|
US5523964A
(en)
*
|
1994-04-07 |
1996-06-04 |
Symetrix Corporation |
Ferroelectric non-volatile memory unit
|
|
JP3620041B2
(ja)
*
|
1999-12-09 |
2005-02-16 |
セイコーエプソン株式会社 |
メモリデバイス及びその製造方法、並びに電子機器
|
|
US6566698B2
(en)
|
2000-05-26 |
2003-05-20 |
Sony Corporation |
Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof
|
|
JP4670177B2
(ja)
*
|
2000-05-26 |
2011-04-13 |
ソニー株式会社 |
強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその駆動方法
|
|
EP1187140A3
(en)
*
|
2000-09-05 |
2002-09-11 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Method for driving semiconductor memory
|
|
JP3591497B2
(ja)
|
2001-08-16 |
2004-11-17 |
ソニー株式会社 |
強誘電体型不揮発性半導体メモリ
|
|
US6773929B2
(en)
*
|
2001-09-14 |
2004-08-10 |
Hynix Semiconductor Inc. |
Ferroelectric memory device and method for manufacturing the same
|
|
JP2003229541A
(ja)
*
|
2002-01-31 |
2003-08-15 |
Sony Corp |
半導体記憶装置及びその製造方法
|
|
JP4132936B2
(ja)
*
|
2002-04-16 |
2008-08-13 |
富士通株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US7291878B2
(en)
|
2003-06-03 |
2007-11-06 |
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. |
Ultra low-cost solid-state memory
|
|
WO2006009218A1
(ja)
|
2004-07-22 |
2006-01-26 |
Nippon Telegraph And Telephone Corporation |
２安定抵抗値取得装置及びその製造方法並びに金属酸化物薄膜及びその製造方法
|
|
JP2007013011A
(ja)
*
|
2005-07-01 |
2007-01-18 |
Seiko Epson Corp |
強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ｉｃ
|
|
JP2007266494A
(ja)
*
|
2006-03-29 |
2007-10-11 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置
|
|
JP2008071897A
(ja)
*
|
2006-09-13 |
2008-03-27 |
Toshiba Corp |
半導体メモリ及び半導体メモリの製造方法
|
|
JP4901515B2
(ja)
*
|
2007-02-07 |
2012-03-21 |
株式会社東芝 |
強誘電体半導体記憶装置
|
|
JP2009116940A
(ja)
*
|
2007-11-05 |
2009-05-28 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置
|
|
JP4660564B2
(ja)
*
|
2008-03-11 |
2011-03-30 |
株式会社東芝 |
半導体記憶装置
|
|
JP2010044844A
(ja)
*
|
2008-08-18 |
2010-02-25 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置
|
|
JP2010140919A
(ja)
|
2008-12-09 |
2010-06-24 |
Hitachi Ltd |
酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板
|
|
JP2011029258A
(ja)
*
|
2009-07-22 |
2011-02-10 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置
|
|
JP2011066062A
(ja)
*
|
2009-09-15 |
2011-03-31 |
Toshiba Corp |
半導体記憶装置
|
|
US12154817B1
(en)
*
|
2010-11-18 |
2024-11-26 |
Monolithic 3D Inc. |
Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
|
|
TWI492368B
(zh)
|
2011-01-14 |
2015-07-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體記憶裝置
|
|
US10229874B1
(en)
*
|
2018-03-22 |
2019-03-12 |
Micron Technology, Inc. |
Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays
|
|
JP2019201034A
(ja)
|
2018-05-14 |
2019-11-21 |
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 |
半導体装置及び電子機器
|
|
US10546629B1
(en)
*
|
2018-10-10 |
2020-01-28 |
Micron Technology, Inc. |
Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier
|
|
US12082390B2
(en)
|
2019-03-29 |
2024-09-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
JP7512255B2
(ja)
|
2019-03-29 |
2024-07-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US10916548B1
(en)
*
|
2019-07-25 |
2021-02-09 |
Micron Technology, Inc. |
Memory arrays with vertical access transistors
|
|
US20240284710A1
(en)
*
|
2022-06-21 |
2024-08-22 |
Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. |
Display panel and display apparatus
|
|
US20240371854A1
(en)
*
|
2023-01-18 |
2024-11-07 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Integrated circuit device and method of manufacturing
|