KR0161828B1 - 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 버섯재배를 위한 배양배재 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법에 관한 것으로, 지면(땅바닦)에서 재배가능함으로 지면의 일정한 습도 및 온도유지로 인하여 균상의 보습이 일정하여 잡균의 침투가 적을 뿐만아니라 바람의 유동으로 인한 균상의 건조 현상을 막을 수 있어 수확량을 증대시킬 수 있고, 또한 온도의 편차가 거의 없어 균사의 배양시 낮과 밤의 온도 편차를 줄이기 위한 가온 또는 냉각장치가 필요 없어 부대비용을 절감할 수 있는데 그 목적이 있으며, 그 구성은 폐면에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유되게 하여 이를 3일이상 야적하여 온도 45-60℃를 유지시키면서 자연 발열상태로 한 후 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일 이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃이하로 하온시켜 배지를 제조하는 제1공정과; 재배사의 지면에 구멍이 천공된 펀칭 비닐 또는 비닐을 깔고, 이 비닐위에 1차로 종균을 살포하고, 그 위에 상기 제1공정에서 완성된 배지를 재배사로 이동하여 균상조성기계를 이용하여 종균위에 배지를 필요한 넓이와 높이로 깔고, 이 배지의 상면에 다시 종균을 살포한 후 다시 펀칭비닐 또는 비닐을 덮은 다음 그 위에 보온재를 덮어 종균을 온도 25±5℃, 25일간 배양시켜 활착시키는 제2공정으로 되는 것을 특징으로 한다.

Description

버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법

본 발명은 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법에 관한 것으로, 좀더 상세히 설명하면 식용버섯(예컨데 양송이버섯, 느타리버섯등)을 재배할 때 공극율이 높아 발이에 필요한 산소공급을 원활히 할 수 있고, 높은 보수력에 의한 충분한 조건을 지닌 폐면을 이용한 배양배지를 제공하며, 또한 이를 이용하여 재배사의 지면(땅바닥)에서 효과적으로 재배할 수 있도록 하므로서 잡균의 침입을 미연에 방지하고, 누구나 손쉽게 식용버섯을 양산할 수 있도록 한 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법에 관한 것이다.

일반적으로 볏짚을 기재로 사용하는 방법이 알려져 있는 데, 이는 볏짚을 묶어 만든 다음 15-20Cm길이로 토막을 만들고 60-70%의 수분을 가한 후 톡막단면에 1.5시간정도 멸균시킨 배지를 첨가하여 식용버섯을 재배하는 방법이다. 이와 같이 볏짚을 기재로 하여 식용버섯을 재배하는 방법에 있어 상기 볏짚은 가을 추수시 자주 오는 비로 인하여 많은 량의 볏짚이 변질되는 해에는 볏짚 값이 많이 상승되어 매년 생산비가 증가되는 실정일 뿐만 아니라 벼 농사시에 공급된 비료나 농약에 의하여 재배되는 식용버섯에 공해가되는 문제점이 있었다.

또한, 상기와 같은 문제점을 감안하여 폐면을 이용한 식용버섯의 재배방법을 설명하면 다음과 같다.

제1공정(배지제조공정)

폐면(방울솜, 목화의 꽃받침, 줄기, 목화의 껍데기등)에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유시킨다. 이 물먹이를 한 폐면을 높이 1M로 야적을 하고 발열상태를 보아 3-7일간에 2-3번 뒤집기를 하면 골고루 뒤집기가 되므로 통풍이 원활하여 적정온도를 유지할 수 있음과 동시에 버섯균의 생장에 필요한 미생물의 배양 및 폐면을 연질화시키면서 수분조절을 하여 배지를 제조한다.

제2공정(입상 후 살균 및 발효공정)

식용버섯 재배사의 다단계 다이(균상)의 바닥면에 비닐을 깔어 수분증발을 억제시킬 수 있도록 하고, 상기 제1공정에서 생산된 배지를 20Cm 정도의 두께로 입상시킨 후, 상기 배지의 상부와 측면에 비닐로 덮고, 보일러 또는 스팀등으로 24시간은 45℃로, 48시간은 60℃로 살균시키면 곰팡이류의 잡균은 모두 살균되며, 살균도중 배지를 후발효시 필요한 산소공급을 위하여 뒤집기를 한다. 그리고, 상기 살균작업이 끝나면 가온을 중지하고 배지의 온도가 45℃가 되도록 유지하며, 충분한 백화(고온성 미생물)를 발생시키머 백화밀도가 70-80％ 정도로 후발효가 완성되면 재배사의 문을 열어 재배사내의 습을 말리면서 배지 온도를 20℃까지 하온시킨다. 이 때 배지가 과습시에는 백화밀도가 적게 발생하므로 재뒤집기를 하여 충분한 발효를 시켜야 하며, 여름철에 냉각기간이 길면 배지가 쉬기 쉬워지므로 이를 조심하여야 한다.

제3공정(균사 재배 및 수확공정)

상기 제2공정에서 배지의 발효가 끝난 배지의 온도를 20±5℃ 정도로 유지하면서 배지의 표면부에 씌워진 비닐을 걷어 내고, 재뒤집기를 하면서 발효시 발생된 가스를 배출하고, 종균을 배지위에 접종한 후 다시 비닐를 씌운다. 이 때 상기 비닐은 배지의 상면에 닿지 않는 터널식으로 씌우는게 바람직하다. 그리고 재배사내의 온도를 25±5℃로 유지시키면서 25일간 배양하면 균사가 활착되는 것이다. 이 때 재배사내의 낮 과 밤의 온도편차를 줄이기 위하여 가온·냉온장치를 가동하여 균사의 활착을 돕는 것이 바람직하며, 상기와 같이 배지에 균사가 활착이 이루어지면 습도 80±10％, 온도20±5℃, 빛 120룩스를 유지하면서 재배사의 문을 열어 환기를 하여 버섯의 성장을 촉진시켜 수확을 하면 되는 것이다.

그러나, 상기와 같은 버섯의 재배방법에 있어서, 다단계의 다이(균상)로 된 버섯재배용 전용 재배사시절이 있어야 하므로 설치비가 고가일 뿐만아니라, 기존의 채소재배 하우스등을 이용할 수 없으며, 상기 재배사의 균상이 4단이상의 다단계로 설치되므로 상부 균상에 배지의 입상 및 관리가 몹시 어렵고, 배지의 뒤집기, 접종, 관수(물주기)등의 작업을 일일이 수작업을 통하여 하므로 작업능률이 저하되고, 좁은 평수의 재배사 내에 균상이 밀집 배열되어 있어 냉·난방·환기·가습시설등이 병행되어야 하므로 이에 따른 시설투자비가 과다함은 물론 잡균의 오염이 많은 문제점이 있다.

또한, 폐상(버섯을 수확하고 남은 찌꺼기, 즉 퇴비치우기)시 퇴비찌꺼기등을 수작업으로 재배사 내의 균상에서 일일이 꺼내어 밖으로 치워야 하며, 그 폐기물의 누적으로 인하여 공해를 유발하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 발명된 것으로, 버섯재배용 전용 재배사가 필요 없이 채소 재배 하우스등 일반 하우스를 이용할 수 있는 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

또, 본 발명은 지면(땅바닦)에서 재배가능함으로 지면의 일정한 습도 및 온도유지로 인하여 균상의 보습이 일정하여 잡균의 침투가 적을 뿐만아니라 바람의 유동으로 인한 균상의 건조 현상을 막을 수 있어 수확량을 증대시킬 수 있는 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

또, 본 발명은 지면에서 재배가능함으로 온도의 편차가 거의 없어 균사의 배양시 낮과 밤의 온도 편차를 줄이기 위한 가온 또는 냉각장치가 필요 없어 부대비용을 절감할 수 있는 버섯재배를 위한 배양배지 및 그를 이용한 버섯의 바닥균상재배방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본발명은 폐면에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유시켜 이를 3일이상 야적하여 온도 45-60℃를 유지시키면서 자연 발열상태로 한 후 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일 이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃ 이하로 하온시켜 배양배지를 제조하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 폐면에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유시켜 이를 3일이상 야적하여 온도45-60℃를 유지시키면서 자연 발열 상태로 한 후 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃이하로 하온시켜 배지를 제조하는 제1공정과 재배사의 지면에 구멍이 천공된 펀칭비닐 또는 비닐을 깔고, 이 펀칭 비닐 또는 비닐위에 1차로 종균을 살포하고, 그위에 상기 제1공정에서 완성된 배지를 재배사로 이동하여 균상조상기계를 이용하여 종균위에 배지를 필요한 넓이와 높이로 깔고, 이 배지의 상면에 다시 종균을 살포한 후 다시 펀칭비닐을 덮은 다음 그 위에 보온재를 덮어 종균을 온도20±5℃. 25일간 배양시켜 활착시키는 제2공정으로 되는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

제1공정(배지제조공정)

폐면(목화의 꽃받침, 줄기, 씨앗, 목화의 껍데기등)에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유시킨다. 이 물먹이를 한 폐면을 3일이상 야적하여 온도 45-60℃를 유지시키면서 자연 발열상태로 한 후 이를 상자에 담거나 로울러 탱크에 담은 다음 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일 이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃ 이하로 하온시켜 배지를 제조한다.

제2공정(균사의 발육 및 재배공정)

상기 제1공정에서 배지의 제조가 완료된 후, 재배사(버섯전용 재배사 또는 채소등의 비닐하우스)의 지면에 구멍이 천공된 펀칭 비닐(ø0.3, 5Cm×5Cm 간격) 또는 비닐을 깔고, 이 펀칭 비닐 또는 비닐위에 1차로 종균을 살포하고, 그위에 상기 제1공정에서 완성된 배지를 재배사로 이동하여 균상조성기계를 이용하여 종균위에 배지를 필요한 넓이와 높이로 깔고, 이 배지의 상면에 다시 종균을 살포한 후 다시 펀칭비닐 또는 비닐을 덮은 다음 그 위에 필요에 따라 보온재(부직포, 스폰지 및 카시미론 솜등)를 덮어 종균을 온도 20±5℃, 25일간 배양시켜 활착시킨다. 이 때 상기 배지에는 필요에 따라 종균을 혼합하여도 되며, 배지의 온도가 38℃ 이상 상승하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 종균이 배지에 활착이 이루어지면 펀칭비닐 또는 비닐위에 덮고 있는 보온재를 제거하고, 3-5일 동안 버섯이 발이작업을 계속하여 시키면 성장되는 버섯이 배지의 상면 또는 상면을 덮고 있는 펀칭비닐의 구멍으로 자라나는 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명은 재배사의 지면에 펀칭비닐 또는 비닐을 깔고 그위에 배지를 일정두께 및 폭으로 깐다음 그 위에 종균을 살포하고 다시 천공비닐 또는 비닐로 덮어 재배함으로서, 버섯재배전용의 재배사가 필요없이 일반 하우스를 이용할 수 있을 뿐만아니라 기계화를 통한 인력의 절감과 지면에서 올라오는 일정한 습도, 온도유지로 인하여 균상의 보습이 일정하여 잡균의 침투가 적고 바람의 유동으로 인한 균상의 건조를 먹을 수 있어 수확량을 증대할 수 있다. 또, 지면의 온도의 편차가 거의 없어 균사 배양시 낮과 밤의 온도의 온도 편차를 줄이기 위한 가온, 냉각장치 및 가습장치가 필요없어 이에 따른 비용등을 절감할 수 있고, 수확이 끝난 후 찌꺼기를 바로 지면의 흙과 섞어 줌으로 비옥한 땅이 조성되며, 다른 작물재배시 일부러 비료, 퇴비등의 거름을 넣지 않아도 됨으로서 타작물재배에서도 비용의 절감과 노동력을 줄일 수 있다. 또한, 종균 살포 및 배지 살포를 기계화시킬 수 있으므로 대량생산이 가능한 효과가 있다.

Claims (3)

1. 폐면에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유되게 하여 이를 3일이상 야적하여 온도 45-60℃를 유지시키면서 자연 발열상태로 한후 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일 이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃ 이하로 하온시켜 배양배지를 제조하는 것을 특징으로 한 버섯재배를 위한 배양배지.
2. 폐면에 포함되어 있는 유지분제거 및 이물질을 제거함과 아울러 솜터는 기계를 이용하여 잘게 부수면서 물먹이를 하여 수분의 함량을 80％정도 함유되게 하여 이를 3일이상 야적하여 온도45-60℃를 유지시키면서 자연 발열상태로 한후 건열이나 스팀을 가하여 60±5℃로 10시간 유지시켜 살균하고, 50±5℃로 하온시켜 3일 이상 후발효를 거쳐 발효가 완성된 배지를 20±5℃이하로 하온시켜 배지를 제조하는 제1공정과; 재배사의 지면에 구멍이 천공된 펀칭 비닐 또는 비닐을 깔고, 이 펀칭 비닐 또는 비닐위에 1차로 종균을 살포하고, 그 위에 상기 제1공정에서 완성된 배지를 재배사로 이동하여 균상조상기계를 이용하여 종균위에 배지를 필요한 넓이와 높이로 깔고, 이 배지의 상면에 다시 종균을 살포한 후 다시 펀칭비닐 또는 비닐을 덮은 다음 그 위에 보온재를 덮어 종균을 온도 20±5℃, 25일간 배양시켜 활착시키는 제2공정으로 구성한 것을 특징으로 하는 버섯재배를 위한 배양배지를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 배지는 종균이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 버섯재배를 위한 배양배지를 이용한 버섯의 바닥균상 재배방법.