KR960001835A - 액정소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR960001835A KR1019950015562A KR19950015562A KR960001835A KR 960001835 A KR960001835 A KR 960001835A KR 1019950015562 A KR1019950015562 A KR 1019950015562A KR 19950015562 A KR19950015562 A KR 19950015562A KR 960001835 A KR960001835 A KR 960001835A
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Abstract

각각 전극을 가지며, 전극상에 배향막이 구비된 셀을 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전시키고, 액정재료에 접속된 배향막들에 의해 제어된 액정재료의 배향방향에 의해 형성된 교차각(θ)이 180°~δ 또는 360°~δ(0°＜δ≤90°)인 액정소자와, 상기 셀내에서 상기 범위내의 교차각을 형성하도록 배향막을 처리하고, 또한 액정셀을 제조하는 방법이 개시되며, 본 발명에 의하면 광통신, 입체화상표시, 화상처리 및 광연산 등의 각종 기술분야에서 필요한 고광전응답속도를 가지며 또한 고광콘트라스트를 갖는 액정 소자를 얻을 수 있다.

Description

액정소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 액정소자의 일예시도,
제2-A-1, 2-A-2, 2-B-1 및 2-B-2도는 제1도에 보인 액정 소자내의 배향막의 러빙(rubbing)방향도,
제3-A, 3-B 및 3-C도는 본 발명의 액정소자의 스멕틱 액정셀내에 충전된 스멕틱상의 액정재료의 여러 배향 상태도.

Claims (11)

  1. 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전된 액정셀을 포함하는 액정자로서 상기 셀이 각각 전극을 갖고 있으며, 각 전극의 표면상에 배향막을 구비하고 있는 상부 및 하부 기판을 포함하며, 각 배향막의 표면은 그에 접촉되는 액정재료의 배향방향을 제어하도록 처리되며, 한 배향막에 의해 제어되는 배향방향은 다른 배향막에 의해 제어되는 배향방향과 다르며, 상부기판측의 배향막에 의해 제어되는 배향방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 전술한 러빙방향에 상응하는 그들 배향방향에 의해 형성되는 교차 각도가 하기식〔Ⅰ〕 또는 〔Ⅱ〕에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는 액정소자.
    θ=180°-δ 〔Ⅰ〕
    θ=360°-δ 〔Ⅱ〕
    상기식에서 0°＜δ≤90°.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스멕틱상은 스멕틱 CA상인 것이 특징인 액정소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액정재료는 하기식〔Ⅲ〕으로 나타낸 화합물을 함유하는 것이 특징인 액정소자.
    R'-(A-X)p-(B-Y)q-(C-Z)r-R*〔Ⅲ〕
    상기식중 R'는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기 및 할로겐화 알콕시기로부터 선택된 3~20의 탄소원자수를 갖는 기이고, A,B 및 C는 각각 독립적으로 다음기에서 선택한 기이고,
    식중 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리후루오로메틸기, 디후루오로메틸기 및 모노후루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음.
    A, B 및 C중 적어도 하나는 다음의 기이며,
    식중 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자, 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록실기, 트리후루오로메틸기, 디후루오로메틸기 및 모노후루오로메틸기로부터 선택한 기 또는 원자로 치환될 수 있음. X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 -COO-, -OCO-, -CH2O- -OCH2- -S-S-, -CO-CH2- 및 -CH2-CO-로 부터 선택한 2가지이고, R*은 적어도 하나의 비대칭 탄소원자를 갖는 4-20탄소 원자수의 광학활성기이며, 상기 기내의 탄소원자에 결합된 수소원자의 일부 또는 전부가 할로겐원자로 치환될 수 있으며, 또한 이기는 실리콘원자, 산소원자 및 황원자로부터 선택한 적어도 하나의 원자를 결합기로서 함유하며, p, q 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1이며, p, q 및 r중 적어도 하나가 1이다.
  4. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기판 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 배치한 경우에 하기식〔Ⅳ〕으로 표시된 투과광의 최소치(T)가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 액정소자.
    T={(I-I0)/I100}×100 〔Ⅳ〕
    (상기식에서 I는 투과광의 최소량, I0는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 I0와 액정셀을 배치하지 않을때 평행니콜스 배치에서 투과된 광량을 나타냄).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치(crossed Nicols arrangement)의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기 액정셀의 전극간에 전압을 인가하여 상기 액정셀의 광학축을 변화시킨 상태에서 상기한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 배치한 경우에 하기식〔Ⅴ〕으로 표시된 투과광의 최소치(T')가 1.0%이하인 것을 특징으로 하는 액정소자.
    T'={(I'-I0)/I100}×100 〔Ⅴ〕
    (상기식에서 I'는 투과광의 최소량, I0는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스 배치에서 투과된 광량, I100은 I0와 액정셀을 배치하지 않을때 평행니콜스배치에서 투과된 광량을 나타냄).
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태로서 교차 니콜스배치(crossed Nicls arrangement)의 2편광판간에 상기 액정셀을 삽입하고, 상기 액정셀의 전극간에 교류전압을 인가하여 상기 액정셀을 구동시킨 후 상기 전압인가를 중단하고, 상기한 편광판, 액정셀 및 다른 편광판을 통해 나열순서로 투과한 출력광의 투과광량이 최소가 되도록 액정셀을 배치한 경우에 하기식〔Ⅵ〕으로 표시된 투과광의 최소치(T")가 1.0%이하인 것을 특징으로 하는 액정소자.
    T"-{(I"-I0)/I100}×100 〔Ⅵ〕
    (상기식에서 I"는 투과광의 최소량, I0는 액정셀을 배치하지 않을 때 교차니콜스배치에서 투과된 광량, I100은 I0과 액정셀을 배치하지 않을때 평행니콜스 배치에서 투과된 광량을 나타냄).
  7. 각각 전극을 갖고 있으며, 각 전극의 표면상에 배향막을 구비하고 있는 상부 및 하부 기판으로 된 액정셀을 스멕틱상을 나타내는 액정재료로 충전하며, 각 배향막의 표면은 그에 접촉되는 액정재료의 배향방향을 제어하도록 처리되며, 한 배향막에 의해 제어되는 배향방향은 다른 배향막에 의해 제어되는 배향방향과 다르며, 상부기판측의 배향막에 의해 제어되는 배향방향을 기준으로 시계방향에서 측정할 때 전술한 러빙방향에 상응하는 그들 배향방향에 의해 형성되는 교차각도가 하기식〔Ⅰ〕 또는 〔Ⅱ〕에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는 액정소자 제조방법.
    θ=180°-δ 〔Ⅰ〕
    θ=360°-δ 〔Ⅱ〕
    상기식에서 0°＜δ≤90°.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액정재료가 스멕틱상을 나타내는 상태에서 액정재료의 광축을 변화시키는데 필요한 전압보다 절대치가 더 큰 전압을 액정셀의 전극들간에 인가하는 동안 상기 등방상의 액정재료를 냉각시켜 등반상을 스멕틱상으로 상전이 하는 것을 특징으로 하는 액정소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전압의 극성은 교호로 변동되는 것이 특징인 액정소자 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 액정재료가 스멕틱상일때 액정재료의 광축의 변동을 포화시키는데 필요한 것보다 절대치가 더 큰 전압이 액정셀의 전극들간에 인가되는 것이 특징인 액정소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전압의 극성은 교호로 변동되는 것이 특징인 액정소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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