JPH08269069A - シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents
シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物Info
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 シラシクロヘキサン環を有する液晶化合物を
提供する。 【構成】 一般式Iのシラシクロヘキサン化合物。 RはC1〜10の直鎖状アルキル基もしくはモノ又はジ
フルオロアルキル基、C3〜8の分枝鎖状アルキル基、
C2〜7のアルコキシアルキル基、又はC2〜8のアル
ケニル基を、 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
基を持つトランス−1−又はトランス−4−シラ−1,
4−シクロへキシレン基を、L1とL2は独立してH、
F、Cl又はCH3を、XはCN、F、Cl、CF3、
CF2Cl、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、O
CHFCl、OCHF2、(O)pCY=CX1X2(p
は0か1、YとX1はH、F又はCl、X2はFかClを
表す。)、C1〜10のアルコキシ基、Rのいずれかで
表わされる基、(O)q(CiHjF2i-j)X3(qは0か
1、iは2〜4、jは0〜2iの整数、X3はH、F又
はClを表す。)を表す。
提供する。 【構成】 一般式Iのシラシクロヘキサン化合物。 RはC1〜10の直鎖状アルキル基もしくはモノ又はジ
フルオロアルキル基、C3〜8の分枝鎖状アルキル基、
C2〜7のアルコキシアルキル基、又はC2〜8のアル
ケニル基を、 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
基を持つトランス−1−又はトランス−4−シラ−1,
4−シクロへキシレン基を、L1とL2は独立してH、
F、Cl又はCH3を、XはCN、F、Cl、CF3、
CF2Cl、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、O
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表す。)、C1〜10のアルコキシ基、Rのいずれかで
表わされる基、(O)q(CiHjF2i-j)X3(qは0か
1、iは2〜4、jは0〜2iの整数、X3はH、F又
はClを表す。)を表す。
Description
【0001】本発明は、新規なシラシクロヘキサン化合
物、その製造方法これを含有する液晶組成物及びこの液
晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。
物、その製造方法これを含有する液晶組成物及びこの液
晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異方性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)及びOMI型(光学的モード干渉
型)等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレー
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
方性及び誘電異方性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)及びOMI型(光学的モード干渉
型)等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレー
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
【0003】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【0004】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【0005】これらの構成成分となり得る液晶化合物を
その機能別に分類すると、以下のように分類することが
できる。 混合液晶組成物の粘度低減、融点降下に寄与する化合
物 混合液晶組成物の電気光学的機能を主に支配する化合
物 混合液晶組成物の透明点上昇に寄与する化合物 混合液晶組成物の屈折率異方性制御に寄与する化合物 混合液晶組成物の着色表示、配向性を制御する化合物
その機能別に分類すると、以下のように分類することが
できる。 混合液晶組成物の粘度低減、融点降下に寄与する化合
物 混合液晶組成物の電気光学的機能を主に支配する化合
物 混合液晶組成物の透明点上昇に寄与する化合物 混合液晶組成物の屈折率異方性制御に寄与する化合物 混合液晶組成物の着色表示、配向性を制御する化合物
【0006】これらの分類のうち、に属する化合物と
しては、従来、エーテル結合を有する以下のようなシク
ロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベンゼン環構造を持
った化合物が知られている。
しては、従来、エーテル結合を有する以下のようなシク
ロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベンゼン環構造を持
った化合物が知られている。
【化20】 (特公平4−60976号公報参照)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつある。特に、低温性能
の向上、車載用ニーズに対応した広域温度範囲化、駆動
電圧の低電圧化等の点について、従来の液晶物質の特性
をさらに上回るものが望まれるようになってきた。
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつある。特に、低温性能
の向上、車載用ニーズに対応した広域温度範囲化、駆動
電圧の低電圧化等の点について、従来の液晶物質の特性
をさらに上回るものが望まれるようになってきた。
【0008】この様な観点から、本発明は、特に、混
合液晶組成物の粘度低減、融点降下に寄与する化合物の
特性向上を目的として新規に開発された液晶物質であ
り、従来のシクロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベン
ゼン環構造を有する液晶化合物とは全く異なるシラシク
ロヘキサン環を有する新規な液晶化合物の提供を目的と
するものである。
合液晶組成物の粘度低減、融点降下に寄与する化合物の
特性向上を目的として新規に開発された液晶物質であ
り、従来のシクロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベン
ゼン環構造を有する液晶化合物とは全く異なるシラシク
ロヘキサン環を有する新規な液晶化合物の提供を目的と
するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下記
一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物であ
る。
一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物であ
る。
【化21】 但し、Rは炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数
3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基又は炭素数1〜10のモノ又はジフルオロ
アルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル基を表す。
3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基又は炭素数1〜10のモノ又はジフルオロ
アルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル基を表す。
【化22】 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレ
ン基を表す。L1及びL2はそれぞれ相互に独立して
H、F、Cl又はCH3を表す。XはCN、F、Cl、
CF3、CF2Cl、CHFCl、OCF3、OCF2
Cl、OCHFCl、OCHF2、(O)pCY=CX1
X2(pは0又は1、Y及びX1はH、F又はCl、X2
はF又はClを表す。)、炭素数1〜10の直鎖状アル
キル基若しくはアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロア
ルキル基、(O)q(CiHjF2i-j)X3(qは0又は
1、iは2、3又は4、jは0から2iの間の任意の整
数、X3はH、F又はClを表す。)又は炭素数2〜8
のアルケニル基を表す。
基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレ
ン基を表す。L1及びL2はそれぞれ相互に独立して
H、F、Cl又はCH3を表す。XはCN、F、Cl、
CF3、CF2Cl、CHFCl、OCF3、OCF2
Cl、OCHFCl、OCHF2、(O)pCY=CX1
X2(pは0又は1、Y及びX1はH、F又はCl、X2
はF又はClを表す。)、炭素数1〜10の直鎖状アル
キル基若しくはアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロア
ルキル基、(O)q(CiHjF2i-j)X3(qは0又は
1、iは2、3又は4、jは0から2iの間の任意の整
数、X3はH、F又はClを表す。)又は炭素数2〜8
のアルケニル基を表す。
【0010】また本発明は、有機金属試薬
【化23】R−Mと
【化24】 (MはMgP(Pはハロゲン原子(好ましくはCl、B
r又はI)を表す。)、ZnP又はLi、Qはハロゲン
原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4のアルコ
キシ基)、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ基、p−トルエンスルホニルオキシ基又はト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。)との炭
素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形成反応に
よることを特徴とする前記一般式(I)で表されるシラ
シクロヘキサン化合物の製造方法である。
r又はI)を表す。)、ZnP又はLi、Qはハロゲン
原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4のアルコ
キシ基)、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ基、p−トルエンスルホニルオキシ基又はト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。)との炭
素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形成反応に
よることを特徴とする前記一般式(I)で表されるシラ
シクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0011】また本発明は、一般式
【化25】 で表されるフェノール化合物と
【化26】 (ここで
【化27】 は1又は4位のケイ素がAr(Arはフェニル基又はト
リル基を表す。)の置換基をもつトランス−1−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との塩基の存在
下でのエーテル結合形成反応により
リル基を表す。)の置換基をもつトランス−1−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との塩基の存在
下でのエーテル結合形成反応により
【化28】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得、続いて、ケ
イ素上の置換基がArである化合物、即ち
イ素上の置換基がArである化合物、即ち
【化29】 が
【化30】 または
【化31】 である化合物を一塩化ヨウ素でデシリレーションして
【化32】 または
【化33】 とし、続いてこの化合物を還元することにより、
【化34】 または
【化35】 である化合物に変換することを特徴とする前記一般式
(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物の製造方法
である。
(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物の製造方法
である。
【0012】また本発明は、一般式
【化36】 で表されるフェノール化合物と、
【化37】 (ここで
【化38】 は1又は4位のケイ素がMeの置換基をもつトランス−
1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−
4−シラ−1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との
塩基の存在下でのエーテル結合形成反応により
1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−
4−シラ−1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との
塩基の存在下でのエーテル結合形成反応により
【化39】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
とする前記一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン
化合物の製造方法である。
とする前記一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン
化合物の製造方法である。
【0013】さらに本発明は、前記一般式(I)で表さ
れるシラシクロヘキサン化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特
徴とする液晶表示素子である。
れるシラシクロヘキサン化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特
徴とする液晶表示素子である。
【0014】本発明の化合物のうち、置換基XがCNで
ある化合物は、互変相転移を示す傾向が強い。また、置
換基XがCN以外の化合物は、単変相転移又は結晶−等
方性液体型転移を示すものが大多数であり、単独では液
晶としての電気光学的特性を示さないが、他の液晶化合
物と共に液晶組成物として使用すると、粘度低減、融点
降下機能を発揮する。
ある化合物は、互変相転移を示す傾向が強い。また、置
換基XがCN以外の化合物は、単変相転移又は結晶−等
方性液体型転移を示すものが大多数であり、単独では液
晶としての電気光学的特性を示さないが、他の液晶化合
物と共に液晶組成物として使用すると、粘度低減、融点
降下機能を発揮する。
【0015】また、本発明は、環構成元素としてSiを
導入したので、液晶組成物の構成成分として用いた場合
には、粘度の低下が図れ、応答速度が向上し、さらに低
温での相溶性が向上する。
導入したので、液晶組成物の構成成分として用いた場合
には、粘度の低下が図れ、応答速度が向上し、さらに低
温での相溶性が向上する。
【0016】一般式(I)のシラシクロヘキサン化合物
において置換基Xがアルキル基及びアルコキシ基のいず
れでもない場合は、上記の利点に加え、さらに、誘電率
異方性が大きいために閾値電圧を低下させる効果を有す
る。
において置換基Xがアルキル基及びアルコキシ基のいず
れでもない場合は、上記の利点に加え、さらに、誘電率
異方性が大きいために閾値電圧を低下させる効果を有す
る。
【0017】置換基Xがアルキル基及びアルコキシ基で
ある液晶化合物は、誘電率異方性がゼロに近いので、動
的散乱(DS)又は整列相の変形(DAP効果)に基づ
く表示用の液晶相に使用することが好ましい。また、X
がそれ以外の化合物は、ねじれネマチックセル又はコレ
ステリック−ネマチック相転移に基づく表示要素で使用
するための大きな正の誘電率異方性を有する液晶相の製
造に使用することが好ましい。
ある液晶化合物は、誘電率異方性がゼロに近いので、動
的散乱(DS)又は整列相の変形(DAP効果)に基づ
く表示用の液晶相に使用することが好ましい。また、X
がそれ以外の化合物は、ねじれネマチックセル又はコレ
ステリック−ネマチック相転移に基づく表示要素で使用
するための大きな正の誘電率異方性を有する液晶相の製
造に使用することが好ましい。
【0018】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の具体例を示して本発明をさらに詳
細に説明する。
クロヘキサン化合物の具体例を示して本発明をさらに詳
細に説明する。
【0019】一般式(I)で表される新規な化合物は、
具体的には以下に示すトランス−1−又はトランス−4
−シラシクロヘキサン環を含む環構造を有するシラシク
ロヘキサン化合物である。
具体的には以下に示すトランス−1−又はトランス−4
−シラシクロヘキサン環を含む環構造を有するシラシク
ロヘキサン化合物である。
【化40】
【化41】
【0020】なお、Rは以下のいずれかの基を表す。 (a)炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (b)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メ
チルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基又は
3−メチルヘプチル基。 (c)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 (d)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。 (e)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (b)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メ
チルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基又は
3−メチルヘプチル基。 (c)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 (d)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。 (e)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。
【0021】WはH、F、Cl又はCH3基を表す。
【0022】L1及びL2はそれぞれ相互に独立してH、
F、Cl又はCH3基を表す。
F、Cl又はCH3基を表す。
【0023】XはCN、F、Cl、CF3、CF2Cl、
CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFCl、O
CHF2、(O)pCY=CX1X2(pは0又は1、Y及
びX1はH、F又はCl、X2はF又はClを表す。)、
炭素数1〜10の直鎖状アルキル基若しくはアルコキシ
基、炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、炭素数1〜
10のモノ又はジフルオロアルキル基、(O)q(CiH
jF2i-j)X3(qは0又は1、iは2、3又は4、jは
0から2iの間の任意の整数、X3はH、F又はClを
表す。)又は以下のいずれかの基を表す。 (f)炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (g)炭素数1〜10の直鎖状アルコキシ基、即ち、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキ
シ基、n−ペントキシ基、n−ヘキシロキシ基、n−ヘ
プチロキシ基、n−オクチロキシ基、n−ノニロキシ基
又はn−デシロキシ基。 (h)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 (i)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。 (j)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。
CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFCl、O
CHF2、(O)pCY=CX1X2(pは0又は1、Y及
びX1はH、F又はCl、X2はF又はClを表す。)、
炭素数1〜10の直鎖状アルキル基若しくはアルコキシ
基、炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、炭素数1〜
10のモノ又はジフルオロアルキル基、(O)q(CiH
jF2i-j)X3(qは0又は1、iは2、3又は4、jは
0から2iの間の任意の整数、X3はH、F又はClを
表す。)又は以下のいずれかの基を表す。 (f)炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (g)炭素数1〜10の直鎖状アルコキシ基、即ち、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキ
シ基、n−ペントキシ基、n−ヘキシロキシ基、n−ヘ
プチロキシ基、n−オクチロキシ基、n−ノニロキシ基
又はn−デシロキシ基。 (h)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 (i)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。 (j)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。
【0024】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
【化42】 としては、以下のものが挙げられる。
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【化51】
【化52】
【化53】
【0025】これらの具体例のうち、特に以下のものが
好ましい。
好ましい。
【0026】環構造については、
【化54】 で表されるものが好ましい。
【0027】Rについては、以下のいずれかの基が好ま
しい。 (k)炭素数2〜7の直鎖状アルキル基、即ち、エチル
基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基又はn−ヘプチル基。 (l)分枝鎖状アルキル基のうち、イソプロピル基、1
−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基又は
2−エチルヘキシル基。 (m)炭素数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基、
即ち、2−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル
基、2−フルオロブチル基、2−フルオロペンチル基、
2−フルオロヘキシル基、2−フルオロヘプチル基、4
−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル基、4−フ
ルオロヘキシル基、4−フルオロヘプチル基、5−フル
オロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−フルオ
ロヘプチル基、6−フルオロヘキシル基、6−フルオロ
ヘプチル基、7−フルオロヘプチル基、2,2−ジフル
オロエチル基、2,2−ジフルオロプロピル基、2,2
−ジフルオロブチル基、2,2−ジフルオロペンチル
基、2,2−ジフルオロヘキシル基、2,2−ジフルオ
ロヘプチル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4−
ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、5,5−ジフルオ
ロペンチル基、5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5
−ジフルオロヘプチル基、6,6−ジフルオロヘキシル
基、6,6−ジフルオロヘプチル基又は7,7−ジフル
オロヘプチル基。 (n)炭素数2〜6のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル
基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシ
エチル基、プロポキシメチル基又はペントキシメチル
基。 (o)アルケニル基のうち、ビニル基、1−プロペニル
基、3−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニ
ル基、4−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、5−ヘキ
セニル基、6−ヘプテニル基又は7−オクテニル基。
しい。 (k)炭素数2〜7の直鎖状アルキル基、即ち、エチル
基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基又はn−ヘプチル基。 (l)分枝鎖状アルキル基のうち、イソプロピル基、1
−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基又は
2−エチルヘキシル基。 (m)炭素数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基、
即ち、2−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル
基、2−フルオロブチル基、2−フルオロペンチル基、
2−フルオロヘキシル基、2−フルオロヘプチル基、4
−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル基、4−フ
ルオロヘキシル基、4−フルオロヘプチル基、5−フル
オロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−フルオ
ロヘプチル基、6−フルオロヘキシル基、6−フルオロ
ヘプチル基、7−フルオロヘプチル基、2,2−ジフル
オロエチル基、2,2−ジフルオロプロピル基、2,2
−ジフルオロブチル基、2,2−ジフルオロペンチル
基、2,2−ジフルオロヘキシル基、2,2−ジフルオ
ロヘプチル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4−
ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、5,5−ジフルオ
ロペンチル基、5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5
−ジフルオロヘプチル基、6,6−ジフルオロヘキシル
基、6,6−ジフルオロヘプチル基又は7,7−ジフル
オロヘプチル基。 (n)炭素数2〜6のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル
基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシ
エチル基、プロポキシメチル基又はペントキシメチル
基。 (o)アルケニル基のうち、ビニル基、1−プロペニル
基、3−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニ
ル基、4−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、5−ヘキ
セニル基、6−ヘプテニル基又は7−オクテニル基。
【0028】WについてはH、F又はCH3基が好まし
い。
い。
【0029】部分骨格構造
【化55】 については、以下のものが好ましい。
【化56】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【0030】なお、上記のうち、
【化63】
【化64】
【化65】 はΔεがゼロ近くの値を示し、
【化66】
【化67】
【化68】 はΔεが負値を示す。
【0031】次に、本発明の前記一般式(I)で表され
るシラシクロヘキサン化合物の製造方法について説明す
る。
るシラシクロヘキサン化合物の製造方法について説明す
る。
【0032】まず、有機金属試薬
【化69】R−Mと
【化70】 (MはMgP(Pはハロゲン原子(好ましくはCl、B
r又はI)を表す。)、ZnP又はLi、Qはハロゲン
原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4のアルコ
キシ基)、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ基、p−トルエンスルホニルオキシ基又はト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。)との反
応において、
r又はI)を表す。)、ZnP又はLi、Qはハロゲン
原子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4のアルコ
キシ基)、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ基、p−トルエンスルホニルオキシ基又はト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。)との反
応において、
【化71】 が
【化72】 (WはH、F、Cl又はCH3基を表す。)である場
合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げら
れ、特にCl、Br、OCH3基又はOCH2CH3基
であれば、この炭素−ケイ素結合形成反応は容易に進行
し、高い収率で目的物を与えるので好ましい。
合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げら
れ、特にCl、Br、OCH3基又はOCH2CH3基
であれば、この炭素−ケイ素結合形成反応は容易に進行
し、高い収率で目的物を与えるので好ましい。
【0033】また、
【化73】 が
【化74】 である場合、この炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として、塩化銅(I)、臭
化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の1
価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅
(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウム
テトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。Qとしてハロゲン原子やスルホニルオキシ基が挙げ
られ、特にBr又はIが高い収率で目的物を与えられる
ため好ましい。これらの反応は0〜150℃のもと、1
〜5時間行われることが好ましい。溶媒としては、通
常、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、diglyme等が挙げられる。
塩の存在下に行われる。銅塩として、塩化銅(I)、臭
化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の1
価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅
(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウム
テトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。Qとしてハロゲン原子やスルホニルオキシ基が挙げ
られ、特にBr又はIが高い収率で目的物を与えられる
ため好ましい。これらの反応は0〜150℃のもと、1
〜5時間行われることが好ましい。溶媒としては、通
常、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、diglyme等が挙げられる。
【0034】また、一般式
【化75】 で表されるフェノール化合物と
【化76】 あるいは
【化77】 で表される化合物(ケイ素上にAr又はMeを有するシ
ラシクロヘキサン化合物)との、塩基の存在下でのエー
テル結合形成反応によっても製造される。
ラシクロヘキサン化合物)との、塩基の存在下でのエー
テル結合形成反応によっても製造される。
【0035】塩基としては、 1)水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシ
ウムのような金属水素化物 2)ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウムt−ブトキシドのようなアルコキシド 3)n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウムのよ
うなアルキルリチウム類 4)炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムのような無機塩基 5)トリエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノ
ピリジンのような有機塩基 を用いることができる。溶媒としてはTHF、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミド、ジメトキシエタン、ジグ
ライム、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
等が挙げられ、室温〜溶媒の還流温度で反応させる。
ウムのような金属水素化物 2)ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウムt−ブトキシドのようなアルコキシド 3)n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウムのよ
うなアルキルリチウム類 4)炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムのような無機塩基 5)トリエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノ
ピリジンのような有機塩基 を用いることができる。溶媒としてはTHF、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミド、ジメトキシエタン、ジグ
ライム、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
等が挙げられ、室温〜溶媒の還流温度で反応させる。
【0036】このうち
【化78】 で表される化合物、即ち一般式(Ia)、(Ib)で表
されるシラシクロヘキサン化合物のうち、W=Arであ
るアリールシラシクロヘキサン化合物は、以下に部分構
造式の反応式で示すように、クロロシラシクロヘキサ
ン、フルオロシラシクロヘキサン、ヒドロシラシクロヘ
キサン化合物に変換される。
されるシラシクロヘキサン化合物のうち、W=Arであ
るアリールシラシクロヘキサン化合物は、以下に部分構
造式の反応式で示すように、クロロシラシクロヘキサ
ン、フルオロシラシクロヘキサン、ヒドロシラシクロヘ
キサン化合物に変換される。
【化79】
【0037】アリールシラシクロヘキサン化合物(一般
式(Ia)、(Ib)においてWがArである化合物)
に一塩化ヨウ素を反応させると、ハロデシリレーション
反応によりクロロシラシクロヘキサン化合物(一般式
(Ia)、(Ib)においてWがClである化合物)が
得られる。このデシリレーション反応は、好ましくは0
〜80℃、更に好ましくは10〜40℃で行われるとよ
い。溶媒としては、ハロゲン化炭化水素がよく、具体的
にはクロロメチレン、クロロホルム、四塩化炭素等が挙
げられる。
式(Ia)、(Ib)においてWがArである化合物)
に一塩化ヨウ素を反応させると、ハロデシリレーション
反応によりクロロシラシクロヘキサン化合物(一般式
(Ia)、(Ib)においてWがClである化合物)が
得られる。このデシリレーション反応は、好ましくは0
〜80℃、更に好ましくは10〜40℃で行われるとよ
い。溶媒としては、ハロゲン化炭化水素がよく、具体的
にはクロロメチレン、クロロホルム、四塩化炭素等が挙
げられる。
【0038】得られたクロロシラシクロヘキサン化合物
に、フッ化セシウム、フッ化銅(I)、フッ化アンチモ
ン、フッ化亜鉛、フッ化カルシウム、テトラ−n−ブチ
ルアンモニウムフルオリド等のフッ化物塩を反応させる
と、フルオロシラシクロヘキサン化合物(一般式(I
a)、(Ib)においてWがFである化合物)が得られ
る。フッ素化は、好ましくは0℃〜溶媒の還流温度で行
われるとよい。溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベ
ンゼン、トルエン等が挙げられる。
に、フッ化セシウム、フッ化銅(I)、フッ化アンチモ
ン、フッ化亜鉛、フッ化カルシウム、テトラ−n−ブチ
ルアンモニウムフルオリド等のフッ化物塩を反応させる
と、フルオロシラシクロヘキサン化合物(一般式(I
a)、(Ib)においてWがFである化合物)が得られ
る。フッ素化は、好ましくは0℃〜溶媒の還流温度で行
われるとよい。溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベ
ンゼン、トルエン等が挙げられる。
【0039】また、得られたクロロシラシクロヘキサン
化合物に、CH3M(MはMgP(Pはハロゲン原子を
表す。)、ZnP又はLiを表す。)を反応させると、
メチルシラシクロヘキサン化合物(一般式(Ia)、
(Ib)においてWがCH3である場合。)が得られ
る。
化合物に、CH3M(MはMgP(Pはハロゲン原子を
表す。)、ZnP又はLiを表す。)を反応させると、
メチルシラシクロヘキサン化合物(一般式(Ia)、
(Ib)においてWがCH3である場合。)が得られ
る。
【0040】また、クロロシラシクロヘキサン化合物又
はフルオロシラシクロヘキサン化合物を、水素化ナトリ
ウム、水素化カルシウム、トリアルキルシラン類、ボラ
ン類、ジアルキルアルミニウム等の金属水素化物、水素
化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水
素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホ
ウ素トリブチルアンモニウム等の錯水素化化合物(Co
mplex hydride)類等と温和な条件で反応
させると、ヒドロシラシクロヘキサン化合物(一般式
(Ia)、(Ib)においてWがHである化合物)が得
られる。このような還元反応は、好ましくは−50℃〜
100℃で、更には−20℃〜70℃で行われるとよ
い。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素類等が挙げられる。
はフルオロシラシクロヘキサン化合物を、水素化ナトリ
ウム、水素化カルシウム、トリアルキルシラン類、ボラ
ン類、ジアルキルアルミニウム等の金属水素化物、水素
化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水
素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホ
ウ素トリブチルアンモニウム等の錯水素化化合物(Co
mplex hydride)類等と温和な条件で反応
させると、ヒドロシラシクロヘキサン化合物(一般式
(Ia)、(Ib)においてWがHである化合物)が得
られる。このような還元反応は、好ましくは−50℃〜
100℃で、更には−20℃〜70℃で行われるとよ
い。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素類等が挙げられる。
【0041】以上の反応で得られた生成物が立体異性体
の混合物になっている場合、再結晶、クロマトグラフィ
ー等の常法の精製手段によりトランス体を分離、精製し
て目的物を得る。
の混合物になっている場合、再結晶、クロマトグラフィ
ー等の常法の精製手段によりトランス体を分離、精製し
て目的物を得る。
【0042】次に出発物質の製造方法について説明す
る。すなわち、[化70]で表される化合物は、以下の
ようにして製造される。
る。すなわち、[化70]で表される化合物は、以下の
ようにして製造される。
【0043】出発原料であるアルデヒド化合物は特願平
6−123208に記載されている。上記出発原料をも
とに還元した後、ハロゲン化/スルホニル化し塩基の存
在下でフェノール化合物と反応させ、更には特願平6−
205931に記載の凝縮反応(a−1)によりシラシ
クロヘキサン化合物(a)が得られる。
6−123208に記載されている。上記出発原料をも
とに還元した後、ハロゲン化/スルホニル化し塩基の存
在下でフェノール化合物と反応させ、更には特願平6−
205931に記載の凝縮反応(a−1)によりシラシ
クロヘキサン化合物(a)が得られる。
【化80】
【0044】出発原料であるシラシクロヘキサノン化合
物は特願平7−78125に記載されている。上記シラ
シクロヘキサノンをもとに還元し、ハロゲン化(ブロム
化、ヨード化)し、更に特願平6−205931記載の
ハロゲン化を含む凝縮反応(b−1)を全てエーテル化
合物と反応させ、シラシクロヘキサン化合物(b)が得
られる。
物は特願平7−78125に記載されている。上記シラ
シクロヘキサノンをもとに還元し、ハロゲン化(ブロム
化、ヨード化)し、更に特願平6−205931記載の
ハロゲン化を含む凝縮反応(b−1)を全てエーテル化
合物と反応させ、シラシクロヘキサン化合物(b)が得
られる。
【化81】
【0045】
【化82】 は、以下の[化83]又は[化84]のようにして製造
される。
される。
【化83】
【化84】
【0046】
【化85】 は、以下のようにして製造される。
【化86】 (MはMgP(Pはハロゲンを表す。)、ZnP又はL
iを表す。)具体的には、以下の[化87]又は[化8
8]のようにして製造される。
iを表す。)具体的には、以下の[化87]又は[化8
8]のようにして製造される。
【化87】
【化88】
【0047】本発明のシラシクロヘキサン化合物と混合
して液晶相を形成するために用いられる既知の化合物
は、以下のものから選択される。
して液晶相を形成するために用いられる既知の化合物
は、以下のものから選択される。
【化89】
【化90】
【0048】なお、[化89]及び[化90]におい
て、(L)及び(N)は以下の〜のいずれかを表
す。 無置換又は置換基として1個又は2個以上のF、C
l、Br、CN、アルキル基を有するトランス−1,4
−シクロヘキシレン基。 シクロヘキサン環中の1個又は隣接していない2個の
CH2基がO又はSに置き換えられているトランス−
1,4−シクロヘキシレン基。 1,4−シクロヘキセニレン基。 無置換又は置換基として1個又は2個のF、Cl、C
H3又はCN基を有する1,4−フェニレン基。 環中の1個又は2個のCH基がN原子により置き換え
られている1,4−フェニレン基。
て、(L)及び(N)は以下の〜のいずれかを表
す。 無置換又は置換基として1個又は2個以上のF、C
l、Br、CN、アルキル基を有するトランス−1,4
−シクロヘキシレン基。 シクロヘキサン環中の1個又は隣接していない2個の
CH2基がO又はSに置き換えられているトランス−
1,4−シクロヘキシレン基。 1,4−シクロヘキセニレン基。 無置換又は置換基として1個又は2個のF、Cl、C
H3又はCN基を有する1,4−フェニレン基。 環中の1個又は2個のCH基がN原子により置き換え
られている1,4−フェニレン基。
【0049】Z’及びZ”は、−CH2CH2−、−CH
=CH−、−C≡C−、−CO2−、−OCO−、−C
H2O−、−OCH2−又は単結合を表す。
=CH−、−C≡C−、−CO2−、−OCO−、−C
H2O−、−OCH2−又は単結合を表す。
【0050】r及びsは0、1又は2(但し、r+s=
1、2、3)、tは0、1又は2である。
1、2、3)、tは0、1又は2である。
【0051】R’は炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7
のアルコキシアルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル
基を表す。
基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7
のアルコキシアルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル
基を表す。
【0052】X’はCN、F、Cl、CF3、CF2C
l、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFC
l、OCHF2、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基若
しくはアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシアルキ
ル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基
又は炭素数2〜8のアルケニル基を表す。
l、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFC
l、OCHF2、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基若
しくはアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシアルキ
ル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基
又は炭素数2〜8のアルケニル基を表す。
【0053】Y’及びZはそれぞれ相互に独立してH又
はFを表す。
はFを表す。
【0054】なお、上記においてr及びtがいずれも2
の場合には(M)中に、sが2の場合には(N)中に、
それぞれ異種環を含んでいてもよい。
の場合には(M)中に、sが2の場合には(N)中に、
それぞれ異種環を含んでいてもよい。
【0055】液晶相中における本発明のシラシクロヘキ
サン化合物の割合は、その1種又は2種以上を1〜50
mol%、好ましくは5〜30mol%含有される。ま
た、液晶相には着色ゲスト−ホスト系を生成するための
一般式
サン化合物の割合は、その1種又は2種以上を1〜50
mol%、好ましくは5〜30mol%含有される。ま
た、液晶相には着色ゲスト−ホスト系を生成するための
一般式
【化91】 (式中、R’及びR'''は、置換又は非置換のアルキル
基又はジアルキルアミノ基であり、置換アルキル基の場
合には、複数のフッ素原子で置換されたもの又は鎖中の
隣接しない−CH2−が、O、S、NH、SO2、O
2C、あるいは、
基又はジアルキルアミノ基であり、置換アルキル基の場
合には、複数のフッ素原子で置換されたもの又は鎖中の
隣接しない−CH2−が、O、S、NH、SO2、O
2C、あるいは、
【化92】 または
【化93】 で置換されたものを表す。Z1〜Z9は、水素、メチル
基、メトキシ基(好ましくは炭素数1〜4のメトキシ
基)、ハロゲン基を表す。また、Z1とZ2、Z4とZ5、
Z7とZ8は、互いに連結して脂肪族環、芳香族環、又
は、含窒素芳香環を形成することができる。Y1 は、フ
ルオロアルキル基を表す。a=0、1、2、b=0、
1、2、c=0、1を表すが、b=0のときは必ず、c
=0となる。)で表されるアゾ色素、あるいは、一般式
基、メトキシ基(好ましくは炭素数1〜4のメトキシ
基)、ハロゲン基を表す。また、Z1とZ2、Z4とZ5、
Z7とZ8は、互いに連結して脂肪族環、芳香族環、又
は、含窒素芳香環を形成することができる。Y1 は、フ
ルオロアルキル基を表す。a=0、1、2、b=0、
1、2、c=0、1を表すが、b=0のときは必ず、c
=0となる。)で表されるアゾ色素、あるいは、一般式
【化94】 (式中、X1〜X5は、H、OH、ハロゲン、CN、非置
換又は置換基含有アミノ基、非置換又は置換基含有カル
ボン酸エステル、非置換又は置換基含有フェニルオキシ
基、非置換又は置換基含有ベンジル基、非置換又は置換
基含有フェニルチオ基、非置換又は置換基含有フェニル
基、非置換又は置換基含有シクロヘキシルオキシカルボ
ニル基、あるいは、非置換又は置換基含有ピリジルもし
くはピリミジル基を表す。)で表されるアントラキノン
系色素といった多色性染料或いは誘電異方性、粘度、ネ
マチック相の配向を変えるための添加剤を含むことがで
きる。
換又は置換基含有アミノ基、非置換又は置換基含有カル
ボン酸エステル、非置換又は置換基含有フェニルオキシ
基、非置換又は置換基含有ベンジル基、非置換又は置換
基含有フェニルチオ基、非置換又は置換基含有フェニル
基、非置換又は置換基含有シクロヘキシルオキシカルボ
ニル基、あるいは、非置換又は置換基含有ピリジルもし
くはピリミジル基を表す。)で表されるアントラキノン
系色素といった多色性染料或いは誘電異方性、粘度、ネ
マチック相の配向を変えるための添加剤を含むことがで
きる。
【0056】このようにして形成された液晶相は、所望
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
【0057】また、液晶表示素子の駆動方法としては、
本発明の化合物中のΔεが正又はゼロに近い化合物につ
いては、ツイステッドネマチック(TN)方式、スーパ
ーツイステッドネマチック(STN)方式、ゲスト−ホ
スト(GH)方式が採用され、本発明の化合物中のΔε
が負の化合物については、ダイナミックスキャタリング
(DSM)方式、電界制御複屈折(ECB)方式、ゲス
ト−ホスト(GH)方式等、液晶表示素子の業界で公知
の方式を採用することができる。
本発明の化合物中のΔεが正又はゼロに近い化合物につ
いては、ツイステッドネマチック(TN)方式、スーパ
ーツイステッドネマチック(STN)方式、ゲスト−ホ
スト(GH)方式が採用され、本発明の化合物中のΔε
が負の化合物については、ダイナミックスキャタリング
(DSM)方式、電界制御複屈折(ECB)方式、ゲス
ト−ホスト(GH)方式等、液晶表示素子の業界で公知
の方式を採用することができる。
【0058】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【0059】[実施例1] トランス−4−(3,4−ジフルオロフェニルオキシメ
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの
製造 マグネシウム0.5g(21mmol)及びテトラヒド
ロフラン(以下「THF」と略す。)50mlの混合物
に、n−ペンチルブロマイド3.0g(20mmol)
を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を
4−(3,4−ジフルオロフェニルオキシメチル)−1
−クロロ−1−シラシクロヘキサン5.5g(20mm
ol)のTHF溶液50mlに滴下して粗生成物を得
た。このものは、シラシクロヘキサン環に関してトラン
ス体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これ
らをカラムクロマトグラフフィーにより分離して、トラ
ンス体の目的物5.6g(収率89%)を得た。 TCI=−9.1℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1516,1468,1213,1205,116
1,978,891,831cm-1
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの
製造 マグネシウム0.5g(21mmol)及びテトラヒド
ロフラン(以下「THF」と略す。)50mlの混合物
に、n−ペンチルブロマイド3.0g(20mmol)
を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を
4−(3,4−ジフルオロフェニルオキシメチル)−1
−クロロ−1−シラシクロヘキサン5.5g(20mm
ol)のTHF溶液50mlに滴下して粗生成物を得
た。このものは、シラシクロヘキサン環に関してトラン
ス体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これ
らをカラムクロマトグラフフィーにより分離して、トラ
ンス体の目的物5.6g(収率89%)を得た。 TCI=−9.1℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1516,1468,1213,1205,116
1,978,891,831cm-1
【0060】実施例1と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【0061】[実施例2]4−(3,4,5−トリフル
オロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(3,4,5−トリフルオ
ロフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
オロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(3,4,5−トリフルオ
ロフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
【0062】[実施例3]4−(4−クロロ−3−フル
オロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−クロロ−3−フルオ
ロフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
オロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−クロロ−3−フルオ
ロフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
【0063】[実施例4]4−(4−クロロ−フルオロ
フェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシクロ
ヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施例1
に基づきトランス−4−(4−クロロフェニルオキシメ
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。 TCI=19.5℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1493,1466,1246,970,889,
822cm-1
フェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−シラシクロ
ヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施例1
に基づきトランス−4−(4−クロロフェニルオキシメ
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。 TCI=19.5℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1493,1466,1246,970,889,
822cm-1
【0064】[実施例5]4−(4−シアノフェニルオ
キシメチル)−1−クロロ−1−フルオロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ペンチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−シアノフェニルオキ
シメチル)−1−フルオロ−1−n−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
キシメチル)−1−クロロ−1−フルオロ−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ペンチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−シアノフェニルオキ
シメチル)−1−フルオロ−1−n−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
【0065】[実施例6]4−(4−フルオロフェニル
オキシメチル)−1−クロロ−1−シラシクロヘキサン
及びn−ペンチルブロマイドを用い、実施例1に基づき
トランス−4−(4−フルオロフェニルオキシメチル)
−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。 TCI=19.4℃ 、TNI=−43.1℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1506,1468,1250,1219,97
0,889,825cm-1
オキシメチル)−1−クロロ−1−シラシクロヘキサン
及びn−ペンチルブロマイドを用い、実施例1に基づき
トランス−4−(4−フルオロフェニルオキシメチル)
−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。 TCI=19.4℃ 、TNI=−43.1℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1506,1468,1250,1219,97
0,889,825cm-1
【0066】[実施例7]4−(4−メトキシフェニル
オキシメチル)−1−クロロ−1−メチル−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−メトキシフェニルオ
キシメチル)−1−メチル−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
オキシメチル)−1−クロロ−1−メチル−1−シラシ
クロヘキサン及びn−ヘプチルブロマイドを用い、実施
例1に基づきトランス−4−(4−メトキシフェニルオ
キシメチル)−1−メチル−1−n−ヘプチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。
【0067】[実施例8]4−(4−クロロ−3,5−
ジフルオロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−
シラシクロヘキサン及び3−メチルブチルブロマイドを
用い、実施例1に基づきトランス−4−(4−クロロ−
3,5−ジフルオロフェニルオキシメチル)−1−(3
−メチルブチル)−1−シラシクロヘキサンを得た。
ジフルオロフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1−
シラシクロヘキサン及び3−メチルブチルブロマイドを
用い、実施例1に基づきトランス−4−(4−クロロ−
3,5−ジフルオロフェニルオキシメチル)−1−(3
−メチルブチル)−1−シラシクロヘキサンを得た。
【0068】[実施例9] トランス−4−(4−トリフルオロメトキシフェニルオ
キシメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−
1−シラシクロヘキサン6.8g(20mmol)と4
−トリフルオロメトキシフェノール3.6g(20mm
ol)及びDMF(ジメチルホルムアミド)50mlの
混合物に炭酸カリウム8.3(60mmol)を添加し
て10時間加熱還流した。反応混合物を常法により後処
理した後、クロマトグラフィーにより精製して、4−
(4−トリフルオロメトキシフェニルオキシメチル)−
1−n−ペンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキ
サン6.4g(収率73%)を得た。 IR(液膜)νmax:2918,2856,150
6,1468,1267,1246,1200,116
5,968,827cm-1 1 H−NMR(CDCl3)δ:0.6−2.3ppm
(20H,m),3.6−3.8ppm(2H,d,
d),6.7−7.0ppm(2H,m),7.0−
7.2ppm(2H,m),7.3−7.6ppm(5
H,m)
キシメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−
1−シラシクロヘキサン6.8g(20mmol)と4
−トリフルオロメトキシフェノール3.6g(20mm
ol)及びDMF(ジメチルホルムアミド)50mlの
混合物に炭酸カリウム8.3(60mmol)を添加し
て10時間加熱還流した。反応混合物を常法により後処
理した後、クロマトグラフィーにより精製して、4−
(4−トリフルオロメトキシフェニルオキシメチル)−
1−n−ペンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキ
サン6.4g(収率73%)を得た。 IR(液膜)νmax:2918,2856,150
6,1468,1267,1246,1200,116
5,968,827cm-1 1 H−NMR(CDCl3)δ:0.6−2.3ppm
(20H,m),3.6−3.8ppm(2H,d,
d),6.7−7.0ppm(2H,m),7.0−
7.2ppm(2H,m),7.3−7.6ppm(5
H,m)
【0069】このもの0.87g(2.0mmol)と
四塩化炭素15mlの混合物に、室温で1.0Mの一塩
化ヨウ素の四塩化炭素溶液2.5mlを加えて1時間攪
拌した。反応混合物を減圧濃縮して4−(4−トリフル
オロメトキシフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1
−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン0.76g
(収率96%)を得た。 GC−MS(m/2)+:394,323,287,2
05,147,119
四塩化炭素15mlの混合物に、室温で1.0Mの一塩
化ヨウ素の四塩化炭素溶液2.5mlを加えて1時間攪
拌した。反応混合物を減圧濃縮して4−(4−トリフル
オロメトキシフェニルオキシメチル)−1−クロロ−1
−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン0.76g
(収率96%)を得た。 GC−MS(m/2)+:394,323,287,2
05,147,119
【0070】このもの0.39g(1.0mmol)を
水素化リチウムアルミニウム100mgとTHF20m
lの混合物に加え、−20℃で15分間攪拌した。反応
混合物を希塩酸にあけ、常法により後処理した。この粗
成生物は、シラシクロヘキサン環に関してトランス体と
シス体の混合物であるので、これらをクロマトグラフィ
ーにより分離して、トランス体の目的物0.20g(収
率55%)を得た。 TCI=15.3℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1508,1468,1246,1200,116
3,891,829cm-1
水素化リチウムアルミニウム100mgとTHF20m
lの混合物に加え、−20℃で15分間攪拌した。反応
混合物を希塩酸にあけ、常法により後処理した。この粗
成生物は、シラシクロヘキサン環に関してトランス体と
シス体の混合物であるので、これらをクロマトグラフィ
ーにより分離して、トランス体の目的物0.20g(収
率55%)を得た。 TCI=15.3℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1508,1468,1246,1200,116
3,891,829cm-1
【0071】実施例9と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【0072】[実施例10]4−トリフルオロメトキシ
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−トリフルオロメトキシフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−トリフルオロメトキシフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
【0073】[実施例11]3,4−ジフルオロフェノ
ール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フ
ェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(3,4−ジフルオロフェニルオキシメ
チル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。
ール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フ
ェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(3,4−ジフルオロフェニルオキシメ
チル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。
【0074】[実施例12]3−フルオロ−4−トリフ
ルオロメトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−
n−ヘプチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサン
から実施例9に基づきトランス−4−(3−フルオロ−
4−トリフルオロメトキシフェニルオキシメチル)−1
−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
ルオロメトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−
n−ヘプチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサン
から実施例9に基づきトランス−4−(3−フルオロ−
4−トリフルオロメトキシフェニルオキシメチル)−1
−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
【0075】[実施例13]3,5−ジフルオロ−4−
ジフルオロメトキシフェノール及び4−ブロモメチル−
1−n−ヘプチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキ
サンから実施例9に基づきトランス−4−(3,5−ジ
フルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニルオキシメチ
ル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
ジフルオロメトキシフェノール及び4−ブロモメチル−
1−n−ヘプチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキ
サンから実施例9に基づきトランス−4−(3,5−ジ
フルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニルオキシメチ
ル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
【0076】[実施例14]4−n−プロピルフェノー
ル及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェ
ニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきト
ランス−4−(4−n−プロピルフェニルオキシメチ
ル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
ル及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェ
ニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきト
ランス−4−(4−n−プロピルフェニルオキシメチ
ル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
【0077】[実施例15]2,3−ジフルオロ−4−
エトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−ヘプチ
ル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例
9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−
エトキシフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−
1−シラシクロヘキサンを得た。
エトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−ヘプチ
ル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例
9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−
エトキシフェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−
1−シラシクロヘキサンを得た。
【0078】[実施例16]2,3−ジフルオロ−4−
エトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ペ
ンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実
施例9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオロ−
4−エトキシフェニルオキシメチル)−1−n−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサンを得た。 TCI=17.4℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1508,1468,1273,1068,98
5,891,833cm−1
エトキシフェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ペ
ンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実
施例9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオロ−
4−エトキシフェニルオキシメチル)−1−n−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサンを得た。 TCI=17.4℃ IR(液膜)νmax=2918,2854,210
0,1508,1468,1273,1068,98
5,891,833cm−1
【0079】[実施例17]4−トリフルオロメチルフ
ェノール及び4−ブロモメチル−1−(5−メトキシペ
ンチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサンから
実施例9に基づきトランス−4−(4−トリフルオロメ
チルフェニルオキシメチル)−1−(5−メトキシペン
チル)−4−シラシクロヘキサンを得た。
ェノール及び4−ブロモメチル−1−(5−メトキシペ
ンチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサンから
実施例9に基づきトランス−4−(4−トリフルオロメ
チルフェニルオキシメチル)−1−(5−メトキシペン
チル)−4−シラシクロヘキサンを得た。
【0080】[実施例18]4−エトキシフェノール及
び4−ブロモメチル−1−(4−ペンテニル)−4−フ
ェニル−4−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(4−エトキシフェニルオキシメチル)
−1−(4−ペンテニル)−4−シラシクロヘキサンを
得た。
び4−ブロモメチル−1−(4−ペンテニル)−4−フ
ェニル−4−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(4−エトキシフェニルオキシメチル)
−1−(4−ペンテニル)−4−シラシクロヘキサンを
得た。
【0081】[実施例19]4−ジフルオロメトキシフ
ェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−4
−フェニル−4−シラシクロヘキサンから実施例9に基
づきトランス−4−(4−ジフルオロメトキシフェニル
オキシメチル)−1−n−ヘプチル−4−シラシクロヘ
キサンを得た。
ェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−4
−フェニル−4−シラシクロヘキサンから実施例9に基
づきトランス−4−(4−ジフルオロメトキシフェニル
オキシメチル)−1−n−ヘプチル−4−シラシクロヘ
キサンを得た。
【0082】[実施例20]4−シアノ−3−フルオロ
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−シアノ−3−フルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−シアノ−3−フルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
【0083】[実施例21]2,3−ジフルオロ−4−
n−プロピルフェノール及び4−ブロモメチル−1−n
−ペンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンか
ら実施例9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオ
ロ−4−n−プロピルフェニルオキシメチル)−1−n
−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
n−プロピルフェノール及び4−ブロモメチル−1−n
−ペンチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンか
ら実施例9に基づきトランス−4−(2,3−ジフルオ
ロ−4−n−プロピルフェニルオキシメチル)−1−n
−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
【0084】[実施例22]4−クロロ−2−フルオロ
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−クロロ−2−フルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
フェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−
1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に
基づきトランス−4−(4−クロロ−2−フルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。
【0085】[実施例23]4−クロロ−3−メチルフ
ェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1
−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基
づきトランス−4−(4−クロロ−3−メチルフェニル
オキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘ
キサンを得た。
ェノール及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1
−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基
づきトランス−4−(4−クロロ−3−メチルフェニル
オキシメチル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘ
キサンを得た。
【0086】[実施例24]3,4−ジフルオロフェノ
ール及び4−ブロモメチル−1−(4−フルオロブチ
ル)−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施
例9に基づきトランス−4−(3,4−ジフルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−(4−フルオロブチル)−1
−シラシクロヘキサンを得た。
ール及び4−ブロモメチル−1−(4−フルオロブチ
ル)−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンから実施
例9に基づきトランス−4−(3,4−ジフルオロフェ
ニルオキシメチル)−1−(4−フルオロブチル)−1
−シラシクロヘキサンを得た。
【0087】[実施例25]3,4,5−トリフルオロ
フェノール及び4−ブロモメチル−1−(4−フルオロ
ペンチル)−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンか
ら実施例9に基づきトランス−4−(3,4,5−トリ
フルオロフェニルオキシメチル)−1−(4−フルオロ
ペンチル)−1−シラシクロヘキサンを得た。
フェノール及び4−ブロモメチル−1−(4−フルオロ
ペンチル)−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンか
ら実施例9に基づきトランス−4−(3,4,5−トリ
フルオロフェニルオキシメチル)−1−(4−フルオロ
ペンチル)−1−シラシクロヘキサンを得た。
【0088】[実施例26]3,5−ジフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)フェノール及び4−ブ
ロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−1−シ
ラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス−4−
(3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオロエト
キシ)フェニルオキシメチル)−1−n−ペンチル)−
1−シラシクロヘキサンを得た。
(2,2−ジフルオロエトキシ)フェノール及び4−ブ
ロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−1−シ
ラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス−4−
(3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオロエト
キシ)フェニルオキシメチル)−1−n−ペンチル)−
1−シラシクロヘキサンを得た。
【0089】[実施例27]3−フルオロ−4−(2,
2,3,3,3−ペンタフルオロプロポキシ)フェノー
ル及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フェ
ニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきト
ランス−4−(3−フルオロ−4−(2,2,3,3,
3−ペンタフルオロプロポキシ)フェニルオキシメチ
ル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
2,3,3,3−ペンタフルオロプロポキシ)フェノー
ル及び4−ブロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フェ
ニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきト
ランス−4−(3−フルオロ−4−(2,2,3,3,
3−ペンタフルオロプロポキシ)フェニルオキシメチ
ル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。
【0090】[実施例28]3−フルオロ−4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)フェノール及び4−ブ
ロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フェニル−1−シ
ラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス−4−
(3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエト
キシ)フェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1
−シラシクロヘキサンを得た。
2,2−トリフルオロエトキシ)フェノール及び4−ブ
ロモメチル−1−n−ヘプチル−1−フェニル−1−シ
ラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス−4−
(3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエト
キシ)フェニルオキシメチル)−1−n−ヘプチル−1
−シラシクロヘキサンを得た。
【0091】[実施例29]3,5−ジフルオロ−4−
(2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシ)フェノ
ール及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フ
ェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(3,5−ジフルオロ−4−(2,2,
3,3−テトラフルオロプロポキシ)フェニルオキシメ
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。
(2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシ)フェノ
ール及び4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フ
ェニル−1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づき
トランス−4−(3,5−ジフルオロ−4−(2,2,
3,3−テトラフルオロプロポキシ)フェニルオキシメ
チル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。
【0092】[実施例30]3,5−ジフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエテニルオキシ)フェノール及び
4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−
1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス
−4−(3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオ
ロエテニルオキシ)フェニルオキシメチル)−1−n−
ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
(2,2−ジフルオロエテニルオキシ)フェノール及び
4−ブロモメチル−1−n−ペンチル−1−フェニル−
1−シラシクロヘキサンから実施例9に基づきトランス
−4−(3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオ
ロエテニルオキシ)フェニルオキシメチル)−1−n−
ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
【0093】[実施例31] 「液晶組成物実施例」4−(4−(trans−4−エ
チルシクロヘキシル)−trans−4−シクロヘキシ
ル)−1,2−ジフルオロベンゼン40モル%、4−
(4−(trans−4−n−プロピルシクロヘキシ
ル)−trans−4−シクロヘキシル)−1,2−ジ
フルオロベンゼン35モル%及び4−(4−(tran
s−4−n−ペンチルシクロヘキシル)−trans−
4−シクロヘキシル)−1,2−ジフルオロベンゼン2
5モル%から成る混合物Aは、以下の性質を示す。 C−N転移温度:7℃ N−I転移温度:106℃ 閾値電圧:2.50V 粘度(20℃):26cp
チルシクロヘキシル)−trans−4−シクロヘキシ
ル)−1,2−ジフルオロベンゼン40モル%、4−
(4−(trans−4−n−プロピルシクロヘキシ
ル)−trans−4−シクロヘキシル)−1,2−ジ
フルオロベンゼン35モル%及び4−(4−(tran
s−4−n−ペンチルシクロヘキシル)−trans−
4−シクロヘキシル)−1,2−ジフルオロベンゼン2
5モル%から成る混合物Aは、以下の性質を示す。 C−N転移温度:7℃ N−I転移温度:106℃ 閾値電圧:2.50V 粘度(20℃):26cp
【0094】この混合物A85mol%と、実施例6で
得られたtrans−4−(4−フルオロフェニルオキ
シメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ン15mol%から成る混合物は、以下の性質を示す。 C−N転移温度:2℃ N−I転移温度:84℃ 閾値電圧:2.35V 粘度(20℃):22.0cp
得られたtrans−4−(4−フルオロフェニルオキ
シメチル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ン15mol%から成る混合物は、以下の性質を示す。 C−N転移温度:2℃ N−I転移温度:84℃ 閾値電圧:2.35V 粘度(20℃):22.0cp
【0095】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、混合液晶
組成物の粘度低減、融点降下に寄与する液晶物質であ
り、従来のシクロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベン
ゼン環構造を有する液晶化合物とは全く異なるシラシク
ロヘキサン環を有する新規な液晶物質を提供できた。
組成物の粘度低減、融点降下に寄与する液晶物質であ
り、従来のシクロヘキサン環−メチレン−オキシ−ベン
ゼン環構造を有する液晶化合物とは全く異なるシラシク
ロヘキサン環を有する新規な液晶物質を提供できた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 勤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 朝倉 和之 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内
Claims (6)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表されるシラシクロ
ヘキサン化合物。 【化1】 但し、Rは炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数
3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基又は炭素数1〜10のモノ又はジフルオロ
アルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル基を表す。 【化2】 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレ
ン基を表す。L1及びL2はそれぞれ相互に独立してH、
F、Cl又はCH3を表す。XはCN、F、Cl、C
F3、CF2Cl、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、
OCHFCl、OCHF2、(O)pCY=CX1X2(p
は0又は1、Y及びX1はH、F又はCl、X2はF又は
Clを表す。)、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基若
しくはアルコキシ基、炭素数2〜7のアルコキシアルキ
ル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、(O)q(CiHjF2i-j)X3(qは0又は1、iは
2、3又は4、jは0から2iの間の任意の整数、X3
はH、F又はClを表す。)又は炭素数2〜8のアルケ
ニル基を表す。 - 【請求項2】 有機金属試薬 【化3】R−Mと 【化4】 (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLi、Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスル
ホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、p−ト
ルエンスルホニルオキシ基又はトリフルオロメタンスル
ホニルオキシ基を表す。)との炭素−炭素結合形成反応
又は炭素−ケイ素結合形成反応によることを特徴とする
請求項1記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項3】 一般式 【化5】 で表されるフェノール化合物と 【化6】 (ここで 【化7】 は1又は4位のケイ素がAr(Arはフェニル基又はト
リル基を表す。)の置換基をもつトランス−1−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−
1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との塩基の存在
下でのエーテル結合形成反応により 【化8】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得、続いて、ケ
イ素上の置換基がArである化合物、即ち 【化9】 が 【化10】 または 【化11】 である化合物を一塩化ヨウ素でデシリレーションして 【化12】 または 【化13】 とし、続いてこの化合物を還元することにより、 【化14】 または 【化15】 である化合物に変換することを特徴とする請求項1記載
のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項4】 一般式 【化16】 で表されるフェノール化合物と、 【化17】 (ここで 【化18】 は1又は4位のケイ素がMeの置換基をもつトランス−
1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−
4−シラ−1,4−シクロヘキシレン基を表す。)との
塩基の存在下でのエーテル結合形成反応により 【化19】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
とする請求項1記載のシラシクロヘキサン化合物の製造
方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載のシラシクロヘキサン化
合物を含有することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項6】 請求項5に記載の液晶組成物を含有する
ことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8040479A JPH08269069A (ja) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP7-37558 | 1995-02-02 | ||
JP3755895 | 1995-02-02 | ||
JP8040479A JPH08269069A (ja) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08269069A true JPH08269069A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=26376679
Family Applications (1)
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JP8040479A Pending JPH08269069A (ja) | 1995-02-02 | 1996-02-02 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH08269069A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999012879A1 (fr) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Chisso Corporation | Derives de fluoroaloxybenzene presentant une liaison ether, composition de cristaux liquides et element graphique a cristaux liquides |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP8040479A patent/JPH08269069A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999012879A1 (fr) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Chisso Corporation | Derives de fluoroaloxybenzene presentant une liaison ether, composition de cristaux liquides et element graphique a cristaux liquides |
US6372153B1 (en) | 1997-09-11 | 2002-04-16 | Chisso Corporation | Fluoroalkoxybenzene derivatives having ether bond, liquid-crystal composition, and liquid-crystal display element |
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