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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710280A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Futaba Corp Gan light emitting element
DE3124456C2 (de) * 1980-06-23 1985-04-25 Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JPS5710223A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Futaba Corp Semiconductor device
JPH0936427A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Showa Denko Kk 半導体装置及びその製造方法
JP2000091628A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 半導体発光素子
JP2000269605A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Akihiko Yoshikawa 窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法
JP2005044778A (ja) 2003-07-19 2005-02-17 Samsung Sdi Co Ltd 電界発光素子
CN101523603B (zh) * 2006-08-06 2013-11-06 光波光电技术公司 具有一个或多个谐振反射器的ⅲ族氮化物发光器件以及用于该器件的反射工程化生长模板和方法
CN103325893B (zh) * 2013-06-25 2015-10-28 清华大学 基于非单晶衬底的GaN基LED外延片
KR102547293B1 (ko) * 2015-02-10 2023-06-23 아이빔 머티리얼스 인코퍼레이티드 이온 빔 보조 증착 텍스처드 기판의 에피택셜 육각형 재료
DE102015119353B4 (de) 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US20190198313A1 (en) * 2016-09-12 2019-06-27 University Of Houston System Flexible Single-Crystal Semiconductor Heterostructures and Methods of Making Thereof
CN208173629U (zh) * 2017-08-16 2018-11-30 昆山国显光电有限公司 电极及有机电致发光装置
WO2019058467A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 株式会社 東芝 エピタキシャル成長用基板、エピタキシャル成長用基板の製造方法、エピタキシャル基板及び半導体素子
TWI642047B (zh) * 2018-01-26 2018-11-21 Flex Tek Co., Ltd. 可撓性微發光二極體顯示模組
WO2019168187A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 株式会社 東芝 発光ダイオードシート、表示装置、発光装置、表示装置の製造方法及び発光装置の製造方法
WO2020100290A1 (ja) 2018-11-16 2020-05-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法

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