JPWO2023190575A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- 第１のセラミックス及び第１の樹脂を含む第１のセラミックス－樹脂複合材層と、
前記第１のセラミックス－樹脂複合材層の上に設けられた金属パターンと、
第２のセラミックス及び第２の樹脂を含み、前記第１のセラミックス－樹脂複合材層の上に設けられた第２のセラミックス－樹脂複合材層とを含む回路基板であって、
前記第２のセラミックス－樹脂複合材層は、前記金属パターンの側面における前記第１のセラミックス－樹脂複合材層側の端部を少なくとも被覆し、
前記第２のセラミックス－樹脂複合材層は、前記第１のセラミックス－樹脂複合材層の上に積層されたセラミックス－樹脂複合材層であり、
前記第２のセラミックス－樹脂複合材層が前記金属パターンと嵌合する開口部を有する回路基板。 - 前記第２のセラミックス－樹脂複合材層は、前記金属パターンの側面の全部を被覆する請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスのうちの少なくとも一方のセラミックスが多孔質セラミックスである請求項１又は２に記載の回路基板。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスのうちの少なくとも一方のセラミックスがフィラーである請求項１又は２に記載の回路基板。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスは、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、及び窒化アルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種のセラミックスを含む請求項１又は２に記載の回路基板。
- 前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂が熱硬化性樹脂である請求項１又は２に記載の回路基板。
- 前記金属パターンが金属箔を切断加工して得られた金属箔切断加工品である請求項１又は２に記載の回路基板。
- 前記切断加工がせん断加工であり、
前記金属パターンにおける前記第１のセラミックス－樹脂複合材層側の面が、前記金属パターンにおける切断面にダレが生じた側の面である請求項７に記載の回路基板。 - 前記第１のセラミックス－樹脂複合材層の前記金属パターン側の面とは反対側の面に設けられたメタルベース板をさらに含む請求項１又は２に記載の回路基板。
- 第１のセラミックスと第１の樹脂組成物の半硬化物とを含む第１の半硬化物複合体シートの上に、金属パターンを形成する金属パターン形成工程、
第２のセラミックスと第２の樹脂組成物の半硬化物とを含む第２の半硬化物複合体シートを前記第１の半硬化物複合体シートの上に配置する第２の半硬化物複合体シート配置工程、及び
前記金属パターンの少なくとも一部を加圧する加圧工程を含み、
前記第２の半硬化物複合体シートは前記金属パターンに嵌合する開口部を有し、
前記加圧工程は、前記第１の半硬化物複合体シートの上に形成した前記金属パターンの少なくとも一部とともに、前記第１の半硬化物複合体シートの上に配置した前記第２の半硬化物複合体シートを加圧し、
前記第２の半硬化物複合体シート配置工程は、前記第１の半硬化物複合体シートの上に形成した前記金属パターンに、前記第２の半硬化物複合体シートの前記開口部を嵌合して、前記第２の半硬化物複合体シートを前記第１の半硬化物複合体シートの上に配置するか、又は
前記金属パターン形成工程は、前記第１の半硬化物複合体シートの上に配置した前記第２の半硬化物複合シートの開口部に嵌合する金属パターンを前記第１の半硬化物複合体シートの上に形成する回路基板の製造方法。 - 前記加圧工程で加圧される部分の前記金属パターンの厚さが前記第２の半硬化物複合体シートの厚さに略等しい請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスのうちの少なくとも一方のセラミックスが多孔質セラミックスである請求項１０又は１１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスのうちの少なくとも一方のセラミックスがフィラーである請求項１０又は１１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記第１のセラミックス及び前記第２のセラミックスは、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、及び窒化アルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種のセラミックスを含む請求項１０又は１１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記金属パターンが金属箔を切断加工して得られた金属箔切断加工品である請求項１０又は１１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記切断加工がせん断加工であり、
前記金属パターン形成工程で前記第１の半硬化物複合体シートの上に形成した前記金属パターンにおける前記第１の半硬化物複合体シート側の面が、前記金属パターンにおける切断面にダレが生じた側の面である請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
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