JP2001296661A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体デバイスの製造において、レジストパタ
ーンのエッジラフネスが改善され、更に露光マージン
（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果が
ある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ライン
の線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供
すること。 【解決手段】（Ａ）特定の有橋式脂環式構造を有する繰
り返し構造単位および特定のラクトン構造を有する繰り
返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対
する溶解速度が増加する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射
線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特
徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩや高容量
マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロ
セスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使
用するポジ型レジスト組成物に関するものである。更に
詳しくは、露光マージン及びエッジラフネスが良好なポ
ジ型フォトレジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩ等の半導体基板の製造においてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。その必要性を満たすた
めにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用
波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波長
のエキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ等）
を用いることが検討されるまでになってきている。この
波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に用い
られるものとして、化学増幅系レジストがある。

【０００３】一般に化学増幅系レジストは、通称２成分
系、２．５成分系、３成分系の３種類に大別することが
できる。２成分系は、光分解により酸を発生する化合物
（以後、光酸発生剤という）とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基（酸分解性基ともいう）を分子内に有する樹脂であ
る。２．５成分系はこうした２成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。３成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。

【０００４】上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。ＡｒＦ光
源用のフォトレジスト組成物としては、部分的にヒドロ
キシ化したスチレン系樹脂よりもさらに吸収の少ない
（メタ）アクリル系樹脂を光によつて酸を発生する化合
物と組み合わせたフォトレジスト組成物が提案されてい
る。例えば特開平７−１９９４６７号、同７−２５２３
２４号等がある。中でも特開平６−２８９６１５号では
アクリル酸のカルボキシル基の酸素に３級炭素有機基が
エステル結合した樹脂が開示されている。

【０００５】さらに特開平７−２３４５１１号ではアク
リル酸エステルやフマル酸エステルを繰り返し構造単位
とする酸分解性樹脂が開示されているが、パターンプロ
ファイル、基板密着性等が不十分であり、満足な性能が
得られていないのが実情である。

【０００６】更にまた、ドライエッチング耐性付与の目
的で脂環式炭化水素部位が導入された樹脂が提案されて
いる。特開平９−７３１７３号、特開平９−９０６３７
号、特開平１０−１６１３１３号公報には、脂環式基を
含む構造で保護されたアルカリ可溶性基と、そのアルカ
リ可溶性基が酸により脱離して、アルカリ可溶性となら
しめる構造単位を含む酸感応性化合物を用いたレジスト
材料が記載されている。

【０００７】また、特開平９−９０６３７号、同１０−
２０７０６９号、同１０−２７４８５２号公報には、特
定ラクトン構造を有する酸分解性樹脂を含むレジスト組
成物が記載されている。

【０００８】また、露光放射の波長が従来の紫外（Ｕ
Ｖ）あるいは深ＵＶ領域（すなわち、約２４０ｎｍ〜約
３７０ｎｍ）にあるようなデバイス製造のためのリソグ
ラフィプロセスでは、エチレン系あるいは芳香族の不飽
和性を有するポリマー（重合体）を含むレジスト材料が
一般に使用される。しかし、このようなレジスト材料
は、露光放射が１９３ｎｍのプロセスには不適当である
ことが多い。その理由は、炭素−炭素二重結合がこの波
長の放射を吸収するためである。その結果、露光放射の
波長が２４８ｎｍ以上であるようなリソグラフィプロセ
スで使用されているレジスト材料は一般に、波長１９３
ｎｍの露光放射を使用するプロセスでは用いられない。
０．１８μｍ及び０．１３μｍのデザインルールを用い
たデバイスを製造するリソグラフィプロセスは露光放射
として波長１９３ｎｍの光を使用することが多いため、
エチレン系不飽和性をあまり含まないレジストポリマー
が所望される。特開平１０−１０７３９号及び特開平１
０−３０７４０１号では、波長１９３ｎｍに対する透明
性は改善されているものの、必ずしも高感度とは言えず
０．１３μｍ以降のリソグラフィーを考えた場合には解
像力が不足している。

【０００９】ＡｒＦ露光用の化学増幅系フォトレジスト
において、上記のように酸分解性基を含有する樹脂が種
々検討されてきたが、未だレジストパターンのエッジに
ラフネス（凹凸）を生じるという問題が存在した。ここ
で、エッジラフネスとは、レジストのラインパターンの
頂部及び底部のエッジが、レジストの特性に起因して、
ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パ
ターンを真上からみたときにエッジが凸凹して見えるこ
とをいう。更に、露光マージンにおいても改善の余地が
あった。ここで露光マージンとは、露光量が変化する
と、それに従って得られるパターンの線幅が変化してし
まう現象をいう。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジ
ラフネスが改善されたポジ型フォトレジスト組成物を提
供することである。本発明の他の目的は、露光マージン
（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果が
ある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ライン
の線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供
することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結
果、特定の構造の繰り返し構造単位を有する酸分解性樹
脂を併用することにより、本発明の目的が達成されるこ
とを知り、本発明に至った。即ち、上記目的は下記構成
によって達成される。

【００１２】（１）（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される
繰り返し構造単位および下記一般式（II）で示される繰
り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に
対する溶解速度が増加する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放
射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを
特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

【００１３】

【化４】

【００１４】

【化５】

【００１５】一般式（Ｉ）中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、水素原子
又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。ａは０ま
たは１である。一般式（II）中、Ｒ₁は、水素原子又は
メチル基を表す。Ｗは、単結合、アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基より
なる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み
合わせを表す。Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独
立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２
以上６以下である。

【００１６】（２）上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式
（III）で示される繰り返し構造単位を含有することを
特徴とする前記（１）に記載のポジ型フォトレジスト組
成物。

【００１７】

【化６】

【００１８】式（III）中：Ｚ₂は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ
₃）−を表す。ここでＲ₃は、水素原子、水酸基又は−Ｏ
ＳＯ₂−Ｒ₄を表す。Ｒ₄は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。

【００１９】（３）更に（Ｃ）有機塩基性化合物、
（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有
することを特徴とする前記（１）または（２）に記載の
ポジ型フォトレジスト組成物。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する成分につ
いて詳細に説明する。 〔１〕（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解速度が増加する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」ともい
う）。 酸分解性樹脂の繰り返し構造単位を示す一般式（Ｉ）に
おいて、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、水素原子又は置換基を有しても
良いアルキル基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄のアルキル基として
は、炭素数１〜１２のものが好ましく、より好ましくは
炭素数１〜１０のものであり、具体的にメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基を好ましく挙げることができる。一般式
（Ｉ）中、ａは０または１である。

【００２１】酸分解性樹脂の繰り返し構造単位を示す一
般式（II）中、Ｒ₁は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独立に、水素原子
又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ，ｎは各々独
立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下であ
る。Ｒａ〜Ｒｅの炭素数１〜４のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基等を挙げることができる。

【００２２】一般式（II）において、Ｗのアルキレン基
としては、下記式で表される基を挙げることができる。
−〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕ｒ−上記式中、Ｒｆ、Ｒｇは、
水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原
子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異な
っていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級
アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基から選択される。置
換アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基を挙げることができる。アルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等の炭素数１〜４のものを挙げることができ
る。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ
素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒは１〜１
０の整数である。

【００２３】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。

【００２４】以下、一般式（Ｉ）で示される繰り返し構
造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに
限定されるものではない。

【化７】

【００２５】以下、一般式（II）で示される繰り返し構
造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに
限定されるものではない。

【００２６】

【化８】

【００２７】

【化９】

【００２８】

【化１０】

【００２９】上記一般式（II）の具体例において、露光
マージンがより良好になるという点から（II−１７）〜
（II−３６）が好ましい。更に一般式（II）の構造とし
ては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリ
レート構造を有するものが好ましい。

【００３０】本発明の（ｂ）酸分解性樹脂は、更に一般
式（III）で示される繰り返し単位を含有することがで
きる。

【００３１】一般式（III）において、Ｚ₂は、−Ｏ−又
は−Ｎ（Ｒ₃）−を表す。ここでＲ₃は、水素原子、水酸
基又は−ＯＳＯ₂−Ｒ₄を表す。Ｒ₄は、アルキル基、ハ
ロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。

【００３２】上記Ｒ₄におけるアルキル基としては、炭
素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好
ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直鎖状あるい
は分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基で
ある。

【００３３】上記Ｒ₄ におけるハロアルキル基としては
トリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル基、ペンタ
デカフルオロオクチル基、トリクロロメチル基等を挙げ
ることができる。上記Ｒ₄におけるシクロアルキル基と
しては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロ
オクチル基等を挙げることができる。

【００３４】以下、一般式（III）で示される繰り返し
構造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これら
に限定されるものではない。

【００３５】

【化１１】

【００３６】

【化１２】

【００３７】（Ａ）成分である酸分解性樹脂は、上記の
繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準
現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さら
にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱
性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を
含有することができる。

【００３８】このような繰り返し構造単位としては、下
記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これによ
り、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、（１）塗布
溶剤に対する溶解性、（２）製膜性（ガラス転移点）、
（３）アルカリ現像性、（４）膜べり（親疎水性、アル
カリ可溶性基選択）、（５）未露光部の基板への密着
性、（６）ドライエッチング耐性、等の微調整が可能と
なる。

【００３９】このような単量体として、例えばアクリル
酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエー
テル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不
飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。

【００４０】具体的には、以下の単量体を挙げることが
できる。アクリル酸エステル類（好ましくはアルキル基
の炭素数が１〜１０のアルキルアクリレート）：アクリ
ル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、
アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリ
ル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸
−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシ
プロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリ
レート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペ
ンタエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリ
レート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルア
クリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。

【００４１】メタクリル酸エステル類（好ましくはアル
キル基の炭素数が１〜１０のアルキルメタアクリレー
ト）：メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート等。

【００４２】アクリルアミド類：アクリルアミド、Ｎ−
アルキルアクリルアミド（アルキル基としては炭素数１
〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等があ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アルキル
基としては炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、
シクロヘキシル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−
Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチ
ル−Ｎ−アセチルアクリルアミド等。

【００４３】メタクリルアミド類：メタクリルアミド、
Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基としては炭
素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基等がある）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタク
リルアミド（アルキル基としてはエチル基、プロピル
基、ブチル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−
メチルメタクリルアミド等。

【００４４】アリル化合物：アリルエステル類（例えば
酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル
等）、アリルオキシエタノール等。

【００４５】ビニルエーテル類：アルキルビニルエーテ
ル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエ
ーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエ
チルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１
−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、
２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、
ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノ
エチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエー
テル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリ
ルビニルエーテル等。

【００４６】ビニルエステル類：ビニルブチレート、ビ
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテー
ト、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘ
キシルカルボキシレート等。

【００４７】イタコン酸ジアルキル類：イタコン酸ジメ
チル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。フ
マール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエス
テル類；ジブチルフマレート等。

【００４８】その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイロニトリル等。

【００４９】その他にも、上記種々の繰り返し構造単位
に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽
和化合物であれば、共重合されていてもよい。

【００５０】酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単
位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標
準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さ
らにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱
性、感度等を調節するために適宜設定される。

【００５１】酸分解性樹脂中の一般式（Ｉ）で示される
繰り返し構造単位の含有量は、全繰り返し構造単位中、
２５〜７０モル％が好ましく、より好ましくは２８〜６
５モル％、更に好ましくは３０〜６０モル％である。ま
た、酸分解性樹脂中、一般式（II）で示される繰り返し
構造単位の含有量は、全繰り返し構造単位中、２〜５０
モル％が好ましく、より好ましくは４〜４５モル％、更
に好ましくは６〜４０モル％である。酸分解性樹脂中、
一般式（III）で示される繰り返し構造単位の含有量
は、全繰り返し構造単位中２０〜８０モル％が好まし
く、より好ましくは２５〜７０モル％、更に好ましくは
３０〜６０モル％である。

【００５２】また、上記更なる共重合成分の単量体に基
づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジ
ストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般
的に、一般式（Ｉ）及び（II）で示される繰り返し構造
単位を合計した総モル数に対して９９モル％以下が好ま
しく、より好ましくは９０モル％以下、さらに好ましく
は８０モル％以下である。

【００５３】上記のような酸分解性樹脂の分子量は、重
量平均（Ｍｗ：ＧＰＣ法によるポリスチレン換算値）
で、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、より
好ましくは１，５００〜５００，０００、更に好ましく
は２，０００〜２００，０００、より更に好ましくは
２，５００〜１００，０００の範囲であり、大きい程、
耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、これら
のバランスにより好ましい範囲に調整される。本発明に
用いる酸分解性樹脂は、常法に従って（例えばラジカル
重合）合成することができる。

【００５４】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、酸分解性樹脂のレジスト組成物全体中の配合量
は、全固形分中４０〜９９．９９重量％が好ましく、よ
り好ましくは５０〜９９．９７重量％である。

【００５５】以下に、（Ａ）成分である酸分解性樹脂の
繰り返し構造単位の組み合わせの好ましい具体例を示
す。

【００５６】

【化１３】

【００５７】

【化１４】

【００５８】

【化１５】

【００５９】〔２〕（Ｂ）活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物（光酸発生剤） 本発明で用いられる光酸発生剤は、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物である。本発明で使用
される光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始
剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光
変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている
公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特
に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレー
ザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、
分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及び
それらの混合物を適宜に選択して使用することができ
る。

【００６０】また、その他の本発明に用いられる光酸発
生剤としては、たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホ
ン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合
物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用いる
ことができる。

【００６１】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００６２】上記電子線の照射により分解して酸を発生
する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて
以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００６３】

【化１６】

【００６４】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。

【００６５】

【化１７】

【００６６】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。

【００６７】

【化１８】

【００６８】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、
Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。

【００６９】Ｚ^-は、対アニオンを示し、例えばＢ
Ｆ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＳｉＦ₆ ^2-、Ｃｌ
Ｏ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。

【００７０】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。

【００７１】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００７２】

【化１９】

【００７３】

【化２０】

【００７４】

【化２１】

【００７５】

【化２２】

【００７６】

【化２３】

【００７７】

【化２４】

【００７８】

【化２５】

【００７９】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば、米国特許第
2,807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号
等に記載の方法により合成することができる。

【００８０】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。

【００８１】

【化２６】

【００８２】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰⁶は置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換
もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリ
ーレン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。

【００８３】

【化２７】

【００８４】

【化２８】

【００８５】

【化２９】

【００８６】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。

【００８７】

【化３０】

【００８８】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具
体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。

【００８９】

【化３１】

【００９０】これらの光酸発生剤の添加量は、組成物中
の固形分を基準として、通常０．１〜３０重量％の範囲
で用いられ、好ましくは０．３〜２０重量％、更に好ま
しくは０．５〜１０重量％の範囲で使用される。光酸発
生剤の添加量が、０．１重量％より少ないと感度が低く
なり、また添加量が３０重量％より多いとレジストの光
吸収が高くなりすぎ、プロファイルの悪化や、プロセス
（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。

【００９１】〔３〕（Ｃ）有機塩基性化合物 本発明で用いることのできる好ましい（Ｃ）有機塩基性
化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物であ
る。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。（Ｃ）有機
塩基性化合物を加えることにより、経時での感度変動が
改良される。

【００９２】

【化３２】

【００９３】ここで、Ｒ²⁵⁰、Ｒ²⁵¹及びＲ²⁵²は、各々
独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数
１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数６〜２０の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここでＲ ²⁵¹とＲ²⁵²は互いに結合し
て環を形成してもよい。

【００９４】

【化３３】

【００９５】（式中、Ｒ²⁵³、Ｒ²⁵⁴、Ｒ²⁵⁵及びＲ
²⁵⁶は、各々独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示
す） 更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、
特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素
原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキル
アミノ基を有する化合物である。好ましい具体例として
は、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未
置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノア
ルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジ
ン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは
未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、
置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換
のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換も
しくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペ
ラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙
げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。

【００９６】含窒素塩基性化合物の好ましい具体例とし
て、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，
１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−アミノピ
リジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２
−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジ
ン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチ
ル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−
アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチル
ピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミ
ノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−ア
ミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジ
ン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジ
ン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾー
ル、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−
３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２
−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジ
ン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキ
シピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−
アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフ
ォリン、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−
５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウン
デカ−７−エン、１,４−ジアザビシクロ〔２.２.２〕
オクタン、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、Ｎ
−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−ヒド
ロキシエチルモルホリン、Ｎ−ベンジルモルホリン、シ
クロヘキシルモルホリノエチルチオウレア（ＣＨＭＥＴ
Ｕ）等の３級モルホリン誘導体、特開平１１−５２５７
５号公報に記載のヒンダードアミン類（例えば該公報
〔０００５〕に記載のもの）等が挙げられるがこれに限
定されるものではない。

【００９７】特に好ましい具体例は、１,５−ジアザビ
シクロ〔４.３.０〕ノナ−５−エン、１,８−ジアザビ
シクロ〔５.４.０〕ウンデカ−７−エン、１,４−ジア
ザビシクロ〔２.２.２〕オクタン、４−ジメチルアミノ
ピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、４,４−ジメチ
ルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾ
ール類、ピリダジン類、ピリミジン類、ＣＨＭＥＴＵ等
の３級モルホリン類、ビス（１，２，２，６，６−ペン
タメチル−４−ピペリジル）セバゲート等のヒンダード
アミン類等を挙げることができる。中でも、１，５−ジ
アザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、１，８−
ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、
１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン、４−
ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、
ＣＨＭＥＴＵ、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチ
ル−４−ピペリジル）セバゲートが好ましい。

【００９８】これらの有機塩基性化合物は、単独である
いは２種以上組み合わせて用いられる。有機塩基性化合
物の使用量は、感光性樹脂組成物の全組成物の固形分に
対し、通常、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．
０１〜５重量％である。０．００１重量％未満では上記
有機塩基性化合物の添加の効果が得られない。一方、１
０重量％を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪
化する傾向がある。

【００９９】〔４〕（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン
系界面活性剤 本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、好ましくは
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有する。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、フッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは
２種以上を含有することが好ましい。本発明のポジ型フ
ォトレジスト組成物が上記酸分解性樹脂と上記界面活性
剤とを含有することにより、疎密依存性が改良される。

【０１００】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の
界面活性剤をそのまま用いることもできる。使用できる
市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF3
03、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友
スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F
189、R08（大日本インキ（株）製）、サーフロンS−38
2、SC101、102、103、104、105、106（旭硝子（株）
製）、トロイゾルS-366（トロイケミカル（株）製）等
のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げ
ることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341
（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤とし
て用いることができる。

【０１０１】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量
％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。上記の他に
使用することのできる界面活性剤としては、具体的に
は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエ
チレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオ
キシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノ
ラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタン
モノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビ
タントリオレエート、ソルビタントリステアレート等の
ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタン
モノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノ
ステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレ
エート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレー
ト等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類
等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。こ
れらの他の界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の
固形分１００重量部当たり、通常、２重量部以下、好ま
しくは１重量部以下である。

【０１０２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布す
る。ここで使用する溶剤としては、エチレンジクロライ
ド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタ
ノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエ
ン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピ
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が
好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用す
る。

【０１０３】上記の中でも、好ましい溶剤としては２−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロ
フランを挙げることができる。

【０１０４】本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
は、必要に応じて更に酸分解性溶解阻止化合物、染料、
可塑剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進さ
せる化合物等を含有させることができる。

【０１０５】本発明のこのようなポジ型フォトレジスト
組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜
の膜厚は０．２〜１．２μｍが好ましい。本発明におい
ては、必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜
を使用することができる。

【０１０６】反射防止膜としては、チタン、二酸化チタ
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装
置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要と
する。有機反射防止膜としては、例えば特公平７−６９
６１１号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹
脂、吸光剤からなるものや、米国特許５２９４６８０号
記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反
応物、特開平６−１１８６３１号記載の樹脂バインダー
とメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開
平６−１１８６５６号記載のカルボン酸基とエポキシ基
と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止
膜、特開平８−８７１１５号記載のメチロールメラミン
とベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平８−１
７９５０９号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子
吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射
防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３
０シリーズや、ＤＵＶ−４０シリーズ、シプレー社製の
ＡＣ−２、ＡＣ−３等を使用することもできる。

【０１０７】上記レジスト液を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコ
ン被覆）上に（必要により上記反射防止膜を設けられた
基板上に）、スピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行
い現像することにより良好なレジストパターンを得るこ
とができる。ここで露光光としては、好ましくは１５０
ｎｍ〜２５０ｎｍの波長の光である。具体的には、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレ
ーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー（１５７
ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられる。

【０１０８】現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、
ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン
類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三
アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン
等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用すること
ができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。

【０１０９】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。

【０１１０】樹脂の合成 合成例（１）〔（Ａ）成分である前記樹脂１の合成〕 ノルボルネン、対応するラクトンアクリレート、無水マ
レイン酸をモル比で４０／２０／４０で反応容器に仕込
み、メチルエチルケトンに溶解し、固形分６０％の溶液
を調製した。これを窒素気流下７０℃で加熱した。反応
温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤Ｖ
−６０１を５ｍｏｌ％加え反応を開始させた。８時間加
熱した後、反応混合物をメチルエチルケトンで３倍に希
釈した後、大量のヘキサンに投入し白色粉体を析出させ
た。析出した粉体を濾過取り出しし、乾燥、目的物であ
る樹脂１を得た。得られた樹脂１のＧＰＣによる分子量
分析を試みたところ、ポリスチレン換算で１０２００
（重量平均）であった。また、ＮＭＲスペクトルより樹
脂１の組成は本発明のノルボルネン／アクリル酸エトキ
シメチルエステル／無水マレイン酸をモル比で４０／１
９／４１であった。

【０１１１】合成例（２）〜（１２）〔（Ａ）成分であ
る前記樹脂２〜１２の合成〕 合成例（１）と同様な操作で、樹脂２〜１２を合成し
た。樹脂の組成比、重量平均分子量（Ｍｗ）を表１に示
す。

【０１１２】

【表１】

【０１１３】実施例１〜１６及び比較例１〜２ （ポジ型フォトレジスト組成物組成物の調製と評価）上
記合成例で合成した表２に示す樹脂をそれぞれ１０ｇ、
表２に示す光酸発生剤、表２に示す有機塩基性化合物
（アミン）０．１ｍｇ、必要により表２に示す界面活性
剤（０．１ｇ）を配合し、それぞれ固形分１４重量％の
割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートに溶解した後、０．１μｍのミクロフィルターで濾
過し、実施例１〜１６のポジ型フォトレジスト組成物を
調製した。また、比較例１として、特開平１０−１３０
３４０号の実施例３−（Ａ）記載のバインダーを樹脂Ｒ
１として使用した以外は、上記実施例１〜１６と同様に
ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。更に、比較例
２として、特開平１０−１０７３９号の例７に記載の４
元バインダーを樹脂Ｒ２として使用した以外は、上記実
施例１〜１６と同様にポジ型フォトレジスト組成物を調
製した。

【０１１４】アミンとして、１：１，５−ジアザビシク
ロ〔４．３．０〕−５−ノネン（ＤＢＮ）２：ビス
（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジ
ル）セバゲートを表す。

【０１１５】界面活性剤としては、 Ｗ１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）製）
（フッ素系） Ｗ２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）
（フッ素及びシリコーン系） Ｗ３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学
工業（株）製） Ｗ４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル Ｗ５：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）
製） を表す。

【０１１６】

【表２】

【０１１７】（評価試験）得られたポジ型フォトレジス
ト液をスピンコータを利用してシリコンウエハー上に塗
布し、１４０℃で９０秒間乾燥、約０．４μｍのポジ型
フォトレジスト膜を作成し、それにＡｒＦエキシマレー
ザー（波長１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．６のＩＳＩ社製Ａｒ
Ｆステッパーで露光した）で露光した。露光後の加熱処
理を１５０℃で９０秒間行い、２．３８％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリ
ンスし、レジストパターンプロファイルを得た。これら
について、以下のように露光マージン、エッジラフネス
について評価した。これらの評価結果を表３に示す。

【０１１８】〔露光マージン〕：０．１４μｍの孤立ラ
インのマスク線幅を再現する露光量を±５％変動させた
ときの得られるパターンの線幅の変動率（％）を露光マ
ージンの指標とした。この値が小さいほど好ましい。

【０１１９】〔エッジラフネス〕：エッジラフネスの測
定は、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して０．
１４μｍのラインアンドスペース（ライン／スペース＝
１／１．２）パターンのエッジラフネスで行い、測定モ
ニター内でラインパターンエッジを複数の位置で検出
し、その検出位置のバラツキの分散（３σ）をエッジラ
フネスの指標とし、この値が小さいほど好ましい。

【０１２０】

【表３】

【０１２１】表３の結果から明らかなように、本発明の
ポジ型フォトレジスト組成物は、波長１９３ｎｍの露光
に対して、露光マージン及びエッジラフネスが良好であ
る。

【０１２２】

【発明の効果】本発明は、半導体デバイスの製造におい
て、レジストパターンのエッジラフネスが改善されたポ
ジ型フォトレジスト組成物を提供することができる。更
に、露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に
対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたと
きの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジ
スト組成物を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 5/16 5/16 Ｃ０８Ｌ 33/14 Ｃ０８Ｌ 33/14 45/00 45/00 101/12 101/12 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BF02 BG00 CB10 CB43 CB45 CC04 CC20 4J002 BD122 BG071 BH021 BK001 CE001 CP032 EB116 EB126 EB146 ED056 EN027 EN067 EN097 EQ017 ER007 ER027 ES006 EU047 EU077 EU117 EU127 EU186 EU226 EU237 EV046 EV127 EV216 EV236 EV296 EV306 EV336 FD310 FD312 GP03 HA05 4J100 AK32R AL08Q AM43R AM45R AM47R AR09P AR11P BA02P BA02R BA03P BA03R BA05Q BA11Q BA11R BA14P BA15Q BA58R BB18R BC09R BC53Q CA04 CA05 CA06 JA38

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される繰り
   返し構造単位および下記一般式（II）で示される繰り返
   し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対す
   る溶解速度が増加する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線
   の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴
   とするポジ型フォトレジスト組成物。 【化１】 【化２】 一般式（Ｉ）中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、水素原子又は置換基を
   有しても良いアルキル基を表す。ａは０または１であ
   る。一般式（II）中、Ｒ₁は、水素原子又はメチル基を
   表す。Ｗは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオ
   エーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から
   選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表
   す。Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独立に、水素
   原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ，ｎは各
   々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下
   である。
2. 【請求項２】 上記（Ａ）樹脂が更に下記一般式（II
   I）で示される繰り返し構造単位を含有することを特徴
   とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。 【化３】 式（III）中：Ｚ₂は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ₃）−を表
   す。ここでＲ₃は、水素原子、水酸基又は−ＯＳＯ₂−Ｒ
   ₄を表す。Ｒ₄は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロ
   アルキル基又は樟脳残基を表す。
3. 【請求項３】 更に（Ｃ）有機塩基性化合物、（Ｄ）フ
   ッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有すること
   を特徴とする請求項１または２に記載のポジ型フォトレ
   ジスト組成物。