KR0178074B1 - 액정소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

액정소자 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR0178074B1
KR0178074B1 KR1019950015562A KR19950015562A KR0178074B1 KR 0178074 B1 KR0178074 B1 KR 0178074B1 KR 1019950015562 A KR1019950015562 A KR 1019950015562A KR 19950015562 A KR19950015562 A KR 19950015562A KR 0178074 B1 KR0178074 B1 KR 0178074B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
group
crystal cell
cell
crystal material
Prior art date
Application number
KR1019950015562A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960001835A (ko
Inventor
유까리 사까이
미쓰꼬 나가이
히데오 하마
Original Assignee
고다 시게노리
미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고다 시게노리, 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 filed Critical 고다 시게노리
Publication of KR960001835A publication Critical patent/KR960001835A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0178074B1 publication Critical patent/KR0178074B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

각각 전극을 가지며, 전극상에 배향막이 구비된 셀을 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전시키고, 액정재료에 접속된 배향막들에 의해 제어된 액정재료의 배향방향에 의해 형성된 교차각(θ)이 180°∼ δ 또는 360°∼ δ(0°δ≤90°)인 액정소자와, 상기 셀내에서 상기 범위내의 교차각을 형성하도록 배향막을 처리하고, 또한 액정셀을 제조하는 방법이 개시되며, 본 발명에 의하면 광통신, 입체화상표시, 화상처리 및 광연산 등의 각종 기술분야에서 필요한 고광전응답속도를 가지며 또한 고광콘트라스트를 갖는 액정소자를 얻을 수 있다.

Description

액정소자 및 그의 제조방법
제1도는 본 발명의 액정소자의 일예시도.
제2ab, 2ab, 2ba 및 2bb도는 제1도에 보인 액정소자내의 배향막의 러빙(rubbing)방향도.
제3a, 3b 및 3c도는 본 발명의 액정소자의 스멕틱 액정셀내에 충전된 스멕틱상의 액정재료의 여러 배향 상태도.
본 발명은 광통신, 입체화상표시, 화상처리, 광연산, 평면화상표시 등의 분야에서 광변조를 행할 시에 사용되는 액정소자 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 좀더 구체적으로는 스멕틱 액정상의 전기광학효과를 이용한 액정소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근에 각종 광변조장치, 표시장치 등을 경량화하거나 또는 그들의 장치에서 소비되는 전력을 줄이기 위해 이들 장치에 액정소자를 사용하는 경향이 증대되고 있다. 액정소자중에서도 TN형 액정소자에 비해 시야각이 넓고, 또한 응답속도가 고속인 점 때문에 스멕틱 액정상의 전기광학효과를 이용한 강유전성 또는 반강유전성의 액정소자(이하 스멕틱 액정소자라 함)가 주목되고 있다. 특히 반강유전성 액정소자는 내충격성이 우수하고, 또한 액정셀의 내면상에서 액정재료를 프린팅하는 문제점이 거의 없기 때문에 최근에 많은 관심이 집중되고 있다.
스멕틱 액정소자는 한쌍의 전극이 부착된 기판의 전극간에 스멕틱 액정상을 나타내는 액정재료(이하 스멕틱 액정재료라 함)가 수 ㎛ 이하의 두께로 충전된 액정셀을 구비하고 있고, 또한 필요에 따라 여러 편광제어수단을 구비하고 있다. 이들 소자를 사용하여 충분히 높은 콘트라스트로 광을 변조하기 위해서는 제3a, 3b 및 3c도에 스멕틱 액정의 층법선 방향(스멕틱 액정층에 대하여 법선방향)이 거의 동일하도록 액정셀내의 스멕틱 액정재료층이 균일하게 배향되는 것이 요망된다. 이들 도면에서 액정분자들은 경사각(θ)을 형성한 상태로 배향되어 액정층을 형성하고 있는 모양을 나타낸다. 제3도에 보인 층법선은 액정셀의 전극면과 평행하다. 제3a도는 자발분극 방향이 상향일 때 액정분자에서 형성된 액정층과 자발분극 방향이 하향일 때 액정분자에서 형성된 액정층이 교대로 적층된 모양을 나타내며, 제3b도는 자발분극 방향이 상향일 때 액정분자에서 형성된 액정층이 적층되어 있는 모양을 나타내며, 제3c도는 자발분극 방향이 하향일 때 액정분자에서 형성된 액정층이 적층되어 있는 모양을 나타낸다.
특히, 광통신용의 광스위치는 입체화상표시용의 광셔터, 화상표시, 화상처리, 광연산 등에 사용되는 공간 광변 조기의 경우에는 적어도 100 정도의 콘트라스트가 필요하기 때문에 스멕틱 액정층이 소자 전면에 걸쳐 균일하게 배향되도록 할 뿐만 아니라 스멕틱 액정층에서 생기는 각종 결함이 억제되도록 하는 것이 필요하다.
스멕틱 액정의 층법선 방향을 동일 방향으로 해주는 수단으로서 종래부터 기판과 액정재료간의 계면에 폴리이드박막 등의 고분자박막으로 된 배향막을 형성한 다음 액정재료와 접촉하는 배향막표면을 러빙처리하는 방법이 공지되어 있다. 여기서 사용되는 용어 러빙처리는 기판상에 형성된 배향막을 일정방향으로 천 등으로 문지르는 처리법을 뜻한다.
그러나 러빙방향이 서로 평행한 배향막들간에 액정재료를 충전하면 인접하는 도메인(domain)간에서 스멕틱 액정의 충법선 방향이 서로 다른 복수의 도메인 형성되는 경우가 많다. 특히 도메인간에서 스멕틱 액정의 충법선 방향이 전혀 다른 경우 액정셀에 전압을 인가하여 액정셀 내부의 스멕틱 액정층의 배향상태를 변화시킨 경우에는 스멕틱 액정층의 소광위치(extinction position)가 도메인마다 다르기 때문에 관이 누설된다. 그 때문에 이와 같은 액정셀을 구비한 액정소자에서 광을 변조시킨 전후의 출력광의 명암 콘트라스트가 액정셀 내부에 존재하는 스멕틱 액정의 충법선이 동일 방향에 있는 경우에 비해 더욱 작아지게 되는 문제점이 있다. 즉, 서로 평행한 러빙방향을 갖는 배향막들간에 액정재료를 충전한 액정셀을 구비한 강유전성 또는 반강유전성의 액정소자를 사용해서는 충분히 높은 콘트라스트를 얻을 수 없다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 특히 반강유전성 액정소자에서는 상부와 하부 기판 각각상에 형성된 배향막에 대해 러빙방향을 이동시키는 방법들이 제안된 바 있었다. 예를 들어 일본국 특개평 4-371925호에는 상부기판상에 형성된 배향막 표면상의 러빙방향과 스멕틱A상 상태의 액정의 충법선에 의해 형성되는 각도(θ1)와 하부기판상에 형성된 배향막 표면상의 러빙방향과 스멕틱A상 상태의 액정의 층법선에 의해 형성되는 각도(θ2)의 합(θ1+θ2)만큼 러빙방향을 이동시키는 방법이 제안되어 있다.
그러나 이 방법은 실제로 응용할 수가 없다. 왜냐하면 상하부기판상에 형성된 배향막들의 표면상의 러빙방향들간의 각도를 러빙방향에 대한 층법선의 방위가 임의적으로 결정될 수 없는 액정재료 또는 스멕틱A상을 나타내지 않는 액정재료에 대해서는 결정할 수 없기 때문이다.
또한 일본국 특개평6-3676호에는 충분히 균일한 배향을 얻기 위한 바람직한 각도 범위가 항상 명확하지 않은 문제점이 있다.
더욱이 상술한 종래의 방법들에서는 전계의 인가에 의해 유도되는 띠형의 결합을 억제할 수 없다. 그러므로 반강유전성 액정소자에 전압을 인가하여 그에 의해 생기는 강유전성 상태들간의 스위칭을 광변조용으로 사용할시에 상하부 기판들상에 각각 형성된 배향막의 표면의 러빙방향을 전계 인가에 의해 이동시키는 것만으로는 충분히 높은 콘트라스트를 얻을 수 없는 경우가 많다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 스멕틱 액정상의 전기광학 효과를 이용하여 높은 콘트라스트로 광변조할 수 있는 액정소자 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 액정소자 구동과정에서 생기는 띠형 결합을 억제하여 고콘트라스트 상태를 유지하면서 광변조를 행할 수 있는 액정소자 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 액정소자는 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하는 액정소자로서 상기 셀이 각각 전극 및 각 전극 표면상의 배향막을 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하며, 각 배향막의 표면은 그에 접촉되는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위한 배향처리를 함으로써 처리되며, 한 배향막의 배향처리방향은 다른 배향막의 배향처리방향과 다르며, 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 그들 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식[I] 또는 [II]에 의해 표시되는 것을 특징으로 한다.
θ = 180° - δ [I]
θ = 360° - δ [II]
상기식에서 0° δ ≤ 90°
이 액정소자에서는 하기와 같은 것이 좋다.
(a) 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치(crossed Nicols arrangement)의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 배치한 경우에 하기식[IV]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하이거나,
T=[(I-Io)/I100]×100 [IV]
(상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
(b) 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기 액정셀의 전극간에 전압을 인가하여 상기 액정셀의 광학축을 변화시킨 상태에서 상기한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 매치한 경우에 하기식[V]으로 표시된 투과광의 최소치(T')가 1.0% 이하이거나,
T'=[(I'-Io)/I100]×100 [V]
(상기식에서 I'는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
(c) 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기 액정셀의 전극간에 교류전압을 인가하여 상기 액정셀을 구동시킨 후 상기 전압인가를 중단하고, 상기한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 배치한 경우에 하기식[VI]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하일 것.
T=[(I-Io)/I100]×100 [VI]
(상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
본 발명의 액정소자를 제조하는 방법은 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하며, 상기 셀이 각각 전극 및 각 전극 표면상의 배향막을 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하는 액정소자의 제조방법으로서, 각 배향막의 표면이 그에 접촉되는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위해 배향처리를 함으로써 처리되는 단계를 포함하며, 상기 배향처리는 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 한 배향막의 배향처리방향과 다른 배향막의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식[I] 또는 [II]에 의해 표시되도록 수행되는 것을 특징으로 한다.
θ = 180° - δ [I]
θ = 360° - δ [II]
상기식에서 0° δ ≤ 90°
상술한 본 발명의 액정소자 제조방법에서는 하기와 같은 것을 특징으로 한다.
액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태에서 액정재료의 광축을 변화시키는 데 필요한 전압보다 절대치가 더 큰 전압을 액정셀의 전극들간에 인가하는 동안 등방성의 액정재료를 냉각시켜 등방성상을 스멕틱상으로 상전이하거나 또는 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태에서 액정재료의 광축을 변화시키는 데 필요한 전압보다 절대치가 더 큰 전압을 액정셀의 전극들간에 인가한다.
[액정소자]
우선 본 발명의 액정소자를 도면을 참조하여 설명한다. 제1도는 본 발명에 의한 액정소자의 일예시도이다. 액정소자(10)는 2기판(1,1) 표면상에 전극들(2,2)이 형성되고, 각 전극(2,2)상에 배향막들(3,3')이 형성되고, 이 배향막들(3,3')간의 갭(4)에 액정재료(6)를 충전해서 된 액정셀(5)을 포함한다.
기판(1)은 예를 들어 투명유리판, 투명플라스틱판 또는 투명플라스틱필름이다. 투명유리로는 예를 들어 산화칼륨유리, 붕규산유리, 비알칼리유리 및 석영 등이 있다.
투명플라스틱으로는 예를 들어 폴리올레핀, 폴리에스테르 및 폴리스티렌 등이 있다. 기판(1)으로서 석영판, 투명플라스틱판 또는 투명플라스틱필름 이외의 유리판을 사용할 경우는 딥코팅(dip coating), 증착 또는 스터퍼링에 의해 기판(1)상에 SiO2와 같은 언더코트(undercoat, 도시안됨)를 미리 형성한 다음 그위에 전극(2)을 형성하여 줌으로써 기판(1)내에 함유된 금속이온 및 안정화제와 같은 불순물이 액정재료(6)속으로 용출하는 것을 방지하는 것이 좋다.
액정소자(10)에서는 각 전극들(2,2)로서 액정소자(10)에 의해 변조되는 바와 같은 파장의 광을 투과하도록 투명한 도전막이 사용된다. 그러한 도전막은 예를 들어 산화인듐주석 도전막(ITO로서 공지됨)과 산화아연 도전막등이 있다. 도전막은 예를 들어 딥코팅, CVD법, 스퍼터링, 이온도금 또는 진공증착 등에 의해 기판(1)상에 형성된다.
본 발명에서는 전극들(2,2)중 적어도 하나가 액정소자(10)에 의해 변조되는 파장의 광에 투명한 것으로 충분하다. 한 전극(2)이 투명하면 다른 전극(2)은 액정소자(10)의 용도에 따라 여러 가지형의 전극들로부터 선택할 수 있다. 예를 들어 상술한 투명전극 또는 투명전극상에 비정질 실리콘 또는 CdSe층과 같은 광도전층을 형성하여 얻어지는 전극을 사용할 수 있다. 후자의 경우에 투명전극들간에 전압을 걸어주면 배향막들(3,3')간의 액정재료내에 형성된 전계강도가 광도전층을 조사하는 광도에 따라 변화한다. 이 특성을 이용하면 예를 들어 투명전극만을 갖는 기판의 측면으로부터 들어오는 반사광의 편광상태를 제어할 수 있다.
또한 전극들(2,2)의 하나 또는 양자상에는 회로단락을 방지하기 위해 100∼1000Å두께의 SiO2막과 같은 절연막을 예를 들어 진공증착 또는 스퍼터링에 의해 형성할 수도 있다. 배향막(3,3')은 서로 동일 또는 상이하며, 그들은 폴리이미드 및 폴리비닐알콜, 바람직하기로는 폴리이미드와 같은 중합체 박막으로부터 형성한다. 50∼3000Å의 두께를 갖는 중합체 박막은 전극(2)위에 절연막을 설비할 때 프린팅, 스핀코팅, 증착중합, 딥코팅 등에 의해 SiO2막과 같은 절연막위 또는 전극(2) 위에 배향막(3,3')으로서 형성한다. 특히 배향막(3,3')이 폴리이미드 박막일 경우 액정소자(10)는 보다 긴 수명으로 안정되게 구동될 수 있다.
액정셀(5)에서는 배향막(3,3')의 액정재료(6)와 접촉하는 표면들을 예를 들어 나일론, 실크 또는 레이온 등의 융기된 천으로 일방향으로 배향막(3,3')의 표면을 문질러 줌으로써 배향처리한다. 이 배향처리는 액정재료(6)에 접촉되는 한 배향막(3)의 배향처리방향과 액정재료(6)에 접촉되는 다른 배향막(3')의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 상부기판측 즉 상부와 하부 기판들을 포함하는 액정셀의 출사광측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 하기식[I] 또는 [II]로 나타낸 각도가 되도록 수행된다.
θ = 180° - δ [I]
θ = 360° - δ [II]
상기식에서 δ의 값은 제2ab, 2ab, 2ba 및 2bb도에 도시된 바와 같이 0° δ ≤ 90°임.
제1도에 보인 액정소자(10)의 액정셀(5)에서는 상기 교차각도를 형성하는 배향처리방향을 허용하도록 배향처리되는 배향막(3,3')간에 액정재료(6)로서 스멕틱상을 나타내는 액정재료를 충전한다.
액정소자(10)에서는 상술한 방식으로 배향막(3,3')에 의해 상기 배향이 제어되고, 또한 액정재료(6)로서 스멕틱상을 나타낼 수 있는 액정재료로 충전된 액정셀(5)이 제공된다. 그러므로 광학변조가 스멕틱상의 광전변화를 사용하여 보다 고응답속도로 보다 고콘트라스트로 실행될 수 있다. 액정소자(10)의 콘트라스트는 δ가 바람직하기로는 2°이상, 좀더 바람직하기로는 3°이상, 특히 바람직하기로는 5°이상이고, 바람직하기로는 40°이하, 좀더 바람직하기로는 35 °이하일 때 더욱 개선될 수 있다.
액정셀(5)에서는 상술한 바와 같이 배향막(3,3')간의 갭(4)내에 액정재료(6)가 충전된다. 이 갭(4)은 일반적으로 배향막(3,3')간에 간격 분리재(도시안됨)를 개재시켜 한쌍의 기판들(1,1)을 함께 접속시킴으로써 형성된다.
간격분리재로서 액정충전부와 입구부를 절취하여 갭(4)의 원하는 거리에 상당하는 두께를 갖는 수지막을 사용할 수 있다. 또한 갭(4)의 원하는 거리와 거의 동일한 직경을 갖는 구형 간격분리재(예, 구형알루미나 간격분리재, 구형실리카 간격분리재, 구형수지 간격분리재)와 기등형 간격분리재(예, 유리봉 간격분리재) 등을 사용할 수도 있다.
간격분리재로서 수지막을 사용할 경우 기판들(1,1)과 간격분리재간에 접착층을 설비하여 그 접착층을 경화시켜 기판(1,1)과 간격분리재를 함께 결합한다. 구형 간격분리재를 사용할 경우, 간격분리재를 한 기판(1)상에 산포시킨 다음 그위에 다른 기판(1)을 겹친후 접착제로 함께 결합한다. 기둥형 간격분리재를 사용할 경우, 접착제를 간격분리재와 혼합한 다음 혼합물을 기판(1)위에 바른 다음 다른 기판(1)을 겹쳐서 결합한다. 그렇게 형성된 갭(4)의 간격 즉, 액정셀(5) 내부에 충전된 액정재료(6)의 두께는 액정소자(10)에 의해 변조될 광파장, 액정재료(6)의 복굴절률 및 광의 입사 및 출사방법에 의해 결정되는 최적치로 바람직하게 조정된다. 예를 들어, 액정소자(10)에 의해 변조될 광이 가시광이고, 이 광이 액정셀(5)의 한 기판(1)의 측면으로부터 액정소자에 입사된 다음 액정셀(5)을 투과하여 투과된 광이 아무런 위상판도 사용하지 않고 액정소자(10)에 의해 변조될 경우, 액정셀(5)내부에 충전된 액정재료의 두께는 바람직하기로는 1.5∼3㎛인 것이 좋다.
액정셀(5)내부에 충전된 액정재료(6)는 액정소자(10)의 사용온도 범위내에서 스멕틱상을 나타내는 한 단일 화합물 또는 복수의 화합물의 조합일 수 있다.
본 발명에서는 스멕틱상 바람직하기로는 키랄(chiral) 스멕틱상을 나타내는 액정재료를 액정재료(6)로서 사용할 수 있다. 액정소자(10)의 사용온도 범위내에서 스멕틱상을 나타내는 한 액정재료(6)에 대한 제한은 없다. 그러나 반 강유전성을 나타내는 액정재료가 고내충격성을 갖고 있으며, 또한 액정셀의 내면상에 액정재료를 거의 인쇄하지 않기 때문에 강유전성을 나타내는 액정재료보다 바람직하게 사용된다. 액정소자(10)의 사용온도 범위를 넓힐 수 있고, 또한 액정소자(10)의 광전콘트라스트와 같은 작업특성을 개선할 수 있는 관점에서 액정재료(6)는 특히 하기식[III]으로 나타낸 화합물을 함유하는 것이 좋다.
R'-(A-X)p-(B-Y)q-(C-Z)r-R*[III]
상기식중 R'는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기 및 할로겐화 알콕시기로부터 선택한 3∼20의 탄소수를 갖는기이고,
A,B 및 C는 각각 독립적으로 다음에서 선택한 기이며,
여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기로 치환되어도 좋음.
그리고, A, B 및 C중 적어도 하나는 다음의 기임.
또는
여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기로 치환되어도 좋음.
X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -CH2CH2-, -CH2O- -OCH2- -S-S-, -CO-CH2- 및 -CH2-CO-로부터 선택한 2가의 기이고, R*은 적어도 하나의 비대칭 탄소원자를 갖는 4-20 탄소수의 광학활성기이며, 상기 기내의 탄소원자에 결합된 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자로 치환될 수 있으며, 또한 실리콘원자, 산소원자 및 황원자로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 결합기로서 함유하며, p, q 및 r은 각각 0 또는 1이며, p, q 및 r중 적어도 하나가 1이다.
상기식 [III]으로 나타낸 화합물을 예로 들면 다음과 같다.
제1도에 보인 액정소자(10)에서는 편광판(7,7)이 액정재료(6)로 충전된 액정셀(5)의 양측에 배치되어 광이 한편광판(7), 액정셀(5) 및 다른 편광판(7)의 순으로 투과할 수 있다.
액정소자(10)에서는 하나의 액정셀(5)이 2편광판(7.7)간에 위치되지만, 본 발명의 액정소자에서는 필요한 경우 복수의 액정셀들(5)을 서로 평행하게 배열하여 광이 복수의 셀들을 투과하도록 할 수 있다. 예를 들어 광원으로부터 방출된 소정의 편광이 액정셀(5)에 입사될 때 또는 관측자가 편광안경으로 액정소자(10)로부터 출사광을 관측할 때 2편광판(7,7)중 하나는 생략할 수 있다.
광원으로부터 방출된 소정의 편광이 액정셀(5)에 입사될 때 또는 관측자가 편광안경으로 액정소자(10)로부터 출사광을 관측할 때 액정소자는 액정셀(5)만으로 구성할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 액정소자의 여러 수정 또는 변경을 본 특허청구범위내에서 행할 수 있다.
어떤 경우에나 본 발명의 액정소자에서는 하기와 같은 것이 좋다.
(a) 스멕틱상의 액정재료(6)가 충전된 액정셀(5)이 한편광판(7), 액정셀(5) 및 다른 편광판(7)의 순으로 투과하는 투과광량이 최소가 되도록 교차니콜스 배치의 2편광판(7,7)간에 위치되고,
(b) 셀(5)의 전극들(2,2)간에 전압을 가하여 광축을 변화시켜서 상기 스멕틱상의 액정재료(6)가 충전된 액정셀(5)이 한 편광판(7), 액정셀(5) 및 다른 편광판(7)의 순으로 투과하는 투과광량이 최소가 되도록 교차니콜스 배치의 2편광판(7,7)간에 위치되고,
(c) 액정셀(5)을 구동시키도록 전극들간에 교류전압을 인가한 후 전압인가를 정지시켜서 측정할 때 상기 스멕틱상의 액정재료(6)가 충전된 액정셀(5)이 한 편광판(7), 액정셀(5) 및 다른 편광판(7)의 순으로 투과하는 투과광량이 최소가 되도록 교차니콜스 배치의 2편광판(7,7)간에 위치될 것.
액정재료(6)가 스멕틱상일 때 액정재료(6)가 복굴절을 나타내고, 이 경우에 이상(異常)광의 편광방향은 액정재료(6)의 광축이다.
상기 (a)의 경우에 하기식 [IV]으로 나타낸 광투과율의 최소치(T)는 1.0% 이하, 바람직하기로는 0.8% 이하, 특히 바람직하기로는 0.5% 이하가 좋다.
T=[(I-Io)/I100]×100 [IV]
상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀이 배치되지 않을 때 교차니콜스배치에서의 투과광량, I100는 Io와 평행니콜스배치에서의 투과광량간의 차이다.
상기 (b)의 경우에 하기식 [V]으로 나타낸 광투과율의 최소치(T')는 1.0% 이하, 바람직하기로는 0.8% 이하, 특히 바람직하기로는 0.5% 이하가 좋다.
T'=[(I'-Io)/I100]×100 [V]
상기식에서 I'는 투과광의 최소량, Io는 액정셀이 배치되지 않을 때 교차니콜스배치에서의 투과광량, I100는 Io와 평행니콜스배치에서의 투과광량간의 차이다.
상기 (c)의 경우에 하기식 [VI]으로 나타낸 광투과율의 최소치(T)는 1.0% 이하, 바람직하기로는 0.8% 이하, 특히 바람직하기로는 0.5% 이하가 좋다.
T=[(I-Io)/I100]×100 [VI]
상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀이 배치되지 않을 때 교차니콜스배치에서의 투과광량, I100는 Io와 평행니콜스배치에서의 투과광량간의 차이다.
광셔터와 같은 광변조용 액정소자로서 1.0 이하의 광투과율의 최소치(T 또는 T')를 갖는 액정소자를 적합하게 사용할 수 있고, 또한 표시용 광변조용 액정소자로서 1.0 이하의 광투과율의 최소치(T 또는 T)를 갖는 액정소자를 적합하게 사용할 수 있다.
제1도에 보인 액정소자(10)에서는 2편광판(7,7)이 교차니콜스상태 또는 평행 니콜스상태로 배치된다. 2편광판(7,7)이 상기와 같이 배치되고, 반강유전성을 나타내는 스멕틱 액정재료가 액정재료(6)로서 액정셀(5)내에 충전된 액정소자(10)는 반강유전성을 사용하는 여러 용도에 적용할 수 있다. 예를 들어 광시야각의 필드와 입체화상표 분야에서 고응답속도를 갖는 광셔터로서 사용될 수 있다. 반강유전성을 나타내며, 또한 22.5°정도의 틸트각을 갖는 스멕틱 액정재료를 액정재료(6)로서 사용하고, 또한 액정셀(5)내부의 스멕틱 액정의 층법선 방향과 입사측의 편광판(7)의 투과축에 의해 형성된 각도를 22.5°가 되도록 배치할 경우, 1.0% 이하의 최소치들(T,T',T)중 하나를 갖는 액정소자가 얻어질 수 있다.
또한 광투과율의 최소치(T,T',T)중 어느 하나가 1.0% 이하일 경우, 100 이상의 광콘트라스트를 갖는 액정소자가 얻어질 수 있다. 그러므로 1.0% 이하의 최소치(T,T',T)중 하나를 갖는 액정소자가 적어도 약 100의 콘트라스트를 필요로 하는 각종 분야 예를 들어, 광통신, 입체화상표시, 화상처리 및 광연산분야에서 적합하게 사용될 수 있다.
이러한 콘트라스트에 있어서 종래의 액정소자에서는 광투과율의 최소치(T,T'T)중 어느 것도 후술하는 실시예들에서 보인 바와 같이 1.0% 이하의 레벨로 유지될 수 없고, 액정소자를 사용하는 동안 1.0%를 초과하므로, 액정소자의 광콘트라스트를 100 이상 유지할 수 없다.
[액정소자 제조방법]
그 다음 본 발명에 의한 액정소자 제조방법을 상세히 설명한다.
제1, 제2aa, 2ab, 2ba 및 2bb도를 참조하면 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전되며, 각각 전극 및 전극측 표면상의 배향막을 갖는 상하기판을 포함하는 액정셀을 포함하는 액정소자를 본 발명의 방법에 의해 제조할 경우, 셀(5)내에서 그에 접촉되는 액정재료(6)의 배향을 제어하기 위해 배향막(3,3')의 표면이 배향처리를 함으로써 처리된다. 상기 배향처리는 한 배향막(3)의 배향처리방향과 다른 배향막(3')의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각이 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 하기식[I] 또는 [II]로 나타낸 각도가 되도록 수행된다.
θ = 180° - δ [I]
θ = 360° - δ [II]
상기식에서 0° δ ≤ 90°
진술한 바와 같이 δ는 바람직하기로는 2°이상, 좀더 바람직하기로는 3°이상, 특히 바람직하기로는 5°이상이 좋으며, 바람직하기로는 40°이하 좀더 바람직하기로는 35°이하가 좋다.
배향막(3,3')에 의해 배향이 제어되고, 상술한 바와 같이 액정재료(6)로서 스멕틱상을 나타내는 액정재료가 충전된 액정셀(5)을 구비한 액정소자(10)는 스멕틱상의 광전변화를 사용하여 고속의 고콘트라스트로 광변조를 행할 수 있다.
즉, 본 발명의 방법은 고속의 고콘트라스트로 광변조를 행할 수 있는 액정소자를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명의 방법에 의하면 또한 상술한 교차각도를 종래의 방법과 달리 액정셀 내부의 스멕틱 액정의 법선층 방향을 기준하여 일정 각도(예, 6.8°)로 항상 조정할 필요가 없고 교차각도를 식[I] 또는 [II]에 보인 약 90°의 범위내에서 조정할 수가 있다. 그러므로 법선층 방향(즉, 상술한 각을 기준함)이 단일로 결정되지 않더라도 광변조를 고속으로 고콘트라스트로 행할 수 있다.
상술한 범위의 각도에서 교차하도록 배향막에 접촉되는 액정재료의 배향을 제어하는 2배향막을 구비하는 액정셀은 (ⅰ) 초기에 액정셀용의 한쌍의 기판상에 구비된 전극 표면상에 배향막을 형성한 다음, (ⅱ) 2배향막의 배향처리방향이 상기식 [I] 또는 [II]으로 나타낸 각도에서 교차하도록 배향막의 표면이 배향처리되도록 한 다음 배향막들이 서로 대향하도록 처리된 셀용의 한 쌍의 기판을 배치하는 것에 의해 얻어질 수 있다.
이 방법에서는 교차각도가 액정셀용으로 그에 부착되는 배향막과 전극을 각각 갖는 한쌍의 기판의 배치와 배향막에 의해 제어되는 배향에 의해 결정된다.
본 발명에 의한 액정소자를 제조하는 방법의 양호한 실시예들을 제1도를 참조하여 이하에 설명한다.
본 발명에서는 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상일 때 액정재료(6)의 광축의 변동을 포화시키는데 필요한 절대치보다 더 큰 전압을 액정셀(5)의 전극들간에 인가하는 동안 등방성상을 스멕틱상으로 상전이하도록 등방성상의 액정재료(6)를 냉각시키는 방법(이후 본 발명의 제1방법이라 칭함)을 사용하는 것이 좋다.
또한 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상일 때 액정재료(6)의 광축의 변동을 포화시키는 데 필요한 절대치보다 큰 전압, 바람직하기로는 상술한 전압의 1.3배 이상, 특히 바람직하기로는 2배 이상의 절대치 전압을 액정셀(5)의 전극들간에 인가하는 방법(이후 본 발명의 제2방법이라 칭함)을 사용하는 것이 좋다.
제1 및 제2 방법 어느 것에서나 배향막을 전극들위에 형성하지 않더라도 1.0% 이하의 광투과율의 최소값(T,T',T)중 적어도 하나를 갖는 액정소자를 제조할 수 있다.
또한 제1 또는 제2 방법에 의해 제조된 액정소자에서는 액정소자의 구동절차에서 발생하는 대형 결함을 억제할 수 있으며, 광투과율의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나가 1.0% 이하이기 때문에 100 이상의 고콘트라스트가 장기간동안 유지될 수 있다. 한편 액정소자를 상기 이외의 다른 방법으로 제조할 경우, 액정소자가 구동되는 동안 띠형 결함이 생기거나 또는 광투과율의 최소치(T,T',T) 각각이 1.0%를 초과한다. 그러므로 100 이상의 초기 콘트라스트를 갖는 액정소자조차 제공하기가 어렵다.
액정소자를 제조하는 제2방법의 경우에는 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상일 때 액정재료(6)의 광축의 변동포화에 필요한 절대치의 2배 이상의 전압을 액정셀(5)의 전극들간에 인가할 경우, 1.0%이하의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나를 갖는 액정소자가 약 수분동안 액정셀의 전극들간에 전압을 인가해주는 것만에 의해 제조될 수 있다. 그러나 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상일 때 액정셀의 전극들간에 인가된 전압의 절대치가 광축의 변동을 포화시키는 데 필요한 전압의 절대치보다 클 경우 양전압간의 차가 작더라도 1.0% 이하의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나를 갖는 액정소자가 액정셀의 전극들간에 전압을 인가하는 시간을 길게 해줌으로써 제조될 수 있다.
본 발명에 의한 액정재료를 제조하기 위한 제1 및 제2방법중 어느 것에서나 직류전압에 의해 원인이 된 액정셀 내에 충전된 액정재료의 인쇄와 같은 나쁜 현상을 방지하도록 전압의 극성을 교호로 바꿔주는 것이 좋다. 본 발명의 제1방법에 의해 제조된 액정소자에서조차 소자가 구동되는 동안 광투과율이 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나가 증가하거나 또는 띠형 결함이 생길 가능성이 높다. 그러나, 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상일 때 광축의 변동을 포화시키는 데 필요한 절대치보다 더 큰 전압을 광투과율의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나 예를 들어 T가 1.0%를 초과하기 전에 액정셀(5)의 전극들(2,2)간에 인가할 때 광투과율의 최소치(T)가 1.0% 이하의 레벨에 유지될 수 있다.
또한 본 발명의 제1방법에 의해 제조된 액정소자가 광투과율의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나(예, T')가 1.0%를 초과할 정도로 장기간동안 구동되는 경우라도 액정셀(5)내에 충전된 액정재료(6)가 스멕틱상에 있을 때 광축의 변동을 포화시키는 데 필요한 것보다 절대치가 더 큰전압을 액정셀(5)의 전극들간에 걸어주면 광투과율의 최소치(T')가 1.0% 이하로 되돌아올 수 있다.
본 발명에 의한 액정소자 제조방법은 또한 제1방법과 제2방법을 1.0% 이하의 광투과율의 최소치들(T,T',T)중 적어도 하나를 갖는 액정소자를 제조하기 위해 조합한 경우도 포함한다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 액정소자에서도 소자를 장기간동안 방치한 후에는 그의 구동과정에서 간혹 띠형 결함이 생길 수도 있다. 그러나 만일 상술한 제1 또는 제2 방법을 띠형 결함이 생긴 액정소자의 액정셀(5)에 적용할 경우, 띠형결함이 완전히 또는 거의 완전히 제거되며, 또한 100 이상의 콘트라스트를 갖는 액정소자를 얻을 수 있다.
제1 또는 제2방법에 의해 제조된 액정소자의 경우에 특히 제2 방법에 의해 제조된 액정소자의 경우에 액정셀의 전극들간에 인가되는 전압의 극성을 교호로 변경시켜줌으로써 예를 들어 액정셀의 전극들간에 교류전류를 인가해줌으로써 광투과율의 최소치(T,T',T)중 적어도 하나를 장기간동안 1.0% 이하로 유지시켜 줄 수 있는 이점이 있다.
상술한 바와 같은 방법을 사용함으로써 반강유전성 액정소자내의 액정셀의 전극들간에 전압을 인가해줌으로써 원인이 되는 띠형 결함을 억제할 수 있다. 따라서 상기 방법들을 반강유전성 액정재료의 반강유전성을 사용하여 광변조를 행하는 모든 액정소자와 강유전상태간의 스위칭을 이용하여 광변조를 행하는 모든 액정소자에 모두 적용할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 의하면, 광통신 입체화상표시, 화상처리 및 광연산 등의 각종 기술분야에서 필요한 고광전응답속도를 가지며, 또한 고광콘트라스트를 갖는 액정소자가 종래의 방법들에 비해 더 쉽고도 확실하게 얻을 수 있다.
본 발명의 방법에서는 등방성상의 액정재료를 냉각하여 액정재료가 스멕틱상일 때 광축의 변화를 포화시키는데 필요한 전압보다 절대치가 더 큰 전압을 액정셀의 전극들간에 인가하는 동안 등방성상에서 스멕틱상으로 상전이를 행하거나 또는 액정재료가 스멕틱상일 때 광축의 변화를 포화시키는 데 필요한 전압보다 절대치가 더 큰 전압을 액정셀의 전극들간에 인가한다.
결과적으로 고콘트라스트를 유지하면서 광변조를 행하도록 액정소자의 구동과정에서 생기는 띠형결함이 억제되는 액정소자가 얻어질 수 있다.
본 발명의 실시예를 예를 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이들 실시예로 제한되지 않는다.
[실시예]
[실시예 1]
[셀제조방법(1)]
표면을 연마하고 SiO2박막을 언더코팅한 1.1mm 두께의 2대의 소다석회유리 기판상에 각각 800Å 두께의 ITO 투명전극을 형성한 다음 여기에 스핀코팅에 의해 시판되고 있는 폴리이미드를 그 두께가 300Å이 되도록 도포하고 나서, 180℃에서 1시간 동안 가열했다. 그다음 각 기판상의 폴리이미드막의 표면을 나일론천으로 소정방향으로 문질렀다.
한 기판의 폴리이미드막측의 표면을 스핀코팅에 의해 2.0㎛의 평균입경을 갖는 구형실리카 간격분리재의 에탄올 현탁액으로 코팅한 다음 1시간동안 110℃로 가열하여 구형실리카가 분산상태에 있도록 에탄올을 증발시켰다. 그후 이 기판과 다른 기판을 상하 기판상의 폴리이미드막의 러빙방향을 서로간에 각도 θ만큼 다르게 겹친후 열경화성 수지로 함께 결합했다.
그다음 하기식(A) 및 (B)로 나타낸 2화합물을 8:2의 혼합비[(A):(B)=8:2]로 혼합하여 스멕틱 액정재료를 얻었다.
액정재료의 조직을 편광현미경으로 관측했다. 그 결과 이 액정재료가 실온 또는 그 부근에서 스멕틱CA상에 있음을 확인했다.
그다음 액정재료를 제1도에 보인 전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)이 176°인 액정셀(5)내에 140℃에서 넣은 다음 서냉했다. 액정셀(5)을 편광현미경에 투과모드에서 관측할 때 가장 어두운 상태를 얻을 수 있도록 편광현미경에 설치되는 교차니콜스배치의 편광판들간에 설치했다. 광원으로서 할로겐 램프를 사용했다. 전술한 식[IV]으로 나타낸 광투과율의 최소치(T)를 편광현미경의 렌즈통체상에 설치된 광배율기에 의해 측정한 결과 셀의 광투과율의 최소치(T)가 0.5%이었다. 또한 셀을 편광현미경에 의해 관측한 결과 셀의 전표면에 걸쳐 소거위치가 서로 거의 동일했으며, 층법선 방향이 셀표면 전체에 걸쳐 거의 서로 평행했다.
그러나 상기 액정셀을 광전응답시키기에 충분한 전계인 100Hz의 주파수와 50%의 듀티(duty)를 갖는 ±15V/2㎛의 구형파가 셀에 인가될 경우, 러빙방향과 평행하게 띠형결함이 생긴다. 그러므로 광투과율의 최소치(T')가 강유전성상태에서 1.5%가 되며, 광투과율의 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성상태에서 1.2%가 된다. 따라서 만족스러운 콘트라스트를 얻을 수 있었다.
그다음 100Hz의 주파수와 50%의 듀티를 갖는 ±40V/2㎛의 펄스파를 실온에서 5분동안 상기 액정셀에 인가한 다음 전계강도를 ±15V/2㎛로 저하시켰다. 그결과 띠형 결함이 크게 감소되었다. 또한 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 0.2%가 되었다. 따라서 초기상태에서의 것보다 더 좋은 콘트라스트가 얻어졌다.
[실시예 2]
실시예 1에서 사용한 상기 액정재료를 140℃에서 실시예 1과 동일 방식으로 제조한 액정셀내에 넣은 다음 100Hz의 주파수와 50%의 듀티를 갖는 ±40V/2㎛의 펄스파를 셀에 인가한 채로 조성물을 실온까지 서냉시켰다. 그다음 전계강도를 ±15V/2㎛로 낮추었다. 그결과 최소치(T')가 강유전성상태에서 0.3%가 되었으며, 최소치(T)가 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 0.2%가 되었다.
[실시예 3]
셀에 인가한 전계로서 ±40V/2㎛의 직류전계를 사용한 것을 제외하고 실시예 2의 절차를 반복했다. 그 결과 최소치(T')가 ±15V/2㎛의 전계를 가했을 때 강유전성 상태에서 0.4%가 되었으며, 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 0.2%가 되었다.
[실시예 4]
전계의 인가를 AC 전이점 바로 위인 75℃에서 개시한 것을 제외하고 실시예 2의 절차를 반복했다.
그결과 최소치(T')가 ±15V/2㎛의 전계를 가했을 때 강유전성 상태에서 0.4%가 되었으며, 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 0.3%가 되었다.
[비교예 1]
셀에 인가한 전계를 ±17V/2㎛로 변경한 것을 제외하고 실시예 1의 절차를 반복했다.
그결과 최소치(T')가 ±15V/2㎛의 전계를 가했을 때 강유전성 상태에서 1.5%가 되었으며, 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 1.0%가 되었다.
따라서 만족스러운 콘트라스트를 얻지 못했다. 또한 30분동안 ±17V/2㎛의 전계를 인가한 경우에 거의 동일한 결과를 얻었다.
[비교예 2]
셀에 인가한 전계를 ±12V/2㎛로 변경한 것을 제외하고 실시예 2의 절차를 반복했다.
그결과 최소치(T')가 ±15V/2㎛의 전계를 가했을 때 강유전성 상태에서 1.5%가 되었으며, 최소치(T)는 전계인가 정지후 반강유전성 상태에서 1.0%가 되었다.
따라서 불충분한 수준의 암상태만을 얻었다.
[비교예 3]
전술한 식[II]으로 나타낸 각도(θ)를 184°로 변경한 것을 제외하고, 실시예 2의 절차를 반복하여 액정소자를 제조했다. 이 액정소자의 최소치(T)는 1.2%이었다. 액정소자의 액정셀 내부의 액정재료를 편광현미경으로 관측한 결과 도메인내에 띠형 결함의 발생이 관측되지 않았다.
그러나 인접도메인과 소거위치들이 상이했다. 따라서 만족스러운 암상태를 얻을 수 없었다.
본 발명에 의하면 실시예 1∼실시예 4의 결과로부터 명백한 바와 같이 초기단계에서 뿐만 아니라 전계인가후의 강유전성상태와 반강유전성상태에서 모두 만족스러운 암상태가 얻어졌다.
[실시예 5]
[셀제조방법(2)]
표면을 연마한 2매의 소다석회유리기판 각각 위에 500Å의 SiO2박막과 800Å의 ITO 투명전극을 나열순서로 형성한 다음 스핀코팅에 의해 시판되고 있는 폴리이미드(옵토머 AL1254)를 그 두께가 300Å이 되도록 도포하고 나서, 180℃로 가열하였다.
그다음 각 기판상의 폴리이미드막의 표면을 나일론천으로 소정방향으로 문질렀다.
한기판의 폴리이미드막측의 표면을 스핀코팅에 의해 2.0㎛의 평균입경을 갖는 구형실리카 간격분리재의 에탄올 현탁액으로 코팅한 다음 1시간동안 110℃로 가열하여 구형실리카가 분산상태에 있도록 에탄올을 증발시켰다. 그후 이 기판과 다른 기판을 상하 기판상의 폴리이미드막의 러빙방향을 서로간에 각도 θ만큼 다르게 겹친후 열경화성 수지로 함께 결합했다.
[셀제조방법(3)]
이미 문질러 준 배향막을 각각 갖는 2기판을 2배향막의 러빙방향이 각도(θ)에서 교차하도록 함께 접속한 것을 제외하고 상기 방법(2)와 동일 방식으로 액정셀을 제조했다.
[액정소자 제조방법(1)]
상기방법(2)에 의해 제조한 실내에 160℃의 하기구조식을 갖는 액정화합물을 넣었다.
그다음 셀을 서냉시키면서 2대의 편광판을 교차니콜스 위치에 설정한 편광현미경으로 관측했다. 그 결과 스멕틱A상과 스멕틱CA상 어느 것에서나 동일 평면상의 도메인들간의 소거위치가 최대 9°달랐다. 이 사실로부터 러빙방향에 대한 층법선의 각도가 상기 구조의 액정화합물에서 결정되지 않았음이 입증되었다.
[액정소자 제조방법(2)]
상기 방법(3)에 의해 제조한 셀내에 액정재료로서 상기 액정소자 제조방법(1)에서 사용된 160℃의 액정화합물(전술한 식[I]로 나타낸 교차각(θ): 170°)을 넣은 다음 서냉시켰다.
셀내의 액정화합물을 편광현미경으로 관측했을 때 최대 암상태가 얻어지도록 편광현미경에 설치되는 교차니콜스배치의 2편광판간에 상기 셀을 배치했다. 편광 현미경관측시에 광원으로서 할로겐 램프를 사용했다. 광투과율의 최소치(T)를 광투과율의 최소량(I) 즉, 암상태에서 투과된 광량을 사용하여 전술한 식(IV)에 따라 평가할 때 0.1%이었다. 또한 셀내부의 액정재료를 편광현미경으로 관측한 결과 소거위치들이 셀표면 전체에 걸쳐 서로 거의 동일했으며, 또한 층법선 방향이 셀표면 전체에 걸쳐 서로 거의 동일했음이 확인되었다.
[비교예 4]
전술한 식(I)으로 나타낸 교차각(θ)을 10°로 세팅한 것을 제외하고 실시예 5의 절차를 반복하여 액정소자를 제조했다.
광투과율의 최소치(T)를 실시예 5와 동일 방식으로 평가한 결과 1.6%이었다. 또한 셀내부의 액정재료를 편광현미경으로 관측한 결과 소거위치들이 인접도메인들과 완전히 달랐으며 층법선 방향이 셀내의 위치들과 달랐음이 확인된다.
[실시예 6]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 150°로 세팅하는 한편 실시예 5의 셀제조방법(3)에 따라 셀을 제조했다. 그다음 셀내에 하기식의 액정화합물을 넣고 실시예 5에서와 동일 방식으로 서냉시켰다.
이 액정셀과 2편광판을 사용하여 실시예 5에서와 같이 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 5에서와 동일 방식으로 평가한 결과 0.3%이었다.
[비교예 5]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 10°로 변경한 것을 제외하고, 실시예 6의 절차를 반복하여 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 5에서와 동일방식으로 평가한 결과 1.2%이었다. 또한 셀내부의 액정재료를 편광현미경으로 관측한 결과 소거위치들이 인접도메인들과 완전히 달랐으며, 또한 층법선 방향이 셀내의 위치들과 달랐음이 확인되었다.
[실시예 7]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 170°로 세팅하는 한편 실시예 5의 셀제조방법(3)에 따라 셀을 제조했다. 그다음 셀내에 하기식의 액정화합물을 넣고 실시예 5에서와 동일 방식으로 서냉시켰다.
이 액정셀과 2편광판을 사용하여 실시예 5에서와 같이 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 5에서와 동일 방식으로 평가한 결과 0.2%이었다.
[실시예 8]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 170°로 세팅하는 한편 실시예 5의 셀제조방법(3)에 따라 셀을 제조했다. 그다음 셀내의 하기식의 액정화합물을 넣고 실시예 5에서와 동일 방식으로 서냉시켰다.
이 액정셀과 2편광판을 사용하여 실시예 5에서와 같이 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 5에서와 동일 방식으로 평가한 결과 0.3%이었다.
[실시예 9]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 110°로 세팅하는 한편 실시예 5의 셀제조방법(3)에 따라 셀을 제조했다. 그 다음 셀내에 하기식의 액정화합물을 넣고 실시예 5에서와 동일 방식으로 서냉시켰다.
이 액정셀과 2편광판을 사용하여 실시예 5에서와 같이 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 5에서와 동일 방식으로 평가한 결과 0.3%이었다.
[비교예 6]
전술한 식[I]으로 나타낸 교차각(θ)를 10°로 변경한 것을 제외하고 실시예 9의 절차를 반복하여 액정소자를 제조했다.
액정소자의 광투과율의 최소치(T)를 실시예 9에서와 동일 방식으로 평가한 결과 1.2%이었다.

Claims (12)

  1. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하는 액정소자에 있어서, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하며, 각 배향막의 표면은 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위한 배향처리를 함으로써 처리되며, 한 배향막의 배향처리방향은 다른 배향막의 배향처리방향과 다르고, 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 배향막들의 각 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식 [I] 또는 [II]에 의해 표시되며,
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°, 한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식 [IV]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자.
    T=[(I-Io)/I100]×100 [IV]
    (상기식에서는 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
  2. 제1항에 있어서, 상기 스멕틸상은 키랄 스멕틱CA상인 것을 특징으로 하는 액정소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액정재료는 하기식[III]으로 나타낸 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
    R'-(A-X)p-(B-Y)q-(C-Z)r-R*[III]
    상기식중 R'는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기 및 할로겐화 알콕시기로부터 선택한 3∼20의 탄소수를 갖는 기이고; A, B 및 C는 각각 독립적으로 다음 기들로부터 선택한 기로서,
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음) A, B 및 C중 적어도 하나는 다음의 기이며;
    또는
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음) X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -CH2CH2-, -CH2O- -OCH2- -S-S-, -CO-CH2- 및 -CH2-CO-로부터 선택한 2가의 기이고; R*은 적어도 하나의 비대칭 탄소원자를 갖는 4-20 탄소수의 광학활성기이며(상기 기내의 탄소원자에 결합된 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자로 치환될 수 있으며, 또한 실리콘원자, 산소원자 및 황원자로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 결합기로서 함유할 수 있음); p, q 및 r은 각각 0 또는 1이며, p, q 및 r중 적어도 하나는 1이다.
  4. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하는 액정소자에 있어서, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하며, 각 배향막의 표면은 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위한 배향처리를 함으로써 처리되며, 한 배향막의 배향처리방향은 다른 배향막의 배향처리방향과 다르고, 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 배향막들의 각 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식 [I] 또는 [II]에 의해 표시되며,
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°, 상기 액정셀의 전극간에 전압을 인가하여 상기 액정셀의 광학축을 변화시킨 상태에서 한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식 [V]으로 표시된 투과광의 최소치(T')가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자,
    T'=[(I'-Io)/I100]×100 [V]
    (상기식에서는 I'는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
  5. 제4항에 있어서, 상기 스멕틱상은 키랄 스멕틱CA상인 것을 특징으로 하는 액정소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 액정재료는 하기식[III]으로 나타낸 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
    R'-(A-X)p-(B-Y)q-(C-Z)r-R*[III]
    상기식중 R'는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기 및 할로겐화 알콕시기로부터 선택한 3∼20의 탄소수를 갖는기이고; A, B 및 C는 각각 독립적으로 다음에서 선택한 기로서,
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음)
    A, B 및 C중 적어도 하나는 다음의 기이며;
    또는
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음) X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -CH2CH2-, -CH2O- -OCH2- -S-S-, -CO-CH2- 및 -CH2-CO-로부터 선택한 2가의 기이고; R*은 적어도 하나의 비대칭 탄소원자를 갖는 4-20 탄소수의 광학활성기이며(상기 기내의 탄소원자에 결합된 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자로 치환될 수 있으며, 또한 실리콘원자, 산소원자 및 황원자로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 결합기로서 함유할 수 있음); p, q 및 r은 각각 0 또는 1이며, p, q 및 r중 적어도 하나가 1이다.
  7. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하는 액정소자에 있어서, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하며, 각 배향막의 표면은 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위한 배향처리를 함으로써 처리되며, 한 배향막의 배향처리방향은 다른 배향막의 배향처리방향과 다르고, 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 배향막들의 각 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식 [I] 또는 [II]에 의해 표시되며,
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°,
    상기 액정셀의 전극간에 교류전압을 인가하여 상기 액정셀을 구동시키고 상기 전압인가를 중단한 후에 한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식 [VI]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자.
    T=[(I-Io)/I100]×100 [VI]
    (상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
  8. 제7항에 있어서, 상기 스멕틱상은 키랄 스멕틱CA상인 것을 특징으로 하는 액정소자.
  9. 제7항에 있어서, 상기 액정재료는 하기식[III]으로 나타낸 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
    R'-(A-X)p-(B-Y)q-(C-Z)r-R*[III]
    상기식중 R'는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기 및 할로겐화 알콕시기로부터 선택한 3∼20의 탄소수를 갖는 기이고; A, B 및 C는 각각 독립적으로 다음 기들로부터 선택한 기로서,
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음)
    A, B 및 C중 적어도 하나는 다음의 기이며;
    또는
    (여기서, 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리플루오로메틸기, 디플루오로메틸기 및 모노플루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음) X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -CH2CH2-, -CH2O- -OCH2- -S-S-, -CO-CH2- 및 -CH2-CO-로부터 선택한 2가의 기이고; R*은 적어도 하나의 비대칭 탄소원자를 갖는 4-20 탄소수의 광학활성기이며(상기 기내의 탄소원자에 결합된 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자로 치환될 수 있으며, 또한 상기 기는 실리콘원자, 산소원자 및 황원자로부터 선택된 적어도 하나의 원자를 결합기로서 함유할 수 있음); p, q 및 r은 각각 독점적으로 0 또는 1이며, p, q 및 r중 적어도 하나가 1이다.
  10. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 구비하며, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하는 액정소자를 제조하는 방법에 있어서, 각 배향막의 표면이, 상기 셀내에서 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위해 상기 배향막을 배향처리함으로써 처리되는 단계를 포함하며, 상기 배향처리는 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때, 한 배향막의 배향처리방향과 다른 배향막의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식 [I] 또는 [II]에 의해 표시되도록 수행되며,
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°,
    한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식 [IV]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자의 제조방법.
    T=[(I-Io)/I100]×100 [IV]
    (상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
  11. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 구비하며, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하는 액정소자를 제조하는 방법에 있어서, 각 배향막의 표면이, 상기 셀내에서 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위해 상기 배향막을 배향처리함으로써 처리되는 단계를 포함하며, 상기 배향처리는 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때, 한 배향막의 배향처리방향과 다른 배향막의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식 [I] 또는 [II]에 의해 표시되도록 수행되며,
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°,
    상기 액정셀의 전극간에 전압을 인가하여 상기 액정셀의 광학축을 변화시킨 상태에서 한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식 [V]으로 표시된 투과광의 최소치(T')가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자의 제조방법.
    T'=[(I'-Io)/I100]×100 [V]
    (상기식에서 I'는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
  12. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 구비하며, 상기 셀은 각각 전극 및 액정재료와 접촉하는 배향막을 차례로 갖는 상부 및 하부 기판을 포함하는 액정소자를 제조하는 방법에 있어서, 각 배향막의 표면이, 상기 셀내에서 그와 접촉하는 액정재료의 배향방향을 제어하기 위해 상기 배향막을 배향처리함으로써 처리되는 단계를 포함하며, 상기 배향처리는 상부기판측의 배향막의 배향처리방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 한 배향막의 배향처리방향과 다른 배향막의 배향처리방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식[I] 또는 [II]에 의해 표시되도록 수행되는 것을 특징으로 한다.
    θ = 180° - δ [I]
    θ = 360° - δ [II]
    상기식에서 0° δ ≤ 90°,
    상기 액정셀의 전극간에 교류전압을 인가하여 상기 액정셀을 구동시키고 상기 전압인가를 중단한 후에 한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록, 스멕틱상의 액정재료로 충전된 상기 액정셀을 교차 니콜스배치의 2편광판간에 배치한 경우에, 하기식[VI]으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자의 제조방법.
    T=[(I-Io)/I100]×100 [VI]
    (상기식에서 I는 투과광의 최소량, Io는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 Io와 액정셀을 배치하지 않을 때 평행니콜스배치에서 투과된 광량간의 차이를 나타냄)
KR1019950015562A 1994-06-13 1995-06-13 액정소자 및 그의 제조방법 KR0178074B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13069694 1994-06-13
JP94-130696 1994-06-13
JP7007734A JPH0862604A (ja) 1994-06-13 1995-01-20 液晶素子およびその製造方法
JP95-07734 1995-01-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960001835A KR960001835A (ko) 1996-01-25
KR0178074B1 true KR0178074B1 (ko) 1999-05-01

Family

ID=26342081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950015562A KR0178074B1 (ko) 1994-06-13 1995-06-13 액정소자 및 그의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5724115A (ko)
EP (1) EP0687935A1 (ko)
JP (1) JPH0862604A (ko)
KR (1) KR0178074B1 (ko)
CN (1) CN1050908C (ko)
CA (1) CA2151567C (ko)
TW (1) TW293884B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5888420A (en) * 1994-06-13 1999-03-30 Mitsui Chemicals, Inc. Liquid crystal device and process for preparing the same
JPH09304794A (ja) * 1996-05-20 1997-11-28 Toshiba Corp 液晶表示素子
KR100477112B1 (ko) * 2002-03-04 2005-03-17 삼성전자주식회사 세탁기
JP4813050B2 (ja) 2003-12-03 2011-11-09 三星電子株式会社 表示板及びこれを含む液晶表示装置
CN103529600B (zh) * 2013-10-23 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种隔垫物及其制作方法、显示器
BR112017003745A2 (pt) 2014-08-29 2017-12-05 Tes Pharma S R L inibidores de semialdeído descarboxilase de ácido alfa-amino-beta-carboximucônico
CN109390488A (zh) * 2018-09-30 2019-02-26 云谷（固安）科技有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4778259A (en) * 1985-07-17 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal devices having reverse twist angle and stable states resulting from A.C. excitation
JPS62250419A (ja) * 1986-04-23 1987-10-31 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子の製造方法
JP2551848B2 (ja) * 1989-07-25 1996-11-06 セイコープレシジョン株式会社 強誘電性液晶パネル
JPH04371925A (ja) * 1991-06-20 1992-12-24 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
EP0549347B1 (en) * 1991-12-27 1997-10-29 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Novel carboxylate compounds, liquid crystal materials, liquid crystal compositions and liquid crystal elements
JP3006289B2 (ja) * 1992-06-17 2000-02-07 カシオ計算機株式会社 反強誘電性液晶表示素子
US5589966A (en) * 1993-05-11 1996-12-31 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Antiferroelectric liquid crystal light modulation device
JPH07287232A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Fujitsu Ltd 液晶表示装置、その製造方法、および駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR960001835A (ko) 1996-01-25
CN1050908C (zh) 2000-03-29
CA2151567A1 (en) 1995-12-14
US5724115A (en) 1998-03-03
CA2151567C (en) 2000-02-15
CN1148182A (zh) 1997-04-23
TW293884B (ko) 1996-12-21
JPH0862604A (ja) 1996-03-08
EP0687935A1 (en) 1995-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0550846B1 (en) Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof
EP0091661B1 (en) Liquid crystal optical modulation element
EP0391305B1 (en) Liquid crystal apparatus
EP0259822B2 (en) Liquid crystal display device
US20020015131A1 (en) Liquid crystal composition, device and apparatus
KR0146919B1 (ko) 강유전성 액정소자
US5583682A (en) Liquid crystal device for gradational display
US5825447A (en) Liquid crystal device with a bistable chiral smectic liquid crystal having a phase transition series lacking a cholesteric phase #16
JP2952122B2 (ja) 液晶素子、及びこれを用いた表示装置
KR0178074B1 (ko) 액정소자 및 그의 제조방법
EP0219965A1 (en) A ferroelectric liquid crystal electro-optical device
AU673459B2 (en) Liquid crystal device
US20040031672A1 (en) Liquid crystal color switch and method of manufacture
US5888420A (en) Liquid crystal device and process for preparing the same
KR100301532B1 (ko) 액정혼합물및이를함유하는액정소자
JPH05346584A (ja) 液晶光変調素子
JPH11326961A (ja) 液晶表示素子
JP3968851B2 (ja) 液晶素子及びその製造方法、並びに配向膜又はその組成物
JPH03243920A (ja) 液晶電気光学装置
JPS62291621A (ja) 液晶素子
JP3062978B2 (ja) 強誘電性液晶素子
JPH03215831A (ja) 液晶表示素子
JPH0412321A (ja) プラスチック基板液晶表示素子
JP3118361B2 (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JPH07181495A (ja) 強誘電性液晶素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021106

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee