JPS62250419A - 液晶電気光学素子の製造方法 - Google Patents
液晶電気光学素子の製造方法Info
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- JPS62250419A JPS62250419A JP9401886A JP9401886A JPS62250419A JP S62250419 A JPS62250419 A JP S62250419A JP 9401886 A JP9401886 A JP 9401886A JP 9401886 A JP9401886 A JP 9401886A JP S62250419 A JPS62250419 A JP S62250419A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記憶効果、高速応答、急峻なしきＩＡ直特性を
有する強誘電性スメクチック液晶を使用する液晶電気光
学素子及びそ■製造方法に係わる。
有する強誘電性スメクチック液晶を使用する液晶電気光
学素子及びそ■製造方法に係わる。
従来Ｑ強誘を性液晶を用いた液晶電気光学素子の配向制
御方法は、上下２基体表面にＰ１等Ｏ有機高分子層を設
け、ラピング処ｉｔ行う方法、スペーサーエッヂから温
圧勾配法を用いて液晶層を成長させる方法、磁場配向法
、直流電界全印加しながら徐冷を行う方法等がある。
御方法は、上下２基体表面にＰ１等Ｏ有機高分子層を設
け、ラピング処ｉｔ行う方法、スペーサーエッヂから温
圧勾配法を用いて液晶層を成長させる方法、磁場配向法
、直流電界全印加しながら徐冷を行う方法等がある。
強誘電性スメクチック液晶■電気光学効果のスイッチン
グ原理によれば、スメクチックＣ相Ｖｃおける液晶分子
は、基体表面にモ行かつ一方向Ｋｉりでいる事が必要で
ある。又、電界による応答特性は、液晶分子と基体表面
■伏字的相互作用に大きく影響されると考えられる。
グ原理によれば、スメクチックＣ相Ｖｃおける液晶分子
は、基体表面にモ行かつ一方向Ｋｉりでいる事が必要で
ある。又、電界による応答特性は、液晶分子と基体表面
■伏字的相互作用に大きく影響されると考えられる。
一般に、強誘電性液晶０記憶効果は、以下Ｏように説明
される。
される。
第１図は、厚さ数μｍｖセル■Ｘ−Ｙ断面における液晶
分子の配向状態を示した図である。（α）。
分子の配向状態を示した図である。（α）。
（ｂ） 、 （ｃ） ’ｒｉ 、それぞれ無電界時、下
基板から上基板に向って電界十Ｅを印加した時、及び、
電界−三を印加した時０液晶分子Ｑ配向である。無電界
時には、永久及隠子１４が基板表面からセルの内部に向
う配列をとっているが、基板表面Ｏ処理剤の種類を変え
る事によって、無電界時０氷久双匝子が、セルの内部か
ら基板に向うような配向も得る＠ができる。記憶効果の
良否は、無電界時Ｏ配向くより評価され、電界除去後も
嬉１図（６） 、 （６）に示された電界印加時と同じ
配向が保持されていれば、記憶効果がすぐれていると評
価される。
基板から上基板に向って電界十Ｅを印加した時、及び、
電界−三を印加した時０液晶分子Ｑ配向である。無電界
時には、永久及隠子１４が基板表面からセルの内部に向
う配列をとっているが、基板表面Ｏ処理剤の種類を変え
る事によって、無電界時０氷久双匝子が、セルの内部か
ら基板に向うような配向も得る＠ができる。記憶効果の
良否は、無電界時Ｏ配向くより評価され、電界除去後も
嬉１図（６） 、 （６）に示された電界印加時と同じ
配向が保持されていれば、記憶効果がすぐれていると評
価される。
強ｖｊ電性液晶を封入した液晶電気光学素子にシいて、
ツイスト効果■ない良好な記憶効果を得るためには、上
下２基板Ｑ庵性が等しく、かつ、均一に配向している事
が必妥である。すなわち異種０表面処理剤の使用もしく
は非対称な表面処理を行った場合は、ツイスト状態が出
現しや丁く、良好なメモリー性を得る■は困難である。
ツイスト効果■ない良好な記憶効果を得るためには、上
下２基板Ｑ庵性が等しく、かつ、均一に配向している事
が必妥である。すなわち異種０表面処理剤の使用もしく
は非対称な表面処理を行った場合は、ツイスト状態が出
現しや丁く、良好なメモリー性を得る■は困難である。
このように、現在では、液晶電気光学素子Ｏ量産性？満
たす配向処理方法でのメモリー性Ｏ発現は困難である。
たす配向処理方法でのメモリー性Ｏ発現は困難である。
本発明は、透明電匝を設けた２枚のガラス基板０強誘電
性スメクチック液晶を封入した液晶電気光学素子におい
て％液晶を封入したのち、高周波電界を印加しながら徐
冷を行うことを′！＃敵としてｉる。
性スメクチック液晶を封入した液晶電気光学素子におい
て％液晶を封入したのち、高周波電界を印加しながら徐
冷を行うことを′！＃敵としてｉる。
〔実施例１〕
透明電隠を有する一対のガラス基板上に、ポリイミドを
配向処理層としてスピンコードし、ラピング処理を施し
互いに対向させ、公知（Ｌ工Ｑ。
配向処理層としてスピンコードし、ラピング処理を施し
互いに対向させ、公知（Ｌ工Ｑ。
ＣＲＹＢＴ 、０ＲＤＫＲＩ！ｉＤ 、ＩＦＩＪＵより
Ｓ。
Ｓ。
’１０ ｌ 、 ４ 、 ＰＰ ｌ〜３２ ） Ｏｆ’
［Ａ化合物’に加％１６注入し、一度等方性液体相まで
昇温した後、±３０ｖ、１０ｘＨｇｏｌ：界七印加しな
がら５℃／分の降温速度で徐冷を行った。
［Ａ化合物’に加％１６注入し、一度等方性液体相まで
昇温した後、±３０ｖ、１０ｘＨｇｏｌ：界七印加しな
がら５℃／分の降温速度で徐冷を行った。
液晶化合物ＯＮｌ造式は以下に示すとうりである。
上記化合物の相転移は、
加’Ｃ３５℃
（固体相→カイラルスメクチックＣ相→スメ印℃
クチツクＡ相→等方性液体相）
である事が知られて＾る。
徐冷後、２枚の偏光板を互＾に直交するように設置し、
そ０間に上記液晶電気光学素子を瞳き、±１０７０交流
パルス電圧を印加したところ眞２図に示した光学％性が
得られ、無電界時のコントラストは１：１８であった。
そ０間に上記液晶電気光学素子を瞳き、±１０７０交流
パルス電圧を印加したところ眞２図に示した光学％性が
得られ、無電界時のコントラストは１：１８であった。
〔実ＩＭ列２〕
透明電匝を有する一対のガラス基板上に％５Ｚ０２なる
絶縁１ｉ１ｔ−設け、さらにラピング処理を施し、互ｖ
ｈＶｃ対向させ、公知（Ｌ工Ｑ、、ＣＲＹＥＩＴ、ｏＲ
ＤＫＲＥＤ 、ＦＬｆｆＩＤ８ 、Ｖ□ ｌ 、４ 。
絶縁１ｉ１ｔ−設け、さらにラピング処理を施し、互ｖ
ｈＶｃ対向させ、公知（Ｌ工Ｑ、、ＣＲＹＥＩＴ、ｏＲ
ＤＫＲＥＤ 、ＦＬｆｆＩＤ８ 、Ｖ□ ｌ 、４ 。
ｐｐ１〜３２）０液晶組成物を加熱注入し、一度等方性
液体相まで昇温した後、実施例１と同様に±３０’ｖ、
１０ｘａｚ■電界を印加しながら５°Ｃ／分■降温速度
で徐冷を行った。
液体相まで昇温した後、実施例１と同様に±３０’ｖ、
１０ｘａｚ■電界を印加しながら５°Ｃ／分■降温速度
で徐冷を行った。
液晶組成物（Ｄ＠成は以下に示すとうりである。
上記液晶組成物Ｑ相転移は
５ ℃
（カイラルスメクチックＣ→スメクチックＡ８３．６℃
７０１３℃・レヘテリツク − 等方性液体相）である
事が知られている。
事が知られている。
徐冷後、２枚の偏光板を互いに直交するように設置し、
そ０間に上記液晶電気光学素子を置き、±ＩＯＶ■交流
パルス電圧を印加したところ第３図に示した光学特性が
得られ、無電界時■コントラストは１：２１であった。
そ０間に上記液晶電気光学素子を置き、±ＩＯＶ■交流
パルス電圧を印加したところ第３図に示した光学特性が
得られ、無電界時■コントラストは１：２１であった。
実ｍ列１と同様に、透明電鑞を有する一対Ｏガラス基板
上に、ポリイミドを配向処理層としてスピンコードシ、
ラピング処理ヲ施し互いに対向さ才 ４＼翻（Ｌ
工 ＧＬ−ＣＲＹＳ’Ｉ’、ＯＲＤＩＲＫＤ、ＦＩＩＵ
より、Ｖｏｌ 、４．ＰＰ１〜３２）（Ｄａ晶化合物を
加熱注入し、一度等方性液体相まで昇温した後５℃／分
の降温速度で徐冷を行った。徐冷後２枚の偏光板を互い
に直交するように設置し。
上に、ポリイミドを配向処理層としてスピンコードシ、
ラピング処理ヲ施し互いに対向さ才 ４＼翻（Ｌ
工 ＧＬ−ＣＲＹＳ’Ｉ’、ＯＲＤＩＲＫＤ、ＦＩＩＵ
より、Ｖｏｌ 、４．ＰＰ１〜３２）（Ｄａ晶化合物を
加熱注入し、一度等方性液体相まで昇温した後５℃／分
の降温速度で徐冷を行った。徐冷後２枚の偏光板を互い
に直交するように設置し。
そ０間に上記液晶電気光学素子を置き、±１ＯｖＱ交流
パルス電圧を印加したところ、第４図に示した光学特性
が得られ、無電界時■コントラストは１：５であった。
パルス電圧を印加したところ、第４図に示した光学特性
が得られ、無電界時■コントラストは１：５であった。
上記実施列１及び２と参考ＰＡＪを比較すると、℃界を
印加しながら徐冷した方が、無電界で徐冷を行った場合
よりコントラストが５倍はど良い事がわかる。又、こ■
結果は上記実施列で記述した液晶化合物％液晶組成物、
及び基板■状態に限定されるものではなく、例えば、ラ
ピング処理を施さｉｌＡ基体を用いても、高周波電界を
印加する事により、コントラストが向上した。
印加しながら徐冷した方が、無電界で徐冷を行った場合
よりコントラストが５倍はど良い事がわかる。又、こ■
結果は上記実施列で記述した液晶化合物％液晶組成物、
及び基板■状態に限定されるものではなく、例えば、ラ
ピング処理を施さｉｌＡ基体を用いても、高周波電界を
印加する事により、コントラストが向上した。
こＯように、本方法で製造したｇ＆電気光学素子は、コ
ントラストが良好である。又、そｏｌｌ！ｌｌ法は、液
晶電気光学素子の量産性を向上させるも■でおる。
ントラストが良好である。又、そｏｌｌ！ｌｌ法は、液
晶電気光学素子の量産性を向上させるも■でおる。
免１図（ロ））〜（ｃ）は％厚さ数μｍＣＤセルのＸ−
Ｙ断面における液晶分子配向図、窮２図〜第４図は、液
晶θ電気光学特性を示す図である。 １１ニガラス基体 １２：配向処理層 １３：液晶分子のＸ−Ｙモ面へＯ投斜 １４：永久双匝子 以 上 出願人 セイコーエプソン床式会社 業 １ 図 笑２ｍ 十 １３１図
Ｙ断面における液晶分子配向図、窮２図〜第４図は、液
晶θ電気光学特性を示す図である。 １１ニガラス基体 １２：配向処理層 １３：液晶分子のＸ−Ｙモ面へＯ投斜 １４：永久双匝子 以 上 出願人 セイコーエプソン床式会社 業 １ 図 笑２ｍ 十 １３１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明電極を設けた２枚のガラス基板の間に強誘電性
スメクチック液晶を封入した液晶電気光学素子において
、液晶を封入したのち、高周波電界を印加しながら徐冷
を行う事を特徴とする液晶電気光学素子の製造方法。 ２）上記ガラス基板の電極上の少なくとも一方に配向処
理層を設け、ラピング処理を施した事を特徴とする特許
請求の範囲第１項記述の液晶電気光学素子の製造方法。 ３）上記ガラス基板の電極上の少なくとも一方にＳｉＯ
＿２なる絶縁層を設け、さらにラピング処理を施した事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記述の液晶電気光学
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9401886A JPS62250419A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9401886A JPS62250419A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250419A true JPS62250419A (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=14098775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9401886A Pending JPS62250419A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62250419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687935A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Liquid crystal device and process for preparing the same |
| GB2313204A (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sharp Kk | Liquid crystal dispaly element |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP9401886A patent/JPS62250419A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687935A1 (en) * | 1994-06-13 | 1995-12-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Liquid crystal device and process for preparing the same |
| GB2313204A (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sharp Kk | Liquid crystal dispaly element |
| US5897189A (en) * | 1996-05-17 | 1999-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid crystal display element |
| GB2313204B (en) * | 1996-05-17 | 2000-08-30 | Sharp Kk | Method of manufacturing liquid crystal display element and liquid crystal display element |
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