JPWO2024204055A5 - - Google Patents

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US8823057B2 (en) * 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
JP5347228B2 (ja) * 2007-03-05 2013-11-20 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
JP2009010107A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5825018B2 (ja) * 2011-09-29 2015-12-02 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP7327173B2 (ja) * 2020-01-10 2023-08-16 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP4135010B1 (en) * 2020-05-13 2026-01-21 Nuvoton Technology Corporation Japan Semiconductor device for power amplification

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