JP4546054B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4546054B2 JP4546054B2 JP2003306942A JP2003306942A JP4546054B2 JP 4546054 B2 JP4546054 B2 JP 4546054B2 JP 2003306942 A JP2003306942 A JP 2003306942A JP 2003306942 A JP2003306942 A JP 2003306942A JP 4546054 B2 JP4546054 B2 JP 4546054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- oxide film
- silicon oxide
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 109
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 38
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 38
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 34
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 21
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図1(a)〜(d)および図2(a)〜(d)は、第1の実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図5(a)〜(e)および図6(a)〜(d)は、第2の実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
101 ゲート絶縁膜
102 ゲート電極
103 不純物領域
104 サイドウォールスペーサ
105 素子分離用絶縁膜
106 多結晶シリコン層
108 不純物領域
110 シリコン酸化膜
111 シリコン酸化膜
112 フォトレジスト
113 シリコン酸化膜
114 シリコン酸化膜
115, 116, 117 コバルトシリサイド層
118 層間絶縁膜
119 コンタクト
120 金属配線
122 MISFET
123 抵抗素子
200 n型シリコン基板
201 ゲート絶縁膜
202 ゲート電極
203 不純物領域
204 シリコン酸化膜
205 シリコン窒化膜
206 素子分離用絶縁膜
207 多結晶シリコン層
209 不純物領域
211 シリコン窒化膜
212 シリコン酸化膜
213 フォトレジスト
214 シリコン酸化膜
215 シリコン窒化膜
216 シリコン窒化膜
217, 218, 219 コバルトシリサイド層
220 層間絶縁膜
221 コンタクト
222 金属配線
224 MISFET
225 抵抗素子
230 サイドウォールスペーサ
Claims (6)
- 半導体層と、上記半導体層の側方に位置する素子分離用絶縁膜とを有する基板を備える半導体装置の製造方法であって、
上記半導体層の上に、ゲート絶縁膜を形成する工程(a)と、
上記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成すると共に、上記素子分離用絶縁膜の上に抵抗素子用導体層を形成する工程(b)と、
少なくとも上記ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行うことにより、上記半導体層の一部に不純物領域を形成する工程(c)と、
上記工程(c)の後に、上記基板上の全面に、第1の絶縁膜を形成する工程(d)と、
上記工程(d)の後に、前記第1の絶縁膜が前記抵抗素子用導体層の上を覆っている状態で熱処理を行うことにより、上記不純物領域の不純物を活性化する工程(e)と、
上記工程(e)の後に、上記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程(f)と、
上記第1の絶縁膜および上記第2の絶縁膜を、上記抵抗素子用導体層のうちの抵抗形成領域上に少なくとも残して、除去することにより、抵抗素子用導体層のうちのコンタクト形成領域を露出させる工程(g)と、
上記工程(g)の後に、上記ゲート電極、上記不純物領域及び上記抵抗素子用導体層のうちのコンタクト形成領域の上に、シリサイド層を形成する工程(h)とを備え、
上記工程(d)において、上記第1の絶縁膜は、膜厚が5nm以上20nm以下であり、且つ、第1のシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(b)の後で上記工程(c)の前に、上記ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行うことにより、上記半導体層の一部に低濃度不純物領域を形成する工程(i)と、
上記工程(i)の後で上記工程(c)の前に、上記ゲート電極の側面上にサイドウォールを形成する工程(j)とをさらに備え、
上記工程(c)では、上記ゲート電極および上記サイドウォールをマスクとしてイオン注入を行うことにより、上記不純物領域として高濃度不純物領域を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(g)では、上記第1の絶縁膜のうち上記サイドウォールの下端部の表面上に接する部分も残す、半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(d)では、上記第1の絶縁膜として上記第1のシリコン酸化膜を形成し、
上記工程(f)では、上記第2の絶縁膜として第2のシリコン酸化膜を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(d)では、上記第1の絶縁膜として上記シリコン窒化膜を形成し、
上記工程(f)では、上記第2の絶縁膜として第2のシリコン酸化膜を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(g)では、上記第2のシリコン酸化膜のうち上記抵抗素子用導体層の上方に位置する部分の上をフォトレジストで覆った状態でウェットエッチングを行うことにより、上記第2のシリコン酸化膜の一部を除去し、その後に上記フォトレジストを除去し、さらに、上記第2のシリコン酸化膜をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、上記シリコン窒化膜の一部を除去する、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306942A JP4546054B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306942A JP4546054B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079290A JP2005079290A (ja) | 2005-03-24 |
JP4546054B2 true JP4546054B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=34409885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003306942A Expired - Lifetime JP4546054B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4546054B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032962A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5292878B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-09-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019021659A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982896A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH104179A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH1070244A (ja) * | 1996-06-29 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | アナログ半導体装置及びその製造方法 |
JPH11340424A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002134630A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002176109A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003152100A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003158196A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003332454A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200504A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003306942A patent/JP4546054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982896A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH104179A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH1070244A (ja) * | 1996-06-29 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | アナログ半導体装置及びその製造方法 |
JPH11340424A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001007220A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002134630A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002176109A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003152100A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003158196A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003332454A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200504A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005079290A (ja) | 2005-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007335834A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007123632A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007081249A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH02273934A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007165558A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20100327365A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
JP2007227851A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20080023774A1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
JP2007158065A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP3544535B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100495662B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
JP2008078403A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4086099B2 (ja) | 半導体素子の形成方法 | |
JP2007088138A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008227165A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008103613A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009117621A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4546054B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4580657B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010098157A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008021935A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP2005311058A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015070192A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置 | |
JP3277434B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
JP2009016754A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100701 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4546054 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |