JPWO2024122463A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPWO2024122463A5 JPWO2024122463A5 JP2024562738A JP2024562738A JPWO2024122463A5 JP WO2024122463 A5 JPWO2024122463 A5 JP WO2024122463A5 JP 2024562738 A JP2024562738 A JP 2024562738A JP 2024562738 A JP2024562738 A JP 2024562738A JP WO2024122463 A5 JPWO2024122463 A5 JP WO2024122463A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor film
- crystalline oxide
- less
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022195220 | 2022-12-06 | ||
| PCT/JP2023/043114 WO2024122463A1 (ja) | 2022-12-06 | 2023-12-01 | 結晶性酸化物半導体膜、積層構造体、及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2024122463A1 JPWO2024122463A1 (https=) | 2024-06-13 |
| JPWO2024122463A5 true JPWO2024122463A5 (https=) | 2025-08-25 |
Family
ID=91379206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024562738A Pending JPWO2024122463A1 (https=) | 2022-12-06 | 2023-12-01 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4632797A1 (https=) |
| JP (1) | JPWO2024122463A1 (https=) |
| KR (1) | KR20250119538A (https=) |
| CN (1) | CN120345061A (https=) |
| TW (1) | TW202438708A (https=) |
| WO (1) | WO2024122463A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2026019629A (ja) * | 2024-07-26 | 2026-02-05 | 三菱重工業株式会社 | 光学フィルタ、及び光学フィルタの製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5948581B2 (ja) | 2011-09-08 | 2016-07-06 | 株式会社Flosfia | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| JP6152514B2 (ja) | 2013-10-17 | 2017-06-28 | 株式会社Flosfia | 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法 |
| JP6876895B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2021-05-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 |
| JP6533982B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-06-26 | 株式会社Flosfia | 量子井戸構造、積層構造体および半導体装置 |
| JP7159449B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-10-24 | 日本碍子株式会社 | 下地基板及びその製造方法 |
| WO2020261355A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
| WO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
| JP7016489B2 (ja) | 2019-12-16 | 2022-02-07 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 |
| JP7681039B2 (ja) * | 2020-10-08 | 2025-05-21 | 日本碍子株式会社 | 酸化ガリウム単結晶粒子及びその製法 |
| JP7200205B2 (ja) * | 2020-12-15 | 2023-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
-
2023
- 2023-12-01 KR KR1020257018076A patent/KR20250119538A/ko active Pending
- 2023-12-01 JP JP2024562738A patent/JPWO2024122463A1/ja active Pending
- 2023-12-01 CN CN202380083237.8A patent/CN120345061A/zh active Pending
- 2023-12-01 WO PCT/JP2023/043114 patent/WO2024122463A1/ja not_active Ceased
- 2023-12-01 EP EP23900578.8A patent/EP4632797A1/en active Pending
- 2023-12-05 TW TW112147150A patent/TW202438708A/zh unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6630005B2 (ja) | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
| US9726969B2 (en) | Reflective mask blank, method of manufacturing same, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device | |
| TWI823862B (zh) | 反射型遮罩基底及反射型遮罩 | |
| JPWO2024122463A5 (https=) | ||
| EP2484816A1 (en) | Method for production of laminate | |
| JP7781642B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物単結晶基板およびその製造方法 | |
| TWI835211B (zh) | 半導體製程用拋光組合物以及使用拋光組合物的半導體裝置的製備方法 | |
| Yamada et al. | Nucleation and growth kinetics of AlN films on atomically smooth 6H–SiC (0001) surfaces | |
| JP2021039144A5 (https=) | ||
| WO2009096530A1 (ja) | ＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法並びにＺｎＯ系半導体素子 | |
| CN110651072A (zh) | 碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 | |
| JPS59100561A (ja) | 半導体装置およびその製造法 | |
| WO2010113685A1 (ja) | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 | |
| JP7661989B2 (ja) | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| TWI832258B (zh) | 附導電膜之基板及反射型光罩基底 | |
| Sippola et al. | Comparison of mechanical properties and composition of magnetron sputter and plasma enhanced atomic layer deposition aluminum nitride films | |
| JP7379952B2 (ja) | ＳｉＣインゴットの評価方法、ＳｉＣデバイスの製造方法およびＳｉＣ種結晶の評価方法 | |
| TWI849086B (zh) | 氧化鎵基板、及氧化鎵基板之製造方法 | |
| TWI774596B (zh) | 半導體磊晶結構 | |
| Iida et al. | Thickness dependence of structural and transport properties of Co-doped BaFe2As2 on Fe buffered MgO substrates | |
| JP7523248B2 (ja) | 磁歪材料およびそれを用いた磁歪式デバイス | |
| CN117511549A (zh) | 一种选择性boe蚀刻液 | |
| US20260060080A1 (en) | Aluminum Nitride Bonding Layer | |
| JP5645770B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| CN115621113A (zh) | SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 |