JPH1017574A - シラシクロヘキサン化合物及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶物質の性能向上を目的としてΔｎが比較
的小さくＴ_NIが高く、かつケイ素を導入した効果として
低い閾値電圧を与えるシラシクロヘキサン型液晶化合物
を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （上式中、Ｒは、アルキル基、アルコキシ基等を表し 【化２】 は、１，４−シクロヘキシレン基を示すが、そのうち少
なくとも一つは、１または４位にケイ素を有し、該ケイ
素が、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＨ₃ の置換基を有するトラ
ンス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはト
ランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を表
し、Ｘは、Ｈ、ＣＮ、Ｆ等、Ｙ、Ｚは、ＨまたはＦ、ｉ
は、０または１を表す。）で表されるシラシクロヘキサ
ン化合物を提供し、該シラシクロヘキサン化合物を含有
する液晶組成物、該液晶組成物を含有する液晶表示素子
を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なシラシクロ
ヘキサン化合物およびこれを含有する液晶化合物、およ
び該液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方
性および誘電異方性を利用したものであり、その表示様
式によって、ＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＳＴＮ型
（超ねじれネマチック型）、ＳＢＥ型（超複屈折型）、
ＤＳ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型
（整列相の変形型）およびＯＭＩ型（光学的にモード干
渉型）など各種の方式がある。最も一般的なディスプレ
ーデバイスは、シャットーヘルフリッヒ効果に基づき、
ねじれネマチック構造を有するものである。

【０００３】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、この表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いづれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は低粘
度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低い
閾値電圧および高いコントラストを与えることが望まれ
る。

【０００４】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜十数種の液晶化合
物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物が
使用されている。それ故、液晶組成物の構成成分が互い
に容易に混和できることが重要な特性ともなる。

【０００５】これらの構成成分のうち、高いＴ_NI（ネマ
チック−アイソトロピック転移温度）と比較的小さいΔ
ｎ（屈折率異方性）とを同時に備えた液晶物質として、
以下の化合物が知られている。

【化３】 （上式中、Ｒは、炭素数１〜１２の直鎖状または分枝鎖
状アルキル基、または、炭素数１〜１２の直鎖状または
分枝鎖状アルコキシ基、Ｙは、ＮＯ₂ 、ＮＨ₂ 、ＮＣ
Ｓ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＦを表す。）（特開昭６３−１
８５９３６号公報参照）

【化４】 （上式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基、Ｘは、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩを表す。）（特公平２−１２
４５４号公報参照）

【化５】 （上式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表
す。）（特公平２−１２４５５号公報参照）

【化６】 （上式中、Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
（特公平２−３２２６９号公報参照）

【化７】 （上式中、Ｒ、Ｒ´は、炭素数１〜１０のアルキル基を
表す。）（特公平２−２０６１５号公報参照）

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
ーの用途が拡大するにつれて液晶材料に要求される特性
も益々高度な厳しいものになりつつある。特に、駆動電
圧の低電圧化、車載用ニーズに対応した広域温度範囲
化、低温性能の向上、さらにＴＦＴ用に対応したΔｎの
低下等、従来の液晶物質の特性をさらに上回るものが望
まれるようになってきた。このような観点から本発明者
らは、液晶物質の性能向上を目的として分子中にケイ素
原子を含有する新規な液晶化合物を開発し、先に出願し
た。本発明は、Δｎが比較的小さく、Ｔ_NIが高く、かつ
ケイ素を導入した効果として低い閾値電圧を与えるシラ
シクロヘキサン型液晶化合物を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（１）

【化８】 ［上式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、
炭素数１〜１０のモノまたはジフルオロアルキル基、炭
素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、炭素数３〜８の分
枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル
基、または炭素数２〜８のアルケニル基を表し、

【化９】 は、１，４−シクロヘキシレン基を示すが、そのうち少
なくとも一つは、１または４位にケイ素を有し、該ケイ
素が、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＨ₃ の置換基を有するトラ
ンス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはト
ランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を表
し、Ｘは、Ｈ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＣＦ₂ Ｃｌ、
ＣＨ（Ｆ）Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂ Ｃｌ、ＯＣＨ
（Ｆ）Ｃｌ、ＯＣＨＦ₂ 、炭素数１〜１０の直鎖状アル
キル基、炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、炭素数
２〜７のアルコキシアルキル基、（Ｏ）_p ＣＹ₁ ＝ＣＸ
₁ Ｘ₂ （ｐは０または１、Ｙ₁ およびＸ₁ はＨ、Ｆまた
はＣｌ、Ｘ₂ はＦまたはＣｌを表す）、（Ｏ）_q （Ｃ_n
Ｈ_m Ｆ_2n-m）Ｘ₃（ｑは０または１、ｎは２、３または
４、ｍは０〜２ｎの間の任意の整数、Ｘ₃はＨ、Ｆまた
はＣｌを表す。）を表し、Ｙ、Ｚは、ＨまたはＦ、ｉ
は、０または１を表す。］で表されるシラシクロヘキサ
ン化合物を提供する。さらに本発明は、一般式（１）で
表されるシラシクロヘキサン化合物を含有することを特
徴とする液晶組成物、およびこの液晶組成物を含有する
ことを特徴とする液晶表示素子を提供する。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に、本発明をさらに詳細に説明
する。まず、一般式（１）で表されるシラシクロヘキサ
ン化合物の具体例について説明する。本発明のシラシク
ロヘキサン化合物の環構造としては、以下のものが挙げ
られる。

【化１０】

【化１１】 上式中、Ｇ、Ｇ¹ 、Ｇ² 、Ｇ³ は、各々独立して、Ｈ、
Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ ₃ 基を表す。一般式（１）におい
て、ｉは、０または１を表す。ただし、ｉ＝０の場合に
は、上式に示すようにシリコン−シリコン結合となる場
合を含まない。

【０００９】一般式（１）において、Ｒは、以下の
（ａ）〜（ｆ）いずれかを表す。 （ａ）炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、すなわち、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペン
チル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ
−ノニルまたはｎ−デシル。 （ｂ）炭素数１〜１０のモノまたはジフルオロアルキル
基、すなわち、フルオロメチル、１−フルオロエチル、
１−フルオロプロピル、１−フルオロブチル、１−フル
オロペンチル、１−フルオロヘキシル、１−フルオロヘ
プチル、１−フルオロオクチル、１−フルオロノニル、
１−フルオロデシル、２−フルオロエチル、２−フルオ
ロプロピル、２−フルオロブチル、２−フルオロペンチ
ル、２−フルオロヘキシル、２−フルオロヘプチル、２
−フルオロオクチル、２−フルオロノニル、２−フルオ
ロデシル、３−フルオロプロピル、３−フルオロブチ
ル、３−フルオロペンチル、３−フルオロヘキシル、３
−フルオロヘプチル、３−フルオロオクチル、３−フル
オロノニル、３−フルオロデシル、４−フルオロブチ
ル、４−フルオロペンチル、４−フルオロヘキシル、４
−フルオロヘプチル、４−フルオロオクチル、４−フル
オロノニル、４−フルオロデシル、５−フルオロペンチ
ル、５−フルオロヘキシル、５−フルオロヘプチル、５
−フルオロオクチル、５−フルオロノニル、５−フルオ
ロデシル、６−フルオロヘキシル、６−フルオロヘプチ
ル、６−フルオロオクチル、６−フルオロノニル、６−
フルオロデシル、７−フルオロヘプチル、７−フルオロ
オクチル、７−フルオロノニル、７−フルオロデシル、
８−フルオロオクチル、８−フルオロノニル、８−フル
オロデシル、９−フルオロノニル、９−フルオロデシ
ル、１０−フルオロデシル、ジフルオロメチル、１，１
−ジフルオロエチル、１，１−ジフルオロプロピル、
１，１−ジフルオロブチル、１，１−ジフルオロペンチ
ル、１，１−ジフルオロヘキシル、１，１−ジフルオロ
ヘプチル、１，１−ジフルオロオクチル、１，１−ジフ
ルオロノニル、１，１−ジフルオロデシル、２，２−ジ
フルオロエチル、２，２−ジフルオロプロピル、２，２
−ジフルオロブチル、２，２−ジフルオロペンチル、
２，２−ジフルオロヘキシル、２，２−ジフルオロヘプ
チル、２，２−ジフルオロオクチル、２，２−ジフルオ
ロノニル、２，２−ジフルオロデシル、３，３−ジフル
オロプロピル、３，３−ジフルオロブチル、３，３−ジ
フルオロペンチル、３，３−ジフルオロヘキシル、３，
３−ジフルオロヘプチル、３，３−ジフルオロオクチ
ル、３，３−ジフルオロノニル、３，３−ジフルオロデ
シル、４，４−ジフルオロブチル、４，４−ジフルオロ
ペンチル、４，４−ジフルオロヘキシル、４，４−ジフ
ルオロヘプチル、４，４−ジフルオロオクチル、４，４
−ジフルオロノニル、４，４−ジフルオロデシル、５，
５−ジフルオロペンチル、５，５−ジフルオロヘキシ
ル、５，５−ジフルオロヘプチル、５，５−ジフルオロ
オクチル、５，５−ジフルオロノニル、５，５−ジフル
オロデシル、６，６−ジフルオロヘキシル、６，６−ジ
フルオロヘプチル、６，６−ジフルオロオクチル、６，
６−ジフルオロノニル、６，６−ジフルオロデシル、
７，７−ジフルオロヘプチル、７，７−ジフルオロオク
チル、７，７−ジフルオロノニル、７，７−ジフルオロ
デシル、８，８−ジフルオロオクチル、８，８−ジフル
オロノニル、８，８−ジフルオロデシル、９，９−ジフ
ルオロノニル、９，９−ジフルオロデシル、１０，１０
−ジフルオロデシル。 （ｃ）炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、すなわ
ち、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキ
シ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキシロキシ、ｎ−ヘプチロ
キシ、ｎ−オクチロキシ、ｎ−ノニロキシまたはｎ−デ
シロキシ。 （ｄ）炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基、すなわち、
イソプロピル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピ
ル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、１−メチルブチル、
２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−メチルペン
チル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、１−
エチルペンチル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキ
シル、３−メチルヘキシル、２−エチルヘキシル、３−
エチルヘキシル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプ
チル、または３−メチルヘプチル。 （ｅ）炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、すなわち
メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、
ブトキシメチル、ペントキシメチル、ヘキシロキシメチ
ル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチ
ル、ブトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシプロ
ピル、プロポキシプロピル、ブトキシプロピル、メトキ
シブチル、エトキシブチル、プロポキシブチル、メトキ
シペンチル、またはエトキシペンチル。 （ｆ）炭素数２〜８のアルケニル基、すなわち、ビニ
ル、１−プロペニル、アリル、１−ブテニル、３−ブテ
ニル、イソプレニル、１−ペンテニル、３−ペンテニ
ル、４−ペンテニル、ジメチルアリル、１−ヘキセニ
ル、３−ヘキセニル、５−ヘキセニル、１−ヘプテニ
ル、３−ヘプテニル、６−ヘプテニル、または７−オク
テニル。

【００１０】一般式（１）において、Ｘは、Ｈ、ＣＮ、
Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＣＦ₂ Ｃｌ、ＣＨ（Ｆ）Ｃｌ、ＯＣ
Ｆ₃ 、ＯＣＦ₂ Ｃｌ、ＯＣＨ（Ｆ）Ｃｌ、またはＯＣＨ
Ｆ₂を表す。 また、Ｘは、または（Ｏ）_p ＣＹ₁ ＝Ｃ
Ｘ₁ Ｘ₂ （ｐは０または１、Ｙ₁ およびＸ₁ はＨ、Ｆま
たはＣｌ、Ｘ₂ はＦまたはＣｌを表す。）を表す。

【００１１】さらに、Ｘは、または（Ｏ）_q （Ｃ_n Ｈ_m
Ｆ_2n-m）Ｘ₃ （ｑは０または１、ｎは２、３または４、
ｍは０〜２ｎの間の任意の整数、Ｘ₃ はＨ、ＦまたはＣ
ｌを表す。）を表す。または以下の（ｇ）〜（ｉ）のい
ずれかを表す。 （ｇ）炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、すなわち、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペン
チル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ
−ノニル、またはｎ−デシル。 （ｈ）炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、すなわ
ち、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキ
シ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキシロキシ、ｎ−ヘプチロ
キシ、ｎ−オクチロキシ、ｎ−ノニロキシまたはｎ−デ
シロキシ。 （ｉ）炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、すなわち
メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、
ブトキシメチル、ペントキシメチル、ヘキシロキシメチ
ル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチ
ル、ブトキシエチル、ペントキシエチル、メトキシプロ
ピル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル、ブトキ
シプロピル、メトキシブチル、エトキシブチル、プロポ
キシブチル、メトキシペンチル、エトキシペンチル、ま
たはメトキシヘキシル。

【００１２】一般式（１）において、Ｙ、Ｚは、Ｈまた
はＦを表す。

【００１３】一般式（１）において、

【化１２】 については、具体的に以下が挙げられる。

【化１３】

【化１４】

【００１４】上述の一般式（１）で表されるシラシクロ
ヘキサン化合物のうち、実用上好ましくは以下のもので
ある。本発明のシラシクロヘキサン化合物の環構造とし
ては、好ましくは以下のものである。

【化１５】 上式中、Ｇ、Ｇ¹ 、Ｇ² 、Ｇ³ については、Ｈ、Ｆ、ま
たはＣＨ₃ が好ましい。

【００１５】一般式（１）において、Ｒは、好ましくは
以下の（ｊ）〜（ｎ）のいずれかである。 （ｊ）炭素数３〜７の直鎖状アルキル基またはアルコキ
シ基、すなわち、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペン
チル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−プロポキシ、
ｎ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキシロキシ、ま
たはｎ−ヘプチロキシ。 （ｋ）炭素数２〜７のモノまたはジフルオロアルキル基
のうち、２−フルオロエチル、２−フルオロプロピル、
２−フルオロブチル、２−フルオロペンチル、２−フル
オロヘキシル、２−フルオロヘプチル、４−フルオロブ
チル、４−フルオロペンチル、４−フルオロヘキシル、
４−フルオロヘプチル、５−フルオロペンチル、５−フ
ルオロヘキシル、５−フルオロヘプチル、６−フルオロ
ヘキシル、６−フルオロヘプチル、７−フルオロヘプチ
ル、２，２−ジフルオロエチル、２，２−ジフルオロプ
ロピル、２，２−ジフルオロブチル、２，２−ジフルオ
ロペンチル、２，２−ジフルオロヘキシル、２，２−ジ
フルオロヘプチル、４，４−ジフルオロブチル、４，４
−ジフルオロペンチル、４，４−ジフルオロヘキシル、
４，４−ジフルオロヘプチル、５，５−ジフルオロペン
チル、５，５−ジフルオロヘキシル、５，５−ジフルオ
ロヘプチル、６，６−ジフルオロヘキシル、６，６−ジ
フルオロヘプチル、７，７−ジフルオロヘプチル。 （ｌ）炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基のうち、イソ
プロピル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、
１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチ
ル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、２−エ
チルヘキシル。 （ｍ）炭素数２〜６のアルコキシアルキル基のうち、メ
トキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ペ
ントキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、メ
トキシプロピル、またはメトキシペンチル。 （ｎ）炭素数２〜８アルケニル基のうち、ビニル、１−
プロペニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、３−ペン
テニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、５−ヘキセ
ニル、６−ヘプテニル、または７−オクテニル。

【００１６】一般式（１）において、

【化１６】 については、好ましくは、以下のものである。

【化１７】

【００１７】次に、本発明の一般式（１）で表されるシ
ラシクロヘキサン化合物の製造方法について述べる。こ
れらの化合物は、有機金属試薬と、ハロゲン原子、アル
コキシ基、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基を有する化合物との、炭素−炭素結合形成反応また
は炭素−ケイ素結合形成反応により製造される。以下詳
しく説明する。

【００１８】有機金属試薬を用いる次の反応において、

【化１８】 ［上式中、Ｍは、ＭｇＬ（Ｌはハロゲン原子を表し、好
ましくはＣｌ、Ｂｒ、Ｉである。）、ＺｎＬまたはＬｉ
を表し、Ｑは、ハロゲン原子、アルコキシ基（好ましく
は炭素数１〜４）、メタンスルホニルオキシ基、トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基、またはｐ−トルエン
スルホニルオキシ基を表す。］

【化１９】 式（Ａ）が、

【化２０】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子、または
アルコキシ基が挙げられ、特にＣｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、
ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれば、この炭素−ケイ素結合形成
反応が容易に進行し、高い収率で目的物を与える。

【００１９】また、式（Ａ）が、

【化２１】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物は、
塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン
化銅（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（II）、臭化銅（I
I）、ヨウ化銅（II）、酢酸銅（II）等の２価の銅塩、
ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅錯体等が
挙げられる。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホ
ニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる
が、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与えるため、
好ましい。

【００２０】有機金属試薬を用いる次の反応において、

【化２２】

【化２３】 式（Ｂ）が、

【化２４】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ｂ）が、

【化２５】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２１】有機金属試薬を用いる次の反応において、

【化２６】 式（Ａ）が、

【化２７】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ａ）が、

【化２８】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２２】一般式（１）においてｉ＝０の場合に、有
機金属試薬の反応を用いる次の反応において、

【化２９】

【化３０】 式（Ｃ）が、

【化３１】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ｃ）が、

【化３２】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２３】一般式（１）においてｉ＝０の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化３３】 式（Ｂ）が、

【化３４】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ｂ）が、

【化３５】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２４】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化３６】 炭素−炭素結合形成反応は、触媒量の銅塩の存在下に行
われる。銅塩として用いる銅化合物の例は、前述と同様
である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基また
はｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられるが、特
に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与えるため、好まし
い。

【００２５】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化３７】 式（Ｂ）が、

【化３８】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ を表す）
である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはアルコキ
シ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特に、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれば、この
炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高い収率で
目的物を与える。また、式（Ｂ）が、

【化３９】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２６】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化４０】 炭素−炭素結合形成反応は、触媒量の銅塩の存在下に行
われる。銅塩として用いる銅化合物の例は、前述と同様
である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基また
はｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられるが、特
に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与えるため、好まし
い。

【００２７】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化４１】 炭素−炭素結合形成反応は、触媒量の銅塩の存在下に行
われる。銅塩として用いる銅化合物の例は、前述と同様
である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基また
はｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられるが、特
に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与えるため、好まし
い。

【００２８】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化４２】 式（Ｃ）が

【化４３】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ｃ）が、

【化４４】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００２９】一般式（１）においてｉ＝１の場合に、有
機金属試薬を用いる次の反応において、

【化４５】 炭素−炭素結合形成反応は、触媒量の銅塩の存在下に行
われる。銅塩として用いる銅化合物の例は、前述と同様
である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基また
はｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられるが、特
に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与えるため、好まし
い。

【００３０】一般式（１）において、有機金属試薬を用
いる次の反応において、

【化４６】 炭素−炭素結合形成反応は、遷移金属触媒の存在下に行
われる。Ｑとしては、ハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基また
はｐ−トルエンスルホニルオキシ基である化合物を用い
ることができる。

【００３１】触媒としては、パラジウムあるいはニッケ
ル化合物が好ましい。パラジウム触媒としては、たとえ
ばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エ
タン］パラジウム（０）などの０価のパラジウム化合
物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウムなどの
２価のパラジウム化合物やこれらと配位子からなる錯体
化合物、または、これらの２価のパラジウム化合物と還
元剤の組み合わせなどを用いることができる。ニッケル
触媒としては、たとえば、１，２−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）エタンニッケル（II）クロリド、１，３−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケル（II）ク
ロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（I
I）クロリドなどの２価のニッケル化合物やテトラキス
（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）などの０価
のニッケル化合物を挙げることができる。

【００３２】一般式（１）において、有機金属試薬を用
いる次の反応において、

【化４７】 式（Ｃ）が、

【化４８】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合、Ｑとしては、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）が挙げられ、特
に、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ₃ 、ＯＣＨ₂ ＣＨ₃ 基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。また、式（Ｃ）が、

【化４９】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩として用いる銅化合物の例
は、前述と同様である。Ｑとしては、ハロゲン原子、メ
タンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ基またはｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙
げられるが、特に、Ｂｒ、Ｉが高い収率で目的物を与え
るため、好ましい。

【００３３】一般式（１）において、式（Ａ）が、

【化５０】 （上式中、Ｇは、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、またはＣＨ₃ 基を表
す。）である場合には、以下に示す方法で合成すること
ができる。すなわち、ケトン化合物と有機金属試薬を反
応させると

【化５１】 アルコール化合物が得られる。

【００３４】次に、得られたアルコール化合物を酸触媒
によって脱水反応を行いモノエン化合物を得る。この脱
水反応に用いる酸としては、塩酸、硫酸、硝酸等の無機
酸類やその塩類、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファー
スルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸を挙げること
ができる。生じる水を速やかに除去するために、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クメン、ヘキサン、イソオク
タン等の炭化水素類を溶媒として用いて、その共沸によ
り水を除き、反応の進行を加速することも有用である。
ここで得られたモノエン化合物に触媒を用いて、水素添
加を行う。触媒としては、５％パラジウム−炭素、ラネ
ーニッケル等を用いることができる。続いて、求電子試
薬によるデシリレーション反応でハロシラシクロヘキサ
ン化合物とし、さらに還元反応を行う。

【化５２】 ［上式中、ＥＧは求電子試薬（Ｇはハロゲン、好ましく
はＣｌ、Ｂｒ、Ｉを表す。）を表す。］

【００３５】求電子試薬として、ハロゲン、ハロゲン化
水素、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体、酸ハロゲン
化物、ハロゲン化アルキル等を挙げることができる。特
に、ヨウ素、臭素、塩素、一塩化ヨウ素、塩化水素、臭
化水素、ヨウ化水素、塩化水銀（II）、クロロスルホン
酸トリメチルシリル、塩化アセチル、臭化アセチル、塩
化ベンゾイル、塩化ｔ−ブチル等を好ましく例示でき
る。なお、反応速度を高めるために、塩化アルミニウ
ム、塩化亜鉛、四塩化チタン、三フッ化ホウ素等のルイ
ス酸類の添加や、光（可視光線、紫外線）の照射を行っ
てもよい。デシリレーション反応は、好ましくは０〜８
０℃、さらに好ましくは１０〜４０℃で行われる。シラ
シクロヘキサン化合物に対し、求電子試薬は好ましくは
１〜５当量、さらに好ましくは１〜２当量使用されると
よい。生じたハロシラシクロヘキサン化合物の還元に用
いる試薬として、水素化ナトリウム、水素化カルシウ
ム、トリアルキルシラン類、ボラン類、ジアルキルアル
ミニウム等の金属水素化物、水素化アルミニウムリチウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、
水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素トリブチルアンモ
ニウム等の錯水素化化合物（Ｃｏｍｐｌｅｘ ｈｙｄｒ
ｉｄｅ）やこれらの置換型ヒドリド化合物、すなわち、
リチウムトリアルコキシアルミニウムヒドリド、ナトリ
ウムジ（メトキシエトキシ）アルミニウムヒドリド、リ
チウムトリエチルボロヒドリド、ナトリウムシアノボロ
ヒドリド等を挙げることができる。また、得られたハロ
シラシクロヘキサン化合物にＣＨ₃ ＭｇＬ、ＣＨ₃ Ｚｎ
Ｌ（Ｌはハロゲン原子を表し、好ましくはＣｌ、Ｂｒ、
Ｉである。）等を作用させるとＧがＣＨ₃ であるメチル
シラシクロヘキサン化合物が得られる。

【００３６】次に、ケトン化合物に有機金属試薬を反応
させると、アルコール化合物が得られる。

【化５３】 ［上式中、Ｍは、ＭｇＬ（Ｌはハロゲン原子を表し、好
ましくはＣｌ、Ｂｒ、Ｉである。）、ＺｎＬ、またはＬ
ｉを表す。］

【００３７】有機金属試薬として、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試
薬、有機亜鉛試薬、有機チタニウム試薬、有機リチウム
試薬が挙げられ、いずれの場合も反応は高い収率で進行
する。用いられる溶媒は、テトロヒドロフラン、ジエチ
ルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、１，４−ジオキ
サン等のエーテル類を単独で、または、これらとベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クメン、ｎ−ヘキサン、ｎ−
ヘプタン、イソオクタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル
プロピレンウレア等の極性溶媒類とを混合して用いる。
この反応は、ケトンの種類、有機金属の構造により異な
るが、好ましくは、−７０〜１５０℃のもと、３０分〜
５時間行われるとよい。具体的には、Ｌｉ系は、−７０
〜０℃、Ｍｇ、ＴｉまたはＺｎ系は、室温〜１５０℃で
行うとさらによい。

【００３８】次に、得られたアルコール化合物を酸触媒
によって脱水反応を行いモノエン化合物を得る。この脱
水反応に用いる酸としては、塩酸、硫酸、硝酸等の無機
酸類やその塩類、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファー
スルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類を挙げるこ
とができる。生じる水を速やかに除去するために、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、クメン、ヘキサン、イソオ
クタン等の炭化水素類を溶媒として用いて、その共沸に
より水を除き、反応の進行を加速することも有用であ
る。続いて、求電子試薬によるデシリレーション反応で
ハロシラシクロヘキサン化合物とし、さらに還元反応を
行う。

【化５４】 ［式中において、ＥＧは求電子試薬（Ｇはハロゲン、好
ましくはＣｌ、Ｂｒ、またはＩを表す。）を表す。］

【００３９】求電子試薬として、ハロゲン、ハロゲン化
水素、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体、酸ハロゲン
化物、ハロゲン化アルキル等を挙げることができる。特
に、ヨウ素、臭素、塩素、一塩化ヨウ素、塩化水素、臭
化水素、ヨウ化水素、塩化水銀（II）、クロロスルホン
酸トリメチルシリル、塩化アセチル、臭化アセチル、塩
化ベンゾイル、塩化ｔ−ブチル等を好ましく例示でき
る。なお、反応速度を高めるために、塩化アルミニウ
ム、塩化亜鉛、四塩化チタン、三フッ化ホウ素等のルイ
ス酸類の添加や、光（可視光線、紫外線）の照射を行っ
てもよい。デシリレーション反応は、好ましくは０〜８
０℃、さらに好ましくは１０〜４０℃で行われる。シラ
シクロヘキサン化合物に対し、求電子試薬は好ましくは
１〜５当量、さらに好ましくは１〜２当量使用されると
よい。還元反応およびメチル化に用いる試薬は前記と同
様である。

【００４０】以上の反応の生成物から、通常の後処理、
精製操作により、目的のシラシクロヘキサン化合物を得
ることができる。シラシクロヘキサン環あるいはシクロ
ヘキサン環の立体配置がトランス体とシス体の混合物で
ある場合には、クロマトグラフィーや再結晶などの常法
の精製手段によりトランス体を分離することができる。

【００４１】本発明のシラシクロヘキサン化合物は、既
知の化合物と混合して液晶組成物を得ることができる。
本発明のシラシクロヘキサン化合物と混合して液晶相を
形成するために用いられる既知化合物は、以下の化合物
から選ばれる。

【化５５】

【００４２】上式中、（Ｍ′）および（Ｎ′）は以下の
〜のいずれかを表す。 無置換または置換基として１個または２個以上のＦ、
Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、アルキル基を有するトランス−１，
４−シクロへキシレン基 シクロヘキサン環中の１個または隣接していない２個
のＣＨ₂ 基がＯ、Ｓに置き換えられているトランス−
１，４−シクロへキシレン基 １，４−シクロヘキセニレン基 無置換または置換基として１個または２個のＦ、Ｃ
ｌ、ＣＨ₃ 、またはＣＮ基を有する１，４−フェニレン
基 環中の１個または２個のＣＨ基がＮ原子により置き換
えられている１，４−フェニレン基

【００４３】上式中、Ｚ¹ およびＺ² は、−ＣＨ₂ ＣＨ
₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ₂ −、−Ｏ
ＣＯ−、−ＣＨ₂ Ｏ−、−ＯＣＨ₂ −または単結合を表
す。上式中、ｋおよびｍは、０、１、２（ただし、ｋ＋
ｍ＝１、２、３）、ｎは０、１、２である。上式中、
Ｒ′は、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数１
〜１０の直鎖状アルコキシ基、炭素数３〜８の分枝鎖状
アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル基また
は炭素数２〜８のアルケニル基である。上式中、Ｘ′
は、Ｈ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＣＦ₂ Ｃｌ、ＣＨ
（Ｆ）Ｃｌ、ＯＣＦ₃ 、ＯＣＦ₂ Ｃｌ、ＯＣＨ（Ｆ）Ｃ
ｌ、ＯＣＨＦ₂ 、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、
炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数２〜７のア
ルコキシアルキル基を表す。上式中、Ｙ′およびＺ′
は、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＨ₃ を表す。ただし、上式
中、ｋおよびｎが２の場合には（Ｍ′）中に、ｍが２の
場合には（Ｎ′）中に、それぞれ異種環を含んでもよ
い。

【００４４】液晶相における本発明のシラシクロヘキサ
ン化合物の割合は、その一種または二種以上を１〜５０
ｍｏｌ％、好ましくは５〜３０ｍｏｌ％含有される。ま
た、液晶相には着色ゲスト−ホスト系を生成するための
多色性染料あるいは誘電異方性、粘度、ネマチック相の
配向を変えるための添加剤を含むことができる。本発明
の新規に開発された化合物（１）を含む液晶化合物を用
いると、Δｎが比較的小さくＴ_N1が高く、かつケイ素を
導入した効果として低い閾値電圧を与えるシラシクロヘ
キサン型液晶化合物により、液晶物質の性能向上が図れ
る。

【００４５】このようにして形成された液晶相は、所望
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要に応じて各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、あるいは光源を用いたりする種々のものが使用
できる。

【００４６】また、液晶表示素子の駆動方法としては、
ダイナミックスキャタリング（ＤＳＭ）方式、ツイステ
ッドネマチック（ＴＮ）方式、スーパーツイステッドネ
マチック（ＳＴＮ）方式、ポリマー分散（ＰＤ）方式、
ゲストホスト（ＧＨ）方式等、液晶表示素子の業界で公
知の方式を採用することができる。

【００４７】

【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。 「実施例１」 トランス，トランス，トランス−４−
（４−（２−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）シ
クロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１−ｎ−ペ
ンチル−１−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム０．３４ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）およびテ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）３０ｍｌの混合物にトラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ルメチルブロミド３．７ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）を滴下
してグリニャール試薬を得た。続いて、この溶液を触媒
量のヨウ化銅、亜リン酸トリエチルおよび４−（トラン
ス−４−ヨードメチルシクロヘキシル）−１−フェニル
−ｎ−ペンチル−１−シラシクロヘキサン４．９ｇ（１
０．７ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ２０ｍｌの混合溶液中に滴下
した。得られた反応混合物を通常の後処理の後、シリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して、４−（４−（２−
（４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル）エチル）シクロヘキシル）−１−フェニル−１−ｎ
−ペンチル−１−シラシクロヘキサン４．０ｇ（７．３
ｍｍｏｌ；収率６８％）を得た。このもの４．０ｇと塩
化メチレン１０ｍｌの溶液に１Ｍ一塩化ヨウ素の塩化メ
チレン溶液９ｍｌ（９ｍｍｏｌ）を滴下し、クロロシリ
ナン化合物を得た。濃縮後、このものに、メタノール３
０ｍｌとトリエチルアミン１０ｍｌの混合物を滴下し、
メトキシシリナン化合物を得た。濃縮後、ＴＨＦ５０ｍ
ｌ、水素化アルミニウムリチウム０．１４ｇ（３．７ｍ
ｍｏｌ）の混合液に滴下した。反応混合物に通常の後処
理を行って得られた目的物は、シラシクロヘキサン環に
関してトランス体、シス体の混合物であり、シリカゲル
クロマトグラフィーで精製して、トランス，トランス，
トランス体の目的物０．７ｇ（１．５ｍｍｏｌ；収率４
０％）を得た。 ＩＲ（ｃｍ^-1）：２９１７、２８４８、２１００、１５
２０、１４４６、１２９２、９８０、８８７、８６０、
８１６ スメクチック−ネマチック転移温度 Ｔ_SN＝１４０．０
℃ ネマチック−アイソトロピック転移温度 Ｔ_NI＝１９
４．７℃

【００４８】「実施例２」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（２−（４−（２，３−ジフルオロ−
４−エチルフェニル）シクロヘキシル）エチル）シクロ
ヘキシル）−１−ｎ−ペンチル−１−シラシクロヘキサ
ンの製造 ４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルフェニル）シク
ロヘキシルメチルブロミドと４−（４−ヨードメチルシ
クロヘキシル）−１−フェニル−ｎ−ペンチル−１−シ
ラシクロヘキサンを用いて、実施例１と同様にして目的
物を得た。

【００４９】「実施例３」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（４−（３，４，５−トリフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ｎ−
プロピル−１−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム１．５ｇ（６１．７ｍｍｏｌ）およびＴＨ
Ｆ５０ｍｌの混合物に４−（３，４，５−トリフルオロ
フェニル）シクロヘキシルブロミド１６．４ｇ（５６．
１ｍｍｏｌ）を滴下してグリニャール試薬を得た。続い
て、この溶液に、４−（４−フェニル−４−ｎ−ペンチ
ル−４−シラシクロヘキシル）シクロヘキサノン１４．
７ｇ（４６．８ｍｍｏｌ）を滴下した。通常の後処理で
得られたアルコールとｐ−トルエンスルホン酸１ｇ
（５．８ｍｍｏｌ）とベンゼン１００ｍｌ中で水をベン
ゼンと共沸させて除きながら加熱還流した。通常の後処
理の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、酢酸
エチル１００ｍｌ中で５％パラジウム−炭素を触媒とし
て水素添加を行い、４−（４−（４−（３，４，５−ト
リフルオロフェニル）シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル）−１−フェニル−１−ｎ−プロピル−１−シラシク
ロヘキサン１８．９ｇ（３６．９ｍｍｏｌ；収率７８．
８％）を得た。このもの１８．９ｇと塩化メチレン４０
ｍｌの溶液に１Ｍ一塩化ヨウ素の塩化メチレン溶液４５
ｍｌ（４５ｍｍｏｌ）を滴下し、クロロシリナン化合物
を得た。濃縮後、このものに、メタノール１２０ｍｌと
トリエチルアミン３０ｍｌの混合液を滴下し、メトキシ
シリナン化合物を得た。濃縮後、ＴＨＦ１００ｍｌ、水
素化アルミニウムリチウム０．７ｇ（１８．５ｍｍｏ
ｌ）の混合物に滴下した。反応混合物に通常の後処理を
行って得られた目的物はシクロヘキサン環及びシラシク
ロヘキサン環に関してトランス体、シス体の混合物であ
り、クロマトグラフィーで精製して、トランス，トラン
ス，トランス体の目的物３．７ｇ（８．５ｍｍｏｌ；収
率２３％）を得た。

【００５０】「実施例４」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（４−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキシル）シクロヘキシル）−１−ｎ−プロピル−１−
シラシクロヘキサンの製造 ４−（４−メチルフェニル）シクロヘキシルブロミドと
４−（４−フェニル−４−ｎ−ペンチル−４−シラシク
ロヘキシル）シクロヘキサノンを用いて、実施例３と同
様にして目的物を得た。

【００５１】「実施例５」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（４−トリフルオロメトキシフェニ
ル）シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−プロピルシクロ
ヘキシル）−１−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム１．４ｇ（５７．６ｍｍｏｌ）およびＴＨ
Ｆ５０ｍｌの混合物に４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
ブロミド１２．２ｇ（５２．４ｍｍｏｌ）を滴下してグ
リニャール試薬を得た。続いて、この溶液を、４−（ト
ランス−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シ
クロヘキシル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキサン
１６．５ｇ（４３．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液
に滴下して、４−（４−（４−トリフルオロメトキシフ
ェニル）シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンを得た。この
ものは、シクロヘキサン環およびシラシクロヘキサン環
に関してトランス体とシス体の混合物であり、シリカゲ
ルクロマトグラフィーにより分離して、トランス，トラ
ンス，トランス体の目的物１７．５ｇ（３５．４ｍｍｏ
ｌ；収率８１％）を得た。

【００５２】「実施例６」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（４−（２，２−ジフルオロエトキ
シ）フェニル）シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ブチ
ルシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンの製造 ４−ｎ−ブチルシクロヘキシルブロミドと４−（４−
（４−（２，２−ジフルオロエトキシ）フェニル）シク
ロヘキシル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキサンを
用いて、実施例５と同様にして目的物を得た。

【００５３】「実施例７」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（２−（４−（２，３−ジフルオロ−４−エ
トキシフェニル）シクロヘキシル）エチル）−１−（４
−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキ
サンの製造 ４−ｎ−プロピルシクロヘキシルブロミドと４−（２−
（４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）
シクロヘキシル）エチル）−１−クロロ−１−シラシク
ロヘキサンを用いて、実施例５と同様にして目的物を得
た。

【００５４】「実施例８」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（２−（４−（３−フルオロ−４−（２，２
−ジフルオロエトキシ）フェニル）シクロヘキシル）エ
チル）−１−（４−（４−ペンテニル）シクロヘキシ
ル）−１−シラシクロヘキサンの製造 ４−（４−ペンテニル）シクロヘキシルブロミドと４−
（２−（４−（３−フルオロ−４−（２，２−ジフルオ
ロエトキシ）フェニル）シクロヘキシル）エチル）−１
−クロロ−１−シラシクロヘキサンを用いて、実施例５
と同様にして目的物を得た。

【００５５】「実施例９」 トランス，トランス，トラ
ンス−４−（４−（３−フルオロ−４−ジフルオロメト
キシフェニル）−１−シラシクロヘキシル）−１−（４
−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキ
サンの製造 ４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルブロミドと４−（４−
（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−
１−シラシクロヘキシル）−１−クロロ−１−シラシク
ロヘキサンを用いて、実施例５と同様にして目的物を得
た。

【００５６】「実施例１０」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（３，５−ジフルオロ−４−クロロ
フェニル）−１−シラシクロヘキシル）−１−（４−ｎ
−ペンチルシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキサン
の製造 ４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルブロミドと４−（４−
（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−１−シ
ラシクロヘキシル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキ
サンを用いて、実施例５と同様にして目的物を得た。

【００５７】「実施例１１」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフ
ルオロメトキシフェニル）−１−シラシクロヘキシル）
エチル）−１−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−
１−シラシクロヘキサンの製造 ４−ｎ−プロピルシクロヘキシルブロミドと４−（２−
（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェ
ニル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−クロ
ロ−１−シラシクロヘキサンを用いて、実施例５と同様
にして目的物を得た。

【００５８】「実施例１２」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（２，２，３，３，３
−ペンタフルオロプロポキシ）フェニル）−１−シラシ
クロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プロピルシク
ロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンの製造 ４−ｎ−プロピルシクロヘキシルブロミドと４−（２−
（４−（４−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロフ
ルオロプロポキシ）フェニル）−１−シラシクロヘキシ
ル）エチル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキサンを
用いて、実施例５と同様にして目的物を得た。

【００５９】「実施例１３」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−シアノフェニル）−１−シラ
シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキサンの製造 マグネシウム２．０ｇ（８２．３ｍｍｏｌ）およびＴＨ
Ｆ１００ｍｌの混合物に４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）シクロヘキシルブロミド２２．８
ｇ（７４．８ｍｍｏｌ）を滴下してグリニャール試薬を
得た。続いて、この溶液を４−（４−シアノフェニル）
−１−クロロ−１−シラシクロヘキサン１４．７ｇ（６
２．３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１００ｍｌ溶液に滴下して、
４−（４−（４−シアノフェニル）−１−シラシクロヘ
キシル）−１−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキサンを得た。このものは、シクロヘキサン環お
よびシラシクロヘキサン環に関してトランス体とシス体
の混合物であり、シリカゲルクロマトグラフィーにより
分離して、トランス，トランス，トランス体の目的物２
０．４ｇ（４６．７ｍｍｏｌ；収率７５％）を得た。

【００６０】「実施例１４」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（３，５−ジフルオロ−４−（２，
２−ジフルオロエトキシ）フェニル）−１−シラシクロ
ヘキシル）−１−（４−（３−メチルブチル）シクロヘ
キシル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−（３−メチルブチル）シクロヘキシル）シク
ロヘキシルブロミドと４−（３，５−ジフルオロ−４−
（２，２−ジフルオロエトキシ）フェニル）−１−クロ
ロ−１−シラシクロヘキサンを用いて実施例１３と同様
にして目的物を得た。

【００６１】「実施例１５」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−１−シラシクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ペン
チル−４−シラシクロヘキシル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）シ
クロヘキシルブロミドと４−（３−フルオロ−４−シア
ノフェニル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキサンを
用いて実施例１３と同様にして目的物を得た。

【００６２】「実施例１６」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−クロロフェニル）−１−シラ
シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ペンチル−４−シラ
シクロヘキシル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）シ
クロヘキシルブロミドと４−（４−クロロフェニル）−
１−クロロ−１−シラシクロヘキサンを用いて実施例１
３と同様にして目的物を得た。

【００６３】「実施例１７」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−フルオロフェニル）−
１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキサンの製造 マグネシウム１．６ｇ（６５．８ｍｍｏｌ）およびＴＨ
Ｆ１００ｍｌの混合物にトランス，トランス−４−（４
−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルエチル
ブロミド１８．９ｇ（５９．８ｍｍｏｌ）を滴下してグ
リニャール試薬を得た。続いて、この溶液を４−（４−
フルオロフェニル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキ
サン１１．４ｇ（４９．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１００ｍ
ｌ溶液に滴下して、４−（２−（４−（４−フルオロフ
ェニル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−
（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサンを
得た。このものは、シラシクロヘキサン環に関してトラ
ンス体とシス体の混合物であり、シリカゲルクロマトグ
ラフィーにより分離して、トランス，トランス，トラン
ス体の目的物１７．５ｇ（４０．８ｍｍｏｌ；収率８２
％）を得た。

【００６４】「実施例１８」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（２−フルオロエトキ
シ）フェニル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−
１−（４−（３−メトキシ）−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−（３−メトキシ）−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシルエチルブロミドと４−（４−（２
−フルオロエトキシ）フェニル）−１−クロロ−１−シ
ラシクロヘキサンを用いて、実施例１７と同様にして目
的物を得た。

【００６５】「実施例１９」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（３−フルオロ−４−
トリフルオロメチル）フェニル）−１−シラシクロヘキ
シル）エチル）−１−（４−ｎ−プロピル−４−シラシ
クロヘキシル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）シ
クロヘキシルエチルブロミドと４−（４−（３−フルオ
ロ−４−トリフルオロメチル）フェニル）−１−クロロ
−１−シラシクロヘキサンを用いて、実施例１７と同様
にして目的物を得た。

【００６６】「実施例２０」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（３−フルオロ−４−
クロロ）フェニル）−１−シラシクロヘキシル）エチ
ル）−１−（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシ
ル）シクロヘキサンの製造 ４−（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）シ
クロヘキシルエチルブロミドと４−（４−（３−フルオ
ロ−４−クロロ）フェニル）−１−クロロ−１−シラシ
クロヘキサンを用いて、実施例１７と同様にして目的物
を得た。

【００６７】「実施例２１」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ペンチル−１−
シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム１．３ｇ（５３．５ｍｍｏｌ）およびＴＨ
Ｆ５０ｍｌの混合物にｎ−ペンチルブロミド７．３ｇ
（４８．６ｍｍｏｌ）を滴下してグリニャール試薬を得
た。続いて、この溶液をトランス−４−（トランス−４
−トリフルオロメチルフェニル）シクロヘキシル）−１
−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラ
シクロヘキサン１８．６ｇ（４０．５ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ１００ｍｌ溶液に滴下して、４−（４−（４−トリフ
ルオロメチルフェニル）シクロヘキシル）−１−（４−
ｎ−ペンチル−１−シラシクロヘキシル）−１−シラシ
クロヘキサンを得た。このものは、シラシクロヘキサン
環に関してトランス体とシス体の混合物であり、シリカ
ゲルクロマトグラフィーにより分離して、トランス，ト
ランス，トランス体の目的物１７．０ｇ（３４．４ｍｍ
ｏｌ；収率８５％）を得た。

【００６８】「実施例２２」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−（２，２−ジフルオロビニ
ル）フェニル）シクロヘキシル）−１−（４−ｎ−ペン
チル−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキ
サンの製造 ｎ−ペンチルブロミドと４−（４−（４−（２，２−ジ
フルオロビニル）フェニル）シクロヘキシル）−１−
（４−クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシ
クロヘキサンを用いて、実施例２１と同様にして目的物
を得た。

【００６９】「実施例２３」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−ジフルオロメトキシフ
ェニル）シクロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プ
ロピル−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘ
キサンの製造 ｎ−プロピルブロミドと４−（２−（４−（４−ジフル
オロメトキシフェニル）シクロヘキシル）エチル）−１
−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラ
シクロヘキサンを用いて、実施例２１と同様にして目的
物を得た。

【００７０】「実施例２４」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（１，２−ジフルオロ
ビニロキシ）フェニル）シクロヘキシル）エチル）−１
−（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）−１
−シラシクロヘキサンの製造 ｎ−プロピルブロミドと４−（２−（４−（４−（１，
２−ジフルオロビニロキシ）フェニル）シクロヘキシ
ル）エチル）−１−（４−クロロ−４−シラシクロヘキ
シル）−１−シラシクロヘキサンを用いて、実施例２１
と同様にして目的物を得た。

【００７１】「実施例２５」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−（３，５−ジフルオロ−４−
トリフルオロメトキシ）フェニル）−１−シラシクロヘ
キシル）−１−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘ
キシル）−１−シラシクロヘキサンの製造 ｎ−ペンチルブロミドと４−（４−（４−（３，５−ジ
フルオロ−４−トリフルオロメトキシ）フェニル）−１
−シラシクロヘキシル）−１−（４−クロロ−４−シラ
シクロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンを用いて、
実施例２１と同様にして目的物を得た。

【００７２】「実施例２６」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（４−（４−（２，２，２−トリフルオロ
エトキシ）フェニル）−１−シラシクロヘキシル）−１
−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−１
−シラシクロヘキサンの製造 ｎ−ペンチルブロミドと４−（４−（４−（２，２，２
−トリフルオロエトキシ）フェニル）−１−シラシクロ
ヘキシル）−１−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−シラシクロヘキサンを用いて、実施例２１と
同様にして目的物を得た。

【００７３】「実施例２７」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（３，５−ジフルオロ
−４−トリフルオロメトキシ）フェニル）−１−シラシ
クロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プロピル−４
−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘキサンの製
造 ｎ−プロピルブロミドと４−（２−（４−（４−（３，
５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ）フェニ
ル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−（４−
クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘ
キサンを用いて、実施例２１と同様にして目的物を得
た。

【００７４】「実施例２８」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（３，５−ジフルオロ
−４−トリフルオロメトキシ）フェニル）−１−シラシ
クロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プロピル−４
−シラシクロヘキシル）−１−メチル−１−シラシクロ
ヘキサンの製造 ｎ−プロピルブロミドと４−（２−（４−（４−（３，
５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ）フェニ
ル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−（４−
クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘ
キサンを用いて、実施例２１と同様にして目的物を得
た。

【００７５】「実施例２９」 トランス，トランス，ト
ランス−４−（２−（４−（４−（３，５−ジフルオロ
−４−トリフルオロメトキシ）フェニル）−１−シラシ
クロヘキシル）エチル）−１−（４−ｎ−プロピル−４
−シラシクロヘキシル）−１−フルオロ−１−シラシク
ロヘキサンの製造 ｎ−プロピルブロミドと４−（２−（４−（４−（３，
５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ）フェニ
ル）−１−シラシクロヘキシル）エチル）−１−（４−
クロロ−４−シラシクロヘキシル）−１−シラシクロヘ
キサンを用いて、実施例２１と同様にして目的物を得
た。

【００７６】

【発明の効果】Δｎが比較的小さくＴ_NIが高く、かつケ
イ素を導入した効果として低い閾値電圧を与えるシラシ
クロヘキサン型液晶化合物により、液晶物質の性能向上
が図れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 勤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 ［上式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、
   炭素数１〜１０のモノまたはジフルオロアルキル基、炭
   素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、炭素数３〜８の分
   枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル
   基、または炭素数２〜８のアルケニル基を表し、 【化２】 は、１，４−シクロヘキシレン基を示すが、そのうち少
   なくとも一つは、１または４位にケイ素を有し、該ケイ
   素が、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＨ₃ の置換基を有するトラ
   ンス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基またはト
   ランス−４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を表
   し、 Ｘは、Ｈ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＣＦ₂ Ｃｌ、ＣＨ
   （Ｆ）Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂ Ｃｌ、ＯＣＨ（Ｆ）Ｃ
   ｌ、ＯＣＨＦ₂ 、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、
   炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、炭素数２〜７の
   アルコキシアルキル基、（Ｏ）_p ＣＹ₁ ＝ＣＸ₁ Ｘ
   ₂ （ｐは０または１、Ｙ₁ およびＸ₁ はＨ、ＦまたはＣ
   ｌ、Ｘ₂ はＦまたはＣｌを表す。）、（Ｏ）_q （Ｃ_n Ｈ
   _m Ｆ_2n-m）Ｘ ₃ （ｑは０または１、ｎは２、３または
   ４、ｍは０〜２ｎの間の任意の整数、Ｘ ₃ はＨ、Ｆまた
   はＣｌを表す。）を表し、 Ｙ、Ｚは、ＨまたはＦ、ｉは、０または１を表す。］で
   表されるシラシクロヘキサン化合物。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のシラシクロヘキサン化
   合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の液晶組成物を含有する
   ことを特徴とする液晶表示素子。