로헥세닐렌기,(4)치환된 경우 F, Cl, CH3및/또는 CN기 하나 또는 두개를 가진 치환 또는 비치한된 1,4-페닐렌기, 및(5)페닐렌기의 CH 단위 하나 또는 두개가 질소원자로 치환되는 1,4-페닐렌기를 나타내고 ; a와 b는 각각 0, 1또는 2인데, 단 a + b = 1, 2또는 3이고, c는 0, 1또는 2이며 ; Z1및 Z2는 각각 -CH2CH2-, -CH=CH-, -CC-, -CO2-, -OCO-, -CH2O-, -OCH2- 또는 단일 결합을 나타낸다.
위의 식(6)과 (7)에서 a, b 및/또는 c가 2이면 M 및/또는 N은 같거나 상이하고 독립하여 위에 나온 (1)-(5)의 기중에서 선택된다.
단독 또는 조합하여 사용되는 실라시클로헥산 화합물은 액정상(相) 또는 조성물중에 1 ∼ 50몰 %,바람직하게는 5 ∼ 30몰 % 함유되어야 한다. 실제로는 액정 조성물중에는 착색된 게스트-호스트계를 형성할 수 임는 탈중변색 염료와 유전 비등방성을 부여할 수 임는 첨가제, 점도 개질제, 네마틱상의 정열 방향을 변화시키는 첨가제를 추가로 함유해도 좋다.
실제로 본 발명의 화합물 1 종 이상을 함유하는 액정상 또는 조성물은 소요의 형상의 전극을 각각 가진 투명 기판 사이에서 조성물을 가열 밀봉을 액정 표시소자로서 사용된다. 필요한 경우 이소자에는 종래의 여러가지 정열 제어를 위한 오우버코우팅, 언더코우팅, 편광자, 필터 및 반사층을 구성하여도 좋다. 또한 다층셀을 사용하여 본 발명의 화합물을 가하여도 좋다. 액정 표시소자를 기타 종류의 표시소자, 반도체 기판, 광원과 병용하여도 좋다.
△ε 의 값이 (+) 또는 0 에 가까운 본 발명의 화합물에 있어서, 액정 표시 소자는 트위스트 네마틱(TH)계, 슈페트위스트 네마틱(STN)계 또는 게스트-호스트(GH)계에 의하여 작동된다.
△ε 의 값이 (-)인 화합물에 임어서는 동적산란 모우드(DSM)계, 전기제어복굴절(ECB)계, 게스트-호스트(GH)계 등의 공지된 것을 채용해도 좋다. 이하, 본 발명을 실시예에 따라 상세히 설명한다.
[실시예 1]
[4-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-메틸-4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로글산카르복실레이트 제조]
트란스,트란스-4-(4-메틸-4-n-프로필-4-실라시클로글실)시클로헥산카르복실산 12,83g, 4-플루오로페놀 1.30g, 4-디메틸아미노 피리딘 1.50g 및 염차 메틸렌 30ml 로 된 혼합물에 N,N'-디시클로헥실과르보디이미드(DCC) 2.50g 을 실온에서 가하고, 수득한 반응 혼합물을 실온에서 8 시간 교반한 후 생성된 N,N'-디시클로헥실우레아를 여과하여 제거하였다. 여액을 염수로 세척하고 건조 및 농축하여 잔류물을 얻은 다음 실리카 겔 크로마토그래피 처리하여 목적의 화합물 2.82 g(수율 : 75 %)을 얻었다.
[실시예 2]
[4-클로로페닐 트란스,트란스-4-(4-메틸-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
트란스,트란스-4-(4-메틸-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산과 4-클로로페놀을 사용하여 실시예 1 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 3]
[4-n-프로필페닐 트란스,트란스-4-메틸-4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실레이트 제조]
트란스,트란스-4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산과 4-n-프로필페놀을 사용하고 실시예 1 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 4]
[4-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-(4-페닐-4-n-프로필-4-실라시클로비실)시클로헥산카르복실산 3.58g, 트리페닐포스핀 3.0g 및 사염화 탄소 50 ml 로 된 혼합물을 6 시간 환류하에 교반하였다.
이어서 이 혼합물에 4-플루모로페놀 1.50g 과 피리딘 10ml의 혼합물을 가한 다음 4-디메틸아미노피리딘 50mg 을 추가하고 실온에서 18 시간 교반하였다. 수득한 반응 혼합물을 묽은 염산에 부어넣고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 에틸아세테이트 용액을 염수로 세척하고 건조 및 농축한 다음, 수득한 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 4-플루오로페닐 4-(4-페닐-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 3.20 g(수율 : 70 %)을 얻었다. IR 및 NMR분석결과는 아래와 같다.
위에서 제조한 생성물 1.00g과 사염화 탄소 15ml의 혼합물에 1염화요오드 1.0몰의 사염하 탄소 용액 3.5ml을 실온에서 가하고 1시간 교반하였다. 반응 혼합물을 감압하에 농축하여 4-플루오로페닐 4-(4-클로로-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 805mg(수율 : 96 %)을 얻었다. 가스 크로마토그래피-질량분석(GC-MS)결과는 아래와 같다.
수득한 생성물 700mg 을 리등 알루미늄 하이드라이드 200mg 과 테트라히드로푸란 20 ml의 혼합물에 가하고 -20℃ 에서 15분간 고반하였다. 반응 혼합물을 묽은 황산중에 부어넣고 염화 메틸렌으로 추출하였다. 염화 메틸렌 용액을 영수로 세척하고 건조 및 농축한 다음 실리카겔 크로마토그래피로 정제하여 목적의 생성물 228mg(수율 : 36 %)을 얻었다. IR 분석 및 상전이(相轉移) 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 5]
[4-클로로페닐 트란스,트란스-4-플루오로-(4-(3-메틸부틸)시클로헥실)-4-실라시클로 헥산카르복실레이트 제조]
4-클로로페놀과 4-페닐-(4-(3-메틸부틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 6]
[4-시아노페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-시아노페놀과 4-(4-페닐-4-n-펜틸-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 7]
[4-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-(4-페닐 -4-n-펜틸 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고 실시예 4의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 8]
[4-클로로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-클로로페놀을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적으 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 9]
[4-트리플루오로메톡시테닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-트리플루오로메톡시페놀을 사용하고 실시예 4의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 10]
[4-n-펜틸페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-n-펜틸페놀을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 11]
[3,4-디플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
3,4-디플루오로페닐을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 12]
[4-시아노-3-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-시아노-3-플루오로페놀을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 13]
[4-클로로-3-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-클로로-3-폴루오로페놀과 4-플루오로-(4-페닐-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 14]
[4-클로로-3-메틸페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 합성]
4-클로로-3-메틸페놀을 사용하고 실시예 4의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 15]
[3,4,5-트리플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
3,4,5-트리 플루오로페놀과 4-(4-페닐-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시 클로헥산 카르복실산을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 16]
[3,5-디플루오로-4-디플루오로메톡시페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
3,4-디플루오로-4-디플로올메톡시 페놀과 4-플루오로-(4-페닐-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 17]
[4-에톡시-2,3-디플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-에톡시-2,3-디플루오로페놀을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 18]
[4-메톡시페닐 트란스,트란스-4-(4-n-부틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-메톡시페놀과 4-(4-페닐-4-n-부틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 19]
[3,4-디클로로페닐 트란스,트란스-4-(4-(5-메톡시펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
3,4-디클로로페놀과 4-(4-페닐-4-(5-메톡시펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 20]
[4-클로로-2-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-(4-펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-클로로-2-플루오로페놀과 4-(4-페닐-4-(4-펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적와 화합물을 제조하였다.
[실시예 21]
[4-트리플루오로메틸페닐 트란스,트란스-4-(4-(3-메틸부틸)-4-실라시클로헥실)시클로가 산카르복실레이트 제조]
4-트리플루오로메틸페놀과 4-(4-페닐-4-(4-메틸부틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 22]
[4-플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-(5-메톡시펜틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-(4-페닐-4-(5-메톡시펜틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 23]
[3,4-디플루오로페닐 트란스,트란스-4-(4-(4-펜테닐)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실레이트 제조]
3,4-디플루오로페놀과 4-(4-페닐 -4-(4-펜테닐)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 24]
[4-트리플루오로메톡시페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-트리플루오로페놀과 4-(4-페닐-(4-펜틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 25]
[4-시아노페닐 트란스,트란스-4-(4-n-펜틸 -4-실라시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실레이트 제조]
4-시아노페놀과 4-페닐-(4-페닐-4-펜틸 -4-실라시클로헥실)-4-실라시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 26]
[4-(3-메톡시프로필)페닐 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)-4-시클로 헥산카르복실레이트 제조]
4-(3-메톡시프로필)페놀과 4-(4-페닐 -4-프로필-4-실라시클로헥실)-4-시클로헥산카르복실산을 사용하고, 실시예 4 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 27]
트란스-4-(2-(3,4-디플루오로페닐)에틸)-1-부틸시클로헥산 20 몰 %, 4-(트란스-4-(트란스-4-에틸시클로헥실)시클로헥실)-1,2-디플루오로벤젠 32 몰 %, 4-(트란스-4-(트란스-4-n-프로필시클로헥실)시클로헥실)-1,2-디플로오로벤젠 28 몰 % 및 4-(트란스 -4-(트란스 -n-펜틸시클로헥실)시클로헥실)-1,2-디플루오로벤젠 20 몰 % 을 혼합하여 액정혼합물을 제조하였다. 이 혼합물은 아래와 같은 상전이 온도를 나타내었다.
이 혼합물 85 몰 % 을 (4-플루오로페닐) 트란스,트란스-4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산카르복실레이트 15 몰 % 와 혼합하였다. 수득한 혼합물은 네마틱 -등방성상 전이온도가 아래와 같이 보다 고온 영역쪽으로 상승하였다.
[실시예 28]
[트란스,트란스-4-(4-메틸-4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-플루오로벤조에이트제조]
4-플루오로벤조산 1.80g, 트란스-4-(4-메틸-4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥산을 2.54g, 4-디메틸아미노피리딘 1.50g 및 염화 메틸렌 30ml로 된 혼합물에 N,N'-디시클로헥실카르보디이미드(DCC)2.50g 을 실온에서 가하고, 수득한 반응 혼합물을 실온에서 8 시간 교반한 후 생성된 N,N'-디시클로헥실우레아를 여과하여 제거하였다. 여액을 염수로 세척하고 건조 및 농축하여 잔류물을 얻은 다음 실리카 겔 크로마토그래피 처리하여 목적의 화합물 2.12g(수율 : 56 %)을 얻었다.
[실시예 29]
[트란스,트란스-4-(4-메틸-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-클로로벤조에이트 제조]
트란스-4-(4-메틸-4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산올과 4-클로로벤조산을 사용하고, 실시예 28 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 30]
[트란스,트란스-(4-메틸-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-n-프로릴벤조에이트 제조]
트란스,트란스-(4-메틸-4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥산올과 4-n-프로필벤조산을 사용하고, 실시예 28의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 31]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-트리플오로메톡시벤조에이트 제조]
4-(4-페닐-4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥산올 31.7g, 피리딘 150ml 및 4-디메틸아미노피리딘 100mg 의 혼합물에 4-트리플루오로메톡시벤조일 클로라이드 30.9g을 방울씩 가한 다음 실온에서 10시간 교반한 후 반응 혼합물을 묽은 염산에 가하고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 에틸 아세테이트 용액을 염수로 세척하고 건조 및 농축한 다음, 수득한 잔류물을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 4-(4-페닐-4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)4-트리플루오로메톡시벤조에이트 35.8g(수율 : 71 %)을 얻었다. IR 및 NMR 분석결과는 아래와 같다.
위에서 수득한 생성물 10.0g과 사염화 탄소 150ml의 혼합물에 1염화 요오드 1.0몰의 사염화 탄소 용액 25ml을 실온에서 가하고 1시간 교반하였다. 반응 혼합물을 감압하에 농축하여 조(粗)생성물인 4-(4-클로로-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실 4-플루오로메톡시벤조에이트를 얻었다.
수득한 생성물을 리듐 알루미늄 하이드라이드 400mg과 디에틸 에테르 50ml의 혼합물에 -40℃에서 가한 다음 -40℃에서 25분간 교반하였다. 이 반응 화합물을 묽은 황산에 가하고 염화 메틸렌으로 추출하였다. 염화 메틸렌 용액을 염수로 세척하고 건조 및 농축한 다음 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 목적의 생성물 3.40 g(수율 : 40 %)을 얻었다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 32]
[트란스,트란스-(4-플루오로-4-(4-(3-메틸부틸시클로헥실)시클로헥실)-4-실라시클로헥실)4-클로로벤조에이트 제조]
4-클로로벤조산과 4-페닐-4-(4-(3-메틸부틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 33]
[트란스,트란스-(4-(4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)-4-플루오로벤조에이트 제조]
4-(4-페닐-4-n-펜틸 -4-실라시클로헥실)시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 34]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)실라시클로헥실)-4-시아노벤조에이트 제조]
4-시아노벤조산을 사용하고, 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 35]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-클로로벤조에이트 제조]
4-클로로벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 36]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시콘로헥실)-4-플루오로벤조에이트 제조]
4-플루오로벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 37]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-펜틸벤조에이트 제조]
4-펜틸벤조산을 사용하고 실시예 31의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
4-펜틸벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 38]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로이실)시클로헥실)-3,4-디플루오로벤조에이트 제조]
3,4-디플루오로벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다. IR 분석 및 상전이 온도 측정 결과는 아래와 같다.
[실시예 39]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-시아노-3-플루오로벤조에이트 제조]
4-시아노-3-플루오로벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 40]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-클로로-3-플루오로벤조에이트 제조]
4-클로로-3-플루오로벤조산을 사용하고 실시예 31의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 41]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-클로로-3-메틸벤조에이트 제조]
4-클로로-3-메틸벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 42]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-3,4,5-트리풀루오로벤조에이트 제조]
3,4,5-트리플루오로벤즐산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 43]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-3,5-디플루오로-4-디플루오로메톡시벤조에이트 제조]
3,5-디플루오로-4-디플루오로메톡시벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 44]
[트란스,트란스-(4-(4-n-부틸-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-에톡시-2,3-디플루오로벤조에이트 제조]
4-에톡시-2,3-디플루오로벤조산과 4-(4-페닐-4-n-부틸-4-실라시클로헥실)시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 45]
[트란스,트란스-(4-(4-n-부틸-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-메톡시벤조에이트 제조]
4-메톡시벤조산과 4-(4-페닐 -4-n-부틸 -4-실라시클로헥실)시클로헥산온을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 할합물을 제조하였다.
[실시예 46]
[트란스,트란스-(4-(4-(5-메톡시펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥실)3,4-디클로로벤조에이트 제조]
3,4-디클로로벤조산과 4-(4-페닐 -(5-메톡시펜틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산온을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 47]
[트란스-(4-(4-(4-펜테닐)-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-크롤로-2-플루오로벤조에이트 제조]
4-클로로-2-플루오로벤조산과 4-(4-페닐-(4-페닐-(4-펜테닐)-4-실라시클로헥실)시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 48]
[트란스,트란스-(4-(4-(3-메틸부틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-트리플루오로메틸 벤조에이트 제조]
4-트리플루오로벤조산과 4-(4-페닐-(3-메틸부틸)-4-실라시클로헥실)시클로 헥산온을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 49]
[트란스,트란스-(4-(4-(5-메톡시펜틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥실)4-플루오로벤조에이트 제조]
4-플루오로벤조산과 4-(4-(5-메톡시펜틸)시클로헥실)-4-실라시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 50]
[트란스,트란스-(4-(4-(5-펜테닐)시클로헥실-4-실라시클로헥실)-3,4-디플루오로벤에이트 제조]
3,4-디플루오로벤조산과 4-(4-(5-펜테닐)시클로헥실)-4-실라시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 51]
[트란스,트란스-(4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로톡실)-4-트리플루오로메톡시벤조에이트 제조]
4-트리플루오로메톡시벤조산과 4-(4-n-펜틸시클로헥실)-4-실라시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 52]
[트란스,트란스-(4-(4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)-4-실라시클로헥실)-4-시아노벤조에이트 제조]
4-시아노벤조산과 4-(4-페닐 -4-n-펜틸-4-실라시클로헥실)-4-실라시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 53]
[트란스,트란스-(4-(4-n-프로필-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-(메톡시프로필)벤조에이트 제조]
4-(3-메톡시프로필)벤조산을 사용하고 실시예 31 의 방펍을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 54]
[트란스,트란스-(4-(4-4-플루오로부틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥실)-4-트리플루오로메톡시벤조에이트 제조]
4-트리플루오로메톡시벤조산과 4-(4-페닐-4-플루오로부틸)-4-실라시클로헥실)시클로헥산올을 사용하고 실시예 31 의 방법을 반복하여 목적의 화합물을 제조하였다.
[실시예 55]
실시예 27 에서와 마찬가지로 트란스-4-(2-(3,4-디플루오로페닐)에틸)-1-부틸시클로헥산 20 몰 %, 4-(트란스-4-(트란스-4-에틸시클로글실)시클로헥실)시클로헥실)-1,2-디플루오로벤젠 32 물 %, 4-(트란스-4-(트란스-4-n-프로필시클로헥실))-1,2-디플루오로벤젠 28 몰 % 및 4-(트란스-4-(트란스-n-펜틸시클로글실)시클로헥실)-1,2-디플루오로벤젠 20 몰 % 을 혼합하여 액정 혼합물을 제조하였다. 이 혼합물은 아래와 같은 상전이 온도를 나타내었다.
이 혼합물 80 몰 % 을(4-n-프로필 -4-실라시클로헥실)시클로헥실) 4-플루오로 벤조에이트 20몰 %와 혼합하였다. 수득한 혼합물은 네마틱-등방성전이 온도가 아래와 같이 보다 고온 영역폭으로 상승하였다.
위에 나온 각 실시예로부터 알 수 임는 바와 같이 본 발명의 신규의 화합물은 이 신규 화합물을 함유하는 혼합 액정조성물의 점도를 그다지 증대시킴이 없이 비고적 높은 TNI(네마틱-등방성상 전이온도)를 나타낸다. TNI이 높기 때문에 액정 조성물은 보다 고온에서 동작할 수 있어 자랑 탑재 액정 패널 등의 여러가지 분야에서 사용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 아래의 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물
    위의 식에서 R은 탄소원자수 1~10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 3∼8 의 분자쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10 의 모노 또는 디플루오로알킬기, 탄소원자수 2∼7의 알콕시알킬기 또는 탄소원자수 2∼8의 알케닐기를 나타내고,중의 최소한 하나는 1 위치 또는 4 위치의 실리콘이 H, F, Cl 또는 CH3의 치환기를 가진 트란스-1-실라-1,4-시클로헥실렌기 또는 트란스-4-실라-1,4-시클로헥실렌기를 나타내고 나머지는 트란스-1,4-시클로헥실기를 나타내며, L1과 L2는 독립하여 H, F, Cl 또는 CH3를 나타내고, X는 탄소원자수 1~10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 1~10의 직쇄상 알콕시기, 탄소원자수 2~7의 알콕시알킬기, CN, F, Cl, CF3, CF2Cl, CHFCl, OCF3, OCF2Cl, OCHFCl, OCHF2,(O)1CY=CX1X2(여기서 1 은 0 또는 1 이고, Y 및 X1은 독립하여 H,F 또는 Cl을 나타내고, X2는 F 또는 Cl 을 나타냄)또는 O(CH2)r(CF2)sX3(여기서 r과 s는 각각 0,1또는 2인데, 단 r + s = 2,3 또는 4이고, X3는 H,F 또는 Cl을 나타내며, m과 n은 각각 0 또는 1인데, 단 m+n=1임)을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화합물은 일반 구조식(II) 또는 (III) 의 것인 실라시클로헥산 화합물.
    위의 식에서, R, X, L1, L2,는 각각 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화합물은 아래의 구조식의 것인 실라시클로헥산 화합물.
    위의 식에서, R, X, L1및 L2는 각각 제1항에서 정의한 바와 같고, W, W1및 W2는 같거나 상이하고 각각 H, F, Cl 또는 CH3을 나타낸다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화합물은 구조식의 치환를 가진 실라시클로헥산 화합물. [위의 구조식은 아래의 치환기들을 각각 나타낸다.]
  5. 아래의 구조식(I)의 실라시클로헥산 화합물 1종 이상을 함유하는 액정 조성물.
    위의 식에서 R,, L1, L2, X, m 및 n은 각각 제1항에서 정의한 바와 같다.
  6. 제5항에 있어서, 실라시클로헥산 화합물 1종 이상을 1~50 몰% 의 양으로 함유하는 액정 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 아래의 구조식의 화합물로 된 군으로부터 선택되는 화합물 1종 이상을 추가로 함유하는 액정 조성물.
    위의 식에서, R' 는 탄소원자수 1∼10 의 직쇄상 알킬기,탄소원자수 3∼8의 분지쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼10의 모노 또는 디플루오로알킬기, 탄소원자수 2∼7 의 알콕시알킬기 또는 탄소원자수 2∼8 의 알케닐기를 나타내고 ; X' 는 탄소원자수 1∼ 10의 직쇄상 알킬기, 탄소원자수 1∼ 10의 직쇄상 알콕시기, 탄소원자수 2∼ 7의 알콕시 알킬기, CN, F, Cl, CF3, CF2Cl, CHFCI, OCF3, OCF2Cl, OCHFCl, OCHF2, (O)1CY=CX1X2(여기서 1은 0또는 1이고, Y및 X1은 독립하여 H, F 또는 Cl을 나타내고, X2는 H, F 또는 Cl을 나타냄),또는 O(CH2)r(CF2)sX3(여기서 r과 s는 각각 0, 1또는 2인데, 단 r + s = 2, 3 또는 4이고, X3는 H, F 또는 Cl을 나타냄)을 나타내며, Y' 및 Z' 는 독립하여 H 또는 F를 나타내고 : M 및 H은 독립하여, (1) 치환 또는 비치환된 트란스-1,4-시클로헥실렌기, (2)시클로헥산환의 서로 인접하지 아니한 CH2단위 하나 또는 CH2단위 두개가 0 또는 S로 치환되는 트란스-1,4-시클로헥실렌기, (3)1,4-시클로헥세닐렌기, (4)치환된 경우 비치한된 1,4-페닐렌기, 및 (5)페닐렌기의 CH 단위 하나 또는 두개가 질소원자로 치환되는 1,4-페닐렌기를 나타내고 ; a와 b는 각각 0, 1 또는 2인데, 단 a + b = 1, 2또는 3이고, c는 0, 1또는 2이며 ; Z1및 Z2는 각각 -CH2CH2-, -CHCH-, -C=C-, -CO2-, -OCO-, -CH2O-, -OCH2- 또는 단일 결합을 나타낸다.
  8. 제5항 ~ 제7항 중 어느 한 항에서 정의된 조성물을 함유하는 액정 표시소자.
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