JPH07291978A - シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents

シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物

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JPH07291978A
JPH07291978A JP7066982A JP6698295A JPH07291978A JP H07291978 A JPH07291978 A JP H07291978A JP 7066982 A JP7066982 A JP 7066982A JP 6698295 A JP6698295 A JP 6698295A JP H07291978 A JPH07291978 A JP H07291978A
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carbon
chemical
forming reaction
trans
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Application number
JP7066982A
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English (en)
Inventor
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Takeshi Kano
剛 金生
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Hideshi Kurihara
英志 栗原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シラシクロヘキサン環を有する液晶化合物を
提供する。 【構成】 下記一般式(I)で表わされるシラシクロヘ
キサン化合物。 式中において、Rは炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、アルコキシ基、炭素数1〜10でそのうちの1個又
は2個の水素原子がフッ素原子で置換したフロロアルキ
ル基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜
7のアルコキシルアルキル基又は炭素数2〜8のアルケ
ニル基を表す。 及び は、少なくともいずれか一方は、1又は4位のケイ素が
H、F、Cl又はCHの置換基を持つトランス−1−
シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−
シラ−1,4−シクロへキシレン基を表す。Xは、H、
CN、F、Cl、CF3、CF2Cl、CHFCl、OC
3、OCF2Cl、OCHFCl、OCHF2、炭素数
1〜10の直鎖状アルキル基もしくはアルコキシ基、又
は炭素数2〜7のアルコキシアルキル基を表す。Y及び
ZはF、Cl又はCH3を表す。i及びjは0、1又は
2を表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なシラシクロヘキ
サン化合物及びその製造方法、並びにこれを含有する液
晶組成物、及び該液晶組成物を含有する液晶表示素子に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)、PD型(ポリマー分散型)及びO
MI型(光学的にモード干渉型)など各種の方式があ
る。最も一般的なディスプレイデバイスはシャット−ヘ
ルフリッヒ効果に基づき、ねじれネマチック構造を有す
るものである。
【0003】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【0004】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【0005】これらの構成成分のうち、特に高いT
N1(ネマチック−アイソトロピック転移温度)を持つ化
合物として、従来から以下のビシクロヘキシルビフェニ
ル構造を持った化合物が知られている。
【0006】
【化18】 (特公昭64−385号公報参照)
【0007】
【化19】 (特公平1−58168号公報参照)
【0008】
【化20】 (特開昭63−287736号公報参照)
【0009】
【化21】 (特開昭64−3131号公報参照)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつある。特に、車載用等
環境温度の高い条件下では、高温度にまで拡大したネマ
チック相を持つ材料に対する要求が高まってきた。
【0011】ネマチック相を高温部にまで拡大するに
は、高TN1(ネマチック−アイソトロピック転移温度)
を持つ液晶化合物を構成成分に加えることで可能とな
る。
【0012】この様な観点から、本発明は、高いTN1
持ち、且つ、従来知られていなかった分子構造中にケイ
素原子を含んだシラシクロヘキサン環を有する全く新規
な液晶化合物を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、一般
式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物である。
【化22】 ただし、式中において、Rは炭素数1〜10の直鎖状ア
ルキル基、炭素数1〜10でそのうちの1個又は2個の
水素原子がフッ素原子で置換したフロロアルキル基、ア
ルコキシ基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素
数2〜7のアルコキシルアルキル基又は炭素数2〜8の
アルケニル基を表す。
【化23】 及び
【化24】 は、少なくともいずれか一方は、1又は4位のケイ素が
H、F、Cl又はCHの置換基を持つトランス−1−
シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−
シラ−1,4−シクロへキシレン基を表す。Xは、H、
CN、F、Cl、CF3、CF2Cl、CHFCl、OC
3、OCF2Cl、OCHFCl、OCHF2、炭素数
1〜10の直鎖状アルキル基もしくはアルコキシ基、又
は炭素数2〜7のアルコキシアルキル基を表す。Y及び
ZはF、Cl又はCHを表す。i及びjは0、1又は
2を表す。
【0014】また本発明は、有機金属試薬
【化25】R−M と
【化26】 (MはMgP(Pはハロゲン原子)、ZnP又はLi、
Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
基、トリフルオロメタンスルホニル基又はp−トルエン
スルホニル基を表す。)との、炭素−炭素結合形成反応
又は炭素−ケイ素結合形成反応によることを特徴とする
一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物の製
造方法である。
【0015】また本発明は、有機金属試薬
【化27】
【化28】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
成反応によることを特徴とする一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0016】また本発明は、有機金属試薬
【化29】
【化30】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
成反応によることを特徴とする一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0017】また本発明は、有機金属試薬
【化31】
【化32】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
成反応によることを特徴とする一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0018】また本発明は、有機金属試薬
【化33】
【化34】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
成反応によることを特徴とする一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0019】また本発明は、有機金属試薬
【化35】 (M’はM又はB(OY)、YはH又はアルキル基を
表す。)と
【化36】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
成反応によることを特徴とする一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0020】また本発明は、有機金属試薬
【化37】
【化38】 との反応による炭素−炭素結合形成、あるいは炭素−ケ
イ素結合形成を特徴とする一般式(I)で表されるシラ
シクロヘキサン化合物の製造方法である。
【0021】さらに本発明は、一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物を有することを特徴とする液
晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特徴とす
る液晶表示素子である。
【0022】次に本発明をさらに詳細に説明する。ま
ず、一般式(I)で表わされるシラシクロヘキサン化合
物の具体例について説明する。
【0023】本発明のシラシクロヘキサン化合物の環構
造としては、以下のものが挙げられる。
【0024】
【化39】
【0025】
【化40】
【0026】
【化41】
【0027】
【化42】
【0028】
【化43】
【0029】
【化44】
【0030】
【化45】
【0031】但し、上記各式においてR、W、W1
2、Rはそれぞれ以下のものを表す。
【0032】Rは以下の(a)〜(f)のいずれかを表
す。
【0033】(a)炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、即ち、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基又はn−デシル
基。
【0034】(b)炭素数1〜10のモノ又はジフロロ
アルキル基、即ち、フロロメチル基、1−フロロエチル
基、1−フロロプロピル基、1−フロロブチル基、1−
フロロペンチル基、1−フロロヘキシル基、1−フロロ
ヘプチル基、1−フロロオクチル基、1−フロロノニル
基、1−フロロデシル基、2−フロロエチル基、2−フ
ロロプロピル基、2−フロロブチル基、2−フロロペン
チル基、2−フロロヘキシル基、2−フロロヘプチル
基、2−フロロオクチル基、2−フロロノニル基、2−
フロロデシル基、3−フロロプロピル基、3−フロロブ
チル基、3−フロロペンチル基、3−フロロヘキシル
基、3−フロロヘプチル基、3−フロロオクチル基、3
−フロロノニル基、3−フロロデシル基、4−フロロブ
チル基、4−フロロペンチル基、4−フロロヘキシル
基、4−フロロヘプチル基、4−フロロオクチル基、4
−フロロノニル基、4−フロロデシル基、5−フロロペ
ンチル基、5−フロロヘキシル基、5−フロロヘプチル
基、5−フロロオクチル基、5−フロロノニル基、5−
フロロデシル基、6−フロロヘキシル基、6−フロロヘ
プチル基、6−フロロオクチル基、6−フロロノニル
基、6−フロロデシル基、7−フロロヘプチル基、7−
フロロオクチル基、7−フロロノニル基、7−フロロデ
シル基、8−フロロオクチル基、8−フロロノニル基、
8−フロロデシル基、9−フロロノニル基、9−フロロ
デシル基、10−フロロデシル基、ジフロロメチル基、
1,1−ジフロロエチル基、1,1−ジフロロプロピル
基、1,1−ジフロロブチル基、1,1−ジフロロペン
チル基、1,1−ジフロロヘキシル基、1,1−ジフロ
ロヘプチル基、1,1−ジフロロオクチル基、1,1−
ジフロロノニル基、1,1−ジフロロデシル基、2,2
−ジフロロエチル基、2,2−ジフロロプロピル基、
2,2−ジフロロブチル基、2,2−ジフロロペンチル
基、2,2−ジフロロヘキシル基、2,2−ジフロロヘ
プチル基、2,2−ジフロロオクチル基、2,2−ジフ
ロロノニル基、2,2−ジフロロデシル基、3,3−ジ
フロロプロピル基、3,3−ジフロロブチル基、3,3
−ジフロロペンチル基、3,3−ジフロロヘキシル基、
3,3−ジフロロヘプチル基、3,3−ジフロロオクチ
ル基、3,3−ジフロロノニル基、3,3−ジフロロデ
シル基、4,4−ジフロロブチル基、4,4−ジフロロ
ペンチル基、4,4−ジフロロヘキシル基、4,4−ジ
フロロヘプチル基、4,4−ジフロロオクチル基、4,
4−ジフロロノニル基、4,4−ジフロロデシル基、
5,5−ジフロロペンチル基、5,5−ジフロロヘキシ
ル基、5,5−ジフロロヘプチル基、5,5−ジフロロ
オクチル基、5,5−ジフロロノニル基、5,5−ジフ
ロロデシル基、6,6−ジフロロヘキシル基、6,6−
ジフロロヘプチル基、6,6−ジフロロオクチル基、
6,6−ジフロロノニル基、6,6−ジフロロデシル
基、7,7−ジフロロヘプチル基、7,7−ジフロロオ
クチル基、7,7−ジフロロノニル基、7,7−ジフロ
ロデシル基、8,8−ジフロロオクチル基、8,8−ジ
フロロノニル基、8,8−ジフロロデシル基、9,9−
ジフロロノニル基、9,9−ジフロロデシル基又は1
0,10−ジフロロデシル基。
【0035】(c)炭素数1〜10の直鎖状アルコキシ
基、即ち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、n−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキシロ
キシ基、n−ヘプチロキシ基、n−オクチロキシ基、n
−ノニロキシ基又はn−デシロキシ基。
【0036】(d)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル
基、即ち、イソプロピル基、sec−ブチル基、イソブ
チル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3
−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチル
ペンチル基、3−メチルペンチル基、1−エチルペンチ
ル基、1−メチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、
3−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、3−エ
チルヘキシル基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘ
プチル基又は3−メチルヘプチル基。
【0037】(e)炭素数2〜7のアルコキシアルキル
基、即ち、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロ
ポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル
基、ヘキシロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシ
プロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、
エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペン
チル基又はエトキシペンチル基。
【0038】(f)炭素数2〜8のアルケニル基、即
ち、ビニル基、1−プロペニル基、アリル基、1−ブテ
ニル基、3−ブテニル基、イソプレニル基、1−ペンテ
ニル基、3−ペンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチ
ルアリル基、1−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5
−ヘキセニル基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル
基、6−ヘプテニル基又は7−オクテニル基。
【0039】W、W1及びW2 は、各々相互に独立して
H、F、Cl又はCH3基を表す。
【0040】Xは、H、CN、F、Cl、CF3、CF2
Cl、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFC
l、OCHF2又は以下の(g)〜(i)のいずれかを
表す。
【0041】(g)炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、即ち、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基又はn−デシル
基。
【0042】(h)炭素数1〜10の直鎖状アルコキシ
基、即ち、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、n−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキシロ
キシ基、n−ヘプチロキシ基、n−オクチロキシ基、n
−ノニロキシ基又はn−デシロキシ基。
【0043】(i)炭素数2〜7のアルコキシアルキル
基、即ち、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロ
ポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル
基、ヘキシロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
ペントキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプ
ロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル
基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシ
ブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基又
はメトキシヘキシル基。
【0044】次に、
【化46】 の部分骨格としては、具体的には以下に示すものが挙げ
られる。
【0045】
【化47】
【0046】
【化48】
【0047】
【化49】
【0048】
【化50】
【0049】
【化51】
【0050】
【化52】
【0051】
【化53】
【0052】
【化54】
【0053】
【化55】
【0054】
【化56】
【0055】
【化57】
【0056】
【化58】
【0057】
【化59】
【0058】
【化60】
【0059】
【化61】
【0060】
【化62】
【0061】
【化63】
【0062】
【化64】
【0063】
【化65】
【0064】
【化66】
【0065】
【化67】
【0066】
【化68】
【0067】
【化69】
【0068】
【化70】
【0069】
【化71】
【0070】
【化72】
【0071】
【化73】
【0072】
【化74】
【0073】
【化75】
【0074】
【化76】
【0075】
【化77】
【0076】
【化78】
【0077】
【化79】
【0078】
【化80】
【0079】
【化81】
【0080】
【化82】
【0081】
【化83】
【0082】
【化84】
【0083】
【化85】
【0084】
【化86】
【0085】
【化87】
【0086】
【化88】
【0087】
【化89】
【0088】
【化90】
【0089】
【化91】
【0090】
【化92】
【0091】
【化93】
【0092】
【化94】
【0093】
【化95】
【0094】
【化96】
【0095】
【化97】
【0096】
【化98】
【0097】上記のうち、実用上好ましいのは以下のも
のである。
【0098】環状構造については、
【化99】
【化100】
【化101】 が好ましい。
【0099】Rについては、以下の(j)〜(n)のい
ずれかかが好ましい。
【0100】(j)炭素数3〜7の直鎖状アルキル基又
はアルコキシ基、即ち、n−プロピル基、n−ブチル
基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル
基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペントキ
シ基、n−ヘキシロキシ基又はn−ヘプチロキシ基。
【0101】(k)モノ又はジフロロアルキル基のう
ち、2−フロロエチル基、2−フロロプロピル基、2−
フロロブチル基、2−フロロペンチル基、2−フロロヘ
キシル基、2−フロロヘプチル基、4−フロロブチル
基、4−フロロペンチル基、4−フロロヘキシル基、4
−フロロヘプチル基、5−フロロペンチル基、5−フロ
ロヘキシル基、5−フロロヘプチル基、6−フロロヘキ
シル基、6−フロロヘプチル基、7−フロロヘプチル
基、2,2−ジフロロエチル基、2,2−ジフロロプロ
ピル基、2,2−ジフロロブチル基、2,2−ジフロロ
ペンチル基、2,2−ジフロロヘキシル基、2,2−ジ
フロロヘプチル基、4,4−ジフロロブチル基、4,4
−ジフロロペンチル基、4,4−ジフロロヘキシル基、
4,4−ジフロロヘプチル基、5,5−ジフロロペンチ
ル基、5,5−ジフロロヘキシル基、5,5−ジフロロ
ヘプチル基、6,6−ジフロロヘキシル基、6,6−ジ
フロロヘプチル基又は7,7−ジフロロヘプチル基。
【0102】(l)分枝鎖状アルキル基のうち、イソプ
ロピル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル
基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メ
チルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペン
チル基又は2−エチルヘキシル基。
【0103】(m)炭素数2〜6のアルコキシアル基、
即ち、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシ
プロピル基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、
エトキシエチル基、プロポキシメチル基又はペントキシ
メチル基。
【0104】(n)アルケニル基のうち、ビニル基、1
−プロペニル基、3−ブテニル基、1−ペンテニル基、
3−ペンテニル基、4−ペンテニル基、1−ヘキセニル
基、5−ヘキセニル基、6−ヘプテニル基又は7−オク
テニル基。
【0105】W、W1、W2については、H、F又はCH
3基が好ましい。
【0106】部分骨格
【化102】 については、以下のものが好ましい。
【0107】
【化103】
【0108】
【化104】
【0109】
【化105】
【0110】
【化106】
【0111】
【化107】
【0112】
【化108】
【0113】
【化109】
【0114】
【化110】
【0115】
【化111】
【0116】
【化112】
【0117】
【化113】
【0118】
【化114】
【0119】
【化115】
【0120】
【化116】
【0121】
【化117】
【0122】
【化118】
【0123】
【化119】
【0124】
【化120】
【0125】
【化121】
【0126】
【化122】
【0127】
【化123】
【0128】
【化124】
【0129】
【化125】
【0130】
【化126】
【0131】
【化127】
【0132】
【化128】
【0133】
【化129】
【0134】
【化130】
【0135】
【化131】
【0136】
【化132】
【0137】
【化133】
【0138】
【化134】
【0139】
【化135】
【0140】
【化136】
【0141】これらの化合物は、有機金属試薬と、ハロ
ゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル基、トリフ
ルオロメタンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基
を有する化合物との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素
−ケイ素結合形成反応により製造される。以下詳しく説
明する。
【0142】有機金属試薬
【化137】R−M (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化138】 Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
基、トリフルオロメタンスルホニル基又はp−トルエン
スルホニル基を表す。)との反応において、
【化139】
【化140】 (WはH、F、Cl、またはCH3基を表す。)である
場合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げ
られ、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であ
れば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、
高い収率で目的物を与える。
【0143】また、
【化141】
【化142】 または
【化143】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。Qとしてはハロゲン原子、メタ
ンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基又は
p−トルエンスルホニル基が挙げられるが、特にBr、
Iが高い収率で目的物を与えるため、好ましい。
【0144】次に、有機金属試薬
【化144】
【化145】 との反応において、
【化146】
【化147】 (WはH、F、Cl又はCH3基を表す。)である場
合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げら
れ、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。
【0145】また、
【化148】
【化149】 または
【化150】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。Qとしてはハロゲン原子、メタ
ンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基又は
p−トルエンスルホニル基が挙げられるが、特にBr、
Iが高い収率で目的物を与えるため、好ましい。
【0146】次に、有機金属試薬
【化151】
【化152】 との反応において、
【化153】
【化154】 (WはH、F、ClまたはCH3基を表す。)である場
合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げら
れ、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。
【0147】また、
【化155】
【化156】 または
【化157】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。Qとしてはハロゲン原子、メタ
ンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基又は
p−トルエンスルホニル基が挙げられるが、特にBr、
Iが高い収率で目的物を与えるため、好ましい。
【0148】次に、有機金属試薬
【化158】
【化159】 との炭素−炭素結合形成反応は、遷移金属触媒の存在下
に行われる。Qとして、ハロゲン原子、メタンスルホニ
ル基、トリフルオロメタンスルホニル基又はp−トルエ
ンスルホニル基である化合物を用いることができる。
【0149】触媒としては、パラジウムあるいはニッケ
ル化合物が好ましい。
【0150】パラジウム触媒としては、例えばテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ジ
[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラ
ジウム(0)などの0価のパラジウム化合物、あるい
は、酢酸パラジウム、塩化パラジウムなどの2価のパラ
ジウム化合物やこれらと配位子からなる錯体化合物、ま
たは、これらの2価のパラジウム化合物と還元剤の組み
合せなどを用いることができる。
【0151】ニッケル触媒としては、例えば、1,2−
ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンニッケル(II)ク
ロリド、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ンニッケル(II)クロリド、ビス(トリフェニルホスフ
ィン)ニッケル(II)クロリドなどの2価のニッケル化
合物やテトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(0)などの0価のニッケル化合物を挙げることができ
る。
【0152】次に、有機金属試薬
【化160】
【化161】 との反応において、
【化162】
【化163】 (WはH、F、Cl又はCH3基を表す。)である場
合、Qとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が挙げら
れ、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。
【0153】また、
【化164】
【化165】 または
【化166】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。Qとしてはハロゲン原子、メタ
ンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基又は
p−トルエンスルホニル基が挙げられるが、特にBr、
Iが高い収率で目的物を与えるため、好ましい。
【0154】次に、有機金属試薬
【化167】
【化168】 との反応、あるいは有機金属試薬
【化169】
【化170】 との反応の場合、これらの炭素−炭素結合形成反応は、
遷移金属触媒の存在下に行われる。Qとして、ハロゲン
原子、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホ
ニル基又はp−トルエンスルホニル基である化合物を用
いることができる。
【0155】触媒としては、パラジウムあるいはニッケ
ル化合物が好ましい。
【0156】パラジウム触媒としては、例えばテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ジ
[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラ
ジウム(0)などの0価のパラジウム化合物、あるい
は、酢酸パラジウム、塩化パラジウムなどの2価のパラ
ジウム化合物やこれらと配位子からなる錯体化合物、ま
たは、これらの2価のパラジウム化合物と還元剤の組合
せなどを用いることができる。
【0157】ニッケル触媒としては、例えば、1,2−
ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンニッケル(II)ク
ロリド、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ンニッケル(II)クロリド、ビス(トリフェニルホスフ
ィン)ニッケル(II)クロリドなどの2価のニッケル化
合物やテトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル
(0)などの0価のニッケル化合物を挙げることができ
る。
【0158】有機金属試薬としてはグリニャール試薬、
有機亜鉛試薬、有機ホウ酸試薬、すなわ、MとしてMg
P、ZnP、B(OY)2が好ましい結果を与える。
【0159】ここで、MがB(OY)2である場合に
は、反応は塩基の存在下で行うのが望ましい。塩基とし
て、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの
無機塩基や、トリエチルアミン、ジメチルアニリン、ト
リブチルアミンなどの有機塩基を用いることができる。
【0160】以上の反応の生成物から、通常の後処理、
精製操作により、目的のシラシクロヘキサン化合物を得
ることができる。シラシクロヘキサン環あるいはシラシ
クロヘキサン環の立体配置がトランス体とシス体の混合
物である場合には、クロマトグラフィーや再結晶などの
常法の精製手段によりトランス体を分離することができ
る。
【0161】本発明のシラシクロヘキサン化合物と混合
して液晶相を形成するために用いられる既知の化合物
は、
【化171】
【化172】 から選ばれる。
【0162】〔化171〕及び〔化172〕において、
(M)及び(N)は以下の〜のいずれかを表す。 無置換又は置換基として1個または2個以上のF、C
l、Br、CN、アルキル基を有するトランス−1,4
−シクロヘキシレン基 シクロヘキサン環中の1個又は隣接していない2個の
CH基がO、Sに置き換えられているトランス−1,
4−シクロヘキシレン基 1,4−シクロヘキセニレン基 無置換又は置換基として1個又は2個のF、Cl、C
又はCN基を有する1,4−フェニレン基 環中の1個又は2個のCH基がN原子により置き換え
られている1,4−フェニレン基
【0163】Z1及びZ2は、−CH2CH2−、−CH=
CH−、−C≡C−、−CO2−、−OCO−、−CH2
O−、−OCH2−又は単結合を表わす。
【0164】l(エル)及びmは0、1、2(但し、l
(エル)+m=1、2、3)、nは0、1、2である。
【0165】Rは、炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、アルコキシ基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル
基、炭素数2〜7のアルコキシルアルキル基又は炭素数
2〜8のアルケニル基を表す。
【0166】Xは、H、CN、F、Cl、CF3、CF2
Cl、CHFCl、OCF3、OCF2Cl、OCHFC
l、OCHF2、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基も
しくはアルコキシ基、又は炭素数2〜7のアルコキシア
ルキル基を表す。
【0167】Y及びZはH、F、Cl又はCHを表
す。
【0168】i及びjは0、1又は2を表す。
【0169】ただし、l(エル)及びnが2の場合には
(M)中に、mが2の場合には(N)中に、それぞれ異
種環を含んでもよい。
【0170】液晶相中における本発明のシラシクロヘキ
サン化合物の割合は、その1種又は2種以上を1〜50
%、好ましくは5〜30%含有される。また、液晶相に
は着色ゲスト−ホスト系を生成するための多色性染料或
いは誘電異方性、粘度、ネマチック相の配向を変えるた
めの添加剤を含むことができる。
【0171】このようにして形成された液晶相は、所望
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
【0172】また、液晶表示素子の駆動方法としては、
ダイナミックスキャタリング(DSM)方式、ツイステ
ッドネマチック(TN)方式、スーパーツイステッドネ
マチック(STN)方式、ポリマー分散(PD)方式、
ゲストホスト(GH)方式等、液晶表示素子の業界で公
知の方式を採用することができる。
【0173】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。
【0174】[実施例1] トランス,トランス−4−(4−(4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−3’,
4’−ジフルオロビフェニルの製造 4−(トランス−4−(4−クロロ−4−シラシクロヘ
キシル)シクロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビ
フェニル4.1g(10.0mmol)とテトラヒドロ
フラン(以下「THF」と称す。)30mlの混合溶液
に2.5M n−プロピルマグネシウムクロリドのTH
F溶液5ml(12.5mmol)を滴下した。生じた
目的物は、シラシクロヘキサン環に関し、トランス体と
シス体の混合物であり、通常の後処理の後、これらをク
ロマトグラフィーにより分離してトランス,トランス体
の目的物3.30g(収率80%)を得た。 IR(KBr disc)νmax:2916(s),
2104(s),1533(m),1506(s),1
279(m),985(s),889(m),844
(m),814(s) cm-1 C−S転移点:82.7℃、N−I転移点:229.1
℃ S−N転移点:107.5℃
【0175】[実施例2]実施例1と同様にして以下の
化合物を得た。トランス,トランス−3−フルオロ−4
−(4−(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル)−4’−トリフルオロメトキシビ
フェニル
【0176】[実施例3]実施例1と同様にして以下の
化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−(4−
n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシ
ル)−2’−フルオロ−4’−n−ペンチルビフェニル
【0177】[実施例4] トランス,トランス−4−(4−(4−n−プロピルシ
クロヘキシル)−4−シラシクロヘキシル)−4’−フ
ルオロビフェニルの製造 4−(4−メトキシ−4−シラシクロヘキシル)−4’
−フルオロビフェニル3.00g(10.0mmol)
とTHF30mlの混合溶液に2.0M n−プロピル
シクロヘキシルマグネシウムブロミドのTHF溶液12
ml(24mmol)を滴下した。生じた目的物は、シ
ラシクロヘキサン環に関し、トランス体とシス体の混合
物であり、通常の後処理の後、これらをクロマトグラフ
ィーにより分離してトランス,トランス体の目的物2.
57g(収率65%)を得た。
【0178】[実施例5]実施例4と同様にして以下の
化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−(4−
n−ペンチルシクロヘキシル)−4−シラシクロヘキシ
ル)−3’,4’−ジフルオロビフェニル
【0179】[実施例6]実施例4と同様にして以下の
化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−フルオ
ロ−4−(4−n−ペンチルシクロヘキシル)−4−シ
ラシクロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビフェニ
【0180】[実施例7] トランス,トランス−4−(4−(4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−3’,
4’−ジフルオロビフェニルの製造 4−ヨード−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキサ
ン5.36g(20.0mmol)、ヨウ化銅(I)5
0mgとトリエチルホスファイト100mg及びTHF
50mlの混合溶液に、1.0Mの4−(4−(3,4
−ジフルオロフェニル)フェニル)シクロヘキシルマグ
ネシウムブロミドのTHF溶液25ml(25mmo
l)を滴下した。生じた目的物は、シラシクロヘキサン
環及びシクロヘキサン環に関し、トランス体とシス体の
混合物であり、通常の後処理の後、これらをクロマトグ
ラフィーにより分離してトランス,トランス体の目的物
1.49g(収率36%)を得た。得られた目的物は、
実施例1のものと同一の物性を示した。
【0181】[実施例8] トランス,トランス−4−(4−(4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−4’−フ
ルオロビフェニルの製造 4−ブロモ−4’−フルオロビフェニル39.5g(1
00mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(0)200mg及びTHF200ml
の混合溶液に、1.0Mの4−(トランス−4−n−プ
ロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル亜鉛
クロリドのTHF−トルエン(1:1)溶液100ml
(100mmol)を滴下した。生じた目的物は、シク
ロヘキサン環に関し、トランス体とシス体の混合物であ
り、通常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーに
より分離してトランス,トランス体の目的物28.8g
(収率73%)を得た。 IR(KBr disc)νmax:2920(s),
2098(s),1493(s),1236(s),9
84(s),847(s),844(s),818
(s)cm-1 C−S転移点:149.1℃、N−I転移点:249.
8℃ S−N転移点:175.8℃
【0182】[実施例9]実施例8と同様にして以下の
化合物を得た。トランス,トランス−2,6,4’−ト
リフルオロ−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラ
シクロヘキシル)シクロヘキシル)ビフェニル
【0183】[実施例10] トランス,トランス−4−(4−(4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−4’−フ
ルオロビフェニルの製造 トランス−4−(4−ヨードシクロヘキシル)−1−n
−プロピル−1−シラシクロヘキサン7.0g(20m
mol)、塩化銅(I)70mg及びTHF50mlの
混合溶液に、1.5Mの4−(4−フルオロフェニル)
フェニルマグネシウムブロミドのTHF溶液15ml
(22.5mmol)を滴下した。生じた目的物は、シ
クロヘキサン環に関し、トランス体とシス体の混合物で
あり、通常の後処理の後、これらをクロマトグラフィー
により分離してトランス,トランス体の目的物2.29
g(収率58%)を得た。得られた目的物は、実施例8
のものと同一の物性を示した。
【0184】[実施例11]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−2−フルオロ
−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−4’−n−プロピルビフェニ
【0185】[実施例12]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−メチル−4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−4’−フルオロビフェニル
【0186】[実施例13]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−クロロビフェニル
【0187】[実施例14]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−トリフルオロメチルビフェニル
【0188】[実施例15]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−n−ペンチルオキシビフェニル
【0189】[実施例16]実施例10と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−3’−フルオロ−4’−トリフルオロメト
キシビフェニル
【0190】[実施例17] トランス,トランス−4−(4−(4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−3’,
4’−ジフルオロビフェニルの製造 3,4−ジフルオロ−1−ブロモベンゼン19.3g
(100mmol)、1,3−ビス(ジフェニルヒスフ
ィノ)プロパンニッケル(II)クロリド100mg及び
THF300mlの混合溶液に、1.0Mのトランス,
トランス−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシ
クロヘキシル)シクロヘキシル)フェニルマグネシウム
クロリドのTHF溶液100ml(100mmol)を
滴下した。生じた目的物は、通常の後処理の後、クロマ
トグラフィーにより精製してトランス,トランス体の目
的物37.8g(収率86%)を得た。 IR(KBr disc)νmax:2918(s),
2106(s),1531(s),1311(m),9
85(s),887(s),835(s),810
(s)cm-1 C−S転移点:61.2℃、N−I転移点:227.8
℃ S−N転移点:80.3℃
【0191】[実施例18]実施例17と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−イソペンチルシクロヘキシル)−4−シラシクロ
ヘキシル)−4’−シアノビフェニル
【0192】[実施例19]実施例17と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピルシクロヘキシル)−4−シラシクロ
ヘキシル)−3’−フルオロ−4’−シアノビフェニル
【0193】[実施例20]実施例17と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピルシクロヘキシル)−4−シラシクロ
ヘキシル)−4’−クロロ−3’−フルオロビフェニル
【0194】[実施例21]実施例17と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピルシクロヘキシル)−4−シラシクロ
ヘキシル)−3’,4’,5’−トリフルオロビフェニ
ル IR(KBr disc)νmax:2922,285
0,2085,1614,1535,1508,104
7,985,889,816cm−1 C−S転移点:78.3℃、N−I転移点:215.2
℃ S−N転移点 80.3℃
【0195】[実施例22] トランス,トランス−4−(4−(4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シラシクロヘキシル)−4’
−フルオロビフェニルの製造 トランス,トランス−4−(4−(4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シラシクロヘキシル)フェニ
ルトリフルオロメタンスルホネート19.1g(40m
mol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(0)200mg、塩化リチウム3.5g及び
1,4−ジオキサン200mlの混合溶液に、2.2M
のp−フルオロフェニル亜鉛クロリドのTHF溶液25
ml(55mmol)を滴下した。生じた目的物は、通
常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製してト
ランス,トランス体の目的物14.4g(収率85%)
を得た。 IR(KBr disc)νmax:2918(s),
2098(m),1493(s),1448(m),1
236(s),985(m),846(m),818
(s)cm−1 C−S転移点:117.3℃、N−I転移点:243.
7℃ S−N転移点:154.8℃
【0196】[実施例23]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)−4−
シラシクロヘキシル)−4’−フルオロビフェニル
【0197】[実施例24]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−2,6−ジフ
ルオロ−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)シクロヘキシル)−4’−トリフルオロメ
トキシビフェニル
【0198】[実施例25]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−(3−メトキシプロピル)ビフェニ
【0199】[実施例26]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−ジフルオロメトキシビフェニル
【0200】[実施例27]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−3’,5’−ジフルオロ−4’−ジフルオ
ロメトキシビフェニル
【0201】[実施例28]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−4’−クロロ−3’,5’−ジフルオロビ
フェニル
【0202】[実施例29]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−(3−メトキシペンチル)−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−4’−フルオロビフェニル
【0203】[実施例30]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−(1−プロペニル)−4−シラシクロヘキシル)
シクロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビフェニル
【0204】[実施例31]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−n−ペンチルオキシシクロヘキシル)−4−シラ
シクロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビフェニル
【0205】[実施例32]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−2−フルオロ
−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−4’−フルオロビフェニル IR(KBr disc)νmax:2918,228
50,2090,1491,1225,985,93
9,883,825,818cm−1C−N転移点:7
5.5℃、N−I転移点:230.6℃
【0206】[実施例33]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−2−フルオロ
−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−4’−トリフルオロメトキシ
ビフェニル IR(KBr disc)νmax:2922,285
0,2104,1493,1275,1219,116
1,885,816cm−1 C−S転移点:46.5℃、S−N転移点:145.5
℃ N−I転移点:235.7℃
【0207】[実施例34]実施例22と同様にして以
下の化合物を得た。トランス,トランス−4−(4−
(4−フロロブチル)−4−シラシクロヘキシル)シク
ロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビフェニル
【0208】[実施例35]2−(トランス−4−n−
ペンチルシクロヘキシル)−1−(3,4−ジフルオロ
フェニル)エタン34%、1,2−ジフルオロ−4−
[トランス−4−(トランス−4−n−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル]ベンゼン15%及び2−
[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシル]−1−(3,4−ジフルオロフ
ェニル)エタン51%から成る液晶混合物は、−17℃
〜63℃の温度範囲でネマチック液晶相を示す。この混
合物85%と実施例17で得られたトランス,トランス
−4−(4−(4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−3’,4’−ジフルオロビフ
ェニル15%より成る液晶混合物は、−22℃〜88℃
の拡大された温度範囲でネマチック液晶相を示す。
【0209】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高いT
N1を持ち、且つ、従来知られていなかった分子構造中
にケイ素原子を含んだシラシクロヘキサン環を有する全
く新規な液晶化合物を提供することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 勤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 栗原 英志 神奈川県川崎市高津区坂戸3丁目2番1号 信越化学工業株式会社コ−ポレ−トリサ −チセンタ−内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I)で表されるシラシクロヘキ
    サン化合物。 【化1】 ただし、式中において、Rは炭素数1〜10の直鎖状ア
    ルキル基、炭素数1〜10でそのうちの1個又は2個の
    水素原子がフッ素原子で置換したフロロアルキル基、ア
    ルコキシ基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素
    数2〜7のアルコキシルアルキル基又は炭素数2〜8の
    アルケニル基を表す。 【化2】 及び 【化3】 は、少なくともいずれか一方は、1又は4位のケイ素が
    H、F、Cl又はCH3の置換基を持つトランス−1−
    シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−
    シラ−1,4−シクロへキシレン基を表す。Xは、H、
    CN、F、Cl、CF3、CF2Cl、CHFCl、OC
    3、OCF2Cl、OCHFCl、OCHF2、炭素数
    1〜10の直鎖状アルキル基もしくはアルコキシ基、又
    は炭素数2〜7のアルコキシアルキル基を表す。Y及び
    ZはF、Cl又はCH3を表す。i及びjは0、1又は
    2を表す。
  2. 【請求項2】 有機金属試薬 【化4】R−Mと 【化5】 (MはMgP(Pはハロゲン原子)、ZnP又はLi、
    Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
    基、トリフルオロメタンスルホニル基又はp−トルエン
    スルホニル基を表す。)との、炭素−炭素結合形成反応
    又は炭素−ケイ素結合形成反応によることを特徴とする
    請求項1に記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 有機金属試薬 【化6】 と 【化7】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
    成反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  4. 【請求項4】 有機金属試薬 【化8】 と 【化9】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
    成反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  5. 【請求項5】 有機金属試薬 【化10】 と 【化11】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
    成反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  6. 【請求項6】 有機金属試薬 【化12】 と 【化13】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
    成反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  7. 【請求項7】 有機金属試薬 【化14】 (M’はM又はB(OY)2、YはH又はアルキル基を
    表す。)と 【化15】 との、炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結合形
    成反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  8. 【請求項8】 有機金属試薬 【化16】 と 【化17】 との反応による炭素−炭素結合形成、あるいは炭素−ケ
    イ素結合形成を特徴とする請求項1に記載のシラシクロ
    ヘキサン化合物の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載された化合物を含有する
    ことを特徴とする液晶組成物。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の液晶組成物を含有す
    ることを特徴とする液晶表示素子。
JP7066982A 1994-03-01 1995-02-28 シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 Pending JPH07291978A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5755995A (en) * 1996-05-09 1998-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Guest host liquid crystal composition

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