KR100199511B1 - 네가티브형포토레지스트조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학선에 패턴노광된 후, 그 다음의 처리전에 긴 시간동안 유지된 후에도 기판표면의 조성물의 레지스트층의 안정성을 크게 향상시키고, 고감도를 발휘할 수 있는 용액형태의 알칼리현상성 네가티브형 포토레지스트조성물을 제안한 것으로, 포토레지스트조성물은, 주요성분으로서, (a) 히드록시스티렌과 스티렌과의 공중합체등의 알칼리가용성수지, (b)트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트등의 화학선으로 조사한 경우 산을 발생할 수 있는 화합물, (c) N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 멜라민수지 및 우레아수지로 이루어진 군에서 선택된 가교제 및 (d) 상기 성분(c)가 멜라민수지인 경우에는 헥사(메톡시메틸)멜라민 또는 상기 성분(c)가 우레마수지인 경우에는 디(메톡시메틸)우레아 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 감도향상제를 특정비율로 함유해 이루어진다.

Description

네가티브형 포토레지스트조성물
본 발명은, 네가티브형 포토레지스트조성물, 특히, 각종 반도체장치 및 액정 디스플레이패널의 제조시, 포토리토그라피패턴제작에 적합하게 사용되고, 알칼리현상액으로 현상될 수 있고, 화학선에 고감도를 나타내고, 화학선에 패턴노광된 후 기판표면상의 레지스트층의 안정성이 우수한 네가티브형 포트레지스트조성물에 관한 것이다.
현재, 전자장치의 제조시 포토리토그라피패턴제작에 사용하는 포토레지스트조성물은, 기판표면의 레지스트층에 현상액의 용해도를 증가시켜, 화학선에 패턴노광한 후의 레지스트층의 현상처리에 의해 노광영역의 레지스트층을 용해시키고, 미노광영역에 레지스트층을 남겨놓음으로써 레지스트패턴층을 형성하는 포지티브형 포토레지스트조성물과, 화학선에 노광된 영역의 패턴에 레지스트층을 미용해상태로 남겨둠으로써 레지스트패턴층을 형성하는 네가티브형 포토레지스트조성물로 분류된다. 네가티브형 포토레지스트조성물로서는, 일본국 특개소 62-164045호에, 알칼리 가용성수지, 화학선에 의한 조사에 산을 발생하는 산발생제 및 가교제로 이루어진 소위 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물을 개시하고 있다.
상기 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물에 있어서, 패턴상의 형성은 산의 촉매활성을 이용함으로써 달성되어 일반적으로 화학선에 대한 포토레지스트조성물의 감도가 높고, 고해상도의 레지스트패턴층은 알칼리현상액에 의한 현상처리를 통해 얻을 수 있다는 이점이 있으므로, 이런 형태의 포토레지스트조성물은 패턴의 고미세성이 필수로 되고 있는 반도체장치 및 액정디스플레이패널의 제조에 널리 사용되고 있다. 근년, 전자기술에 있어, 전자기기의 소형화 및 반도체장치의 고집적화경향에 따라, 포토레지스트조성물에 대해서 화학선에 대한 감도 및 미세패터닝시 해상도를 더욱 향상시킬 것이 요구되고 있다.
종래, 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물은, 가교제로서, 메틸올화 혹은 알콕시메틸화후의 멜라민수지 또는 우레아수지를 함유하고 있고, 이런 형태의 가교제의 개량을 위해 이제까지 각종 제안 및 시도가 이루어져 왔다. 예를들면, 일본국 특개평 5-181277호에는, 잔류모노머의 함량이 20wt%를 초과하지 않는 멜라민수지를 사용함으로써 상술한 형태의 포토레지스트조성물의 해상도를 개량시키는 방법이 개시되어 있고, 또, 동특개평 3-75652호에는, 상술한 형태의 포토레지스트조성물의 보존안정성을, 다이머 내지 테트라머를 포함한 멜라민올리고머의 양을 감소시킨 멜라민수지를 사용함으로써 향상시킬 수 있다고 개시하고 있다. 그러나, 이들 종래법은 포토레지스트조성물의 감도 및 해상도에 관한 요구 조건을 만족시킬 정도로 효율적이지는 못했다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 종래기술의 문제점과 결점에 비추어, 감도와 패터닝의 해상도를 향상시킴과 동시에, 화학선에 패턴노광된 후의 기판표면상의 레지스트층의 안정성(이하, 후노광안정성이라칭함)을 부여할 수 있는 신규의 개량된 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명에 의해 제공되는 네가티브형 포토레지스트조성물은,
(a) 알카리가용성수지 100중량부;
(b) 화학선으로 조사한 경우, 산을 발생할 수 있는 화합물 0.5~20중량부;
(c) N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 멜라민수지 및 우레아수지로 이루어진 군에서 선택된 가교제 3~70중량부;및
(d) 상기 성분(c)가 멜라민 수지인 경우에는 헥사(메톡시메틸)멜라민, 상기 성분(c)가 우레사수지인 경우에는 디(메톡시메틸)우레아 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된, 상기 성분(c)의 양에 대해 5~40중량%의 감도향상제를 함유해서 이루어진 균일혼합물이다.
특히, 성분(b)는 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 등의 할로겐 함유 트리아진 화합물인 것이 바람직하고, 또한, 성분(c)는, 각각, N위치가 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기의 특정비율로 치환되어 있는 멜라민수지 및 우레아수지의 조합이고, 성분(d)는 헥사(메톡시메틸)멜라민과 디(메톡시메틸)우레아의 특정비율의 조합인 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 네가티브형 포토레지스트조성물들은 기본성분으로서 성분(a),(b),(c),(d)로 이루어진다. 성분(a)는, 알칼리가용성수지인 막형성제로, 예를들면, 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 폴리(히드록시스티렌)수지 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 폴리(히드록시스티렌)수지 및 이들의 유도체를 들면, 히드록시스티렌의 단일중합체 및, 히드록시스티렌과 아크릴산유도체, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 메타크릴산유도체, 스티렌 또는 스티렌유도체, 예를들어, a-메틸스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, p-클로로스티렌의 공중합체, 폴리(히드록시스티렌)단일중합체의 수소화수지, 그리고 히드록시스티렌과 아크릴산유도체, 메타크릴산 유도체 또는 스티렌유도체의 공중합체의 수소화수지를 들 수 있다. 바람직한 알카리가용성수지의 다른 군으로는, 이들의 수산기의 수고원자의 일부를, 산에 의해 분해될 수 있는 알카리용해성억제기로 치환시킨 폴리(히드록시스티렌)을 들 수 있다.
상기 산에 의해 분해될 수 있는 알칼리용해성억제기로는, tert-부틸, tert-부톡시카르보닐, tert-아밀옥시카르보닐, 1-에톡시에틸, 1-메톡시프로필, 테트라히드로피라닐, 테트라히드로푸라닐, 벤질 및 트리메틸실릴기를 들 수 있고, 특히 이들에 한정되는 것을 아니며, 이들중, 산분해성과 알칼리용해성 억제작용간의 좋은 균형과, 레지스트패턴의 우수한 단면형상면에서 보아 tert-부톡시카르보닐기가 바람직하다. 산에 의해 분해될 수 있는 알카리용해성억제기에 의한 폴리(히드록시스티렌)의 치환율은 1~45몰%이고, 5~15몰%가 바람직하다. 치환율이 너무 높으면 알칼리가용성수지의 알칼리용해성이 지나치게 감소하여 미노광영역의 현상처리시 레지스트층의 불완전한 제거로 인해 패턴형성에 어려움이 발생하게 된다.
또한, 성분(a)로서 적합한 다른 군의 폴리(히드록시스티렌)계 수지로는 폴리(히드록시스티렌)중 수산기의 일부를, p-아세트아미노벤젠술포닐기, 벤젠술포닐기, p-클로로벤젠술포닐기, 나프틸벤젠술포닐기, p-아세트아미노벤젠 카르보닐기, 벤젠 카르보닐기, p-클로로벤젠카르보닐기, 나프틸벤젠카르보닐기등의 술폰산 에스테르기 혹은 카르복실산에스테르기로 치환한 것을 들 수 있다. 이들 치환기에 의한 폴리(히드록시스티렌)의 치환율은, 0.5~50몰%이고, 바람직하게는 10~30몰%의 범위로 선택된다. 치환율이 너무 높으면, 알칼리가용성수지의 알칼리용해성이 지나치게 감소하여 미노광영역의 현상처리시 레지스트층의 불완전한 제거로 인해 패턴형성에 어려움이 발생하게 된다.
상술한 각종 형태중에서, 성분(a)로서 특히 바람직한 알칼리가용성수지는, 크레졸 노볼락 수지, 폴리(히드록시스티렌)수지 및 이들의 수소화수지, 폴리(히드록시스티렌)수지의 수산기의 1~45%를 tert-부톡시카르보닐기로 치환한 것, 및, 히드록시스티렌과 스티렌 및 이들의 수소화수지의 공중합체를 들 수 있고, 이들 알칼리가용성 수지는 단독 또는 필요에 따라 2종류 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트조성물에 있어 성분(a)로서의 알칼리가용성수지는 중량평균분자량이 1000~3000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2000~25000이어야 한다. 알칼리가용성수지의 평균분자량이 너무 작으면, 화학선에 패턴노광된 후 레지스트층의 현상처리시 잔류막의 비율이 감소하는 반면, 수지의 평균분자량이 너무 크면, 패터닝의 해상도가 감소하게 된다.
본 발명의 포토레지스트조성물의 성분(b)는, 화학선에 의한 조사에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물로, 종래 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물에 사용된 산발생화합물의 어느 것이라도 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어 산발생제로서 적합한 화합물의 예로는 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄 등의 비스(술포닐)디아조메탄화합물; p-톨루엔술폰산 2-니트로벤질, p-톨루엔 술폰산 2,6-디니트로벤질 등의 니트로벤질화합물; 피로갈롤트리메실레이트, 피로갈롤트리토실레이트 등의 술폰산에스테르 화합물; 디페닐요도늄헥사플루오로포스페이트, (4-메톡시페닐)페닐요도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로 포스페이트, (4-메톡시페닐)디페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, (p-tert-부틸페닐)디페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트 등의 오늄염; 벤조인 토실레이트, a-메틸벤조인 토실레이트 등의 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-3,4-메틸렌디옥시페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(1,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(2,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진, 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 등의 할로겐함유트리아진화합물을 들 수 있다.
상기 산발생화합물중에서, 상기 성분(b)는 배합된 본 발명의 포토레지스트조성물에 고감도를 부여하는 면에서 보아 할로텐함유트리아진화합물이 바림직하고, 보다 바람직하게는 브롬함유트리아진화합물, 가장 바람직하게는 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트이다.
본 발명의 포토레지스트조성물에 있어 가교제로서 기능하는 성분(c)는, 종래 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트조성물에 알려진 성분으로서의, N-메틸올화 또는 N-알콕시메틸화멜라민수지 및 우레아수지에서 선택되며, N-메틸올화멜라민수지 또는 우레아수지는 멜라민 또는 우레아를 비등수속에서 포름알데히드와 축합반응시켜 제조할 수 있고, N-알콕시메틸화멜라민수지 또는 우레아수지는 N-메틸올화멜라민수지 또는 우레아수지와 저급알콜을 반응시켜 제조할 수 있다. 이들 수지는 단독 또는 필요에 따라 2종류이상 조합해서 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트조성물에 있어서의 성분(b)와 (c)의 양은 성분(a) 100중량부에 대해, 각각, 0.5~20중량부와 3~70중량부이다. 성분(b)의 양이 너무 적으면, 포토레지스트조성물의 감도가 저하하는 반면, 양이 너무 많으면, 균일한 용액형태의 포토레지스트조성물을 얻을 수 없고, 또 현상성이 저하하게 된다. 또, 성분(c)의 양이 너무 적으면, 포토레지스트조성물로부터 미세한 레지스트패턴층을 얻을 수 없게 되는 한편, 양이 너무 많으면, 균일한 용액형태의 포토레지스트조성물을 얻을 수 없고, 또 현상성이 저하하게 된다.
본 발명의 포토레지스트조성물에 있어서의 제 4성분인 성분(d)는 감도향상제로, 헥사(메톡시메틸)멜라민, 디(메톡시메틸)우레아 또는 이들 조합이다. 성분(d)의 양은 성분(c)의 양에 대해 5~40중량%이고, 바람직하게는 10~30중량%이다. 성분(d)의 양이 너무 적으면, 감도와 해상도에 있어 소정의 향상효과를 충분히 달성할 수 없는 한편, 양이 너무 많으면, 화학선에 패턴노광한 후의 레지스트층의 안정성 혹은 소위 후노광안정성이 감소한다. 종래 네가티브형 포토레지스트조성물은, 기판표면에 해당 조성물의 레지스트층을 형성하고, 화학선에 패턴노광한 다음 후노광베이킹처리 및 현상처리한 경우, 화학선에 패턴노광한 즉시 후노광베이킹처리를 하면 우수한 레지스트패턴층을 얻을 수 있다고 알려져 있으나, 패턴노광에서부터 긴 시간이 경과한 후에 후노광베이킹처리를 실행한 경우, 레지스트패턴층의 단면형상이 둥글게되거나 끌리는 자락이 생기는 등, 열화가 발생한다. 즉, 성분(d)의 적당량을 배합한 본 발명의 네가티브형 포토레지스트조성물은 우수한 후노광안정성을 제공해준다.
본 발명의 포토레지스트조성물은, 성분(c)가 N-치환멜라민수지일 경우, 성분(d)가 헥사(메톡시메틸)멜라민이고, 성분(c)가 N-치환우레아수지일 경우 성부(d)가 디(메톡시메틸)우레아인 것이 바람직하고, 특히, N-치환우레아수지와 디(메톡시메틸)우레아의 95:5~60:40중량%혼합물과, N-치환멜라민수지와 헥사(메톡시메틸)멜라민의 95:5~60:40중량%혼합물을, 중량비 80:20~99:1로 조합한 것을 사용함으로써 포토레지스트조성물에 우수한 감도와 해상도를 부여할 수가 있다.
이하, 본 발명의 네가티브형 포토레지스트조성물에 대해 실시예를 통해 상세히 설명한다.
[실시예 1]
락트산에틸 140g에, p-히드록시스티렌과 스티렌의 몰비 85:15의 공중합체이고, 중량평균분자량이 2500인, 알칼리가용성수지(VPS-2515, Nippon Soda Co. 제품) 22.5g, 메틸올화멜라민수지 2.0g 및 멜라민수지 20중량%에 상당하는 헥사(메톡시메틸)멜라민 0.4g을 교반하에 균일하게 용해시키고, 또 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 2.0g을 혼합해서 네가티브형 포토레지스트용액을 제조하였다.
다음에, 직경 6인치의 반도체실리콘웨이퍼를 헥사메틸디실라잔분위기에 7분간 노출시켜 표면처리한 후, 상기 제조한 포토레지스트용액으로, 3000rpm 으로 30초간 회전하는 스피너상에서 도포한 다음, 100oC 로 유지된 열판상에서 90초간 건조하여 두께가 0.7m인 포토레지스트층을 형성하였다. 그후, 기판표면상의 레지스트층을 축소투영노광기 (Model NSR - 2005EX 8A, Nikon Co. 제조)에 의해 엑시머레이저빔으로 패턴조사한 직후, 120에서 90초간 후노광베이킹(PEB)처리하고, 퍼들형 현상기내를 사용해서 테트라메틸암모늄히드록시드수용액 2.38wt%로 23oC에서 65초간 현상하여 레지스트패턴층을 얻었다.
이렇게 형성된 레지스트패턴층은, 0.26m라인폭의 라인앤드스페이스패턴에 대해 양호하게 해상되고, 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면에 직립한, 우수한 직각형상이었다.
또, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 80mJ/cm2였다.
또한, 상기 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고 노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 앞의 시험에서와 같이 만족스러운 결과를 얻을 수 있었다.
[실시예 2]
락트산에틸 140g에, 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 알카리가용성수지 22.5g, 메틸올화우레아수지 2.0g 및 우레아수지 22wt%에 대응하는 디(에톡시메틸)우레아 0.44g을 교반하에 균일하게 용해시키고, 또 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 2.0g을 혼합함으로써 네가티브형 포토레지스트용액을 제조하였다.
이렇게 제조된 포토레지스트조성물에 대해 실시예 1과 동일한 평가시험을 행한 바, 0.24m라인폭의 라인앤드스페이스패턴에 대해 레지스트층의 패턴해상도가 우수하였고, 또 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면상에 직립한 우수한 것이었고, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 10mJ/cm2였다. 더욱이, 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고 패턴노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 앞의 시험에서와 같이 만족스러운 결과를 얻을 수 있었다.
[실시예 3]
락트산에틸 140g에, 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 알칼리가용성수지 22.5g, 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 메틸올화멜라민수지와 헥사(메톡시메틸)멜라민의 81:19중량%혼합물 0.08g 및 실시예 2에서 사용한 것과 동일한 메틸올화우레아수지와 디(메톡시메틸)우레아의 79:21중량%혼합물2.25g을 교반하에 균일하게 용해시키고, 트리슨(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 2.0g을 혼합함으로써 네가티브형 포토레지스트용액을 제조하였다.
이렇게 제조된 포토레지스트조성물에 대해 실시예 1과 마찬가지의 평가시험을 행한 바, 0.22m라인폭의 라인앤드스페이스패턴에 대해 레지스트층의 패턴해상도가 우수하였고, 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면에 직립한 우수한 것이었고, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 30mJ/cm2였다. 더욱이, 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고 패턴노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는, 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 앞의 시험에서와 같이 만족스러운 결과를 얻을 수 있었다.
[비교예 1]
헥사(메톡시메틸)멜라민의 양을 메틸올화멜라민수지 3중량%에 대응하는 0.06g으로 감소시킨 이외에는 실시예 1과 마찬가지 처리를 행한 바, 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면상에서 직각이었으나, 레지스트층의 라인앤드스페이스패턴으로 얻어진 해상도는 0.28m였으며, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 170mJ/cm2였다. 또한, 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고 패턴노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 결과는 앞의 시험과 거의 동일하였다.
[비교예 2]
디(메톡시메틸)우레아의 양을 메틸올화우레아수지 3중량%에 대응하는 0.06g으로 감소시킨 이외에는 실시예 2와 마찬가지 처리를 행한 바, 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면상에서 직각이었으나, 레지스트층의 라인앤드스페이스패턴으로 얻어진 해상도는 0.28m였으며, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 60mJ/cm2였다. 또한, 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고 패턴노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 결과는 앞의 시험과 거의 동일하였다.
[비교예 3]
메틸올화우레아수지의 양을 1.6g으로 감소시키고, 디(메톡시메틸)우레아의 양을 메틸올화우레아수지 50중량%에 대응하는 0.8g으로 증가시킨 이외는 실시예 2과 마찬가지 처리를 행한 바, 레지스트패턴층의 단면형상은 기판표면상에서 직각이었으나, 레지스트층의 라인앤드스페이스패턴으로 얻어진 해상도는 0.24m였으며, 포토레지스트조성물의 감도를 나타내는 최소노광량은 20mJ/cm2였다. 또한, 후노광베이킹처리를 패턴노광직후에 행하지 않고, 패턴노광후 70분이 경과한 후에 행한 이외에는 상기와 마찬가지 처리를 반복해서 시험을 행한 바, 해상도는 0.30m였으며, 레지스트패턴층의 단면형상은 직각이 되지 않고, 둥글고 처진 자락을 지니고 있었다.

Claims (11)

  1. 균일혼합물로서, (a) 알칼리가용성수지 100중량부; (b) 화학선으로 조사한 경우 산을 발생할 수 있는 화합물 0.5~20중량부; (c) N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 멜라민수지 및 우레아수지로 이루어진 군에서 선택된 가교제 3~70중량부; 및 (d) 상기 성분(c)가 멜라민수지인 경우에는 헥사(메톡시메틸)멜라민, 상기 성분(c)가 우레사수지인 경우에는 디(메톡시메틸)우레아 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된, 상기 성분(c)의 양에 대해 5~40중량%의 감도향상제를 함유해서 이루어진 네가티브형 포토레지스트조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분(a)로서의 알칼리가용성수지는 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지 및 폴리(히드록시스티렌)계수지로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  3. 제2항에 있어서, 성분(a)로서 알칼리가용성수지는 폴리(히드록시스티렌)계 수지인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  4. 제1항에 있어서, 성분(a)로서의 알칼리가용성수지의 중량평균분자량은 1000~30000인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  5. 제1항에 있어서, 성분(b)는 할로겐함유트리아진화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  6. 제5항에 있어서, 할로겐함유트리아진화합물에서 할로겐은 브롬인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  7. 제6항에 있어서, 브롬함유트리아진화합물은 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  8. 제1항에 있어서, 성분(c)는 N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 우레아수지이고, 성분(d)는 디(메톡시메틸)우레아인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  9. 제1항에 있어서, 성분(c)는 N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 멜라민수지이고, 성분(d)는 헥사(메톡시메틸)멜라민인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  10. 제1항에 있어서, 성분(d)의 양은 성분(c)의 양에 대해 10~30중량%인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
  11. 제1항에 있어서, 성분(c)는 각각 N위치가 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 이들의 조합으로 치환된 멜라민수지와 우레아수지의 조합이고, 성분(d)는 헥사(메톡시메틸)멜라민과 디(메톡시메틸)우레아의 조합으로, 우레아수지 대 디(메톡시메틸)우레아의 중량비는 95:5~60:40이고, 멜라민수지 대 헥사(메톡시메틸)멜라민의 중량비는 95:5~60:40이며, 우레아수지와 디(메톡시메틸)우레아의 총량 대 멜라민수지와 헥사(메톡시메틸)멜라민의 총량의 중량비는 80:20~99:1인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트조성물.
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